JPH02239955A - 印刷ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、一般的にはレーザ印刷ヘッドの構造に関し、
特に、集積導波管を利用する集積光学式レーザ印刷ヘッ
ドに関する。

［従来の技術］ 半導体レーザから構成されるレーザ印刷ヘッドの製造に
は、いくつかの問題がある。］−つの問題は、半導体レ
ーザが独立的にアドレス可能でありながら基板上におい
て相互にいかに接近しうるかについて限度が存在するた
めに発生する。詳しくいうと、同一基板上に構成された
半導体レーザ間の距離は、それらが独立的にアドレス可
能であるためには、約１００ミクロンより大であるべき
である。もし半導体レーザが相互にそれより接近して配
置されれば、それらの一方が励振された時、隣接レーザ
間に干渉が起る。そのため、レーザ印刷ヘッドの構成に
関する多くの技術上の試みにおいては、分離された半導
体レーザが用いられてきた。

もう１つの問題は、半導体レーザから発生する光を、小
さい極めて接近した絵素領域に結合せしめようとする時
に発生する。詳しくいうと、本技術分野において従来使
用されてきた光ファイバ素子は、レーザ印刷ヘッドにお
いて要求される独立出力絵素の高度の接近度を達成しえ
ない。

その結果、本技術分野においては、（＋）独立的にアド
レス可能でありながら、相互に極めて接近して配置され
た半導体レーザを有し、（２）個々の分離された半導体
レーザからの光を伝送して、隣接絵素間の間隔が、隣接
半導体レーザ間の間隔より実質的に小さい出力絵素群を
生ぜしめうる光伝送装置を有し、（３）吸収または散乱
による損失が小さく、いくつかのチャネル間の漏話が少
ない光伝送伝送装置を有する、レーザ印刷ヘッドの構造
が要求されている。

［発明の要約］ 本発明の実施例は、共通基板上に配置され独立的に駆動
される半導体レーザのアレイを含み、それらの出力が集
積導波管構造に結合せしめられる、集積光学式レーザ印
刷ヘッドを有利な形式で与える。この集積導波管構造は
多数の低損失導波管を含み、それらの導波管はそれぞれ
その入力端においてレーザに結合せしめられ、結合せし
められた放射の実質的部分をその出力端から出力する。

諸導波管の入力端は、レーザの間隔に応じて大きい間隔
を有するが、それらの出力端はレーザプリン夕の絵素の
要求に従って、狭い間隔を有する。また、導波管の間の
漏話は低レベルならしめられる。

上述のように、本発明の集積光学式レーザ印刷ヘッドは
、共通基板上に配置された独立的に駆動される半導体レ
ーザアレイを含む。そのために、個々のレーザと、集積
導波管構造内の個々の導波管とを整列させる問題は、レ
ーザが多数の基板上に配置された時生じる問題と比較す
ると実質的に軽度のものとなる。

さらに、本発明の集積光学式レーザ印刷ヘッドは、多数
の導波管を有する集積導波管構造を含み、それぞれの導
波管は、その入力端においてレーザに結合せしめられ、
結合せしめられた放射の実質的部分をその出力端から出
力する。集積導波管構造の実施例は２種類与えられる。

一方の種類は、感光媒体の光学濃度変化が露光光量によ
る応用において有用なものである。従って、このような
応用において一様な露光を保持するためには、集積導波
管構造のそれぞれの導波管からの光出力の量は実質的に
等しいことを要求される。他方の種類は、感光媒体の露
光がスレッショルド現象に従って行なわれる応用におい
て有利に用いられるものである。従って、このような応
用において一様な露光を保持するためには、集積導波管
のそれぞれの導波管からの光出力の量は、単に所定のス
レッショルド量より大であることを要求される。

本発明の１実施例においては、諸導波管から実質的に等
しい量の出力光を発生するようになっており、諸導波管
は相異なる損失を有し、諸レーザに対して印加されるバ
イアスの量は、諸導波管間の異なる損失を補償するため
に変化せしめられる。

