JP2859627B2 - バイアス磁界発生器 - Google Patents
バイアス磁界発生器Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気記録方式において、光磁気記録媒体
の記録層にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界
発生装置に関するものである。
の記録層にバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界
発生装置に関するものである。
（従来の技術） 従来、バイアス磁界の発生領域を光学ヘッドによっ
て、現に光磁気記録を行っている領域に限って、光磁気
ディスクにバイアス磁界を印加するようにしたバイアス
磁界発生器が知られている。これは、第５図に示される
ようなものであって、ここではバイアス磁界発生器52は
光磁気ディスク50を挟んで反対側に配置された光学ヘッ
ド51に対して支持部材56を介して連結されている。そし
て、光学ヘッド51の情報記録、再生のための光ビーム57
と、バイアス磁界発生器52によって生じるバイアス磁界
の中心線とがおおむね一致するように、バイアス磁界発
生器52と光ヘッド51とは相対的に位置決めされている。
このため、バイアス磁界発生器52は光学ヘッド51がトラ
ッキング制御によって情報記録領域54内で大きく移動さ
れるときには、これに追従して移動することができる。
て、現に光磁気記録を行っている領域に限って、光磁気
ディスクにバイアス磁界を印加するようにしたバイアス
磁界発生器が知られている。これは、第５図に示される
ようなものであって、ここではバイアス磁界発生器52は
光磁気ディスク50を挟んで反対側に配置された光学ヘッ
ド51に対して支持部材56を介して連結されている。そし
て、光学ヘッド51の情報記録、再生のための光ビーム57
と、バイアス磁界発生器52によって生じるバイアス磁界
の中心線とがおおむね一致するように、バイアス磁界発
生器52と光ヘッド51とは相対的に位置決めされている。
このため、バイアス磁界発生器52は光学ヘッド51がトラ
ッキング制御によって情報記録領域54内で大きく移動さ
れるときには、これに追従して移動することができる。
なお、この種の光磁気記録方式では、例えば、バイア
ス磁界発生器52と光学ヘッド51とを連結する支持部材56
の一部領域Ａに所要のばね特性を持ったばね材が使用さ
れ、光磁気ディスク50の回転によって表面に生じる空気
流を利用して、上記バイアス磁界発生器52を光磁気ディ
スク50の表面から僅かな間隙で浮上させるように構成し
ている。
ス磁界発生器52と光学ヘッド51とを連結する支持部材56
の一部領域Ａに所要のばね特性を持ったばね材が使用さ
れ、光磁気ディスク50の回転によって表面に生じる空気
流を利用して、上記バイアス磁界発生器52を光磁気ディ
スク50の表面から僅かな間隙で浮上させるように構成し
ている。
（発明が解決しようとする課題） しかし、上記バイアス磁界発生器では発生バイアス磁
界の均一領域が狭いために、光学ヘッド51からの光束57
と、バイアス磁界発生器52の発生バイアス磁界の中心線
とを一致させる必要があるのが、このためには高精度な
設計、製作が必要であり、高精度の位置合わせが必要
で、コスト高となる。
界の均一領域が狭いために、光学ヘッド51からの光束57
と、バイアス磁界発生器52の発生バイアス磁界の中心線
とを一致させる必要があるのが、このためには高精度な
設計、製作が必要であり、高精度の位置合わせが必要
で、コスト高となる。
また、上記バイアス磁界発生器ではコイルを円筒状に
巻くために、所要の磁界を発生させるのに相当な巻き数
が必要であり、このため、光磁気ディスクに対する垂直
方向の距離が大きくなり、磁界の集中が難しくなる。そ
こで、必要な磁界の均一領域を拡げるために磁極を大き
くすると、インダクタンスの増加により高周波駆動が困
難になる。
巻くために、所要の磁界を発生させるのに相当な巻き数
が必要であり、このため、光磁気ディスクに対する垂直
方向の距離が大きくなり、磁界の集中が難しくなる。そ
こで、必要な磁界の均一領域を拡げるために磁極を大き
