JPH02234428A - エネルギービーム処理装置 - Google Patents
エネルギービーム処理装置Info
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- JPH02234428A JPH02234428A JP5451589A JP5451589A JPH02234428A JP H02234428 A JPH02234428 A JP H02234428A JP 5451589 A JP5451589 A JP 5451589A JP 5451589 A JP5451589 A JP 5451589A JP H02234428 A JPH02234428 A JP H02234428A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
エネルギービーム処理装置、特に高真空の領域より発生
するエネルギービーム源を用いるエネルギービーム処理
装置における反応ガスの供給方法に関し、 エネルギービームにより励起された反応ガス分子ガ多く
を反応に寄与せしめて成長、エッチング等の処理速度を
向上せしめることを目的とし、高真空のエネルギービー
ム源と、真空排気手段を具備した処理室と、該エネルギ
ービーム源と処理室との間を気密に接続し、且つ処理室
に向かうエネルギービームの通過が可能な複数段の差動
徘気部よりなる差動排気領域とを備え、該処理室内に供
給される反応ガスの導入が該差動排気領域の途中部分か
らなされる構成を有する。
するエネルギービーム源を用いるエネルギービーム処理
装置における反応ガスの供給方法に関し、 エネルギービームにより励起された反応ガス分子ガ多く
を反応に寄与せしめて成長、エッチング等の処理速度を
向上せしめることを目的とし、高真空のエネルギービー
ム源と、真空排気手段を具備した処理室と、該エネルギ
ービーム源と処理室との間を気密に接続し、且つ処理室
に向かうエネルギービームの通過が可能な複数段の差動
徘気部よりなる差動排気領域とを備え、該処理室内に供
給される反応ガスの導入が該差動排気領域の途中部分か
らなされる構成を有する。
本発明はエネルギービーム処理装置、特にシンクロトロ
ン放射光源等の高真空エネルギービーム源を用いるエネ
ルギービーム処理装置における反応ガスの供給方法に関
する。
ン放射光源等の高真空エネルギービーム源を用いるエネ
ルギービーム処理装置における反応ガスの供給方法に関
する。
半導体装置の製造において、薄膜の成長やエッチング処
理にプラズマプロセスが多く用いられるが、このプロセ
スにおいてはプラズマ中に曝される被処理半導体基板が
プラズマから受けるダメージによって、この基板に形成
される半導体素子の性能が劣化するという問題がある。
理にプラズマプロセスが多く用いられるが、このプロセ
スにおいてはプラズマ中に曝される被処理半導体基板が
プラズマから受けるダメージによって、この基板に形成
される半導体素子の性能が劣化するという問題がある。
そこで、プロセス中に基板が受けるダメージを低減する
目的から、通常の紫外光を用いた光励起プロセスの導入
が試みられ、事実、低ダメージの成膜、エッチングが実
現されている。しかしながら、通常の水銀ランプ等から
の紫外光は化学気相成長（ＣＶＤ）やエッチングの反応
ガスとの相互作用が弱く、効率的な反応は実現されてい
なかった。
目的から、通常の紫外光を用いた光励起プロセスの導入
が試みられ、事実、低ダメージの成膜、エッチングが実
現されている。しかしながら、通常の水銀ランプ等から
の紫外光は化学気相成長（ＣＶＤ）やエッチングの反応
ガスとの相互作用が弱く、効率的な反応は実現されてい
なかった。
そこで近時、基板にダメージを及ぼさず、且つ殆どの反
応ガスとの相互作用の強い数１０〜１０００人の真空紫
外波長を有するシンクロトロン放射光を用いてＣＶＤ及
びエッチング処理を行うエネルギービーム処理が提案さ
れている。
応ガスとの相互作用の強い数１０〜１０００人の真空紫
外波長を有するシンクロトロン放射光を用いてＣＶＤ及
びエッチング処理を行うエネルギービーム処理が提案さ
れている。
しかし、この方法はプラズマＣＶＤ処理やプラズマエッ