本発明の他の実施例においては、諸導波管から実質的に
等しい量の出力光を発生するようになっており、諸レー
ザは実質的に同一レベルにバイアスされ、諸導波管は実
質的に等しい損失を有し、それによってそれぞれの導波
管から実質的に同じ光出力が得られるようになっている
。ここで、実質的に等しい損失という表現は、諸導波管
における損失が、それらの導波管からの出力を受ける感
光媒体の感度公差の限界内において等しいことを意味す
る。すなわち、もし感光媒体が、例えば０．　　３ｄＢ
より小さい差を検出しえなければ、導波管の損失は、相
互に０．　　３ｄＢ以内にありさえすれば実質的に等し
いことになる。それにも拘らず、それぞれの導波管が実
質的に等しい損失を有するためには、諸導波管の長さを
好ましくは実質的に等しくすべきである。

所定スレッショルドより大な出力光量を発生するように
なっている本発明の実施例においては、諸導波管は、そ
れぞれからの光出力が所定のスレッショルドより大であ
る限り、任意の損失を有しうる。

上述の考慮の外に、本発明の集積光学式レーザ印刷ヘッ
ドの集積導波管構造を設計する際に考慮しなくてはなら
ない他の要求がある。第１の要求は、導波管間の漏話を
低レベルに保持することであり、第２の要求は、導波管
内での損失を小さい値まで減少せしめることであり、第
３の要求は、諸導波管の入力領域を相互に実質的に平行
になるように構成し、また、諸導波管の出力領域を相互
に実質的に平行になるように構成し、それによって導波
管内への、および導波管外への、光の結合を容易に、か
つ一層効率的にすることである。

第１、第２、第３の要求は、本発明の実施例においては
、諸導波管をｒＳＪ字形に形成することによって満たさ
れる。そのような「Ｓ」字形の集積導波管構造において
は、漏話は導波管の出力領域付近においての問題となる
。そのわけは、その領域においては諸導波管が極めて接
近するので、１つの導波管から放射される光が隣接する
導波管により捕えられうるからである。これが起こるの
は、諸導波管の出力領域においてのみ、諸導波管がレー
ザプリンタの要求する出力絵素間隔を与えるために相互
に十分接近する必要があるからである。このようにして
、２つの導波管間の漏話は、２つの導波管が極めて接近
している長さに比例するので、「Ｓ」字形をなす実施例
は、諸導波管が相互に接近している出力領域付近の長さ
を十分短くしで、漏話を低レベルに制限するように設計
される。さらに、「Ｓ」字形実施例においては、諸導波
管の入力領域は全て平行になっており、また出力領域も
全て平行になっている。さらにまた、「Ｓ」字形導波管
は２つの屈曲部しかもたず、そのそれぞれは放射による
損失を制限するように設計されている。またさらに、「
Ｓ」字形導波管は、実質的に同じ長さをもつように設計
されている。

集積導波管構造は、例えば、ケイ酸ソーダ石灰ガラス内
に、熱促進Ａｇ−Ｎａイオン交換によって導波管構造と
して作られ、約０．　　７＋ｌＢ／ａｍの伝搬損失を有
する。この伝搬損失は、集積構造における個々の導波管
間の長さの差に対する設計上の制限を決定するのに用い
られる。例えば、このような導波管構造からの出力光の
集束されたものを受ける出力媒体が０．２５ｄＢの大き
さの損失差を許容しうる場合ならば、諸導波管の長さの
差は０．３ｃｍの大きさでありうる。

上述のこと以外に、本発明のレーサ印刷ヘッドに対して
なされるべきもう１つの考慮は、導波管の製造方法に関
するものである。このもう一つの考慮は、隣接する導波
管間の間隔が、特にその出力端付近において小さい導波
管群を作る必要があるためになされるべきものである。

その結果として、本発明の実施例は、導波管の形成のた
めに「界促進イオン交換」を用いることにより製造され
る。そのわけは、この方法は、導波管間の低屈折率の光
学的分離領域内への拡散を抑制するからである。その結
果、損失および漏話は最小化される。さらに、実施例に
おいては、諸導波管は、集積導波管の構造の表面の不完
全部分からの散乱による光損失を減少せしめるために、
埋没せしめられる。

すなわち、本発明の集積印刷ヘッドの実施例が含む「Ｓ
」字形集積導波管構造においては、（１）個々の導波管
は実質的に同一の長さ、従って実質的に同一の損失を有
し、（２）導波管構造の出力領域付近における、個々の
導波管が相互に接近して配置されている導波管構造部分
は、漏話を最小化するため可能な限り短くされており、
（３）集積導波管構造の他の領域における個々の導波管
は漏話が事実上なくなるように相互に十分離れて配置さ
れており、（４）個々の導波管は「界促進イオン交換」
を用いて作られ、（５）諸導波管は埋没せしめられる。

