JPH02243948A - レジスト耐熱評価装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体素子、ＩＣ素子等の作製に用いられる
フォトレジスト、電子線レジスト等のレジストの耐熱評
価装置に関する。

〈従来の技術〉 半導体素子、ｒｃ素子等がコンピュータ、各種の電気製
品等に適用されている。

このような素子の製造は一般的にフォトエツチングにて
行なわれる。

フォトエツチングによる素子の製造方法は、まず、絶縁
性の基板上に蒸着、スパッタリング等の方法にて電極層
を形成した後、この電極層上に溶媒に溶解したフォトレ
ジストをスピンコード等の方法にて塗布する。

フォトレジストの塗布後、ブリベータと呼ばれる加熱処
理にてフォトレジスト溶媒を蒸発させる。

次いでこのフォトレジストをフォトマスクで覆って光を
照射し、またはレーザー光等を照射して露光した後、所
定の現像液にて現像し、例えばフォトレジストがポジ型
であれば被露光部が溶解して、所定のレジストパターン
、特に微細なレジストパターンを有するマイクロレジス
トが形成される。

現像が終了した後、形成されたマイクロレジストは、耐
エツチング性の強化、現像液の蒸発を目的としたボスト
ベークと呼ばれる加熱処理が施される。

マイクロレジストの形成が終了すると、エツチング液に
てエツチングが行なわれ、マイクロレジスト層が形成さ
れていない電極層を溶解して導体層を所定のパターンに
形成し、半導体素子、ＩＣ素子等に適用される。

ところで、フォトエツチングに適用されるマイクロレジ
ストを形成するには、前述のようにその作製工程におい
てブリベータ、ボストベークと２回の加熱工程が行なわ
れる。　従って、適用されるレジストには、少なくとも
このブリベータ、ボストベークの温度以上の耐熱性が要
求される。

このようなレジストの耐熱性の試験は、加熱前後のレジ
ストパターンの形状変化を計測することによって行なわ
れるのが通常であり、従来はこの計測は光学顕微鏡ある
いは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等にて直接観察するこ
とにより行なわれていた。

しかしながら、このような耐熱評価方法は、レジストパ
ターンを肉眼にて直接観察するものであるので、レジス
トパターンの形状変化を定量的に計測することができず
、レジストの耐熱性の評価を正確に行なうことはできな
い。

また、ＳＥＭによる観察は試料を小さな切片にする必要
のある破壊試験であり、従って非常に手間も係るという
問題点もある。

このような問題を解決するために、本発明者らは、基板
上に形成したレジストパターン上にコヒーレント光を照
射し、このコヒーレント光を形成したレジストパターン
によって回折させ、その０次以外の回折光の強度を計測
することによって、レジストパターンの形状の変化を計
測するレジストパターンの形状変化の計測方法を発明し
、先にこれを提案した（特願昭６３−２５３２６２号）
。

この方法によれば、レジストパターンの形状変化を定量
的に測定することが可能で、この方法を適用することに
より、レジストの耐熱性評価を定量的にかつ正確に、し
かも試料を切片等にする必要なく行なうことが可能であ
る。

〈発明が解決しようとする課題〉 上述の方法にてレジストの耐熱評価を行なうには、所定
のレジストパターン、特に微細なレジストパターンを有
するマイクロレジストを形成した試料を加熱した後に試
料載置台に固定し、この試料にレーザー光等のコヒーレ
ント光を照射し、その０次以外の回折光の強度をフォト
ダイオード等にて測定する。

この測定を複数の温度にて行ない、回折光の強度の変化
よりマイクロレジストの形状変化を計測し、レジストの
耐熱性の評価を行なうものである。

ここで、正確な測定を行なうためには、当然レーザー光
源、フォトダイオード等の光学系と試料との位置関係が
常に一定である必要がある。　そのため、試料を試料載
置台以外の場所で加熱した際には、前の試料と加熱後の
試料とは試料載置台の全く同じ場所に載置される必要が
ある。