チング処理に比べて処理速度が遅いので改善が望まれて
いる。
チング処理に比べて処理速度が遅いので改善が望まれて
いる。
シンクロトロン放射光を用いた光ＣｖＤ処理においては
、薄膜の堆積を行う処理室に反応ガスを流すため、反応
室の圧力は数Ｔｏｒｒに達する。
、薄膜の堆積を行う処理室に反応ガスを流すため、反応
室の圧力は数Ｔｏｒｒに達する。
一方、シンクロトロン放射光を発生させる蓄積リングや
、放射光を導くビームラインダクトには１０− ’Ｔｏ
ｒｒ以下の超高真空が要求される。従って両者の差圧を
保ち、それぞれの圧力を維持させた状態で両者を接続す
るために、両者の間には差動排気装置を具備した通常複
数の真空連結室よりなる差動排気領域が配設される。
、放射光を導くビームラインダクトには１０− ’Ｔｏ
ｒｒ以下の超高真空が要求される。従って両者の差圧を
保ち、それぞれの圧力を維持させた状態で両者を接続す
るために、両者の間には差動排気装置を具備した通常複
数の真空連結室よりなる差動排気領域が配設される。
第２図は上記膜成長に用いた従来のエネルギービーム処
理装置を模式的に示す側断面図で、図中、１はシンクロ
トロンを構成する蓄積リングから導出されたビームライ
ンダクトよりなる高真空ビーム源室、２は薄膜成長処理
が行われる処理室、３は反応ガス導入口、４は処理室内
を所定の圧力に維持するための真空排気口、５基板ホル
ダ、６は被処理基板、７は差動排気領域を画定する真空
ダクト、８Ａ， ８Ｂ、８Ｃ， ８Ｄはエネルギービー
ムの通路にあってこれを通し且つ隣室と所定の圧力差を
保つことが可能な大きさの開孔を有する第１、第２、第
３、第４のスリット、９は差動排気領域、ＩＯＡ、ｌＯ
Ｂ、１０Ｃは差動排気領域を構成する第１、第２、第３
の真空連結室、ＩＩＡ ， ＩＩＢ ， ＩＩＣは差動
徘気装置、１２はシンクロトロン放射（ＳＯＲ） 光、
１３は反応ガス分子の流れを示す。
理装置を模式的に示す側断面図で、図中、１はシンクロ
トロンを構成する蓄積リングから導出されたビームライ
ンダクトよりなる高真空ビーム源室、２は薄膜成長処理
が行われる処理室、３は反応ガス導入口、４は処理室内
を所定の圧力に維持するための真空排気口、５基板ホル
ダ、６は被処理基板、７は差動排気領域を画定する真空
ダクト、８Ａ， ８Ｂ、８Ｃ， ８Ｄはエネルギービー
ムの通路にあってこれを通し且つ隣室と所定の圧力差を
保つことが可能な大きさの開孔を有する第１、第２、第
３、第４のスリット、９は差動排気領域、ＩＯＡ、ｌＯ
Ｂ、１０Ｃは差動排気領域を構成する第１、第２、第３
の真空連結室、ＩＩＡ ， ＩＩＢ ， ＩＩＣは差動
徘気装置、１２はシンクロトロン放射（ＳＯＲ） 光、
１３は反応ガス分子の流れを示す。
なお、高真空ビーム源室ｌ内の圧力は１０−９Ｔｏｒｒ
程度で、１台の差動排気装置で得られる圧力差は１０−
２倍程度である。従って、第３の真空連結室１０Ｃ内の
圧力は１０−’Ｔｏｒｒ，第２の真空連結室１０Ｂ内の
圧力は１０−’Ｔｏｒｒ、第１の真空連結室１０＾内の
圧力は１０− ’Ｔｏｒｒ，処理室２内の圧力は１０−
１即ち０．１Ｔｏｒｒ程度である。
程度で、１台の差動排気装置で得られる圧力差は１０−
２倍程度である。従って、第３の真空連結室１０Ｃ内の
圧力は１０−’Ｔｏｒｒ，第２の真空連結室１０Ｂ内の
圧力は１０−’Ｔｏｒｒ、第１の真空連結室１０＾内の
圧力は１０− ’Ｔｏｒｒ，処理室２内の圧力は１０−
１即ち０．１Ｔｏｒｒ程度である。
この図に示されるように従来のエネルギービーム処理装
置においては、プラズマ処理等におけると同様に新鮮な
反応ガスを被処理基板６上に供給するという観念に基づ
いて、反応ガス導入口３を処理室２に設け、これを介し
て処理室２内へ直に反応ガスが供給されており、従って
処理室２内の圧力が最も高くなって隣接する差動排気領
域９の第１の真空連結室１０Ａに対し１０２倍程度の高
圧力を有するようになる。そのために、処理室２内へ供
給された反応ガス分子の流れ１３は矢視のように処理室
２から第１のスリット８八を介して第１の真空連結室１
〇八に向かう流れとなる。
置においては、プラズマ処理等におけると同様に新鮮な
反応ガスを被処理基板６上に供給するという観念に基づ
