JPH02231587A - 基準電圧発生装置 - Google Patents

基準電圧発生装置

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JPH02231587A
JPH02231587A JP1052543A JP5254389A JPH02231587A JP H02231587 A JPH02231587 A JP H02231587A JP 1052543 A JP1052543 A JP 1052543A JP 5254389 A JP5254389 A JP 5254389A JP H02231587 A JPH02231587 A JP H02231587A
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Japan
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resistance
reference voltage
magnetic field
parts
resistor
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JP1052543A
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Hisahiro Ando
安藤 久弘
Tamotsu Horiba
堀場 保
Hitoshi Iwata
仁 岩田
Katsuhiro Minami
南 勝広
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Tokai Rika Co Ltd
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Tokai Rika Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、磁気抵抗素子からのt’lFJ定電圧と比較
される基僧電圧を発生するための基準電圧発生装置に関
する。
(従来の技術) 第10図に差動検出形の磁気抵抗素子の一例を示す。即
ち、チップ1上には強磁性体から成る同一形状の蛇行状
索子2,3(感磁而)が互いに直交形態で薄膜形成され
ている。また、各蛇行状素子2,3は直列接続されてお
り、その共通接続点に出力端子4が形成されていると共
に、各蛇行状素子2.3の両端に人力端子5.6が形成
されており、入力端子5,6間に所定の電圧V。を印加
すると、出力端子4からは印加電圧V。の1/2の大き
さの電圧1 /2 voが出力される。そして、蛇行状
素子2.3の面方向に鎖交する磁界の方向が変化すると
、出力端子4からはV。/2を中心とした正弦波状の一
III定電圧V aが出力される。従って、第11図に
示すように波形整形用の比較回路7の反転入力端子(=
)に上記磁気抵抗素子からのAPI定電圧Vaを与える
と共に、非反転入力端子(+)に基準電圧としてV。/
2を与えるように構成すると、磁界の方向に応じて比較
回路7から鎖交磁界の方向に応じたパルス信号Paが出
力されるから、そのパルス信号Paに基づいて磁界の接
近状態を検知することができる。
さて、上記基準電圧V。/2を発生するための基準電圧
発生装置としては、第11図に示すように電源電圧V。
及びOvライン間に抵抗値が等しい抵抗8,9を直列接
続すると共に、その抵抗8.9の共通接続点から得られ
る基準電圧V。/2を比較器7に与えるようにしている
。ここで、蛇行状素子2,3をチップ1上に形成するた
めのスパッタ装置を用いて各抵抗8.9をチップ1上に
薄膜形成した場合、抵抗の材質が蛇行状素子2.3と同
一材料のときは勿論のこと、異質材料であっても製造行
程の簡単化並びに全体形状の小形化を因ることができる
。しかしながら、抵抗8.9を蛇行状素子2,3と同一
材料で形成した場合は、各抵抗8.9の抵抗値が磁気抵
抗効果によって鎖交磁界の方向に応じて食化し、これに
伴って、各抵抗8.9の抵抗値が灸化して基準電圧がV
。/2から変動してしまう虞を生じる。このため、大き
な磁界が抵抗8.9に印加しないようにこれらを肢M?