以下、添付図面を参照しつつ本発明を実施例について詳
述する。

［実施例］ 第１図は、本発明の集積光学式レーザ印刷ヘッドの実施
例１０を示す。半導体レーサ２０１ないし２０　のアレ
イ１５は、基板２５上に作られてｎ いる。レーザ２０１ないし２０ｎの隣接するものの中心
間の間隔は、写真食刻法によって画定され、これらのレ
ーザが個々にアドレス可．能であるのに十分な大きさを
有する。例えば、約０．　　８ミクロンの波長の放射を
発射するＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓレーザは、約１００ミ
クロンの最小中心間間隔で配置すれば、独立的にアドレ
ス可能である。従って、アレイ１５の代表的実施例にお
いては、写真食刻法により画定された条帯は、隣接条帯
間において１００ないし５００ミクロンの範囲内の中心
間間隔を有し、条帯の幅は約５ないし１−５ミクロンで
ある。例えばＧａＡｓの基板２５は、７５ないし１５０
ミクロンの範囲内の厚さを有する。この範囲の下限部の
厚さ、例えば７５ミクロンの厚さが好ましいが、そのわ
けは、これによって個々のレーザ２０１ないし２０，を
独立的に駆動する能力が容易に実現されるからである。

基板２５は、次に、例えば熱伝導性の良いインジウム半
田によって、約２５０ミクロンの最小厚さを有する、図
示されていない臂開ダイヤモンド基板に接着される。こ
の臂開ダイヤモンド基板は、基板２５と共に実質的に垂
直な端縁を実現すべきであり、基板２５は、約５ミクロ
ン以上、ダイヤモンド基板の端縁を越えて突出したり、
端縁から後退したりしてはならない。さらに、ダイヤモ
ンド基板は、本技術分野において通常の知識を有する者
にとって公知の方法により、図示されていない熱電冷却
器に接着される。レーザアレイ１５は、Ｇ　ａ　Ａ　ｓ
　／　Ａ　Ｉ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓへテロ構造レーザとして
示されたが、本技術分野において公知の他の物質および
構成も用いられうる。第１図には、ＧａＡｓ基板の上部
表面上にレーザダイオードのエビタキシャル層を有する
実施例が示されている。

このレーザダイオードアレイは、エビタキシャル層が吸
熱器に近い方にあるように逆転させることにより、もっ
と容易に熱が伝導によって奪われるようにし、ダイオー
ドからの出力値を高めること？できる。

レーザ２０１ないし２０Ｉｌは、アレイ４０のピン３５
１ないし３５ｎに印加される電気信号によってアドレス
される。ピン３５１ないし３５ｎは導線３０１ないし３
０ｎによってレーザ２０１ないし２０　に接続され、導
線３０１ないし３０■ｎ は、それぞれレーザ２０，ないし２０■に接着されてい
る。個々のレーザを励振するための電気信号は、本技術
分野において公知の装置（図示されていない）によって
発生せしめられる。

アレイ１５は、レーザ２０１ないし２０ｎからの放射出
力が、それぞれ導波管６０１ないし６０　内へ結合せし
められるように集積導波管構ｎ 造５０に取付けられる。レーザ２０１ないし２０　の代
表的な断面積は５μｍＸ２μｍである。

ｎ アレイ１５は、ｘ，ｙ，ｚ位置において０．１ミクロン
以内の精度で整列せしめられ、また角方向についても整
列せしめられて、例えば温度安定性のあるインジウム半
田またはエボキシによって所定の場所に取付けられる。

第１．図から容易にわか？ように、レーザ２０１ないし
２ｏｎは共通基板２５上に作られており、その写真食刻
法により画定された中心間間隔は導波管のそれに等しい
ので、レーザ２０１ないし２０■が導波管６　０　Ｉな
いし６０ｎのそれぞれと整列しうる能カは実質的に増大
する。

実施例においては、導波管６０１ないし６０，は次の条
件に適合する形状を有する。（１）入力領域７０１ない
し７０Ｉ＋は相互に、またレーザ２０，ないし２０，の
条帯のそれぞれの方向に対して実質的に平行であること
によって、レーザ２０１ないし２０ｎの光出力の、それ
らの内部への効率的な結合が助長されるようになってお
り、（２）出力領域８５１ないし８５ｎは相互に実質的
に平行であることによって、照明されるべき媒体への伝
達における射出光の効率的結合を助長するようになって
おり、（３）導波管６０１ないし６０ｎは、実質的に同
じ損失、従って、実質的に同じ長さを有し、（４）導波
管構造５０の、個々の導波管６０１ないし６０ｎが相互
に接近して配置されている部分は、漏話を最小化するた
めに短くされている。