いて、反応ガス導入口３を処理室２に設け、これを介し
て処理室２内へ直に反応ガスが供給されており、従って
処理室２内の圧力が最も高くなって隣接する差動排気領
域９の第１の真空連結室１０Ａに対し１０２倍程度の高
圧力を有するようになる。そのために、処理室２内へ供
給された反応ガス分子の流れ１３は矢視のように処理室
２から第１のスリット８八を介して第１の真空連結室１
〇八に向かう流れとなる。
そのため、ビーム源室１から差動排気領域９を経て処理
室２内に到達したＳＯＲ光に触れて励起された反応ガス
分子の大部分は、処理室２と差動排気領域９の第１の真
空連結室１〇八との差圧によって第１の真空連結室１０
Ａの方へ流れ込み、被処理基板６面への薄膜の成長には
寄与しなくなる。そして薄膜の成長に寄与するのは被処
理基板６近傍で励起された反応ガス分子のみとなるので
、薄膜の成長速度が非常に遅くなるという問題がある。
室２内に到達したＳＯＲ光に触れて励起された反応ガス
分子の大部分は、処理室２と差動排気領域９の第１の真
空連結室１〇八との差圧によって第１の真空連結室１０
Ａの方へ流れ込み、被処理基板６面への薄膜の成長には
寄与しなくなる。そして薄膜の成長に寄与するのは被処
理基板６近傍で励起された反応ガス分子のみとなるので
、薄膜の成長速度が非常に遅くなるという問題がある。
この問題は上記Ｃｖロ処理に限らず、エッチング処理に
おいても同様である。
おいても同様である。
そこで本発明は、高真空エネルギー源と処理室が差動排
気領域を介して接続されるエネルギービーム処Ｅｌ装ｉ
１ｆにおいて、エネルギービームにより励起された反応
ガス分子の多くを気相成長或いはエッチング反応に寄与
せしめ、成長或いはエッチング等の処理速度を向上せし
めることを目的とする。
気領域を介して接続されるエネルギービーム処Ｅｌ装ｉ
１ｆにおいて、エネルギービームにより励起された反応
ガス分子の多くを気相成長或いはエッチング反応に寄与
せしめ、成長或いはエッチング等の処理速度を向上せし
めることを目的とする。
上記課題は、高真空のエネルギービーム源と、真空排気
手段を具備した処理室と、該エネルギービーム源と処理
室との間を気密に接続し、且つ処理室に向かうエネルギ
ービームの通過が可能な複数段の差動排気部よりなる差
動排気領域とを備え、該処理室内に供給される反応ガス
の導入が該差動排気領域の途中部分からなされる本発明
によるエネルギービーム処理装置によって解決される。
手段を具備した処理室と、該エネルギービーム源と処理
室との間を気密に接続し、且つ処理室に向かうエネルギ
ービームの通過が可能な複数段の差動排気部よりなる差
動排気領域とを備え、該処理室内に供給される反応ガス
の導入が該差動排気領域の途中部分からなされる本発明
によるエネルギービーム処理装置によって解決される。
即ち本発明の構成を有するエネルギービーム処理装置に
おいては、処理室内よりも反応ガスが導入される差動徘
気領域の処理室に隣接する差動徘気部の方が圧力が高い
ので、処理室内でエネルギービームに触れて励起した反
応ガス分子が処理室から差動排気領域に向かって逃げる
ことがなく、成長に寄与する励起された反応ガス分子の
量は大幅に増大する。
おいては、処理室内よりも反応ガスが導入される差動徘
気領域の処理室に隣接する差動徘気部の方が圧力が高い
ので、処理室内でエネルギービームに触れて励起した反
応ガス分子が処理室から差動排気領域に向かって逃げる
ことがなく、成長に寄与する励起された反応ガス分子の
量は大幅に増大する。
また差動排気領域に導入され、処理室に向かう流入量の
ほぼ１／２の反応ガスは、差動排気領域内でエネルギー
ビームに触れて励起された状態で、差動徘気領域の反応
ガス導入部と処理室との圧力差によって被処理基板面に
吹きつけられるので、被処理基板面に供給される励起し
た反応ガス分子の量は一層増加する。
ほぼ１／２の反応ガスは、差動排気領域内でエネルギー
ビームに触れて励起された状態で、差動徘気領域の反応
ガス導入部と処理室との圧力差によって被処理基板面に
吹きつけられるので、被処理基板面に供給される励起し
た反応ガス分子の量は一層増加する。
以上により、本発明に係る装置においては、従来に比べ
