JPH02239552A - 陰極線管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は複数色の蛍光体ストライプを多数配列して成る
陰極線管に関し、特にインデックス方式等のような色選
別にシャドウマスク，アバーチャグリル等のマスクを使
用しない所謂マスクレスの陰極線管に用いて好通なもの
である． 〔発明の概要〕 本発明は、複数色の蛍光体ストライプを有する蛍光体パ
ネルと、夫々の蛍光体ストライプに対応して電子ビーム
を照射する電子銃等を有する陰極線管において、ピン磁
界を発生する偏向ヨークを用いると共に上記電子ビーム
をオーバーフォーカス状態で上記蛍光体ストライプに照
射させるように構成することにより、簡単な構成で、偏
向ヨークの磁界特性による電子ビームスポットの歪並び
に画像歪を軽減できるようにして、画面周辺での色純度
劣化（ミスランディング）を防止できるようにしたもの
である。

（従来の技術〕 従来、マスクレスの陰極線管、例えばインデックス管で
は、画面周辺で電子ビームスポットを歪ませないために
、斉一磁界に近い磁界を発生する偏向ヨークを用いるよ
うにしている．なぜなら、例えばピン磁界を発生する偏
向ヨークを使用した場合、電子ビームのスポットがピン
磁界の影響により歪が生じ、その結果、第１２図に示す
ように、蛍光面（３ｌ》の周辺部においてスポットの形
状（Ｓ）が変形し、画面周辺での色純度の劣化を引起こ
すからである。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来の陰極線管においては、斉一磁界を
発生する偏向ヨークを用いていることにより、ラスクが
ピン歪し、それに伴なって、第１３図に示すように、画
像（ｉ）もピン歪した状態となって画質が著しく劣化す
るため、画像歪を補正するための回路を新たに設ける必
要があり、構造が複雑になるという不都合があった． 本発明は、このような点に鑑み成されたもので、その目
的とするところは、簡単な構成で電子ビームスポットの
歪並びに画像歪を軽減させることにより、画面周辺の色
純度劣化の防止並びに構造の節単化を図ることができる
高品質のマスクレスの陰極線管を提供することにある． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の陰極線管は、複数色の蛍光体ストライプＢ，Ｒ
．Ｇを有する蛍光体パネル（前面パネル）（２》と、夫
々の蛍光体ストライプＢ．Ｒ，Ｇに対応して電子ビーム
（ｅ）を照射する電子銃（９）等を有する陰極線管（Ａ
）において、ピン磁界を発生する偏向ヨーク（８）を用
いると共に、電子ビーム（ｅ）をオーバーフォーカス状
態で蛍光体ストライプＢ，Ｒ，Ｇに照射させるように構
成する。

〔作用〕

上述の本発明の構成によれば、ピン磁界を発生する偏向
ヨーク（８）を用いたので、ラスクを蛍光面（５）全域
に拡げることができ、偏向中心からの距離の相違による
画像歪を軽減させることができる。

また、電子ビーム（ｅ）をオーバーフォーカス状態で蛍
光体ストライプＢ，Ｒ，Ｇ．に照射させるので、偏向ヨ
ーク（８）の磁界内でのビーム径（ｄ１）が小さくなり
、それに伴なって偏向ヨーク（８）の磁界によるビーム
形状に関する影響が少なくなるため、電子ビーム（ｅ）
のスポットの歪が軽減される．従って、画面周辺での色
純度劣化を引起こすことがない高品質の陰橿線管を得る
ことができる。

〔実施例］ 以下、第１図〜第１１図を参照しながら本発明の実施例
を説明する。

第１図は、本実施例に係る陰極線管（Ａ）の側断面図で
あり、第２図はその正面図である．図中、（１）は管体
を示し、これはガラスよりなる平板状の前面パネル（２
）及びネック部一体のファンネル部（３）とから形成さ
れる．この陰極線管（Ａ）は、後述するように、大画面
表示装置の表示セルとしても機能する。

前面パネル（２）は、その内面に複数組の絵素となるス
トラ，イブ状の蛍光表示部、即ち本実施例では横８＆ｌ
ｌＸ縦８組の合計６４組の蛍光体トリオ（４）から成る
蛍光面（５）が形成される。