I定川の磁石から十分に離すか、或は磁界が抵抗8,9
に印加しないようにこれらを磁気シールドで遮蔽しなけ
ればならず、設計の自山度が極めて低いばかりでなく、
コスト高を招来するという問題がある。
以上の理由から、従来より、混成集積構造を採用してい
る。つまり、第12図に示すように混成集積回路基板1
0上に磁気抵抗効果の影響が比較的小さい酸化ルテニウ
ム等から成る厚膜焼成抵抗体を印刷することにより基準
電圧発生用抵抗8.9を形成した後、基板10上の所定
位置に比較器7及び上記構成のチップ1を実装して構成
されている。
(発明が解決しようとする課題) ところが、上述の従来構成のものの場合、基板10上に
印刷された厚膜焼成抵抗体の抵抗誤差は比較的大きいか
ら、抵抗8.9を基板10上に形成しただけでは基準電
圧v0/2を得ることはできない。そこで、基準電圧が
V。/2となるように、一方の抵抗9の抵抗値をトリミ
ング(その部位を第12図に98で示す)する必要から
、製造行程が複雑{LLでしまうという欠点がある。ま
た、抵抗の材質が磁気抵抗素子と異なる材質の,場合は
、その比抵抗が酸化ルテニウム系厚膜抵抗体に比べ著し
く低いので、抵抗8.9の抵抗値を磁気抵抗素子と同等
以上に設定しようとすると、その形状を蛇行状にして全
長を長くしなければならず、結局、磁気抵抗効果の影響
を受けてその抵抗値が食化してしまう欠点がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は
、たとえ鎖交磁界に伴ってその抵抗値が嚢化してしまう
性質を有した抵抗を利用して基準電圧をiりるものであ
っても、磁界が鎖交した場合でもその基準電圧が変動す
ることを効果的に防止することができる基帛電圧発生装
置を提倶するにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、各辺が同長でRつ同断面漬の直角L字形状の
抵抗体を基板上に配設して抵抗単位を形成すると共に、
その抵抗単位を複数連結して第1の抵抗部及び第2の抵
抗部を形成し、さらに、それら第1及び第2の抵抗部を
直列接続した状態で電流を流すことにより前記各抵抗部
の共通接続点から前記基準電圧を得るようにしたもので
ある。
また、第1の抵抗部及び第2の抵抗部を、夫々複数個の
抵抗単位を直線状に配列して成る同長の第1の抵抗要素
辺及び第2の抵抗要素辺をさらに互いに直角L字形状に
配列して成る抵抗要素を複数有すると共に、これら各抵
抗要素を互いに直列接続することにより構成するように
してもよい。
(作用) 抵抗l1%位は各辺が同長で且つ同断面積の直角L字形
状の抵抗体から形成されており、斯様な抵抗単位におい
ては、これの面方向に沿って鎖交する磁界の方向が変化
した場合であっても、抵抗単位全体の抵抗値は一定で変
化することはない。従って、抵抗単位を組合わせて形成
された第1及び第2の抵抗部の抵抗値も磁界の影響を受
け.ることなく一定である。この結果、鎖交磁界の方向
が食化した場合であっても、各抵抗部の共通接続点から
出力される括阜電圧が変動することはない。
ところで、上記各抵抗単位の各辺の幅寸法が大きくなる
と、鎖交磁界の方向変化に伴って各抵抗fl位の抵抗値
が変化してしまうことがある。しかしながら、第1及び
第2の抵抗部を、同長で互いに直交する第1及び第2の
抵抗要素辺から成る抵抗要素から形成した場合、それら
各抵抗要素毎では鎖交磁界の方向変化の影響を受けなく
なる。従って、複数の抵抗要素から形成された第1及び
第2の抵抗部の抵抗値が鎖交磁界の方向変化に伴って変
化してしまうことが防止される。
(実施例) 以下、本発明の第1実施例を第1図乃至第6図を参照し
て説明する。
第1図において、11は話板たるチップ12上に形成さ
れた磁気抵抗素子である。この磁気抵抗索子11は、強
磁性体を図示しないスバッタ装置を用いてチップ12上
に蛇行状にl+.1j膜成形して成るもの一乙その成膜
により互いに直交し、しがち同一抵抗値の感磁而13,
14が形成されている。
そして、各感磁而13.14は直列接続されており、そ
の共通接続点に出カ端子15が形成されていると共に、
各端部に人カ端子16.17が形成されている。
さて、感磁面13,14が形成されたチップ12上には
基準電圧発生装置18が形成されている。
即ち、19,:2Qはチヅブ12上に形成された第1,
第2の抵抗部で、これらは感磁面13,14と同一材料