化学気相成長及びエッチング等の処理速度の増大が図れ
る。
化学気相成長及びエッチング等の処理速度の増大が図れ
る。
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第１図は本発明に係るエネルギービーム処理装置の一実
施例の構成を模式的に示す側断面図である。
施例の構成を模式的に示す側断面図である。
図において、１はシンクロトロンを構成する蓄積リング
から導出されたビームラインダクトよりなりＳＯＲ光が
入射する高真空エネルギービーム源室、２は薄膜の化学
気相成長が行われる処理室、４は処理室内を反応に適し
た所定の圧力に減圧する真空排気口、５は被処理基板を
固持する基板ホルダ（ヒータ内１ｉｉ！）、６は被処理
半導体基板、７は差動排気領域を画定する真空ダクト、
８Ａ、８Ｂ、８Ｃ， ８Ｄ， ８Ｅはエネルギービーム
即ちＳＯＲ光の通路にあってこれを通し且つ隣室と所定
の圧力差を保つことが可能な大きさの開孔匈を有する第
１、第２、第３、第４、第５のスリット、９は差動排気
領域、ＩＯＡ 、１０Ｂ ， ＩＯＣ 、ＩＯＣは差動
排気領域を構成する第１、第２、第３、第４の真空連結
室、１１Ａ 、ＩＩＢ 、ＩＩＣ ， １１０はターボ
分子ポンプ等により構成される差動排気装置、１２はシ
ンクロトロン放射（ＳＯＲ）光、１３ａ 、１３ｂは反
応ガス分子の流れ、３３は反応ガス導入口を示す。
から導出されたビームラインダクトよりなりＳＯＲ光が
入射する高真空エネルギービーム源室、２は薄膜の化学
気相成長が行われる処理室、４は処理室内を反応に適し
た所定の圧力に減圧する真空排気口、５は被処理基板を
固持する基板ホルダ（ヒータ内１ｉｉ！）、６は被処理
半導体基板、７は差動排気領域を画定する真空ダクト、
８Ａ、８Ｂ、８Ｃ， ８Ｄ， ８Ｅはエネルギービーム
即ちＳＯＲ光の通路にあってこれを通し且つ隣室と所定
の圧力差を保つことが可能な大きさの開孔匈を有する第
１、第２、第３、第４、第５のスリット、９は差動排気
領域、ＩＯＡ 、１０Ｂ ， ＩＯＣ 、ＩＯＣは差動
排気領域を構成する第１、第２、第３、第４の真空連結
室、１１Ａ 、ＩＩＢ 、ＩＩＣ ， １１０はターボ
分子ポンプ等により構成される差動排気装置、１２はシ
ンクロトロン放射（ＳＯＲ）光、１３ａ 、１３ｂは反
応ガス分子の流れ、３３は反応ガス導入口を示す。
この図に示されるように本発明に係るエネルギービーム
処理装置においては、高真空エネルギー源室１と処理室
２とを接続する差動徘気領域９の途中例えば第１の真空
連結室１〇八に反応ガス導入口３３を設け、そこから反
応ガスを導入することが特徴である。
処理装置においては、高真空エネルギー源室１と処理室
２とを接続する差動徘気領域９の途中例えば第１の真空
連結室１〇八に反応ガス導入口３３を設け、そこから反
応ガスを導入することが特徴である。
本発明に係るエネルギービーム処理装置は例えば上記第
１図に示すような装置構成を有しており、この装置を用
いて例えば被処理半導体基板６上に非品質シリコン層の
化学気相成長を行う際には、反応ガス導入口３３から第
１の真空連結室１０Ａ内に所定流量で例えば５％程度の
モノシラン（Ｓ ｉ Ｉ＋ ４ ）を含んだヘリウム（
Ｈｅ）ガスを成長ガスとして導入し、差動排気装置１１
Ａで所要の排気を行ってこの第１の真空連結室１０Ａ内
の圧力を反応圧力より１桁程度高いＩ Ｔｏｒｒ程度に
維持する。また処理室内は真空排気口４からの排気によ
って反応に適した０．１Ｔｏｒｒ程度に維持される。ま
たエネルギービーム源室１は１０−８Ｔｏｒｒ程度に維
持されるので、このエネルギービーム源室ｌと前記第１
の真空連結室１〇八とを接続する真空連結室１０Ｄ、１
０Ｃ、１０Ｂはそれぞれの差動排気装置１１０ ， ｔ
ｉｃ ， ＩＩＢによって排気されて、１０−６Ｔｏｒ
ｒ、１０−’Ｔｏｒｒ， １０−”Ｔｏｒｒ程度にそれ
ぞれ維持される。
１図に示すような装置構成を有しており、この装置を用
いて例えば被処理半導体基板６上に非品質シリコン層の
化学気相成長を行う際には、反応ガス導入口３３から第
１の真空連結室１０Ａ内に所定流量で例えば５％程度の
モノシラン（Ｓ ｉ Ｉ＋ ４ ）を含んだヘリウム（
Ｈｅ）ガスを成長ガスとして導入し、差動排気装置１１
