JPH02239150A - マイクロ波用誘電体セラミックス - Google Patents
マイクロ波用誘電体セラミックスInfo
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- JPH02239150A JPH02239150A JP1058284A JP5828489A JPH02239150A JP H02239150 A JPH02239150 A JP H02239150A JP 1058284 A JP1058284 A JP 1058284A JP 5828489 A JP5828489 A JP 5828489A JP H02239150 A JPH02239150 A JP H02239150A
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- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
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Landscapes
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ａ． 産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波用誘電体セラミックスに関する．
ｂ． 従来の技術
マイクロ波用フィルタや共振器，温度補償用コンデンサ
などには、マイクロ波用誘電体セラミンクスが用いられ
ている． マイクロ波用誘電体セラミックスとしては、従来、Ｂａ
０一丁ｆｏｇ系， ＭｇＯ−ＴｉＯｘ−ＣａＯ系， Ｂ
ａＯ−ＴｉＯｚ−ＲＥｉＯ３（Ｒ［！はＳｍ，Ｎｄ）系
のセラミックス、あるいはこれらにさらにある種の添加
物を加えたものが用いられている． 近年、マイクロ波回路の集積化技術の進歩に伴ない、上
記のフィルターや共振器などを小型化する必要が生じて
きた．これらの機器を小型化するには、比誘電率εｒお
よび無負荷Ｑが大きく、さらに共振周波数の温度係数τ
ｆの絶対値が小さいＫ ｔ体セラミックスが必要である
。
などには、マイクロ波用誘電体セラミンクスが用いられ
ている． マイクロ波用誘電体セラミックスとしては、従来、Ｂａ
０一丁ｆｏｇ系， ＭｇＯ−ＴｉＯｘ−ＣａＯ系， Ｂ
ａＯ−ＴｉＯｚ−ＲＥｉＯ３（Ｒ［！はＳｍ，Ｎｄ）系
のセラミックス、あるいはこれらにさらにある種の添加
物を加えたものが用いられている． 近年、マイクロ波回路の集積化技術の進歩に伴ない、上
記のフィルターや共振器などを小型化する必要が生じて
きた．これらの機器を小型化するには、比誘電率εｒお
よび無負荷Ｑが大きく、さらに共振周波数の温度係数τ
ｆの絶対値が小さいＫ ｔ体セラミックスが必要である
。
しかしながら、例えば、特開昭５９−２３０２０７号に
は、ＢａＯ−ＴｉＯｚ−ＳｌｌｚＯ＊−ＣｅＯｉ系のセ
ラミックスが、また特開昭５６−８Ｓ！５０１号には、
ＢａＯ−ＴｉＯ！−Ｎｄ．Ｏ．−ＣｅＯ，系のセラミッ
クスが提案されているが、これらのセラミンクスには比
誘電率εｒが小さいという欠点がある．また、特開昭５
７−４０８０６号には、ＢａＯ−Ｔ２Ｏ３−Ｓｌｌ＊Ｏ
ｓ−Ｎｄｌ（１３系のセラミックスが提案されているが
、このセラミックスには無負荷Ｑが小さい七いう欠点が
ある。このように三条件を十分に兼ね備えた誘電体セラ
ミックスは、未だに開発されていない。
は、ＢａＯ−ＴｉＯｚ−ＳｌｌｚＯ＊−ＣｅＯｉ系のセ
ラミックスが、また特開昭５６−８Ｓ！５０１号には、
ＢａＯ−ＴｉＯ！−Ｎｄ．Ｏ．−ＣｅＯ，系のセラミッ
クスが提案されているが、これらのセラミンクスには比
誘電率εｒが小さいという欠点がある．また、特開昭５
７−４０８０６号には、ＢａＯ−Ｔ２Ｏ３−Ｓｌｌ＊Ｏ
ｓ−Ｎｄｌ（１３系のセラミックスが提案されているが
、このセラミックスには無負荷Ｑが小さい七いう欠点が
ある。このように三条件を十分に兼ね備えた誘電体セラ
ミックスは、未だに開発されていない。
Ｃ． 発明が解決しようとする課題
本発明は、比誘電率εｒおよび無負荷Ｑが大きく、かつ
温度係数ｒｆの絶対値が小さいマイクロ波用誘電体セラ
ミックスを提供しようとするものである。
温度係数ｒｆの絶対値が小さいマイクロ波用誘電体セラ
ミックスを提供しようとするものである。
ｄ． 課題を解決するための手段
本発明のマイクロ波用誘電体セラミックスは、主ニＢａ