導波管６０１ないし６０，内における損失が相互に異な
りうる量は、これらの導波管からの出力を受ける感光媒
体の種類によって決定される。例えば、もし媒体がスレ
ッショルド形媒体、すなわち効果を生じるのにあるレベ
ルの光量を要する媒体ならば、導波管における損失は、
出力光量が所定スレッショルドを超えるように十分小さ
くなくてはならない。そのような場合には、導波管間の
長さの差は、光出力がスレッショルドより低くならない
限り許容されうる。一方、もし媒体の光に対する感度が
スレッショルド的にではなく、例えば直線的に光強度に
よる場合ならば、実施例の設計は、特に、もしレーザ出
力が実質的に等しいときは、諸導波管が実質的に等しい
損失を生じるように行なわれなくてはならない。しかし
、設計上の意味としては、実質的に等しい損失という表
現は、諸導波管間の損失の差が、それらの導波管から出
力を受ける感光媒体の感度公差の限度内にお？て等しい
ことを意味する。従って、もし感光媒体が、例えば０．
３ｄＢより小さい損失の差を検出できなければ、諸導波
管の損失は、実質的に等しいためには、相互の０．３ｄ
Ｂ以内にありさえすればよい。この場合、導波管材料の
伝搬損失は約１．　　０ｄＢ／ｃｍなので、実質的に等
しい損失を有すべき要求は、諸導波管間の長さの差が０
．　　３ｃｍより小であれば満たされる。なお、これに
より、個個の導波管が実質的に等しい長さを有するため
の要件が定義される。またさらに、レーザダイオードの
バイアスを調節することにより、伝搬損失の差を補償す
ることができる。

集積導波管構造５０の導波管６０１ないし６０　は「Ｓ
」字形の導波管であり、それぞれ人ｎ 力領域７０１ないし７０ｎ１第１屈曲部７５１ないし７
５　、第２屈曲部８０１ないし８０ｎ１おｎ よび出力領域８５１ないし８５ｎを有する。入力領域７
０１ないし７０ｎの代表的な断面積は１０μｍＸ５μｍ
で、レーザ２０１ないし２０ｎとそれぞれの導波管６０
１ないし６０■との間の実質？な結合を保証している。

さらに、入力領域７０１ないし７０ｌｌは、好ましくは
相互に、またレーザ２０１ないし２０ｎの条帯のそれぞ
れの方向に対し、平行であることによって、それらの間
の結合を増大せしめる。導波管６０１ないし６０Ｉ＋は
「Ｓ」字形をなすので、それらは次のように設計される
。（１）それぞれの導波管は、入力端から出力端まで実
質的に同一の長さを有し、（２）諸導波管が出力端近く
において相互に接近する付近は、漏話をなくすため可能
な限り短く、（３）入力領域７０１ないし７ｏｎは相互
に実質的に平行であり、出力領域８５１ないし８５ｎも
相互に実質的に平行である。

本発明の集積光学式レーザ印刷ヘッドの代表的な応用に
おいては、出力ビームは約１，４ミクロン離れているべ
きである。その結果、導波管の出力領域８５１ないし８
５■の中心間間隔も約１４ミクロンであるべきである。

それに伴う出力領域８５１ないし８５　においての導波
管６０，ないｎ し６０ｎの接近のために、諸導波管が相互に接近するこ
れらの出力領域付近は、漏話、すなわち１導波管から放
射される光が他の導波管により吸収される現象、を最小
化するために、可能な限り小さく作る必要がある。さら
に、導波管構造５０の他の領域においては、漏話が全く
問題にならないように、導波管は十分離れた間隔を与え
られるべきである。

第１図において、導波管６０１ないし６０，は全て実質
的に同じ長さを有し、またケイ酸ソーダ石灰ガラス内に
おいて約１０μｍの幅と、約５μｍの深さとを有する。

これらの導波管は、詳細に後述されるように、Ａｇ−Ｎ
ａまたはＫ−Ｎａイオン交換工程によるなど、本技術分
野において公知のいくつかの方法のうちの任意の１つに
より形成されうる。導波管の出力領域８５１ないし８５
　は、約１４ミクロンの中心間間隔を有する。

