JPH0223112Y2 - - Google Patents

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JPH0223112Y2
JPH0223112Y2 JP8884383U JP8884383U JPH0223112Y2 JP H0223112 Y2 JPH0223112 Y2 JP H0223112Y2 JP 8884383 U JP8884383 U JP 8884383U JP 8884383 U JP8884383 U JP 8884383U JP H0223112 Y2 JPH0223112 Y2 JP H0223112Y2
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thyristor
coil
primary coil
transistor
turns
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、シリコン制御整流素子のスイツチン
グ回路に関するもので、シリコン制御整流素子の
ターン・オフ時における転流サージの発生を防止
することを目的としたものである。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a switching circuit for a silicon-controlled rectifier, and its purpose is to prevent the occurrence of commutation surge when the silicon-controlled rectifier is turned off.

従来のシリコン制御整流素子(以下、簡単のた
め単にサイリスタと記す)スイツチング回路は、
2個のサイリスタを並列接続し、この2個のサイ
リスタの間にコンデンサを挿入接続して構成され
ており、前記2個のサイリスタに、交互にゲート
信号を加え、一方のサイリスタのオフ動作を、他
方のサイリスタのオン動作によつて生じる転流サ
ージとコンデンサ充電の時定数とにより達成する
ものとなつている。
Conventional silicon-controlled rectifier (hereinafter simply referred to as thyristor for simplicity) switching circuits are
It consists of two thyristors connected in parallel and a capacitor inserted between the two thyristors, and a gate signal is applied alternately to the two thyristors to turn off one of the thyristors. This is achieved by the commutation surge generated by the on-operation of the other thyristor and the time constant of capacitor charging.

このように、従来のサイリスタのスイツチング
回路は、転流サージを利用するものであるので、
他方のサイリスタのオン時に大きな電流サージを
生じることになり、このためサイリスタのdi/dt
定格の点に関する設計に充分な注意を要すること
になる。
In this way, the conventional thyristor switching circuit utilizes commutation surge, so
A large current surge will occur when the other thyristor is turned on, and this will reduce the di/dt of the thyristor.
Sufficient care must be taken in design regarding ratings.

また、回路内に、負荷とコンデンサとによる時
定数を持つため、発振波形にシヤープさがなくな
つてしまう。
Furthermore, since the circuit has a time constant due to the load and the capacitor, the oscillation waveform lacks sharpness.

さらに、サイリスタのオフ動作時に大きな電気
エネルギーが損失されることになる。
Furthermore, a large amount of electrical energy will be lost during the off-operation of the thyristor.

またさらに、スイツチングの良否は、サイリス
タのオフ動作の良否によつて決まるが、このサイ
リスタのオフ動作の良否は、トランスを通しての
負荷とコンデンサとの時定数により決まるため、
設計が難しくなつている。
Furthermore, the quality of switching is determined by the quality of the thyristor's OFF operation, and the quality of the thyristor's OFF behavior is determined by the time constant of the load and capacitor through the transformer.
Design is becoming more difficult.

このように、従来のサイリスタのスイツチング
回路は、種々の不都合を持つているのであるが、
これらの不都合の基本的な原因は、従来のサイリ
スタのターン・オフが時定数を利用しての発振動
作を利用していることにある。
As described above, conventional thyristor switching circuits have various disadvantages.
The basic cause of these disadvantages is that the conventional thyristor turn-off utilizes an oscillation operation using a time constant.

本考案は、上記した従来例における欠点および
問題点を解消すべく考案されたもので、トランス
のバツクターンによる逆電圧と、トランジスタの
コレクタ・エミツタ間の電圧降下との関係を利用
して構成したものである。
The present invention was devised to eliminate the drawbacks and problems of the conventional example described above, and is constructed by utilizing the relationship between the reverse voltage due to the backturn of the transformer and the voltage drop between the collector and emitter of the transistor. It is.

以下、本考案の一実施例を図面に従つて説明す
る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

本考案は、2次コイル6に負荷7を接続したト
ランス3の1次コイルに接続されるサイリスタ1
のスイツチング回路に関するもので、トランス3
の1次コイルを巻数の大きい第1の1次コイル4
と巻数の少ない第2の1次コイルである3次コイ
ル5とを逆向きに直列接続して構成し、この3次
コイル5にサイリスタ1を直列に接続し、3次コ
イル5とサイリスタ1との直列回路と並列にトラ
ンジスタ2を接続した構成となつている。
In the present invention, a thyristor 1 is connected to a primary coil of a transformer 3 whose secondary coil 6 is connected to a load 7.
This is related to the switching circuit of transformer 3.
The primary coil 4 has a large number of turns.
and a tertiary coil 5, which is a second primary coil with a smaller number of turns, are connected in series in opposite directions, and a thyristor 1 is connected in series to this tertiary coil 5, and the tertiary coil 5 and thyristor 1 are The transistor 2 is connected in parallel with the series circuit.