（３１１．Ｃ８，Ｎｄ）ｉＴｉｎＯ＋ｘからなるＢａＯ
−Ｔ２Ｏ３−ＳｍｚＯ３−ＣｅＪ−ＮｄｔＯａ系の誘電
体セラミックスであって、Ｓ一（モル） ＞Ｃｅ （
モル）十Ｎｄ（モル）の関係を有し、各元素を酸化物に
換算した組成範囲が、ＢａＯ （ａ） ： １３ 〜
２０−Ｔ： ／ｌ／％、ＴＩｏｚ（ハ） ：５６〜６８
モル％、ＳＩｌｔＯ，（Ｃ）：７〜３０モル％、Ｃｅｎ
ｔ （ｄ） ：． １ 〜１０モル％、ＮｄｔＯｘ（
ｅ） ： １ 〜１０モル％、ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＋ｅ＝１００ であることを特徴とするものである。
（３１１．Ｃ８，Ｎｄ）ｉＴｉｎＯ＋ｘからなるＢａＯ
−Ｔ２Ｏ３−ＳｍｚＯ３−ＣｅＪ−ＮｄｔＯａ系の誘電
体セラミックスであって、Ｓ一（モル） ＞Ｃｅ （
モル）十Ｎｄ（モル）の関係を有し、各元素を酸化物に
換算した組成範囲が、ＢａＯ （ａ） ： １３ 〜
２０−Ｔ： ／ｌ／％、ＴＩｏｚ（ハ） ：５６〜６８
モル％、ＳＩｌｔＯ，（Ｃ）：７〜３０モル％、Ｃｅｎ
ｔ （ｄ） ：． １ 〜１０モル％、ＮｄｔＯｘ（
ｅ） ： １ 〜１０モル％、ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＋ｅ＝１００ であることを特徴とするものである。
なお、上記組成範囲が、
ＢａＯ （ａ） ： １６〜１７モル％、ＴｊＯｇ（
ｂ） ：６４〜６７モル％、Ｓｌｇｏｓ（Ｃ） ：
１１〜１５モル％、ＣｅＯ２（ｄ） ： １ 〜５モ
ル％、ＭｄｘＯ３（ｅ） ： １ 〜５モル％、ただ
し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１．００である誘電体セラミ
ックスは、本発明のマイクロ波用誘電体セラミックスの
中で、より好ましい特性を有する． 上記組成範囲において、ＢａＯが２０モル％より多い場
合またはＴｉｌｔが５６モル％より少ない場合は、無負
荷Ｑが低下し、温度係数τｆが正になる．方、ＢａＯが
１３モル％より少ない場合またば丁ｉｌｔが６８モル％
より多い場合は、無負荷Ｑが低下し測定不能になる． ＳＩｌｚＯ，が７モル％より少ない場合は、温度係数τ
ｆが正でその絶対値が大きくなる．一方、Ｓａｇｏ．が
３０モル％より多い場合は、温度係数τｆが負でその絶
対値が大きくなる． ＣｅＯ ｚおよびＮｄ＊Ｏｓが１モル％より少ない場合
は、温度係数τｆが負でその絶対値が大きくなる．一方
、ＣｅＯ１およびＮｄ！Ｏ，が１θモル％より多い場合
は、温度係数τｆが正でその絶対値が大きくなる．また
、Ｓ量の配合量がＣｅとＮｄの合計配合量よりも少ない
と、温度係数τｆが正で大きくなる．なお、Ｃｅの配合
量がＮｄの配合量よりも多いと、無負荷Ｑが低下するの
で、好ましくはＣｅ ＜ Ｎｄである。
ｂ） ：６４〜６７モル％、Ｓｌｇｏｓ（Ｃ） ：
１１〜１５モル％、ＣｅＯ２（ｄ） ： １ 〜５モ
ル％、ＭｄｘＯ３（ｅ） ： １ 〜５モル％、ただ
し、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１．００である誘電体セラミ
ックスは、本発明のマイクロ波用誘電体セラミックスの
中で、より好ましい特性を有する． 上記組成範囲において、ＢａＯが２０モル％より多い場
合またはＴｉｌｔが５６モル％より少ない場合は、無負
荷Ｑが低下し、温度係数τｆが正になる．方、ＢａＯが
１３モル％より少ない場合またば丁ｉｌｔが６８モル％
より多い場合は、無負荷Ｑが低下し測定不能になる． ＳＩｌｚＯ，が７モル％より少ない場合は、温度係数τ
ｆが正でその絶対値が大きくなる．一方、Ｓａｇｏ．が
３０モル％より多い場合は、温度係数τｆが負でその絶
対値が大きくなる． ＣｅＯ ｚおよびＮｄ＊Ｏｓが１モル％より少ない場合
は、温度係数τｆが負でその絶対値が大きくなる．一方
、ＣｅＯ１およびＮｄ！Ｏ，が１θモル％より多い場合
は、温度係数τｆが正でその絶対値が大きくなる．また
、Ｓ量の配合量がＣｅとＮｄの合計配合量よりも少ない
と、温度係数τｆが正で大きくなる．なお、Ｃｅの配合
量がＮｄの配合量よりも多いと、無負荷Ｑが低下するの
で、好ましくはＣｅ ＜ Ｎｄである。
本発明のマイクロ波用誘電体セラミックスは、以下の方
法によって製造することができる．まず、ＢａＣ０３４
ｉ０ｉ＋Ｓｍｌ０３，ＣｅＯ＊．ＮｄｔＯｓなどの出発
原料を秤量し、ボールミル等で湿式混合する．次に、得
られたスラリーを乾燥し仮焼する．次いで、仮焼物をボ