をスパッタ装置を用いてチップ12上に薄膜成形して成
る。この場合、第1,第2の抵抗部19,201.t、
第2図1.:A,B,C若しくはC,D,Eで示す範囲
の直角L字形状の薄膜パターン21を複数連結すると共
に、しがちその連結した全体形状が蛇行形状となるよう
に措成されており、この場合、各抵抗部19,.20の
抵抗値を一致させている。そして、各抵抗部19.20
は直列接続されており、その共通接続点に出カ端子22
が形成されていると共に、各端部は磁気抵抗索子11の
出力端子16.17に接続されている。
この場合、直角L字形状の薄膜パターン21が抵抗単位
に相当する。さらに、上記構成の磁気抵抗素子11及び
基Q電圧発生装置18が形成されたチップ12は、混成
集積回路基板23上の所定位置に夫々IltjBされて
いる。そして、チップ12上の各出力端子16.17は
混成集積回路基板23上に形成された電源端子24.2
5とボンディングワイヤを介して接続されていると共に
、出方端子15.22は混成集積回路基板23上に形成
された信号端子26.27とボンディングワイヤを介し
て接続されている。また、混成集積回路基板23上の所
定位置には比較器28が配置されている。
電気的構成を示す第3図において、第1,第2の感磁而
13.14の両端間には電源電圧voが印加されており
、出カ端子15がら測定電圧Vaが出力されている。こ
こで、各感磁面13,14に磁界が鎖交していないとき
は、Δ−1定電圧Vaの大きさは電源電圧voの1/2
の大きさであるVo/2となっている。また、基準電圧
発生装置18の両端間にも電源電圧V。が印加されてお
り、これにより出カ端子22がら基■電圧V。/2が出
力されている。そして、比較器28の反転入カ端子(一
)には磁気抵抗素子11の出カ端子15から信号電圧v
 aが与えられ、非反転入カ端子(十)には基準電圧3
生装置18の出カ端子22から基準電圧V。が与えられ
ている。この比較器28は、非反転入カ端子(+)に与
えられている測定電圧v aが反転入カ端子(−)に与
えられているUぺへ電圧■。/2を下回っているときは
出カ端子の信号レベルをロウレベルとし、上回っている
ときはハイレベルに変化せさる。
次に上記ナ.1!成の磁気抵抗索子11を用いて円筒磁
石29からの磁界をdl定するときの作用を第4図乃至
第6図を参照して説明する。尚、この円筒磁石29の外
周面にはN極29a及びS極29bが交互に着磁されて
おり、N極29aからの磁界は隣接するS極29bに放
射されている。さて、第4図に示すように磁気抵抗素子
11の感磁面13,14の面方向が円筒磁石29の外周
面に垂直方向となるように配置すると、円筒磁石29の
N極29aからS極29bに至る磁界が磁気抵抗素子1
1の各感磁而13.14の面方向に沿って鎖交する。そ
して、円筒磁石29を回転すると、その回転に伴って磁
気抵抗素子11に印加されている磁界の方向が変化し、
これに応じて、磁気抵抗素子11の出力端子15からV
。/2を中心とした正弦波状の測定電圧Vaが出力され
る。つまり、チップ12上に成膜された強磁性体は、こ
れに鎖交する磁界方向及びこれに流れる電流方向の相互
関係に応じてその抵抗値を変化する磁気抵抗効果を強く
生じる性質を有しているから、上述のように構成された
第16第2の感磁面13,14にあっては、磁界方向に
応じて各感磁面13,14の一方の抵抗値が増大すると
きは他方の抵抗値が減少する差動検出特性を示すのであ
る。さて、磁気抵抗素子11から信号電圧Vaが出力さ
れると、比較器28において、その信号電圧Vfiと基
準電圧発生装@18からの基準電圧V。/2とが比較さ
れ、その大小関係に基づいて比較器28から磁界の方向
に応じたパルス信号paが出力される。
従.って、パルス信号Paに基づいてN極29a及びS
極29bの接近状態ひいては円筒磁石29の回転状態を
検出することができる。
しかして、円筒磁石29の回転に伴ってチップ12上の
磁気抵抗素子11に磁界が鎖交すると同時に、そのチッ
プ12上に設けられている基準電圧発生装置18にも磁
界が鎖交する。このため、磁界方向に応じて磁気抵抗素
子11と同一材料から成る各抵抗部19.20にも磁気
抵抗効果が生じてその抵抗値が炎化し、それに伴って出
力端子22からの基準電圧がv0/2から麦動してしま
う虜があるが、次の理由によりその嚢動は効果的に抑制
される。つまり、第6図に示すように強磁性体から成る