Ａで所要の排気を行ってこの第１の真空連結室１０Ａ内
の圧力を反応圧力より１桁程度高いＩ Ｔｏｒｒ程度に
維持する。また処理室内は真空排気口４からの排気によ
って反応に適した０．１Ｔｏｒｒ程度に維持される。ま
たエネルギービーム源室１は１０−８Ｔｏｒｒ程度に維
持されるので、このエネルギービーム源室ｌと前記第１
の真空連結室１〇八とを接続する真空連結室１０Ｄ、１
０Ｃ、１０Ｂはそれぞれの差動排気装置１１０ ， ｔ
ｉｃ ， ＩＩＢによって排気されて、１０−６Ｔｏｒ
ｒ、１０−’Ｔｏｒｒ， １０−”Ｔｏｒｒ程度にそれ
ぞれ維持される。
そして基板ホルダ５上に固持され、例えば５００゜Ｃ程
度に加熱された被処理半導体基板６面にＳＯＲ光を照射
し、処理室２内の反応ガスを励起して基板６上に非品質
シリコン層を成長させる。
度に加熱された被処理半導体基板６面にＳＯＲ光を照射
し、処理室２内の反応ガスを励起して基板６上に非品質
シリコン層を成長させる。
この際、本発明に係る構成を有する上記実施例のエネル
ギービーム処理装置においては、処理室２内よりも反応
ガスが導入される差動排気領域の第１の真空連結室１０
Ａ内の方が圧力が高いので、処理室２内でＳＯＲ光に触
れて励起した反応ガス分子が処理室２から差動排気領域
９に向かって逃げることがなく、成長に寄与する励起さ
れた反応ガス分子の量は大幅に増大する。
ギービーム処理装置においては、処理室２内よりも反応
ガスが導入される差動排気領域の第１の真空連結室１０
Ａ内の方が圧力が高いので、処理室２内でＳＯＲ光に触
れて励起した反応ガス分子が処理室２から差動排気領域
９に向かって逃げることがなく、成長に寄与する励起さ
れた反応ガス分子の量は大幅に増大する。
また差勤排気領域９即ち第１の真空連結室１０＾に導入
され、処理室２に向かう流入量のほぼ１／２の反応ガス
分子１３ｂは、差動徘気領域９即ち第１の真空連結室１
０Ａ内でＳＯＲ光に触れて励起された状態で、第１の真
空連結室１０Ａと処理室２との圧力差によって被処理半
導体基板６面に吹きつけられるので、被処理半導体基板
６面に供給される励起した反応ガス分子の量は一層増加
する。
され、処理室２に向かう流入量のほぼ１／２の反応ガス
分子１３ｂは、差動徘気領域９即ち第１の真空連結室１
０Ａ内でＳＯＲ光に触れて励起された状態で、第１の真
空連結室１０Ａと処理室２との圧力差によって被処理半
導体基板６面に吹きつけられるので、被処理半導体基板
６面に供給される励起した反応ガス分子の量は一層増加
する。
これらによって、上記実施例の装置においては従来に比
べて１桁程度大きい数１０００人／ｈｒ程度の非品質シ
リコン層の成長速度が得られている。そして本発明の装
置においては、プラズマの発生を伴わないので被処理基
板面に及ぼされるダメージは殆ど皆無に等しくなる。
べて１桁程度大きい数１０００人／ｈｒ程度の非品質シ
リコン層の成長速度が得られている。そして本発明の装
置においては、プラズマの発生を伴わないので被処理基
板面に及ぼされるダメージは殆ど皆無に等しくなる。
なお、上記実施例においては、反応ガスの導入を処理室
に隣接する差動排気部即ち真空連結室１０Ａで行ったが
、この反応ガスの導入は処理室に隣接する部分に限られ
るものではない。また差動排気頷域９を構成する差動排
気部即ち真空連結室の数も、上記実施例に示される４段
に限られるものではない。
に隣接する差動排気部即ち真空連結室１０Ａで行ったが
、この反応ガスの導入は処理室に隣接する部分に限られ
るものではない。また差動排気頷域９を構成する差動排
気部即ち真空連結室の数も、上記実施例に示される４段
に限られるものではない。
またエネルギービームには、上記ＳＯＲ光以外に電子ビ
ーム、イオンビーム等も適用される。
ーム、イオンビーム等も適用される。
また本発明に係るエネルギービーム処理装置は、エンチ
ング処理に際しても、同様の効果を生ずることは勿論で
ある。
ング処理に際しても、同様の効果を生ずることは勿論で
ある。
以上説明のように、本発明によれば高真空エネルギー源
と処理室が差動排気領域を介して接続されるエネルギー
ビーム処理装置の処理速度を大幅に向上できるので、被
処理基板にダメージを及ぼさないで異方性を有し、実用