第1の1次コイル4と3次コイル5との巻数の
比率は特に限定されるものではなく、要は3次コ
イル5におけるトランジスタ2導通時の誘起電圧
が、サイリスタ1を確実にターン・オフできる電
圧値を誘起させることができる巻数であれば良い
のである。
The ratio of the number of turns between the first primary coil 4 and the tertiary coil 5 is not particularly limited, and the point is that the induced voltage in the tertiary coil 5 when the transistor 2 is conductive turns off the thyristor 1 reliably. The number of turns that can induce the desired voltage value is sufficient.

次に図示した実施例の動作を順に説明する。 Next, the operation of the illustrated embodiment will be explained in order.

サイリスタ1のゲートにゲート信号が与えられ
てサイリスタ1がオンすると、第1の1次コイル
4による誘起電圧によつて、第1の1次コイル4
から3次コイル5そしてサイリスタ1を通る一点
鎖線で示した経路に主電流が流れて、負荷7を
駆動する。
When a gate signal is applied to the gate of the thyristor 1 and the thyristor 1 is turned on, the voltage induced by the first primary coil 4 causes the first primary coil 4 to
The main current flows through the path shown by the dashed line, passing through the tertiary coil 5 and the thyristor 1, thereby driving the load 7.

この状態からトランジスタ2のベースに導通用
のパルス信号が入力されて、トランジスタ2がパ
ルス的に動作して導通すると、このトランジスタ
2に第1の1次コイル4からの電流が流れる。
From this state, a pulse signal for conduction is input to the base of the transistor 2, and when the transistor 2 operates in a pulse manner and becomes conductive, a current from the first primary coil 4 flows through the transistor 2.

これにより、3次コイル5は、第1の1次コイ
ル4および2次コイル6に対して、その巻数が非
常に少なく、かつ逆巻となつているので、3次コ
イル5に、サイリスタ1側を(+)、第1の1次
コイル4側を(−)とする電圧が誘起され、3次
コイル5からトランジスタ2、サイリスタ1そし
て3次コイル5の細線で示した電流経路が生じ
て、これによりサイリスタ1は一時的にターン・
オフする。
As a result, the tertiary coil 5 has a very small number of turns with respect to the first primary coil 4 and the secondary coil 6, and is reversely wound. A voltage with (+) on the side of the first primary coil 4 and (-) on the side of the first primary coil 4 is induced, and a current path shown by the thin line from the tertiary coil 5 to the transistor 2, the thyristor 1, and the tertiary coil 5 is generated, This causes thyristor 1 to temporarily turn
Turn off.

すなわち、トランジスタ2の導通により、それ
まで径路を流れていた主電流は、第1の1次コ
イル4からトランジスタ2を通る点線で示した径
路を通つて流れるため、第1の1次コイル4の
作用により、3次コイル5に電源電圧Vdに対し
て(Vd/n)の電圧が径路の方向とは反対方
向に誘起される。
That is, due to the conduction of the transistor 2, the main current that had been flowing through the path up to that point now flows through the path shown by the dotted line from the first primary coil 4 through the transistor 2. Due to this action, a voltage of (Vd/n) with respect to the power supply voltage Vd is induced in the tertiary coil 5 in a direction opposite to the direction of the path.

この時、トランジスタ2の動作が、飽和領域内
であれば、トランジスタ2のエミツタ・コレクタ
間の電圧V1はほぼ1〜2(V)となるため、サイ
リスタ1のアノード電圧Vaは、Va≦0となつ
て、サイリスタ1は前記した如く1時的にオフす
る。
At this time, if the operation of transistor 2 is within the saturation region, the voltage V1 between the emitter and collector of transistor 2 will be approximately 1 to 2 (V), so the anode voltage Va of thyristor 1 will be Va≦0. As a result, the thyristor 1 is temporarily turned off as described above.

この状態がサイリスタ1のターン・オフ時間以
上持続されれば、サイリスタ1は完全にオフ状態
となる。
If this state continues for longer than the turn-off time of thyristor 1, thyristor 1 is completely turned off.