くすると、インダクタンスの増加により高周波駆動が困
難になる。
そこで、コイルを渦巻状にして、インダクタンスの増
加を伴わずに必要な磁界の均一領域を拡げるようにした
第６図のようなバイアス磁界発生器が考えられている。
ここでは薄膜エッチング・パターニング技術が採用され
ており、磁性体ブロック61上にパターニングされたプリ
ントコイル67は引き出しリード線64および69を介して電
源（図示せず）から駆動電流を得ており、Ｚ方向への垂
直磁界を発生する。なお、上記プリントコイル67は磁性
体ブロック61上に設けた絶縁層65上に形成されており、
更にその上には保護膜66が覆ってある。上記プリントコ
イル67の両側には磁性体ブロック61上において端子パタ
ーン60および62が形成してあって、この上に半田付け
か、ボンディング63、68によって、上記引き出しリード
線64および69が取付けられる。
加を伴わずに必要な磁界の均一領域を拡げるようにした
第６図のようなバイアス磁界発生器が考えられている。
ここでは薄膜エッチング・パターニング技術が採用され
ており、磁性体ブロック61上にパターニングされたプリ
ントコイル67は引き出しリード線64および69を介して電
源（図示せず）から駆動電流を得ており、Ｚ方向への垂
直磁界を発生する。なお、上記プリントコイル67は磁性
体ブロック61上に設けた絶縁層65上に形成されており、
更にその上には保護膜66が覆ってある。上記プリントコ
イル67の両側には磁性体ブロック61上において端子パタ
ーン60および62が形成してあって、この上に半田付け
か、ボンディング63、68によって、上記引き出しリード
線64および69が取付けられる。
このような構成における決定的な欠点は、第６図
（ｂ）で明らかにしたように、半田付けか、ボンディン
グ63、68が端子パターン60および62上にもり上がって形
成されることで、これによって、例えば保護膜66表面よ
り上方へ寸法ｔだけ半田付けかボンディング68が突出さ
れることにより、光磁気ディスク表面に対するバイアス
磁界発生器、とくにそのプリントコイル67の接近を妨げ
ることになる点である。
（ｂ）で明らかにしたように、半田付けか、ボンディン
グ63、68が端子パターン60および62上にもり上がって形
成されることで、これによって、例えば保護膜66表面よ
り上方へ寸法ｔだけ半田付けかボンディング68が突出さ
れることにより、光磁気ディスク表面に対するバイアス
磁界発生器、とくにそのプリントコイル67の接近を妨げ
ることになる点である。
このことは、インダクタンスの増加なしに必要な磁界
の均一領域の拡大を図るという意図を妨げることにな
り、また、上記バイアス磁界発生器を浮上式に保持しよ
うとする構成上の妨げになる。
の均一領域の拡大を図るという意図を妨げることにな
り、また、上記バイアス磁界発生器を浮上式に保持しよ
うとする構成上の妨げになる。
実際問題として、上述のような半田付けか、ボンディ
ングの盛上がりを出来るだけ抑えようとしても、高度な
接続技術のもとで、100μｍ以下にすることは困難であ
る。したがって、浮上式にした場合の上記バイアス磁界
発生器と光磁気ディスク表面との間隙が３〜４μｍ程度
であるという事情からすると、浮上式が採用できないと
いう現実に直面せざるを得ない。
ングの盛上がりを出来るだけ抑えようとしても、高度な
接続技術のもとで、100μｍ以下にすることは困難であ
る。したがって、浮上式にした場合の上記バイアス磁界
発生器と光磁気ディスク表面との間隙が３〜４μｍ程度
であるという事情からすると、浮上式が採用できないと
いう現実に直面せざるを得ない。
（発明の目的） 本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、イン
ダクタンスの増加なしに必要な磁界の均一領域の拡大を
図ることができると共に、浮上式で保持することが可能
なバイアス磁界発生器を提供しようとするものである。
ダクタンスの増加なしに必要な磁界の均一領域の拡大を
図ることができると共に、浮上式で保持することが可能
なバイアス磁界発生器を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段） このため、本発明では、光磁気記録媒体に磁界を印加