しかしながら、マイクロレジストのレジストパターンは
非常に微細なものであり、このレベルで再び試料を試料
載置台の同じ場所に固定するのは非常に困難である。

そのため、試料載置台に搭載した状態にて試料を加熱す
ることが望まれるが、測定に用いられるレーザー光源、
フォトダイオード等は温度依存性が高く、試料加熱時の
熱が測定に影響し、正確な耐熱評価を行なうことができ
ないという問題がある。

例えば、保証温度が６０℃、Ｈｅ−Ｎｅレーザーの６３
３ｎｍでの感度が０．４Ａ／Ｗであるフォトダイオード
を適用したとすると、計測される電流は通常１０−５〜
１Ｏ−６Ａ程度であるため、正確な測定を行なうために
は暗電流をｉｏ”８〜１０−”Ａ程度に抑える必要があ
る。

そのためには、測定の際の周囲温度は４０℃以下にする
ことが望まれ、正確に測定を行なうためには、測定時に
は試料加熱時の熱が、光学系に影響しないことが必要で
ある。

本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決すること
にあり、レジストの耐熱評価を簡便かつ定量的に行なう
ことができ、しかも、測定中に試料を８動する必要が無
く、加熱時の熱の影響を受けることのない正確な測定を
行なうことができるレジスト耐熱評価装置を提供するこ
とにある。

〈課題を解決するための手段〉 前記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、基
板上にレジストを形成した試料を載置する試料載置台と
、 前記試料のレジストにコヒーレント光を照射する光源と
、 前記レジストに入射し回折された前記コヒーレント光の
０次以外の回折光の強度を計測する計測器と、 前記試料を加熱する、移動可能な加熱装置とを有するこ
とを特徴とするレジスト耐熱評価装置を提供する。

また、本発明の第２の態様は、基板上にレジストを形成
した試料を載置する試料載置台と、前記試料のレジスト
にコヒーレント光を照射する光源と、 前記レジストに入射し回折された前記コヒーレント光の
０次以外の回折光の強度を計測する計測器と、 前記光源および前記計測器と前記試料載置台との間に°
挿入可能な遮熱板および前記試料を加熱する加熱器を一
体化した移動可能な加熱装置とを有することを特徴とす
るレジスト耐熱評価装置を提供する。

また、本発明の第１の態様においては、さらに、前記光
源および前記測定器と、前記試料との間に挿入可能な遮
熱板を有することが好ましい。

〈発明の作用〉 本発明のレジスト耐熱評価装置は、各種の温度に加熱し
たマイクロレジストにコヒーレント光を照射して、この
回折光の０次以外の回折光の強度を測定し、各温度にお
ける回折光強度の変化よりレジストパターンの形状変化
を計測し、マイクロレジストが形状変化を開始した温度
が、形状変化の度合いよりレジストの耐熱評価を行なう
装置であって、第１の態様においては、試料を加熱する
ヒータ等の加熱装置を移動可能とし、好ましくはコヒー
レント光光源およびフォトダイオード等の測定器と、マ
イクロレジストを形成した試料を載置する試料載置台と
の間に挿入可能な遮熱板を有し、また、第２の態様にお
いては、前記光源および前記計測器と前記試料載置台と
の間に挿入可能な遮熱板および前記試料を加熱する加熱
器を一体化した移動可能な加熱装置を有するものである
。

そのため、本発明のレジスト耐熱評価装置によれば、レ
ジストの耐熱評価を試料切片等を作製することなく簡便
に、しかも定量的に行なうことができる。

また、本発明のレジスト耐熱評価装置は、試料加熱後に
加熱装置を前記光源および前記測定器から遠ざけて移動
させることが可能で、測定中に加熱装置の発する熱によ
る光源および測定器への悪影響が無く、正確な測定を行
なうことができる。