直角L字形状の薄膜パターン30において、その各辺3
0a,30bが同長で且つ同断面積とした場合、各辺3
0a,30bの抵抗値ρa.ρbは等しい。そして、薄
膜パターン30に電流を流した状態で各辺30a.30
bに磁界が鎖交すると、磁気抵抗効果によって各辺30
a,30bに流れる電流方向とこれらに鎖交した磁界方
向とに応じてその抵抗値が変化する。ここで、第6図に
示すように薄膜パターン30に矢印Fで示す磁界が鎖交
した場合の抵抗値炭化を考える。
この場合、薄膜パターン30の一辺30aと磁界Fとの
鎖交角度がθ、磁界の方向に応じて食化する各辺の抵抗
値をρa(#).  ρb(#)とすると、Voigt
−Thosson式から、 ρ,(θ) =pV  sln’θ+ρp  cos2
θ・・・・・・ (1) pb  (θ) ”l)V  eOs2θ+pp  s
in”θρV;磁場方向と垂直方向での比抵抗 ρp;磁場方向と平行方向での比抵抗 で示される。
従って、抵抗単位全体の抵抗ρは、 ρ一ρa (θ)+ρb (θ) 一ρv(sin2θ+eOs”θ》 +ρp(sin’θ+eOs 2θ) 一ρν+ρp (一定) となり、結局、薄膜パターン30全体の抵抗値は鎖交す
る磁界の方向にかかわらず一定であることが分かる。従
って、上述の薄膜パターン30と同一構成である薄膜パ
ターン21が組合わされて成る第1.第2の抵抗部19
.20にあっては、これに鎖交する磁界の方向にかかわ
らずその全体の抵抗値が衾化することはなく、以て出力
端子22からの基準電圧はVo/2から麦動してしまう
ことが防止される。
さて、上記第1.第2の抵抗部19.20を形成してい
る薄膜パターン21は、実際には第7図に示すように所
定の幅寸法を有するものであるから、薄膜パターン21
に流れる電流はそのパターンの中心(同図に破線で示す
)に沿って流れるのではなく、矢印Gで示すように蛇行
状に流れる。
このため、一つの抵抗111位21 (A,B,Cで示
す範囲)に着目したとき、それの電流通路におけるX輔
方向成分とY軸方向成分との通路長が異なり、これに1
tっで各抵抗部19.20全体の抵抗値が変動して試準
電圧がV。/2から変動してしまうことが考えられる。
その対策として、薄膜パターン21の線幅を極度に狭く
するか、或は抵抗単位21においてY軸方向の辺長をX
軸方向の辺長に比べて長くすることが考えられるが、前
者は微細加工精度の制約があり、後者はその最適長さ比
(Y方向長さ/X方向長さ)を求めることが難しいため
、斯様な対策は現実的に困難であるから、各抵抗部31
.32を本発明の第2実施例を示す第8図のような形状
に形成する。つまり、直角L字形状の薄膜パターン33
(抵抗単位)を複数直線状に連結して抵抗要素辺34a
,34bを形成すると共に、それら各抵抗要素辺34a
,34bを互いに直交させて直角L字形状の抵抗要素3
4を形成した上で、それらの抵抗要素34を直列接続し
て構成されている。しかして、直角L字形状の抵抗要素
34にあっては、その一片34aに流れる電流通路が蛇
行状であることによりそれらの電流通路のX軸方向成分
長がY軸方向成分長よりも長くなったとしても、それに
応じてその辺34aと直交しているもう一片34bでは
これに蛇行状に流れる電流通路の全体のY軸方向成分長
がX軸方向成分長よりも抵抗要素辺34aにて電流通路
のX軸方向成分長がY軸成分長よりも長くなったと同じ
だけ長くなる。この結果、一つの抵抗要素34において
は、これに流れる電流通路のX軸方向成分長とY軸方向
成分長とが等し《なるから、磁界の鎖交に伴う磁気抵抗
効果の影響を無効化することができ、以て抵抗要素34
から構成されている抵抗部31.32全体においても磁
界の影背を抑制することができる。この場合、さらに、
各抵抗部31.32に同一強度の磁界を与えるのが基準
電圧の変動防止に寄与することから、例えば円筒磁石2
9の回転を検出する場合は、第9図に示すように各抵抗
部31.32の抵抗要素34の角部が円筒磁石29の中
心方向を指向するように形成することが何効である。ま
た、各抵抗部31.32を、その形成間隔が円筒磁石2
9外周面のN極2Qa,S極29bの着磁ピッチと対応
するように形成し、各抵抗部31.32における各抵抗
要素辺34a,34bに同一方向磁界が印加されるよう
にすることも有効である。
尚、上記実施例では、磁気抵抗索子11が形成されたチ
ップ12の同一面上に第1.第2の抵抗部19.20を