するバイアス磁界発生器において、前記バイアス磁界発
生器は巻線部と前記巻線部に接続された端子より成る磁
界発生用コイルおよび前記磁界発生器を支持するアーム
である支持部材とによって構成され、前記支持部材と前
記端子とは電気的に接続され、前記支持部材は前記巻線
部に電流を供給するためのリード線を兼ねることを特徴
とする。
するバイアス磁界発生器において、前記バイアス磁界発
生器は巻線部と前記巻線部に接続された端子より成る磁
界発生用コイルおよび前記磁界発生器を支持するアーム
である支持部材とによって構成され、前記支持部材と前
記端子とは電気的に接続され、前記支持部材は前記巻線
部に電流を供給するためのリード線を兼ねることを特徴
とする。
（作用） 従って、バイアス磁界発生器がリード線を兼ねる支持
部材で支持されることでリード線などの電気的な接続用
の部材を別に備える必要がなくなり、部品点数が低減さ
れ、構成が簡略化できる。
部材で支持されることでリード線などの電気的な接続用
の部材を別に備える必要がなくなり、部品点数が低減さ
れ、構成が簡略化できる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明
に至る過程でのバイアス磁界発生器の構成について、幾
つかの参考事例を紹介する。第１図に示されるバイアス
磁界発生器は左右に位置して下段部分1a、1a′を具備す
る磁性体ブロック１を使用してプリントコイル３によっ
てバイアス磁界を発生するようにしたもので、上記磁性
体ブロック１は高周波特性の良好な、例えば高周波フェ
ライトなどの材料を使用しており、その磁性特性として
は、高周波での損失が少なく、透磁率の大きな材料が好
ましい。この磁性体ブロック１は上記下段部分1a、1a′
から傾斜面1b、1b′を介して中央の上段部分1cに到る段
差のある表面を具備しており、下段部分1a、1a′から傾
斜面1b、1b′にかけての端子部分４、５を構成すると共
に、中央の上段部分1c内方に延びる導電部分９を構成し
ている。また、上段部分1cの上には導電部分９の先端の
接続点６を残して絶縁層７を精層してあり、この上に上
述のプリントコイル３を配設している。このプリントコ
イル３は渦巻状をなしており、その内端を接続点６で結
合し、また、外端を導電部分10を介して上記端子部分５
に結合されている。そして、上記プリントコイル３を保
護する目的で絶縁層２が被覆してある。
に至る過程でのバイアス磁界発生器の構成について、幾
つかの参考事例を紹介する。第１図に示されるバイアス
磁界発生器は左右に位置して下段部分1a、1a′を具備す
る磁性体ブロック１を使用してプリントコイル３によっ
てバイアス磁界を発生するようにしたもので、上記磁性
体ブロック１は高周波特性の良好な、例えば高周波フェ
ライトなどの材料を使用しており、その磁性特性として
は、高周波での損失が少なく、透磁率の大きな材料が好
ましい。この磁性体ブロック１は上記下段部分1a、1a′
から傾斜面1b、1b′を介して中央の上段部分1cに到る段
差のある表面を具備しており、下段部分1a、1a′から傾
斜面1b、1b′にかけての端子部分４、５を構成すると共
に、中央の上段部分1c内方に延びる導電部分９を構成し
ている。また、上段部分1cの上には導電部分９の先端の
接続点６を残して絶縁層７を精層してあり、この上に上
述のプリントコイル３を配設している。このプリントコ
イル３は渦巻状をなしており、その内端を接続点６で結
合し、また、外端を導電部分10を介して上記端子部分５
に結合されている。そして、上記プリントコイル３を保
護する目的で絶縁層２が被覆してある。
このような構成のバイアス磁界発生器は、端子４から
端子５に向けて電流を流せば、＋Ｚ方向に磁界が発生
し、逆に端子５から端子４に向けて電流を流せば−Ｚ方
向に磁界が発生する。ここで、プリントコイル３が構成
されている磁性体ブロックの平面、すなわち上段部分1c
の表面より、端子４、５が構成されている平面は光磁気
記録媒体（図示せず）の表面に対して離れる方向に位置
される。このため、半田付けかボンディングを行って、
上記端子４、５に対してリード線（図示せず）を装着し