ールミル等で湿式粉砕し、さらにｌｒｍ系バインダーを
加えて混合し、その混合物を吸引濾過する．そして、顆
粒状に造粒し、油圧プレス機などにより加圧成形する。
法によって製造することができる．まず、ＢａＣ０３４
ｉ０ｉ＋Ｓｍｌ０３，ＣｅＯ＊．ＮｄｔＯｓなどの出発
原料を秤量し、ボールミル等で湿式混合する．次に、得
られたスラリーを乾燥し仮焼する．次いで、仮焼物をボ
ールミル等で湿式粉砕し、さらにｌｒｍ系バインダーを
加えて混合し、その混合物を吸引濾過する．そして、顆
粒状に造粒し、油圧プレス機などにより加圧成形する。
こうして得られた成形品を大気中で１３００〜１５００
゜Ｃで焼成することにより、マイクロ波用誘電体セラミ
ックスが得られる。
゜Ｃで焼成することにより、マイクロ波用誘電体セラミ
ックスが得られる。
！． 実施例
以下に、本発明を実施例によりさらに詳し《説明するが
、本発明はこれに限定されるもではない。
、本発明はこれに限定されるもではない。
出発原料として高純度のＢａＣ０３４ｉ０ｚ＋ＳＩｌｘ
Ｏｆｆ＋ＣｅＯｚおよびＮｄｔＣｈを用い、表−１に示
す組成比になるように調合した．次いで純水を加えて湿
式混合し、高分子吸収材としてレオジック３０５８ （
日本純薬社製）を加えて脱水したのち、ｌ０００”ｃで
２時間仮焼した． 得られた仮焼物に純水を加えて湿式粉砕し、バインダー
として酢酸ビニル系エマルジヲンを添加して混合し、脱
水したのち造粒した． 得られた造粒物を金型内に入れ、油圧プレスで１．５ｔ
／ｃｊの成形圧力をかけて成形して、直径約ｌ５腫、厚
さ約７１ｍｍの円筒状の成形体を得た．この成形体を高
純度のアルミナ製のさやに入れ、１３００〜１５００℃
で２時間焼成することにより、誘電体セラミックス（実
施例１〜５，比較例１〜３）を得た． 得られた誘電体セラミックスについて、ポストレゾネー
夕法により比誘電率εｒおよび無負荷Ｑを測定し、さら
に温度係数τｆは２５℃における共振周波数を基準にし
て、２５〜８５℃の温度範囲から求めた．なお、測定共
振周波数は３〜４ＧＨｚであった． また、得られた誘電体セラミンクスはＸ線回折によって
同定した． 表−１に示す結果から明らかなように、ＢａＯ−ＴｊＯ
ｚ−Ｓｍ．Ｏ．−ＣｅＪ−Ｎｄｌ０３系組成物である実
施例１〜５の誘電体セラミックスは、比誘電率εｒおよ
び無負荷Ｑが大きく、かつ温度係数τｆの絶対値が小さ
い． これに対して、Ｓ＋ｓｚＪの配合されていない比較例１
、ＣｅＯ１の配合されていない比較例２およびＮｄ，
０．の配合されていない比較例３の誘電体セラミックス
は、比誘電率ｔｒ、無負荷Ｑおよび温度係数τｆの三条
件を同時に満足していない． ｇ．発明の効果 本発明のマイクロ波用誘電体セラミックスは、マイクロ
波領域において、比誘電率εｒおよび無負荷Ｑが大きく
、かつ温度係数τ『の絶対値が小さいマイクロ波用フィ
ルタや共振器、温度補償用コンデンサなどの誘電体セラ
ミックスとして好適に利用することができ、その小型化
が図れるため、工業的価値は極めて高い．
Ｏｆｆ＋ＣｅＯｚおよびＮｄｔＣｈを用い、表−１に示
す組成比になるように調合した．次いで純水を加えて湿
式混合し、高分子吸収材としてレオジック３０５８ （
日本純薬社製）を加えて脱水したのち、ｌ０００”ｃで
２時間仮焼した． 得られた仮焼物に純水を加えて湿式粉砕し、バインダー
として酢酸ビニル系エマルジヲンを添加して混合し、脱
水したのち造粒した． 得られた造粒物を金型内に入れ、油圧プレスで１．５ｔ
／ｃｊの成形圧力をかけて成形して、直径約ｌ５腫、厚
さ約７１ｍｍの円筒状の成形体を得た．この成形体を高
純度のアルミナ製のさやに入れ、１３００〜１５００℃
で２時間焼成することにより、誘電体セラミックス（実
施例１〜５，比較例１〜３）を得た． 得られた誘電体セラミックスについて、ポストレゾネー
夕法により比誘電率εｒおよび無負荷Ｑを測定し、さら
に温度係数τｆは２５℃における共振周波数を基準にし
て、２５〜８５℃の温度範囲から求めた．なお、測定共
振周波数は３〜４ＧＨｚであった． また、得られた誘電体セラミンクスはＸ線回折によって
同定した． 表−１に示す結果から明らかなように、ＢａＯ−ＴｊＯ
ｚ−Ｓｍ．Ｏ．−ＣｅＪ−Ｎｄｌ０３系組成物である実
施例１〜５の誘電体セラミックスは、比誘電率εｒおよ
び無負荷Ｑが大きく、かつ温度係数τｆの絶対値が小さ
い． これに対して、Ｓ＋ｓｚＪの配合されていない比較例１
、ＣｅＯ１の配合されていない比較例２およびＮｄ，