しかも、前記光源および前記測定器と試料との間に遮熱
板を挿入することにより、加熱中にも光源および測定器
への熱による悪影響を防止することができる。

さらに、本発明のレジスト耐熱評価装置は、前述のよう
に加熱装置を移動することができるので、加熱時等に試
料を試料載置台から移動する必要がなく、前記光源およ
び前記測定器と試料との位置関係が動くことなく一定で
常に正確な耐熱評価をすることができる。

〈実施態様〉 以下、本発明に係るレジスト耐熱評価装置について、添
付の図面に示される好適実施例を基に詳細に説明する。

第１ａ図および第１ｂ図に、本発明の第１の態様のレジ
スト耐熱評価装置の好適な一実施例の概念図が示される
。

第１ａ図および第１ｂ図に示されるレジスト耐熱評価装
置１０は、基本的に、基板上に微細なレジストパターン
を有するマイクロレジストを形成した試料１２を１ｉ！
ｉ置する試料載置台１４と、この試料１２にコヒーレン
ト光としてのレーザー光を照射するレーザー光源１６と
、試料１２に入射し回折されたレーザー光の０次以外の
回折光の強度を測定するフォトダイオード１８と、昇降
可能に構成される試料１２を加熱する加熱装置２０と、
制御装置２２とから構成される。

また、第１ａ図および第１ｂ図に示される例においては
、好ましい態様としてレーザー光源１６およびフォトダ
イオード１８と、試料１２との間に挿入可能な遮熱板２
４を有するものである。

図示例のレジスト耐熱評価装置ｌＯは、加熱装置２０に
て加熱した後の試料１２のマイクロレジストにレーザー
光源１６よりレーザー光を照射し、このマイクロレジス
トにて回折されたレーザー光の０次以外の回折光の強度
をフォトダイオード１８にて測定し、各温度における回
折光強度の変化よりマイクロレジストの形状変化を計測
して、レジストの耐熱評価を行なうものである。

なお、このようなレーザー光を適用したマイクロレジス
トの形状変化の計測方法については、本出願人による特
願昭６３−２５３２６２号明細書に詳述されている。

本発明に適用される試料１２は、基板上にマイクロレジ
ストを形成したものである。　基板としては、シリコン
ウェハー　ガラス板等が好適に適用可能である。

本発明において測定対象とされるレジストは、半導体素
子、ＩＣ素子をフォトエツチングにて製造する際に適用
されるものは、ポジ型、ネガ型を問わずいずれも測定可
能であり、特に限定はない。

なお、マイクロレジストのレジストパターンは、光軸合
せの簡単さや、０次以外の回折光を無駄なく受光するた
めに、ストライブ状のパターンを等間隔で形成したもの
が好ましい。

試料載置台１４はこのような試料１２を所定の位置に支
持するものである。

試料載置台１４は、試料１２を所定の位置に位置決めし
て載置できるものであれば、試料１２をただ載置するだ
けでもよく、また、吸引等の各種の手段にて固定するも
のであってもよい。　また、試料】２の基材がシリコン
ウェハーである場合には、シリコンウェハーが通常有す
るオリエンテーションフラットにに対応した位置決め手
段を有することが好ましい。

このような試料載置台１４は、所定の位置に固定される
ものであってもよいが、各種の手段にて上下方向および
平行方向に移動可能に構成され、試料１２に形成された
レジストパターンに応じて、試料１２上におけるレーザ
ー光の照対位置を変更できるようにするのが好ましい。

試料載置台１４の上方には、試料１２に形成されたマイ
クロレジストにレーザー光を照射するレーザー光源１６
が配置される。

本発明においてレーザー光源１６としては、適用される
レジストの感光領域以外の波長を有する各種のものが適
用可能であり、Ｈｅ−Ｎｅレーザー　ガスレーザー　半
導体レーザー等、特に限定はない。

このようなレーザー光源１６は、必要に応じ、レーザー
光の照射位置を移動できるように構成されていてもよい
。

試料ａ置台１４上のレーザー光源１６と逆側の上部には
、試料１２のマイクロレジストに入射して、回折された
０次以外の回折光の強度を計測するフォトダイオード１
８が配置される。

