JPH02235204A - バイアス磁界発生器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気記録方式において、光磁気記録媒体の
記録層にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界発
生装置に関するものである．（従来の技術） 従来、バイアス磁界の発生領域を光学ヘッドによって、
現に光磁気記録を行っている領域に限って、光磁気ディ
スクにバイアス磁界を印加するようにしたバイアス磁界
発生器が知られてｈる。これは、第５図に示されるよう
なものであって、ことではバイアス磁界発生器５２は光
磁気ディスク５０を挾んで反対側に配置された光学ヘッ
ド５１Ｋ対して支持部材５６を介して連結されてｈる．
そして、光学ヘッド５ｌの情報記録、再生のための光ピ
ーム５７と、バイアス磁界発生器５２によラて生じるバ
イアス磁界の中心線とがおおむね一致するようκ、バイ
アス磁界発生器５２と光ヘツＰ５１とは相対的に位置決
めされている．このため、．バイアス磁界発生器５２は
光学ヘッド５ｌがトラッキング制御によって情報記録領
域５４内で大きく移動される時には、これκ追従して移
動することができる． なお、この種の光磁気記録方式では、例えば、バイアス
磁界発生器５２と光学ヘッド５ｌとを連結する支持部材
５６の一部領域Ａに所要のばね特性を持ったばね材が使
用され、光磁気ディスク５００回転によって表面に生じ
る空気流を利用して、上記バイアス磁界発生器５２を光
磁気ディスク５０の表面から僅かな間隙で浮上させるよ
うκ構成している． （発明が解決しようとする課題） しかし、上記バイアス磁界発生器では発生バイアス磁界
の均一領域が狭いために、光学ヘッド５１からの光束５
７と、バイアス磁界発生器５２の発生バイアス磁界の中
心線とを正確に一致させる必要があるが、このためには
高精度な設計、製作が必要であシ、高精度の位置合わせ
が必要で、コスト高となる． また、上記バイアス磁界発生器ではコイルを円筒状κ巻
くために、所要の磁界を発生させるのκ相当な巻数が必
要でＴｏシ、このため、光磁気ディスクκ対する垂直方
向の距離が大きくなシ、磁界の集中が雛し〈なる．そこ
で、必要な磁界の均一領域を広げるために磁極を大きく
すると、インダクタンスの増加によ）高周波駆動が困難
になる。

そこで、コイルを渦巻状にして、インダクタンスの増加
をともなわずに必要な磁界の均一領域を広げるようにし
た第６図のようなバイアス磁界発生器が考えられている
．ここでは薄膜エッチング・ノ中ターニング技術が採用
されておシ、磁性体ブロック６ｌ上にノ卆ター二冫グさ
れたプリントコイル６７は引き出しリード線６４および
６９を介して電源（図示せず）から駆動電流を得ておシ
、２方向への垂直磁界を発生する．なお、上記プリント
コイル６７は磁性体ブロック６ｌ上に設けた絶縁層６５
上に形成されておシ、更にその上には保護膜６６が覆っ
てある．上記プリントコイル６７の両側には磁性体ブロ
ック６ｌ上において端子・々ターン６０および６２が形
成してあって、この上に半田付か、一ンディング６３，
６８にようて、上記引き出しリード線６４および６９が
取付けられる． このような構成における決定的な欠点は、第６図（ｂｌ
で明らかなように、半田付か、ボンディング６３　，６
８が端子ノｆターン６０および６２上にもシ上って形成
されるととで、これくよって、例えば保ｉｌｌｊ＄６６
表面よシ上方へ寸法ｔだけ半田付けかボンディング６８
が突出されることによシ、光磁気ディスク表面に対する
バイアス磁界発生器、とくにそのプリントコイル６７の
接近を妨げることになる点である． このことは、インダクタンスの増加なしに必要な磁界の
均一領域の拡大を図るという意図を妨げることになシ、
また、上記バイアス磁界発生器を浮上式に保持しようと
する構成上の妨げになる。

実際問題として、上述のような半田付か、ボンディング
の盛シ上シを出来るだけ抑えようとしても、高度な接続
技術のもとで、１００μｍ以下にすることは困難である
．したがって、浮上式κした場合の上記バイアス磁界発
生器と光磁気ディスク表面との間隙が３〜４μｍ程度で
あるという事情からすると、浮上式が採用できないと論