０．の配合されていない比較例３の誘電体セラミックス
は、比誘電率ｔｒ、無負荷Ｑおよび温度係数τｆの三条
件を同時に満足していない． ｇ．発明の効果 本発明のマイクロ波用誘電体セラミックスは、マイクロ
波領域において、比誘電率εｒおよび無負荷Ｑが大きく
、かつ温度係数τ『の絶対値が小さいマイクロ波用フィ
ルタや共振器、温度補償用コンデンサなどの誘電体セラ
ミックスとして好適に利用することができ、その小型化
が図れるため、工業的価値は極めて高い．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 主にＢａ（Ｓｍ，Ｃｅ，Ｎｄ）＿２Ｔｉ＿４Ｏ＿１＿２
からなるＢａＯ−ＴｉＯ＿２−Ｓｍ＿２Ｏ＿３−ＣｅＯ
＿２−Ｎｄ＿２Ｏ＿３系の誘電体セラミックスであって
、Ｓｍ（モル）＞Ｃｅ（モル）＋Ｎｄ（モル）の関係を
有し、 各元素を酸化物に換算した組成範囲が、 ＢａＯ（ａ） ：１３〜２０モル％、 ＴｉＯ＿２（ｂ） ：５６〜６８モル％、 Ｓｍ＿２Ｏ＿３（ｃ） ：７〜３０モル％、ＣｅＯ＿２
（ｄ） ：１〜１０モル％、 Ｎｄ＿２Ｏ＿３（ｅ） ：１〜１０モル％、ただし、ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ であることを特徴とするマイクロ波用誘電体セラミック
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058284A JP2731940B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058284A JP2731940B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02239150A true JPH02239150A (ja) | 1990-09-21 |
| JP2731940B2 JP2731940B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=13079894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1058284A Expired - Lifetime JP2731940B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2731940B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6843956B2 (en) | 2000-08-29 | 2005-01-18 | Epcos Ag | Method for producing a ceramic silver niobium tantalate body |
| US6956001B2 (en) | 2000-08-29 | 2005-10-18 | Epcos Ag | Dielectric Ceramic Material |
| JP2006347820A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Ntn Corp | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1058284A patent/JP2731940B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6843956B2 (en) | 2000-08-29 | 2005-01-18 | Epcos Ag | Method for producing a ceramic silver niobium tantalate body |
| US6956001B2 (en) | 2000-08-29 | 2005-10-18 | Epcos Ag | Dielectric Ceramic Material |
| JP2006347820A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Ntn Corp | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2731940B2 (ja) | 1998-03-25 |
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