この蛍光体トリオ（４）は同図Ｂに示すように、長さし
、輻Ｗを有する青発光、赤発光、緑発光の蛍光体セグメ
ント即ち蛍光体層Ｂ，Ｒ，Ｇにて構成され、所定のビッ
チＰでかつその長手力向が表示面（６）に対して水平方
向、即ちＸ方向に沿って配列される．蛍光体層Ｂ，Ｒ，
Ｇ以外の面には光吸収層が形成される。

前面パネル（２）及びファンネル部（３）は、フリット
ガラス（７）を使用して相互に接合される。本例では平
板状前面バネル（２》の内面周辺に、段差部を設け、こ
の段差部に嵌合するようにファンネル部（３）が接合さ
れる．ファンネル部の前面パネルと接合される部分の外
周面は前面パネルの面に対して垂直となるように形成さ
れる。蛍光体トリオ（４）の形成としては、印刷法、ス
ラリー法のどちらでも良い。

しかして本実施例においては、偏向ヨーク（８）として
ピン磁界を発生する偏向ヨークを使用し、電子銃（９）
として単電子ビーム（ｅ）を照射する電子銃が用いられ
る．特に、この電子銃（９）は、第３図に示すように、
電子レンズを調節して電子ビームをオーバーフォーカス
状態で蛍光面（５）上に照射するように成す．第３図の
例は、カソード（Ｋ）．第１〜第４グリッド（Ｇ，）〜
（Ｇイ）から成る所謂バイポテンシャル形に構成した場
合を示すもので、この場合、第３グリッド（Ｇ，）のフ
ォーカス電圧（■，）を調節して擬似的に肉厚の電子レ
ンズ（破線で示す）　（１０）を形成して電子ビーム（
ｅ）をオーバーフォーカス状態で照射するように成す。

（１１）はジャストフォーカスするときの電子レンズ（
二点鎖線で示す）を示す。このとき、偏向ヨーク（８）
の磁界内のビーム径（ｄ１）は通常のジャストフすーカ
スの場合の径（ｄ！）よりも小径となる（ｄｔ＜ａｚ）
。このビーム径（ｄ，）が小さいと磁界の影響による変
形量も少くて済むため、電子ビーム（ｅ）が蛍光面（５
）に達したときの電子ビーム（ｅ）のスポット形杖は、
通常の場合と異なり、蛍光面（５）の中心部と周辺部と
でほとんど変化しなくなる．また、電子ビーム（ｅ）は
、３回のスイッチング動作により一つの蛍光体トリオ（
４）の各蛍光体１１Ｂ，Ｒ，Ｇを叩くようにして偏向ヨ
ーク（８）により垂直，水平に走査される．ビーム形状
は蛍光体層の形状に対応するように横長ビーム形状（例
えば長円形）に設定するを可とする． 尚、この第１実施例では、蛍光体トリオ（４）がその長
手方向をＸ方向に沿って配列されているため、従来の走
査方法、即ち水平（Ｘ方向）に走査させながら蛍光体層
Ｂ，Ｒ，Ｇを叩くという方法ではな《、垂直（Ｙ方向）
に走査させながら蛍光体層Ｂ，Ｒ，Ｇを叩くようにして
いる。その具体的動作、手段については後述する。

そして、かかる構成の陰極線管（Ａ）を第４図及び第５
図に示すように、２次元的に多数配列することによって
、各隣り合う陰極線管（Ａ）間の間隔がｔ（第６図参照
）の大画面の表示装置が構成される． 尚、本実施例においては、上記陰極線管（Ａ）を縦方向
に３０個、横方向に４０個、計１２００個配列して大画
面表示装置（２０）を構成する．次に、上記大画面表示
装置（２０）の動作及びその動作を実現させるための回
路系統の一例を第７図〜第１１図に基づいて説明する。

まず、アンテナ（２１）で受信されたＴＶ信号（Ｓｉ）
は、チューナ（２２）、ビデオ検波器（２３）により複
合ビデオ信号（Ｓ１）として復調される．このビデオ信
号（Ｓ，）は輝度・クロマ処理回路（Ｙ／Ｃ処理回路）
　（２４）に供給され、原色信号Ｂ，Ｒ，Ｇとなされた
のち、後段の画像処理回路（２５）に供給される。