可能な処理速度を有する化学気相成長、エッチング処理
が可能になり、半導体装置の製造に大きな効果をもたら
す。
と処理室が差動排気領域を介して接続されるエネルギー
ビーム処理装置の処理速度を大幅に向上できるので、被
処理基板にダメージを及ぼさないで異方性を有し、実用
可能な処理速度を有する化学気相成長、エッチング処理
が可能になり、半導体装置の製造に大きな効果をもたら
す。
第１図は本発明の一実施例の模式側断面図、第２図は従
来構造の模式側断面図 である。 ３は従来の反応ガス導入口、 ４は真空排気口、 ５は基板ホルダ、 ６は被処理半導体基板、 ７は真空ダクト、 ８Ａ， ８Ｂ， ８Ｃ， ８Ｄ， ＢＢはスリット、９
は差動徘気領域、 １０Ａ 、ＩＯＢ 、ＩＯＣ ， １００は真空連結室
、１１Ａ 、ＩＩＢ 、ＩＩＣ ， １１Ｂは差動排気
装置、ｌ２はシンクロトロン放射（ＳＯＲ）光、１３ａ
， １３ｂは反応ガス分子の流れ、３３は本発明に係
る反応ガス導入ロ ーは開孔 図において、 １は高真空エネルギービーム源室、 ２は処理室、
来構造の模式側断面図 である。 ３は従来の反応ガス導入口、 ４は真空排気口、 ５は基板ホルダ、 ６は被処理半導体基板、 ７は真空ダクト、 ８Ａ， ８Ｂ， ８Ｃ， ８Ｄ， ＢＢはスリット、９
は差動徘気領域、 １０Ａ 、ＩＯＢ 、ＩＯＣ ， １００は真空連結室
、１１Ａ 、ＩＩＢ 、ＩＩＣ ， １１Ｂは差動排気
装置、ｌ２はシンクロトロン放射（ＳＯＲ）光、１３ａ
， １３ｂは反応ガス分子の流れ、３３は本発明に係
る反応ガス導入ロ ーは開孔 図において、 １は高真空エネルギービーム源室、 ２は処理室、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高真空のエネルギービーム源と、 真空排気手段を具備した処理室と、 該エネルギービーム源と処理室との間を気密に接続し、
且つ処理室に向かうエネルギービームの通過が可能な複
数段の差動排気部よりなる差動排気領域とを備え、 該処理室内に供給される反応ガスの導入が該差動排気領
域の途中部分からなされることを特徴とするエネルギー
ビーム処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5451589A JP2785303B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | エネルギービーム処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5451589A JP2785303B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | エネルギービーム処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02234428A true JPH02234428A (ja) | 1990-09-17 |
| JP2785303B2 JP2785303B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=12972786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5451589A Expired - Lifetime JP2785303B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | エネルギービーム処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2785303B2 (ja) |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP5451589A patent/JP2785303B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2785303B2 (ja) | 1998-08-13 |
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