フォトダイオード１８は本発明のレジスト耐熱評価装置
の計測器を構成するのである。　計測器としては、０次
以外のレーザー回折光強度を計測できるものであれば特
に限定はなく、各種の光計測器が通用可能であり、図示
例のフォトダイオード１８に限らず、フォトトランジス
タ、イメージセンサ等や、これらを組込んだ電子回路等
が挙げられる。

ここで、本発明のレジスト耐熱評価装置１０においては
、より正確なマイクロレジストの形状測定を行なうため
に、前述のストライプ状のレジストパターンを有するマ
イクロレジストを用い、フォトダイオード１８での計測
を２次以上の回折光強度とするのが好ましい。

フォトダイオード１８としては特に限定はなく　％　ｐ
　ｎフォトダイオード、ｐｉｎフォトダイオード、ショ
ットキーフォトダイオード、Ｓｉ、Ｇｅ等の各種アバラ
ンシュフォトダイオード等、各種ものが適用可能であり
、特に限定はない。

なお、図示例においては、フォトダイオード１８は０次
の回折光ａを受光しない位置に配されるものであるが、
本発明においてはこれに限定されるものではない。

試料載置台１４の下方には加熱装置２０が配置される。

本発明のレジスト耐熱評価装置１０においては、この加
熱装置２０は図示しない移動手段にて移動可能に構成さ
れ、図示例においては、加熱時には第１ａ図で示される
位置に、マイクロレジストの形状計測時には第１ｂ図に
示される位置に、矢印Ａで示される方向に移動可能とさ
れる。

このように加熱装置２０を移動可能に構成することによ
り、マイクロレジストの形状計測は第１ｂ図に示される
状態にて行ない、形状計測を終えた後、加熱装置２０を
第１ａ図に示される位置に移動し、試料１２を加熱する
ことが可能で、試料１２を試料載置金工４から８勤する
ことなく、また、試料載置台１４を移動することなく、
所望の温度に加熱することができる。

また、レーザー光源１６およびフォトダイオード１８は
非常に温度依存性の高いものであるが、加熱後の試料１
２の回折光強度の測定時には、加熱装置２０を第１ｂ図
に示される位置に移動することにより、加熱装置２０の
発する熱がレーザー光源１６およびフォトダイオード１
８に全く影響しない状態で、レーザー光をマイクロレジ
ストに照射し、その回折光の強度を測定することが可能
で、正確にマイクロレジストの形状測定を行なうことが
できる。

つまり、本発明のレジスト耐熱評価装置１０によれば、
レーザー光源１６およびフォトダイオード１８と試料１
２との位置関係を加熱前後において全く動かす必要がな
く、しかも加熱装置２０の有する熱の影響を全く受けず
に、加熱Ｎ　後のマイクロレジストの形状変化を測定し
、正確かつ迅速にレジストの耐熱評価を行なうことが可
能となる。

さらに、回折光の測定時に加熱装置２０をレーザー光源
１６およびフォトダイオード１８への熱の影響がない位
置に移動することにより、回折光の測定時に、昇温・降
温を行ない加熱装置２０を所望の温度にすることが可能
であり、試料１２の加熱を迅速に行なうことができ、迅
速な耐熱評価を行なうことができる。

加熱装置２０としては、ホットプレート、ヒータ等各種
の加熱手段が適用可能である。

加熱装置２０の移動位置は、図示例の上下方向に限定さ
れるものではなく、横方向、斜め方向、さらにはこれら
を組合せたもの等、試料１４を加熱可能である位置と、
加熱残熱がマイクロレジストの形状測定に影響しない位
置に移動可能なものであれば限定はない。

また、その移動手段としてはラックアンドピニオン、ド
ライブスクリュー　ボールスクリュー等、加熱装置２０
を上述の位置に移動可能である公知の移動手段はすべて
適用可能である。