尚、上記アンテナ（２１）、チューナ（２２）、ビデオ
検波器（２３）、Ｙ／Ｃ処理回路（２４）は一般のテレ
ビ受信用の回路で汎用の回路が使用でき、なんら特徴を
有していないため詳細説明は省略する．さて、ビデオ検
波器（２３）からの複合ビデオ信号（Ｓ１）は、また同
期分離回路（２６）に供給され、水平同期信号（Ｈ）と
垂直同期信号（Ｖ）とに分離される． 画像処理回路（２５）は、フィールドメモリ回路（２７
）を主体として形成されており、Ｙ／Ｃ処理回路（２４
）より入力されて原色信号Ｂ，Ｒ，Ｇをそれぞれフィー
ルド単位でメモリする。即ち、この画像処理回路（２５
）には、第８図に示すように、原色信号Ｂ．Ｒ，Ｇに対
してそれぞれ書込み用のフィールドメモリ（同）．　（
ＷＲ）　，　（ＷＧ）と読出し用のフィールドメモリ（
ＲＢ）　．　（ＲＲ）　，　（ＲＧ）が設けられており
、合計６個のフィールドメモリが用意されている． また、本実施例による大画面表示装置（２０）は、縦方
向に３０個、横方向に４０個、計１２００個の陰極線管
（Ａ）を使用し、さらに各陰極線管（Ａ）には８　Ｘ　
８　＝６４個の蛍光体トリオ（４）が用意されているの
で、１つのフィールド・メモリに対して少くとも６４　
Ｘ　１２００　−　７６８００個の情報をメモリする必
要がある．このために、第７図に示すように同期分離回
路（２６）からの水平、垂直同期信号（ＨＬ　（Ｖ）を
タイミング制御回路（２８）に供給し、サンプリング信
号（ｆｓｒ）として画像処理回路（２５）に供給するよ
うにしている．即ち、タイミング制御回路（２８）から
は種々のタイミング信号が得られ、上記サンプリング信
号（　ｒ　ｓｒ）によって原色信号Ｂ．Ｒ．Ｇをサンプ
ルすると共に、タイミング制御回路（２８）から送られ
てくる別のタイミング信号、即ち書込みアドレス信号（
ＷＡｘ）及び（ＷＡｙ）で制御することによって書込み
用のフィールドメモリ（ＷＢ）　，　（ＷＲ）　．（Ｗ
Ｇ）に原色信号Ｂ，Ｒ．Ｇを順序正しく書込むよ？にす
る．この場合、サンプリング信号（ｒ５ｐ）の周波数は
７６８００個のサンプリングに見合った周波数に選定し
てもよいが、一般的な画像用フィールドメモリでは７６
８００個以上のサンプリング周波数を有しているので、
その画像用フィールドメモリをそのまま用い、読出しア
ドレスを制御して必要情報を得るようにするのが実用的
である。

上記のようにして書込み用フィールドメモリ（ＷＢ）　
，　（ＷＲ）　．　（罰）にライン順に書込まれた信号
は次のフィールド走査期間、例えば垂直プランキング期
間中に各陰極線管の駆動用として設けられた小型メモリ
（１’ｌｌ），（Ｍ！）　，・・・・（Ｍｌ■ｓｎ）に
転送される．このため、タイミング制御回路（２８）か
らは転送用の制御信号（ＴＣ］が供給される。この制御
信号（ＴＣＳ）は図示の例では１本の線で代表されてい
るが、実際は、書込み用フィールドメモリ（ＷＢ）　，
　（畦”）　．　（ＷＧ）を読出すためのアドレス信号
、各陰極線管（Ａ）の駆動用小型メモＩＪ　（Ｍｌ）．
　（？１２）　．・・・・（Ｌｘ。。）に書込むための
アドレス信号、フィールドメモリ回路（２７）と小型メ
モリ（Ｍｉ）．（Ｍｔ）　，・・・・？Ｍ＋ｉ。。）間
に設けたセレクタ回路（ＳＲ）　．　（ＳＲ）　，　（
ＳＧ）を動作させる制御信号ライン等により構成される
．また、１つの小型メモリ内には上記フィールドメモリ
回路（２７）と同様に、原色信号Ｂ．Ｒ．Ｇに対してそ
れぞれ書込用の専用メモリと続出し用専用メモリの合計
６個の専用メモリが用意されている。そして、この専用
メモリは、陰極線管（Ａ）に８　Ｘ　８　＝６４組の蛍
光体トリオ（４）が用意されているため、少くとも６４
個の情報をメモリできるようになっている。