う現実κ直面せざるを得なｈ０ （発明の目的） 本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、インダ
クタンスの増加なしに必要な磁界の均一領域の拡大を図
ることができると共に、浮上式で保持することが可能な
バイアス磁界発生器を提供しようとするものである． （課題を解決するための手段） このため、本発明では、磁化配向を有する磁区の向きに
よって情報を表わすようκ、光磁気記録媒体和光学ヘッ
ドからの光ビームで温度上昇させると共にバイアス磁界
の印加を行なうようにした光磁気記録方式において、主
たる磁界成分が上記記録媒体の記録層に対して垂直とな
るように配置された磁界発生用コイルは上記記録媒体に
接近した平面にお−てその巻線部を配設すると共に、上
記平面よシも、上記記録媒体から離れる方向に所定間隔
あけられた第２の平面上に上記巻線部と接続されてｈる
端子を具備してｈる。

（作用） したがうて、上記端子く対して半田付か、ボンディング
を行い、リード線を接続しても、磁界発生用コイルの巻
線部は対応する記録媒体の表面に可及的に接近できるか
ら、たとえ、インダクタンスが小さくても、充分必要な
磁界の均一領域が確保され、記録の信頼性が確保でき、
また、浮上式の支持が採用できることになる。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して具体的に説明す
る．第１図に示されるバイアス磁界発生器は左右に位置
して下段部分１　ａ　．　ｌ　ａ’を具備する磁性体ブ
ロックｌを使用してプリントコイル３にようてバイアス
磁界を発生するよう圧したもので、上記磁性体ブロック
ｌは高周波特性の良好な、例えば高周波フエライトなど
の材料を使用しておシ、その磁気特性としては、高周波
での損失が少なく、透磁率の大きな材料が好ましい。こ
の磁性体ブロックｌａ上記下段部分１　ａ　，　ｌ　ｍ
’から傾斜面１　ｂ　，　ｌ　ｂ’を介して中央の上段
部分１ｅに到る段差のある表頁を具備してか〕、下段部
分１ｍ，１　ｍ’から傾斜面１　ｂ　，　１　ｂ’にか
けての端子部分４，５を構成すると共に、中央の上段部
分１６内方に延びる導電部分９を構成してｂる．また１
上段部分１ｃの上κは導電部分９の先端の接続点６を残
して絶縁層７を積層して７ｂシ、この上に上述のプリン
トコイル３を配設してｈる．このプリントコイル３は渦
巻状をなしておシ、その内端を接続点６で結合し、また
、外端を導電部分１０を介して上記端子部分５Ｋ結合さ
れてｈる．そして、上記プリントーイル３を保護する目
的で絶縁層２が被覆してある． とのような構成のバイアス磁界発生器は、端子４から端
子５Ｋ向けて電流を流せば、＋２方向に磁界が発生し、
逆に端子５から端子４に向けて電流を流せば−２方向に
磁界が発生する．ここで、プリントコイル３が構成され
ている磁性体プ四ツクの平頁、すなわち上段部分１ｃの
表面よシ、端子４，５が構成されて−る平面は光磁気記
録媒体（図示せず）の表面に対して離れる方向κ位置さ
れる。このため、半田付かボンディングを行って１上記
端子４．５に対してリード線（図示せず）を装着しても
、半田の盛上シがプリントコイル３の配置平面よ夛、光
磁気記録媒体側く突出することがさけられる。換言すれ
ば、プリントコイル３が構成される平面と、端子４，５
が構成される下段部分１　ｍ　，　１　ｍ’との間の段
差は、予想される半田の盛上シの厚さ、例えば０．　２
■を越える寸法、例えば０．２５■あればよいことにな
る．なお、端子４．５を傾斜面１　ｂ　，　ｌ　ｂ’ま
で構成する時の手法に蒸着あるｈはス１４ツタリングを
行ｈることを考慮して、中央の上段部分１ｅの平面と下
段部分１　ｍ　，　１　ｍ’とを結ぶ傾斜爾１　ｂ　，
　１　ｂ’が上記上段部分１ｅの平面に対して成す角度
θを９０度以上、例えば図示のようＫ１３５度に設定す
るとよー． 次に、第２図を参照して、上記バイアス磁界発生器の裏
作過程を説明する．先づ第２図（ａ）　−　（ａ）’に
示すよりに、立体プロックからの切削加工ある込＃′ｉ
プレス成形加工で、上段部分１ｃから傾斜面１　ｂ　，
　１　ｂ’を介して下段部分１ａ，ｌａ’Ｋ連なる表面
を持った磁性ブロックｌを構成する．次に、第２図（ｂ
）　ｅ　（ｂ）’に示すよりに、蒸着あるいはス・ぐツ