ｎ 出力領域８５　の長さは、諸導波管が相互に接近ｎ する付近の長さを小さくするために、約１００ないし２
００μｍとされる。導波管６０１ないし６０　の他領域
の長さおよび配置は、導波管ｎ ６０１ないし６０ｎの長さが実質的に同一であるべき要
求により決定される。これは、通常の場合、隣接する他
領域間の距離が、例えば５０ないし１００μｍより大で
、これらの他領域間に事実上漏話がないようにするもの
であることを要求する。

入力領域７０１ないし７０ｎにおける導波管６０１ない
し６０Ｉ１の中心間間隔は、約１００ないし５００ミク
ロンで、レーザ２０１ないし２０　の中心間間隔に整合
している。最後に、第ｎ １屈曲部７５，ないし７５ｎおよび第２屈曲部８０１な
いし８０ｎの半径は、次の２つのことを考慮して選択さ
れる。（１）屈曲部における放射損失は小さくなくては
ならず、（２）屈曲部の長さは、吸収損失を最小化する
ために短くなくてはならない。

屈曲部の半径は、Ｊ．　Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ　Ｔｅｃｈ
．，ＶｏＬＴ−５，　　Ｎｏ．　　１２，　　Ｄｅｃｅ
ｍｂｅ『，　　１，９８９，　　ｐｐ１６８６−１６８
９に所載の、Ｉ．Ｍ．　　Ｃｏｎｎｏ＋ｓおよびＡ，　
Ｍａｈａｐａｊ＋ａ著ｒＨｉｇｈ　Ｆｉｎｅｓｓｅ　Ｒ
ｉｎｇＲｅｓｏｎａｌｏｒｓ　Ｍａｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｌ
ｖｅｒ　Ｉｏｎ　Ｅｘｃｈａｎｇｅ　ＩｎＧｌａｓｓ　
Ｊに従って決定される。この論文には、放射損失がＱ，
　　ｌ＋ＩＢ／ｃｍより小である最小屈曲半径ｒがｒ−
２　ａ　ｎｓ　ｕ　ｂ／　（ｄ”　’　ｎｅ　Ｈ　Ｈ　
）により与えられることが指摘されている。ただし、ａ
は導波管の幅、ｎＳｕｂは基板の屈折率、ｄｏｌｌ　ｎ
ｅ（１は導波モードの実行屈折率と基板屈折率との差で
ある。もし、導波管の幅が約１０μｍ１基板の屈折率が
１．５、ｄ＋Ｉｊ　ｎｅｆｔが約０．０５ならば、ｒは
約５００μｍとすることができ、これは放射損失がかな
り大きくなる半径より十分に大きい。

集積導波管５０は、本技術分野において通常の知識を有
する者にとって公知のイオン交換工程により形成され、
１ｄＢ／ｃｍの程度の損失を生じうる。

例えば、導波管パターンは、ケイ酸ソーダ石灰ガラス基
板、例えばコーニングガラスから得られるマイク０７−
ト　ガラス（ＭｉｃｒｏｓｈｅｅｌＴＭｇｌａｓｓ）＋
　　　　　ＴＭ 上に適切なマスク材料、例えば、陽極処理されたＡＩを
用い、写真食刻法によって配置される。これを行なうた
めには、基板はまず、室温においてシュウ酸内において
陽極処理された５００人のアルミニウム層によって被覆
される。次に、この陽極処理されたアルミニウム内に、
通常の写真食刻技術を用いて導波管パターンのエッチン
グが行なわれる。マスクされたガラス基板は次に、例え
ば２７０℃において、融解したＡｇＮ０３内に浸漬され
、Ａｇ−Ｎａ交換が行なわれる。この交換の後、基板は
クリーニングされ端縁部は端部結合のために適宜研摩さ
れる。

上述の集積導波管構造５２の製造方法から容易にわかる
ように、漏話を最小化するためには、出力領域８５１な
いし８５Ｉ１を屈曲部８０ｎの直後まで研摩によって後
退させればよい。これにより、出力領域８５ｌないし８
５ｎが相互に接近している部分の長さが最小化され、し
かも集積導波管構造５０の導波管６０１ないし６０ｎか
らは実質的に平行な光出力が発射される。