尚、上記フィールドメモリ回路（２７）は、説明の便宜
上、読出し用フィールドメモリ（１１Ｂ）　，　（１？
Ｒ）　．　（１２Ｇ）及び書込み用フィールドメモリ（
ＷＢ）　，　（ＷＲ）　．　（ＮＧ）とに分けたが、本
実施例では、第９図に示すように、１つの原色信号、例
えば青の信号（Ｂ）に対して２つの読出し書込み兼用フ
ィールドメモリ（ＦＢＩ），（ＦＢｔ）を用いて、スイ
ッチ（Ｓｒ　＋），　＜Ｓ■）を切換えることによって
、フィールドメモリ（ＦＢ．），　（ＦＢｚ）をサイク
リックに読出し用又は書込み用に選択するようにしてい
る．例えば１フィールド目のデー？を例えばフィールド
メモリ（ＦＢ，）に書込む場合、スイッチ（５１１）＝
（Ｓ■）をそれぞれ（ａ）．　（ｄ）側に倒して行なう
．このとき他方のフィールドメモリ（ＦＢＩ）より前回
フィールドのデータを小型メモリ（Ｍ．），（Ｍ！），
・・・・（Ｌｘ。。）側に読出すようにしてもよい。

次の２フィーノレド目のデータは、スイッチ（ｓｉ＋）
を（１））側に倒して空になった他方のフィールドメモ
リ（ＦＢ！）に書込むようにすると共に、■フィールド
目のデータをスイッチ（Ｓｚ＋）を（Ｃ）側に倒すこと
によって小型メモリ（Ｍｌ），　（Ｍｚ）　．・・・・
（ｌＬｚａ。）側に涜出すようにする。この動作は他の
フィールドメモリ（ＦＲＹ）．　（ＦＲ！》．（ＦＧＩ
）　．　（ＦＧｚ）でも同様に行なわれそれぞれスイッ
チ（Ｓ＋ｔ），　（Ｓ！）．　（Ｓｌ３），（Ｓ！！）
により読出し、書込みが選択される．そして、これらの
動作を繰返し行って順次送られてくる原色信号（Ｂ），
（Ｒ）．（Ｇ）を小型メモリ（Ｍｌ），　（Ｍｚ）　，
・・・・（Ｈｔｔｏ。）側へ読出して行く。

この例は、スイッチ（Ｓｚ），（Ｓ＋ｚ），（Ｓ＋ｓ）
，（Ｓｚ＋），（Ｓｚｚ）　，　（Ｓａｔ）を同時に動
かして書込み、読出しを同時に行なうようにしたが、人
力走査の垂直ブランキング期間を利用してその期間中に
スイッチ（Ｓ＋　＋）　，（Ｓ＋　１）　，　（Ｓ＋　
ｆｆ）及びスイッチ（Ｓｔ．）．　（Ｓｔｚ）．　（Ｓ
！！）を位相を異にして動かし、先に一方のフィールド
メモリから読出しを行なうようにし、その後他のフィー
ルドメモリに対し書込みを行なうようにしてもよい。

また、小型メモリ（？Ｌ）．　（Ｍｔ）．　”　”　（
Ｌｚｏａ）についても上記フィールドメモリ回路（２７
）と同様に、原色信号別に２つの読出し、書込み兼用の
専用メモリ（ＭＢＩ）　．　（Ｍｕ　．　（ＭＲＩ），
　（ＭＲｔ），　（ＭＣＩ）　，　（ＭＧ！）を有して
おり、スイッチ（Ｓ１．），　（Ｓ！ｇ）　．　（Ｓｓ
ｔ）及びスイッチ（ｓａｔ）＋　（５４！）．　（ｓｓ
ｘ）にてそれぞれ読出し、書込みが選択できるようにな
されている．そして、フィールドメモリ回路（２７）の
うち、例えばスイッチ（ＳＫ１）を（Ｃ）側に倒すこと
によって読出し状態となされたフィールドメモリ（ＦＢ
．），　（ＦＲＩ）．（ＦＧＩ）にメモリされた画像信
号（Ｂ），（Ｒ）．（Ｇ）は、次のフィールド期間（垂
直プランキング期間も含む）中に後述するようにそれぞ
れセレクタ回路（ＳＲ）　，　（５１？）　，　（ＳＧ
）を介して小型メモリ（Ｍｌ）．（Ｍ！）．・・・・（
’／ｈｔ。．）のそれぞれの専用メモリ例えば（ＭＩＮ
　，　）　，（？ＩＲＩ），　（ＭＣＩ）へと転送され
る。このとき、各陰極線管（Ａ）が受持つ画像領域にし
たがってフィールドメモリ（ＦＢＩ）．　（ＦＲＩ），
　（ＦＧＩ）の情報が分割されて転送されることは言う
までもない。即ち、各専用メモリ（ＭＢ．）．　（ＭＲ
，）．　（ＭＧｔ）はそれぞれ６４個の情報をメモリす
るように制御される。