タリングの手法で、導電部分９を構成するための導体パ
ターン８を上段部分１ｃに形成する．この状態で上記上
段部分１ｃに、第２図（ｃ）　．　（ｃＹに示すように
絶縁層７を積層し、第２図（ｄ）　，　（ｄＹに示すよ
うに、接続点６に対応する個所に穴７ａを形成し、その
底部に導体ノ４ター７８の一部を露出する．この一状態
で、第２図（●），（●Ｙに示すように、同じく導体／
臂ターンの形成κよって、プリントコイル３を形成する
と共に、上記プリントコイル３の内端を接続点６で導電
部分９に結合し、また、外端に導電部分ｌＯを構成する
．この導電部分１０ａ絶縁層７の緑を越えて上段部分１
ｅの縁まで延びて−る．この状態で、第２図（ｒ》ｓ　
（ｔＹκ示すようく、プリントコイル３の保護のための
絶縁層２を積層し、次κ第２図（ｇ）　，　（ｇ）’の
ように端子／４ターンを残してマスクＭを施す．この状
態で、再び、蒸着ある偽はスパッタリングの手法で端子
４．５を形成する．その後、マスクＭを除けば、第２図
（ｈ）　＃　（ｈ）’のような構成のバイアス磁界発生
器を構成できるのである． 第３図（＆）および（ｂ）は、このようなバイアス磁界
発生器に対して、その端子４，５Ｋ半田付かボンディン
グ３ｌによって引出しリード線３０を取付ける状態を示
して偽る．図からも解るように、半田付かボンディング
３ｌは下段部分１　ｍ　，　１　ｍ’上に構成されるか
ら、プリントコイル３が設けられている上段部分１ｅま
でκは盛土らなー．第４図（１）および（ｂ）はバイア
ス磁界発生器を引出しリード線を兼ねる支持部材４ｌで
支持して込る状況を示して−る．ここでは支持部材４ｌ
は弾性材で構成されるとよく、これがバイアス磁界発生
器を浮上式に支持するアームの役目をするよう和しても
よ−．なお端子４，５は上記支持部材４ｌに電気的に接
続された状態になって−る．（発明の効果） 本発明は以上詳述したようになシ、端子κ対して、半田
付か、ボンディングを行込、リード線を接続しても、磁
界発生用フィルの巻線部は対応する記録媒体の表面に可
及的に接近できるから、たとえインダクタンスが小さく
ても、充分必要な磁界の均一領域が確保され、記録の信
頼性が確保でき、また、浮上式の支持が採用できる．ま
た、インダクタンスを増大させなくてよいから高周波ス
イッチング動作が可能となるから、高転送レート、高密
度記録が可能となる．

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　，　（ｂ）は本発明の一実施例を模式的
に示す平面図および断面図、第２図（ａ）＜＆Ｙ　，　
（ｂ）　（ｂＹ−（ｈ）　（ｈ）’は本発明に係るバイ
アス磁界発生器の製作手順の一例を示す平面図および断
面図、第３図（ａ），価）は引出しリード線の取付け状
況を示す平面図および断面図、第４図（ａ）　＄　（ｂ
）はリード線を兼ねた支持部材による支持状況を示す平
面図および断面図、第５図は従来例の模式的な側面図、
第６図（ａ）　，　（ｂ）は既に提唱されたバイアス磁
界発生器の平面図および断面図である． ！・・・磁性体ブロック，　　１　＊’，　ｌ　ｍ’−
下段部分、１　ｂ　，　１　ｂ’・・・傾斜面、ｌｅ・
・・上段部分、３・・・プリントコイル、４，５・・・
端子、６・・・接続点、２，７・・・絶縁層、９．１０
・・・導電部分．第１図 代理人　弁理士　山　下　穣　平 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第２ 図 第 図 Ａ （ｂ） 第 図 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁化配向を有する磁区の向きによって情報を表わすよう
   に、光磁気記録媒体に光学ヘッドからの光ビームで温度
   上昇させると共にバイアス磁界の印加を行なうようにし
   た光磁気記録方式において、主たる磁界成分が上記記録
   媒体の記録層に対して垂直となるように配置された磁界
   発生用コイルは、上記記録媒体に接近した平面において
   その巻線部を配設すると共に、上記平面よりも、上記記
   録媒体から離れる方向に所定間隔あけられた第２の平面
   上に上記巻線部と接続されている端子を具備しているこ
   とを特徴とするバイアス磁界発生器。