このように、本考案によるサイリスタ1のスイ
ツチング回路は、3次コイル5に貯えられた電磁
エネルギーを利用してサイリスタ1をオフ状態と
するので、転流サージ電流を発生させることがな
く、これによつてサイリスタ1に要求される耐逆
電圧定格を大幅に小さくできる。
As described above, the switching circuit of the thyristor 1 according to the present invention uses the electromagnetic energy stored in the tertiary coil 5 to turn off the thyristor 1, so that commutation surge current is not generated and is Therefore, the reverse voltage rating required for the thyristor 1 can be significantly reduced.

また、サイリスタ1のスイツチングの可否は、
第1の1次コイル4と3次コイル5との巻数比だ
けによつて、実質的には3次コイル5の巻数だけ
によつて決まるため、回路の設計が容易となる。
Also, whether or not thyristor 1 can be switched is as follows.
Since it is determined only by the turn ratio between the first primary coil 4 and the tertiary coil 5, and substantially only by the turn number of the tertiary coil 5, the circuit design becomes easy.

そして、サイリスタ1のターン・オフに消費さ
れる電力もトランス3を通して負荷7に加えられ
るので、回路における電力の損失が極めて少なく
てすむことになる。
Since the power consumed in turning off the thyristor 1 is also applied to the load 7 through the transformer 3, the power loss in the circuit can be extremely reduced.

さらに、回路内に時定数回路を持たないので、
シヤープな方形波によるサイリスタ1のスイツチ
ング動作が達成されることになり、サイリスタ1
のターン・オフを時間遅れの無い状態で達成でき
ることになる。
Furthermore, since there is no time constant circuit in the circuit,
Switching operation of thyristor 1 by a sharp square wave is achieved, and thyristor 1
This means that turn-off can be achieved without any time delay.

またさらに、負荷7駆動時の電気エネルギーの
大半を、耐量性に優れているサイリスタ1により
制御させ、このサイリスタ1をオフするための電
気エネルギーを、高周波特性の優れたトランジス
タ2により制御させるので、回路中に使用されて
いる半導体素子の安全性を大幅に高めている。
Furthermore, most of the electrical energy when driving the load 7 is controlled by the thyristor 1 which has excellent resistance, and the electrical energy for turning off the thyristor 1 is controlled by the transistor 2 which has excellent high frequency characteristics. This greatly increases the safety of semiconductor elements used in circuits.

以上の説明から明らかなように、本考案による
サイリスタのスイツチング回路は、回路中に使用
されている半導体素子の定格を小さくすることが
できるばかりでなく、その安全性を大幅に高める
ことができ、また単に3次コイルの巻数を設定す
るだけで良いので、その設計が容易でかつ正確に
達成することができ、さらに回路における電気エ
ネルギーの損失が極めて少ない等多くの優れた効
果を有するものである。
As is clear from the above explanation, the thyristor switching circuit according to the present invention not only can reduce the rating of the semiconductor elements used in the circuit, but also can significantly improve its safety. In addition, since it is only necessary to set the number of turns of the tertiary coil, the design can be easily and accurately achieved, and furthermore, it has many excellent effects such as extremely low loss of electrical energy in the circuit. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

図面は、本考案の一実施例を示す電気回路図で
ある。 符号の説明、1;サイリスタ、2;トランジス
タ、3;トランス、4;第1の1次コイル、5;
3次コイル、6;2次コイル、7;負荷、,
,;径路。
The drawing is an electrical circuit diagram showing an embodiment of the present invention. Explanation of symbols: 1; thyristor; 2; transistor; 3; transformer; 4; first primary coil; 5;
Tertiary coil, 6; Secondary coil, 7; Load,,
,;course.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 2次コイル6に負荷7を接続したトランス3の
1次コイルを巻数の多い第1の1次コイル4と巻
数の少ない第2の1次コイルである3欠コイル5
とを逆向きに直列接続して構成し、該3次コイル
5にシリコン制御整流素子1を直列接続し、前記
3次コイル5とシリコン制御整流素子1との直列
回路と並列にトランジスタ2を接続して成るシリ
コン制御整流素子のスイツチング回路。
The primary coil of the transformer 3, which has a load 7 connected to the secondary coil 6, is divided into a first primary coil 4 with a large number of turns and a second primary coil 5 with a small number of turns.
are connected in series in opposite directions, a silicon-controlled rectifier 1 is connected in series to the tertiary coil 5, and a transistor 2 is connected in parallel to the series circuit of the tertiary coil 5 and silicon-controlled rectifier 1. A switching circuit made of silicon-controlled rectifier elements.
JP8884383U 1983-06-10 1983-06-10 Silicon-controlled rectifier switching circuit Granted JPS59195990U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8884383U JPS59195990U (en) 1983-06-10 1983-06-10 Silicon-controlled rectifier switching circuit

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JPS59195990U JPS59195990U (en) 1984-12-26
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