そして、各専用メモリに転送された画像信号は、次の如
く続出される。即ち、タイミング制御回路（２Ｂ）から
読出し用のアドレス信号（ＲＡｘ）　．　（ＲＡｙ）が
各小型メモリ（Ｍ，）〜（Ｌｘ。。）内の各専用メモリ
（ＭＨＩ）．　（Ｍ｝１１），　（ＭＣＩ）に供給され
る．このとき、本例では該アドレス信号（ＲＡｘ）　，
　（ＲＡｙ）を制御して読出し順序が画面の垂直方向と
なるようになされる．その結果、各フィールドメモリ（
ＦＢ＋），（ＦＲＹ），　（ＦＧ＋）及び各専用メモリ
（ＭＨＩ）．　（ＭＲＩ）．　（ＭＣＩ）でライン順次
にかつ水平方向にメモリされた画像信号は、読出し時に
は画像全体でみると、第１１図Ａに示すように、縦方向
（垂直方向）に続出されることになる． 各専用メモリ（ＭＢ＋），（ＭＲｉ），　（ＭＧ＋）か
らＬ述のようにして読出された信号は、次にタイミング
制御回路（２８）から供給されるスイッチング信号（ｆ
．）によってシリアル信号に変換される．即ち、同時に
走査される各陰極線管の走査位置に対応させて青蛍光体
層の位置ではＢ用メモリスイッチ（Ｓｂ）をＯＮにして
それぞれのＢ専用メモリ（Ｍｔｔ＋）又は（Ｍｅ！）か
ら信号を出力させ、赤蛍光体層の位置ではＲ用メモリス
イッチ（Ｓｒ）をＯＮにしてそれぞれのＲ専用メモリ＜
ＦＩＲ　Ｉ　）又は（ＯＸ）から信号を出力させ、緑蛍
光体層の位置ではＧ用メモリスイッチ（Ｓｇ）をＯＮに
してそれぞれのＧ専用メモリ（ＭＧ　ｒ　）又は（Ｍｈ
）から信号を出力させることにより、シリアル変換され
たＢＲＧ信号を得るようにしている．そしてこの１２０
０個分のシリアル信号をそれぞれアンプ（ＡＭＰＩ）〜
（ＡＭＰ．！。。）を介して各陰極線管（Ａ１）〜（Ａ
．ｔ．。）に供給して画像を表示させる．第７図ではス
イッチング信号（　ｆ　ｓ−）が１本の制御線で示され
ているが、実際には第８図に示すように、３本の制御線
（　ｆ　ｓｗｌ＞．　（　ｆ　Ｓｋｔ）．　（　ｆ　ｓ
ｗｔ）を設けて、これら３本の制御線（ｆ　ｓｗ＋），
（ｆ　ｓｗｔ）．（ｆｓ１）に第１０図に示すような位
相のずれたスイッチング信号を供給する構成となされる
。

また、偏向についても、上述のように読出し方向を垂直
方向に変更したのに対応して変更するようにしている。

即ち、第１１図Ｂに示すように同期分離回路（２６）か
ら得られた垂直同期信号（１７ｍｓｅｃ：６０Ｈｚ）（
Ｖ）に基づいて各陰極線管（Ａ）の水平方向の偏向（　
Ｈ　ＣＭ）が同時になされ、更にタイミング制御回路（
２８）から得られる垂直偏向信号（Ｓｖ）で各陰極線管
（Ａ）の垂直偏向（ＶＣＸ）が同時になされる。この垂
直偏向信号（Ｓν冫は、各陰極線管（Ａ）には垂直方向
に８本のラインがあるので、この８本のラインを１フィ
ールド期間（１／６０　ｓｅｃ）に走査するために８　
Ｘ６０＝４８０Ｈｚ　（２ｍ　ｓｅｃ）の周波数となる
． 上記の例では屋内用を主としたことにより１２００個の
陰極線管しか使用していないため、入力が飛越走査の信
号であっても、奇数フィールドと偶数フィールドで同じ
場所を叩くことになる．これは１２００個と個数の少な
い陰掻線管で大画面表示装置を構成した場合、垂直方向
のライン数が８Ｘ３０−２４０本しかとれないためであ
る（入力走査のライン数は５２０本と多い）。従って使
用する陰極線管を倍増させて飛越走査させてもよいこと
は自明である．尚、本例においては、奇数フィールド．
偶数フィーＪレドのどちらかを｛舎てるようにしてもよ
い。