ても、半田の盛上がりがプリントコイル３の配置平面よ
り、光磁気記録媒体側に突出することがさけられる。換
言すれば、プリントコイル３が構成される平面と、端子
４、５が構成される下段部分1a、1a′との間の段差は、
予想される半田の盛上がりの厚さ、例えば0.2mmを越え
る寸法、例えば0.25mmあればよいことになる。
端子５に向けて電流を流せば、＋Ｚ方向に磁界が発生
し、逆に端子５から端子４に向けて電流を流せば−Ｚ方
向に磁界が発生する。ここで、プリントコイル３が構成
されている磁性体ブロックの平面、すなわち上段部分1c
の表面より、端子４、５が構成されている平面は光磁気
記録媒体（図示せず）の表面に対して離れる方向に位置
される。このため、半田付けかボンディングを行って、
上記端子４、５に対してリード線（図示せず）を装着し
ても、半田の盛上がりがプリントコイル３の配置平面よ
り、光磁気記録媒体側に突出することがさけられる。換
言すれば、プリントコイル３が構成される平面と、端子
４、５が構成される下段部分1a、1a′との間の段差は、
予想される半田の盛上がりの厚さ、例えば0.2mmを越え
る寸法、例えば0.25mmあればよいことになる。
なお、端子４、５を傾斜面1b、1b′まで構成するとき
の手法に蒸着あるいはスパッタリングを行っていること
を考慮して、中央の上段部分1cの平面と下段部分1a、1
a′とを結ぶ傾斜面1b、1b′が上記上段部分1cの平面に
対して成す角度θを90度以上、例えば図示のように135
度に設定するとよい。
の手法に蒸着あるいはスパッタリングを行っていること
を考慮して、中央の上段部分1cの平面と下段部分1a、1
a′とを結ぶ傾斜面1b、1b′が上記上段部分1cの平面に
対して成す角度θを90度以上、例えば図示のように135
度に設定するとよい。
次に、第２図を参照して、上記バイアス磁界発生器の
製作過程を説明する。先ず第２図（ａ）、（ａ）′に示
すように、立体ブロックからの切削加工あるいはプレス
成形加工で、上段部分1cから傾斜面1b、1b′を介して下
段部分1a、1a′に連なる表面を持った磁性体ブロック１
を構成する。次に、第２図（ｂ）、（ｂ）′に示すよう
に、蒸着あるいはスパッタリングの手法で、導電部分９
を構成するための導電体パターン８を上段部分1cに形成
する。この状態で上記上段部分1cに、第２図（ｃ）、
（ｃ）′に示すように絶縁層７を積層し、第２図
（ｄ）、（ｄ）′に示すように、接続点６に対応する個
所に穴7aを形成し、その底部に導体パターン８の一部を
露出する。この状態で、第２図（ｅ）、（ｅ）′に示す
ように、同じく導体パターンの形成によって、プリント
コイル３を形成すると共に、上記プリントコイル３の内
端を接続点６で導電部分９に結合し、また、外端に導電
部分10を構成する。この導電部分10は絶縁層７の縁を越
えて上段部分1cの縁まで延びている。この状態で、第２
図（ｆ）、（ｆ）′に示すように、プリントコイル３の
保護のための絶縁層２を積層し、次に第２図（ｇ）、
（ｇ）′のように端子パターンを残してマスクＭを施
す。この状態で、再び、蒸着あるいはスパッタリングの
手法で端子４、５を形成する。その後、マスクＭを除け
ば、第２図（ｈ）、（ｈ）′のような構成のバイアス磁
界発生器を構成できるのである。
製作過程を説明する。先ず第２図（ａ）、（ａ）′に示
すように、立体ブロックからの切削加工あるいはプレス
成形加工で、上段部分1cから傾斜面1b、1b′を介して下
段部分1a、1a′に連なる表面を持った磁性体ブロック１
を構成する。次に、第２図（ｂ）、（ｂ）′に示すよう
に、蒸着あるいはスパッタリングの手法で、導電部分９
を構成するための導電体パターン８を上段部分1cに形成
する。この状態で上記上段部分1cに、第２図（ｃ）、
（ｃ）′に示すように絶縁層７を積層し、第２図
（ｄ）、（ｄ）′に示すように、接続点６に対応する個
所に穴7aを形成し、その底部に導体パターン８の一部を
露出する。この状態で、第２図（ｅ）、（ｅ）′に示す
ように、同じく導体パターンの形成によって、プリント
コイル３を形成すると共に、上記プリントコイル３の内
端を接続点６で導電部分９に結合し、また、外端に導電