上述の熱促進イオン交換による製造方法は、時間の経過
と共にＡｇがある程度金属として沈殿し、これが損失を
増大させる欠点を有する。別の、ＫＮａ間の熱促進イオ
ン交換工程を用いれば、ＫはＡｇのように金属状態に還
元されないので、もっと安定した導波管が得られる。し
かし、この場合においても、もし導波管を埋没せしめれ
ば、表面の不完全性による放射損失が減少するので、さ
らに改善が行なわれる。

実施例においては、埋没導波管は、本出願と出願日を同
じくし、本発明と権利者を同じくする、ＡＩＩ＋ｅｄ　
Ｅ．　　Ｃｏ＋＋ｉｇａｎ　　によるｒＭｅｔｈｏｄ　
ＦｏｒＦａｂｒｉｃａｔｉｎｇ　Ｂｕ『ｉｅｄ　Ｗａｖ
ｅｇｕｉｄｅｓ　Ｊと題する特許出願（本出願の出願番
号は第７４７８号である）に開示されている、Ｎａ／Ａ
ｇ／Ｋ界促進イオン交換工程によって製造されうる。

本技術分野に精通する者ならばわかるように、本発明の
範囲から逸脱することなく、他の実施例を構成すること
ができる。例をあげると、放射用の導波管は、本技術分
野において通常の知識を有する者にとって公知のさまざ
まな材料、例えばニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リ
チウムから作ることもできる。従って、以上の説明に含
まれ、あるいは添付図面に示されている全ての事項は、
単に例示的なものであって、限定的な意味はもたないも
のであると解釈すべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の集積光学式レーザ印刷ヘッドの実施
例の絵画的斜視図である。 符号の説明 １０・・・集積光学式レーザ印刷ヘッド、１５・・・半
導体レーザアレイ、 ２０１〜２０ｎ・・・半導体レーザ、 ２５・・・基板、 ５０・・・・・・集積導波管構造、 ６０　〜６０　・・・導波管、 ｎ ７０　〜７０　・・・入力領域、 ｎ ７５　〜７５　・・・第１屈曲部、 ｎ ８０　〜８０　・・・第２屈曲部、 ｎ ８５　〜８５　・・・出力領域。 ｎ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）出力間に所定の間隔を有する印刷ヘッドであって
   、 第１基板上に作られた多数の独立的に励振可能な光源と
   、 第２基板上に作られた、入力端および出力端を有する多
   数の導波管を含む集積導波管構造であって、前記第１お
   よび第２基板が前記光源からの光を前記導波管の前記入
   力端内へ結合せしめるように整列せしめられ、前記導波
   管が前記入力端以後に配置された第１屈曲部と該第１屈
   曲部以後かつ前記出力端以前に配置された第２屈曲部と
   を有することにより実質的に「Ｓ」字形をなし、前記第
   ２屈曲部以後の相隣る導波管間の距離が所定間隔に等し
   く、他の全ての部分における相隣る導波管間の距離が他
   の所定距離より実質的に大である前記集積導波管構造と
   、 を含む、印刷ヘッド。
2. （２）請求項１において、前記導波管の前記入力端が相
   互に実質的に平行であり、前記導波管の前記出力端が相
   互に実質的に平行である、印刷ヘッド。
3. （３）請求項２において、前記第１および第２屈曲部の
   半径が実質的に同一である、印刷ヘッド。
4. （４）請求項３において、前記導波管の長さが実質的に
   同一である、印刷ヘッド、
5. （５）請求項３において、前記光源が半導体レーザであ
   る、印刷ヘッド。
6. （６）請求項５において、前記導波管がイオン交換工程
   によって形成された、印刷ヘッド。
7. （７）請求項６において、前記第２基板がＮａを含有す
   るガラスから構成され、前記イオン交換工程がＡｇ−Ｎ
   ａイオン交換工程から構成される、印刷ヘッド。
8. （８）請求項６において、前記第２基板がＮａを含有す
   るガラスから構成され、前記イオン交換工程がＫ−Ｎａ
   イオン交換工程から構成される、印刷ヘッド。
9. （９）請求項５において、前記導波管が埋没せしめられ
   た導波管である、印刷ヘッド。
10. （１０）請求項９において、前記第２基板がＮａを含有
    するガラスから構成され、前記埋没せしめられた導波管
    がＮａ／Ａｇ／Ｋ界促進イオン交換工程により形成され
    た、印刷ヘッド。