図示例のレジスト耐熱評価装置１０においては、より好
ましい態様として、試料１２とレーザー光源１６および
フォトダイオード１８との間に挿入可能な遮熱板２４を
有するものである。

遮熱板２４は、試料１２の加熱位置には第１ａ図に示さ
れる試料１２とレーザー光源１６およびフォトダイオー
ド１８との間に、マイクロレジストからの回折光の測定
時には、第１ｂ図に示される測定に影響しない位置に、
図示しない移動手段にて矢印Ｂで示される方向に移動可
能に構成される。

このような遮熱板２４を有することにより、加熱装置２
０による試料１２の加熱中の熱によるレーザー光源１６
およびフォトダイオード１８への影響をもなくすことが
でき、より正確なマイクロレジストの形状変化の計測、
すなわち耐熱評価を行なうことが可能となる。

遮熱板２４としては、各種の熱吸収フィルタ等、公知の
遮熱材はいずれも適用可能である。

また、遮熱板２４の試料１２の対向面は、試料１２の加
熱時の熱効率の点から、アルミ蒸着等の熱反射部材であ
るのが好ましい。

遮熱板２４の移動位置は図示例の位置に限定されるもの
ではなく、試料１２の加熱時のレーザー光源１６および
フォトダイオード１８への熱を遮蔽できる位置と、レー
ザー光源１６およびフォトダイオード１８によるマイク
ロレジストの形状測定に影響しない位置とを移動可能で
あればよい。

また、その移動手段も加熱装置２０と同様に公知の各種
の方法が通用可能である。

制御装置２２は、フォトダイオード１８による測定デー
タを処理し、かつ加熱装置２０、遮熱板２４の移動等を
制御するもので、基本的に電圧計２６、Ａ／Ｄ変換器２
８、インターフェイス３０およびＣＰＵ３２から構成さ
れ名。

フォトダイオード１８の出力端子は電圧計２６に接続さ
れる。　電圧計２６にて計測された０次以外の回折光の
強度のデータはＡ／Ｄ変換器２８にてアナログ−デジタ
ル変換され、次いでインターフェイス３０を経てＣＰＵ
３２に転送され、ＣＰＵ３２にてデータ処理される。

一方、加熱装置２０および遮熱板２４は、インターフェ
イス３０を経てＣＰＵ３２に接続され、加熱時、マイク
ロレジスト形状の測定時等の移動、加熱装置２０におい
ては温度等をコントロールされる。

なお、本発明のレジスト耐熱評価装置１０においては、
マイクロレジストの形状測定、温度コントロール、加熱
装置２０および遮熱板２４の移動は、各種の入力手段に
より入力され、ＣＰＵ３２にて自動的に制御されてもよ
く、またマニュアル操作で行なわれるものであってもよ
い。

第２ａ図および第２ｂ図に、本発明の第２の態様のレジ
スト耐熱評価装置の好適な一実施例の概念図が示される
。

第２ａ図および第２ｂ図に示されるレジスト耐熱評価装
置５０は、基本的に、基板上にマイクロレジストを形成
した試料１２を載置する試料載置台１４と、この試料１
４にコヒーレント光としてのレーザー光を照射するレー
ザー光源１６と、試料１２に入射し回折されたレーザー
光の０次以外の回折光の強度を測定するフォトダイオー
ド１８と、レーザー光源１６およびフォトダイオード１
８と試料１２との間に挿入可能な遮熱板５２ａおよび試
料１２を加熱する加熱器５２ｂを一体化した移動可能な
加熱装置５２と、制御装置２２とから構成される。

ここで、レジスト耐熱評価装置５０においては、試料１
２、試料載置台１４、レーザー光源１６、フォトダイオ
ード１８および制御装置２２は、前述の第１ａ図および
第１ｂ図に示されるレジスト耐熱評価装置１０と同様で
あるので、同じ部材には同じ番号を付し、その説明は省
略する。