また、上記の例ではフィールドメモリ、専用メモリをＢ
．Ｒ．Ｇに対してそれぞれ２つ設けた例を示したが、例
えば転送を垂直プランキング期間内に行なう場合は、各
１つのフィールドメモリ及び専用メモリを書込み、読出
しで瞬時に切換えればよいため、メモリ数を半減するこ
とができる。

上述の如く本例によれば、ピン磁界を発生ずる偏向ヨー
ク（８）を用いたので画像歪は生じない。また、電子銃
（９）よりの電子ビーム（ｅ）が、オーバーフォーカス
状態で照射されるので、偏向ヨーク（８）の磁界内にお
けるビーム径（ｄ１）が小さくなる．そのため、偏向ヨ
ーク（８）の磁界の影響によるビーム変形量も少くなり
、蛍光面（５）に到達した際の蛍光面（５）周辺部に関
するビームスポットの歪（変形）を軽減させることがで
きる。

従って、画面周辺での色純度劣化（ミスランディングが
原因の色純度劣化）を引起こすことがない高品質の陰極
線管を得ることができる。

また、本例においては、画像歪，ビームスポットの歪を
軽減させるために、新たに歪補正用の回路を設けたりす
る必要がなく、単に偏向ヨーク（８）としてピン磁界発
生のものを使用し、電子銃（９）におけるフォーカス電
圧を調整するだけでよいので高品質の陰極線管（Ａ）の
構造面単化を実現させることができる． 尚、上記実施例は、蛍光体層Ｂ，Ｒ．Ｇの長手力向が表
示面（６）に対して水平方向Ｘに沿って配列された陰極
線管（Ａ）に適用した場合を示したが、その他、蛍光体
層Ｂ，Ｒ，Ｇの長手方向が表示面（６）に対して垂直方
向Ｙに沿って配列された陰極線管にも適用することがで
きる．もちろん通常のインデックス管にも適用可能であ
る， また、電子銃（９）についても、図示の例では単電子ビ
ーム照射型を示したが、３ビーム照射型にも適用可能で
ある。

〔発明の効果〕

本発明に係る陰極線管は、複数色の蛍光体ストライプを
有する蛍光体パネルと、夫々の蛍光体゛ストライプに対
応して電子ビームを照射する電子銃等を有する陰極線管
において、ピン磁界を発生する偏向ヨークを用いると共
に、電子ビームをオーバーフォーカス状態で上記蛍光体
ストライプに照射させるように構成したので、簡単な構
成で偏向ヨークの磁界特性による電子ビームスポットの
歪並びに画像歪を軽減させることができる．その結果、
陰極線管における画面周辺での色純度劣化（ミスランデ
ィングが原因となる色純度劣化）を防止することができ
、陰極線管の高品質化，構造の簡単化を図ることができ
る．

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例に係る陰極線管を示す側面図、第２図
はその正面図、第３図は電子銃及び電子ビームの作用を
示す説明図、第４図は大画面表示装置を示す側面図、第
５図はその正面図、第６図は大画面表示装置の要部拡大
図、第７図は大画面表示装置の動作手段の一例を示すブ
ロック図、第８図は画像処理回路の動作を示すブロック
図、第９図はフィールドメモリ及び専用メモリの構成を
示すブロック図、第１０図はスイッチング信号のタイミ
ングチャート、第１１図は走査順序及び水平，垂直偏向
波形を示す説明図、第１２図はピン磁界におけるビーム
スポットを示す説明図、第１３図は従来例の画像状態を
示す説明図である。 （Ａ．）は陰極線管、（１）は管体、（２）は前面パネ
ル、（３）はファンネル部、（４）は蛍光体トリオ、（
５）は蛍光面、（８）は偏向ヨーク、（９）は電子銃、
（１０）は電子レンズである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　複数色の蛍光体ストライプを有する蛍光体パネルと、
   夫々の蛍光体ストライプに対応して電子ビームを照射す
   る電子銃等を有する陰極線管において、 ピン磁界を発生する偏向ヨークを用い、上記電子ビーム
   は、オーバーフォーカス状態で上記蛍光体ストライプを
   照射することを特徴とする陰極線管。