部分10を構成する。この導電部分10は絶縁層７の縁を越
えて上段部分1cの縁まで延びている。この状態で、第２
図（ｆ）、（ｆ）′に示すように、プリントコイル３の
保護のための絶縁層２を積層し、次に第２図（ｇ）、
（ｇ）′のように端子パターンを残してマスクＭを施
す。この状態で、再び、蒸着あるいはスパッタリングの
手法で端子４、５を形成する。その後、マスクＭを除け
ば、第２図（ｈ）、（ｈ）′のような構成のバイアス磁
界発生器を構成できるのである。
このような構成のバイアス磁界発生器の端子４、５を
半田付けかボンディング31によって、引き出しリード線
30に取り付ける形は、第３図（ａ）および（ｂ）に示さ
れている。図からも解るように、半田付けかボンディン
グ31は下段部分1a、1a′上に構成されるから、プリント
コイル３が設けられている上段部分1cまでには盛り上が
らない。
半田付けかボンディング31によって、引き出しリード線
30に取り付ける形は、第３図（ａ）および（ｂ）に示さ
れている。図からも解るように、半田付けかボンディン
グ31は下段部分1a、1a′上に構成されるから、プリント
コイル３が設けられている上段部分1cまでには盛り上が
らない。
このような技術的背景において、本発明では、以下の
ような実施の形態を実現している。即ち、第４図
（ａ）、（ｂ）はバイアス磁界発生器を引き出しリード
線を兼ねる支持部材41で支持している状況を示してい
る。ここでは支持部材41は弾性材で構成されるとよく、
これがバイアス磁界発生器を浮上式に支持するアームの
役目をするのである。なお、端子４、５は上記支持部材
21に電気的に接続された状態になっている。
ような実施の形態を実現している。即ち、第４図
（ａ）、（ｂ）はバイアス磁界発生器を引き出しリード
線を兼ねる支持部材41で支持している状況を示してい
る。ここでは支持部材41は弾性材で構成されるとよく、
これがバイアス磁界発生器を浮上式に支持するアームの
役目をするのである。なお、端子４、５は上記支持部材
21に電気的に接続された状態になっている。
（発明の効果） 本発明は以上詳述したようになり、光磁気記録媒体に
磁界を印加するバイアス磁界発生器において、前記バイ
アス磁界発生器は巻線部と前記巻線部に接続された端子
より成る磁界発生用コイルおよび前記磁界発生器を支持
するアームである支持部材とによって構成され、前記支
持部材と前記端子とは電気的に接続され、前記支持部材
は前記巻線部に電流を供給するためのリード線を兼ねる
ので、バイアス磁界発生器がリード線を兼ねる支持部材
で支持されることでリード線などの電気的な接続用の部
材を別に備える必要がなくなり、部品点数が低減され、
構成が簡略化できる。
磁界を印加するバイアス磁界発生器において、前記バイ
アス磁界発生器は巻線部と前記巻線部に接続された端子
より成る磁界発生用コイルおよび前記磁界発生器を支持
するアームである支持部材とによって構成され、前記支
持部材と前記端子とは電気的に接続され、前記支持部材
は前記巻線部に電流を供給するためのリード線を兼ねる
ので、バイアス磁界発生器がリード線を兼ねる支持部材
で支持されることでリード線などの電気的な接続用の部
材を別に備える必要がなくなり、部品点数が低減され、
構成が簡略化できる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例を実現する過程
での参考事例を示すもので、その模式的な平面図および
断面図、第２図（ａ）（ａ）′、（ｂ）（ｂ）′、・・
・（ｈ）（ｈ）′は上記参考事例についてのバイアス磁
界発生器の製作手順の一例を示す平面図および断面図、
第３図（ａ）、（ｂ）は引き出しリード線の取付状況を
示す平面図および断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は本発
明に係わる実施例で、そのリード線を兼ねた支持部材に
よる支持状況を示す平面図および断面図、第５図は従来
例の模式的な側面図、第６図（ａ）、（ｂ）は既に提唱
されたバイアス磁界発生器の平面図および断面図であ
る。 １…磁性体ブロック、1a、1a′…下段部分、1b、1b′…
傾斜面、1c…上段部分、３…プリントコイル、４、５…