本発明の第２の態様のレジスト耐熱評価装置５０におい
ては、加熱装置５２は、遮熱板５２ａと試料１２を加熱
する加熱器５２ｂとを一体化し、かつ移動可能に構成さ
れるものである。

レジスト耐熱評価装置５０においては、加熱時には加熱
装置５２は第２ａ図に示される位置に配置され、マイク
ロレジストの回折光の測定時には第２ｂ図に示される測
定に影響のない位置に移動するものである。

加熱装置５２をこのように構成することによりて、本発
明のレジスト耐熱評価装置５０は、試料１２の加熱時に
は、遮熱板５２ａが試料１２とレーザー光源１６および
フォトダイオード１８との間に挿入され、加熱時の熱に
よるレーザー光源１６およびフォトダイオード１８への
影響をなくすことができ、また、回折光の測定時には加
熱器５２ｂの発する熱によるレーザー光源１６およびフ
ォトダイオード１８への影響がない状態とすることが可
能で、正確な測定を行なうことができる。

しかも、遮熱板５２ａおよび加熱器５２ｂを一体化する
ことにより、一つの８勤手段にて以上の加熱時の遮熱お
よび、回折光測定時の加熱器５２ｂの有する熱の影響を
なくすことができる。

加熱装置５２に通用される遮熱板５２ａとしては、各種
の熱吸収フィルタ等、前述のレジスト耐熱評価装置１０
に適用される遮熱板２４はいずれも適用可能である。　
なお、遮熱板５２ａの試料対向面は、前述の第１の態様
のものと同様に、熱反射部材にて形成されることが好ま
しい。

また、加熱器５２ｂとしても、各種のホットプレート等
、前述のレジスト耐熱評価装置１゜の加熱装置２０に通
用されるものはも適用可能である。

加熱装置５２の穆勤位置は、試料１４を加熱可能である
位置と、加熱装置５２の有する熱がマイクロレジストの
形状測定に影響しない位置に移動可能なものであれば図
示例のみならず、平行移動の後に上下穆勤するもの等、
限定はない。

また、その８勤手段としてはラックアンドピニオン、ド
ライブスクリュー　ボールスクリュー　さらにはこれら
を組合せたもの等、公知の心動手段はすべて適用可能で
ある。

以下、第１ａ図および第１ｂ図を参照に、本発明の第１
の態様のレジスト耐熱評価装置１０の作用について説明
する。

まず、基板上に所定のレジストパターンを有するマイク
ロレジストが形成された試料１２が、試料載置台１４上
の所定の位置に載置され、必要に応じて固定される。

次いで、加熱装置２０が試料１２を加熱可能な位置に上
昇し、遮熱板２４はレーザー光源１６およびフォトダイ
オード１８と試料１２との間に配置され、加熱装置２０
にて試料１２が所定の温度に加熱される。

試料の加熱が終了すると、加熱装置２ｏおよび遮熱板２
４はもとの位置に移動し、次いで、レーザー光源１６よ
りレーザー光が照射され、マイクロレジストに入射し、
その０次以外の回折光がフォトダイオード１８に入射す
る。

フォトダイオード１８に入射した回折光は、その強度が
電圧計２６にて計測され、次いでＡ／Ｄ変換器２８にて
アナログ−デジタル変換され、インターフェイス３０を
経てＣＰＵ３２にて処理・記憶される。

回折光強□度の測定が終了すると、再び加熱装置２０が
矢印へ方向に上昇し、また遮熱板が矢印Ｂ方向に移動し
て試料１２とレーザー光源１６およびフォトダイオード
１８の間に挿入され、試料１２がさらに加熱され、同様
にしてマイクロレジストの回折光強度の測定が行なわれ
、同様にＣＰＵ３２にて処理・記憶される。