形成したが、これに代えて、各抵抗部19.20をチッ
プ12とは別のチップ上に形成するようしてもよい。ま
た、上記実施例では感磁而と基■電圧発生装置とが同一
材料の例を示したが、基亭電圧発生装置は感磁而と異種
材料でも良い。この場合、基準電圧発生装置の材料の磁
気抵抗効果は感度面と同材質に比べ小さいか若しくは略
零となる。
また、上記実施例では、感磁面及び基窄電圧発生装置を
共にスパッタ装置を用いて成膜したが、これに代えて、
真空蒸着或はCVD (化学的気相蒸着法)等の公知の
薄膜形成技術を選択してもよい。さらに、上記実施例で
は、強磁性体からなる感磁而がIn−Sb合金に代表さ
れる半導体形磁気抵抗素子を用い、磁界の強度変化を出
力として取出す場合でも、本基■電圧発生装置は有効で
ある。加えて、上記実施例では、基準電圧発生装置.或
は感磁面の双方若しくは少なくとも一方を有するチップ
12及び混成集桔回路基板23をボンディングワイヤを
介して接続したが、これに代えて、例えば第1図に示す
比較器28の如くチップ12を樹脂成形後、混成集積回
路基板23にはんだ付実装してもよい。
[発明の効果] 以上の記述から明らかなように、請求項1の基準電圧発
生装置によれば、各辺が同長で且つ同断面積の直角L字
形状の抵抗体を基板上に配設して抵抗単位を形成すると
共に、その抵抗単位を複数連結して第1の抵抗部及び第
2の抵抗部を形成し、さらに、それら第1及び第2の抵
抗部を直列接続した状態で電流を流すことにより多抵抗
部の共通接続点から基僧電圧を得るように;シたので、
たとえ鎖交磁界に伴ってその抵抗値が変化してしまう抵
抗を利用して基弗電圧を得るものであっても、磁界が鎖
交した場合でも、その基準電圧が変動することを効果的
に防市することができるという優れた効果を奏する。
また、請求項2の基準電圧発生装置によれば、第1の抵
抗部及び第2の抵抗部を、夫々複数個の抵抗単位を直線
状に配列して成る同長の第1の抵抗要素辺及び第2の抵
抗要素辺をさらに互いに直角L字形状に配列して成る抵
抗要素を複数有すると共に、これら各抵抗要素を互いに
直列接続することにより構成したので、抵抗単位のパタ
ーン幅が狭いときに生じる不具合を効果的に防止するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第6図は本発明の第1実施例を示すもので、
第1図は使用状態で示す平面図、第2図は抵抗部の拡大
平面図、第3図は結線図、第4図は使用状態で示す斜視
図、第5図は信号波形図、第6図は抵抗単位の作用を説
明するための模式図である。また、第7図は抵抗単位の
使用上の作用である。さらに、9図は本発明の第2実施
例の変形例を使用状態で示す平面図である。そして、第
10図乃゛至第12図は従来例を示しており、第10図
は磁気抵抗素子の平面図、第11図は結線図、第12図
は使用状態で示す斜視図である。 図中、11磁気抵抗素子、12はチップ(基板)18は
基準電圧発生装置、19は第1の抵抗部、20は第2の
抵抗部、23は混成集積回路基板、28は比較器、29
は円筒磁石である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、磁気抵抗素子から出力される測定電圧と比較される
    基準電圧を発生するためのものであって、各辺が同長で
    且つ同断面積の直角L字形状の抵抗体を基板上に配設し
    て抵抗単位を形成すると共に、その抵抗単位を複数連結
    して第1の抵抗部及び第2の抵抗部を形成し、さらに、
    それら第1及び第2の抵抗部を直列接続した状態で電流
    を流すことにより前記各抵抗部の共通接続点から前記基
    準電圧を得ることを特徴とする基準電圧発生装置。 2、第1の抵抗部及び第2の抵抗部は、夫々複数個の抵
    抗単位を直線状に配列して成る同長の第1の抵抗要素辺
    及び第2の抵抗要素辺をさらに互いに直角L字形状に配
    列して成る抵抗要素を複数有し、これら各抵抗要素を互
    いに直列接続することにより構成されていることを特徴
    とする請求項1記載の基準電圧発生装置。
JP1052543A 1989-03-03 1989-03-03 基準電圧発生装置 Pending JPH02231587A (ja)

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