端子、６…接続点、２、７…絶縁層、９、10…導電部
分。
での参考事例を示すもので、その模式的な平面図および
断面図、第２図（ａ）（ａ）′、（ｂ）（ｂ）′、・・
・（ｈ）（ｈ）′は上記参考事例についてのバイアス磁
界発生器の製作手順の一例を示す平面図および断面図、
第３図（ａ）、（ｂ）は引き出しリード線の取付状況を
示す平面図および断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は本発
明に係わる実施例で、そのリード線を兼ねた支持部材に
よる支持状況を示す平面図および断面図、第５図は従来
例の模式的な側面図、第６図（ａ）、（ｂ）は既に提唱
されたバイアス磁界発生器の平面図および断面図であ
る。 １…磁性体ブロック、1a、1a′…下段部分、1b、1b′…
傾斜面、1c…上段部分、３…プリントコイル、４、５…
端子、６…接続点、２、７…絶縁層、９、10…導電部
分。
Claims (4)
- 【請求項１】光磁気記録媒体に磁界を印加するバイアス
磁界発生器において、前記バイアス磁界発生器は巻線部
と前記巻線部に接続された端子より成る磁界発生用コイ
ルおよび前記磁界発生器を支持するアームである支持部
材とによって構成され、前記支持部材と前記端子とは電
気的に接続され、前記支持部材は前記巻線部に電流を供
給するためのリード線を兼ねることを特徴とするバイア
ス磁界発生器。 - 【請求項２】前記磁界発生用コイルがプリントコイルで
あることを特徴とする請求項１に記載のバイアス磁界発
生器。 - 【請求項３】前記支持部材が弾性材で構成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載のバイアス磁界発生器。 - 【請求項４】請求項１に記載のバイアス磁界発生器を用
い、前記光磁気記録媒体に光学ヘッドからの光ビームで
温度上昇させると共にバイアス磁界の印加を行うように
したことを特徴とする光磁気記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5521489A JP2859627B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | バイアス磁界発生器 |
| US07/895,249 US5293360A (en) | 1989-03-09 | 1992-06-08 | Magnetic field generating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5521489A JP2859627B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | バイアス磁界発生器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02235204A JPH02235204A (ja) | 1990-09-18 |
| JP2859627B2 true JP2859627B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=12992373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5521489A Expired - Fee Related JP2859627B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | バイアス磁界発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2859627B2 (ja) |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP5521489A patent/JP2859627B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02235204A (ja) | 1990-09-18 |
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