以上のようにして、所望の温度でのマイクロレジストの
回折光強度を測定し、ＣＰＵ３２にて処理される。

測定がすべて終了すると、ＣＰＵ３２にて回折光強度の
変化よりマイクロレジストの形状変化が計測され、形状
変化を開始した温度や形状変化の度合いより試料！２に
適用されたレジストの耐熱評価を行なう。

以上、本発明のレジスト耐熱評価装置について、添付の
図面に示される好適実施例を基に詳細に説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を
逸脱しない範囲において、各種の変更および改良を行な
フてもよいのは当然のことである。

〈発明の効果〉 本発明のレジスト耐熱評価装置は、好ましくは、試料と
して基板上に微細なレジストパターンを有するマイクロ
レジストを用い、このマイクロレジストを加熱した後に
コヒーレント光を照射して、各温度におけるマイクロレ
ジスト回折光の０次以外の回折光の強度を測定し、この
回折光の強度の変化を測定することによりマイクロレジ
ストの形状変化を計測し、レジストの耐熱評価を行なう
ものであり、本発明の第１の態様においては、試料を加
熱する加熱装置を心動可能とし、好ましくはコヒーレン
ト光光源および測定器と、マイクロレジストを形成した
試料を載置する試料載置台との間に挿入可能な遮熱板を
有し、また、本発明の第２の態様においては、光源およ
び計測器と試料との間に挿入可能な遮熱板および試料を
加熱する加熱器を一体化した８動可能な加熱装置を有す
るものである。

そのため、本発明によればレジストの耐熱評価を試料切
片等を作製することなく簡便に、しかも定量的に行なう
ことができる。

また、本発明によれば試料加熱後に加熱装置を光源およ
び測定器から遠ざけて６勤させることが可能で、測定中
に加熱装置の発する熱による光源および測定器への悪影
響が無く、正確な測定を行なうことができる。

しかも、光源および測定器と試料との間に遮熱板を挿入
することにより、加熱中にも光源および測定器への熱に
よる悪影響をも防止することができる。

さらに、本発明のレジスト耐熱評価装置は、前述のよう
に加熱装置を移動することができるので、加熱時等に試
料を試料載置台から移動する必要がなく、前記光源およ
び前記測定器と試料との位置関係が動くことなく常時一
定で、常に正確な耐熱評価をすることができる。

また、加熱装置を移動した回折光の計測中も加熱装置を
加熱した状態、さらには次の測定条件にセットとしてお
くことができ、迅速に試料を加熱し、マイクロレジスト
の耐熱評価を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図および第１ｂ図は、本発明のレジスト耐熱評価
装置の第１の態様を示す概略図である。 第２ａ図および第２ｂ図は、本発明のレジスト耐熱評価
装はの第２の態様を示す概略図である。 符号の説明 １０．５０・・・レジスト耐熱評価装置、１２・・・試
料、 １４・・・試料載置台、 １６・・・レーザー光源、 １８・・・フォトダイオード、 ０．５２・・・加熱装置、 ２・・・制御回路、 ４．５２ａ・・・遮熱板、 ６・・・電圧計、 ８・・・Ａ／Ｄ変換器、 ０・・・インターフェイス、 ２・・・ＣＰＵ。 ２ｂ・・・加熱器

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にレジストを形成した試料を載置する試料
   載置台と、 前記試料のレジストにコヒーレント光を照射する光源と
   、 前記レジストに入射し回折された前記コヒーレント光の
   ０次以外の回折光の強度を計測する計測器と、 前記試料を加熱する、移動可能な加熱装置とを有するこ
   とを特徴とするレジスト耐熱評価装置。
2. （２）基板上にレジストを形成した試料を載置する試料
   載置台と、 前記試料のレジストにコヒーレント光を照射する光源と
   、 前記レジストに入射し回折された前記コヒーレント光の
   ０次以外の回折光の強度を計測する計測器と、 前記光源および前記計測器と前記試料との間に挿入可能
   な遮熱板および前記試料を加熱する加熱器を一体化した
   移動可能な加熱装置とを有することを特徴とするレジス
   ト耐熱評価装置。