JPH02228325A - ポリエーテルエーテルケトン―ポリアリ―レンスルフイドブロツクコポリマー - Google Patents
ポリエーテルエーテルケトン―ポリアリ―レンスルフイドブロツクコポリマーInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、末端ハロゲン原子を含有するポリエーテルエ
ーテルケトンブロックとジハロゲン化芳香族化合物から
製造した新規なブロックコポリアリーレンスルフィド、
好ましくはブロックコポリフェニレンスルフィドに関ス
ル。
ーテルケトンブロックとジハロゲン化芳香族化合物から
製造した新規なブロックコポリアリーレンスルフィド、
好ましくはブロックコポリフェニレンスルフィドに関ス
ル。
ポリアリーレンスルフィド(PAS)は、不活性で耐高
温性であるのみならずガラス繊維及び/又は他の鉱物で
高度に充填することが可能な熱可塑性グラスチックとし
てますます重要となりつつある。
温性であるのみならずガラス繊維及び/又は他の鉱物で
高度に充填することが可能な熱可塑性グラスチックとし
てますます重要となりつつある。
これらのポリマー、特にポリバラフェニレンスルフィド
(PPS)は、加工が容易なため、トランジスタ、コン
デンサ、マイクロチップなどの従来熱硬化性樹脂(du
romers)のために残されていた用途への使用が増
大している。
(PPS)は、加工が容易なため、トランジスタ、コン
デンサ、マイクロチップなどの従来熱硬化性樹脂(du
romers)のために残されていた用途への使用が増
大している。
流動が容易なタイプのPPSはチップの被包に最も好適
である。それらは遅い結晶化により特徴付けられそして
容易に加工することができる。
である。それらは遅い結晶化により特徴付けられそして
容易に加工することができる。
高温で使用されるべきポリマーは、熱の下で高い寸法安
定性(ガラス転位温度)を持つべきであり且つ機械的応
力下にクリープを起こすべきではない。
定性(ガラス転位温度)を持つべきであり且つ機械的応
力下にクリープを起こすべきではない。
ジハロゲノベンゼン、好ましくはp−ジクロロベンゼン
などのジハロゲン化芳香族化合物と末端ハロゲンを有す
るポリエーテルエーテルケトンブロックから製造された
ブロックコポリアリーレンスルフィト、特にブロックコ
ポリフェニレンスルフィドは、ポリ−p−7二二レンス
ルフイドで普通に見出だされる87℃より高いガラス転
位温度(Tg)と遅い結晶化を有する。
などのジハロゲン化芳香族化合物と末端ハロゲンを有す
るポリエーテルエーテルケトンブロックから製造された
ブロックコポリアリーレンスルフィト、特にブロックコ
ポリフェニレンスルフィドは、ポリ−p−7二二レンス
ルフイドで普通に見出だされる87℃より高いガラス転
位温度(Tg)と遅い結晶化を有する。
故に、本発明は、ジハロゲン化芳香族化合物、好ましく
は、 A)、 A)とB)の和を基準として5o−t。
は、 A)、 A)とB)の和を基準として5o−t。
0重量%、特に好ましくは80−100重量%のジハロ
ゲン化芳香族化合物、好ましくは式CI)式中、 Xは、互いにメタ位置又はバラ位置にある塩素又は臭素
などのハロゲンを表す、 に相当するジハロゲノベンゼン、及び B)、A)とB)の和を基準として0−50重量%、好
ましくは0−20重量%のジハロゲン化芳香族化合物、
好ましくは、式(II)、式中、 Xは前記したとおりであり、 R1及びR1は、同一であるか又は相異なり、水素、C
,−C,−アルキル、C,−C,。−シクロアルキル、
C@−C+o−アリール、C7C1@−アルキルアリー
ル又はc t−c ti−アリールアルキルを表し、そ
して、互いにオルト位置にあるR1により表された2個
の基は相互に結合して芳香族環又はN、O又はSなどの
へテロ原子を3個まで含有する複素環を形成していても
よく、そしてR1により表された基の1つは常に水素と
は異なる、 に相当するジハロゲノベンゼン、 C)場合により更に、(A+B)のジノ10ゲン化芳香
族化合物の和を基準として0.01−5モル%、好まし
くは0.05−2.5モル%の、式(ff) Ar”Xp (Iり 式中、 Ar“は、芳香族C,−C,,基又は5−14個の環原
子を持ち、3個までの環C原子がN、 0又はSなどの
へテロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xは塩素又は臭素などの)10ゲンを表し、pは数3又
は4を表す、 のトリー及びテトラハロゲン化芳香族化合物、及び D)式(III)、 (III) 式中、 Yは、F、C1又はBr好ましくはF又はCtなとのハ
ロゲンを表し、 R1,R1、R3及びR月よ、相互に独立に、式(II
)で定義されたR1及びR2の基、好ましくはH又はメ
チルを表し、 Zは、単結合、随意に分岐していてもよいCI−〇1.
−アルキリデン基、随意に分岐していてもよいCs
Cm。−シクロアルキリデン、酸素、硫黄、So、So
n又はCOを表し、その際R1は式(ff)で示された
意味を有し、pは、数l又は0を表し、 nは、数1−100表す、 に相当するポリエーテルエーテルケトンブロックから製
造されたブロックコポリアリーレンスルフィト、好マシ
くはブロックコポリフェニレンスルフィドに関する。
ゲン化芳香族化合物、好ましくは式CI)式中、 Xは、互いにメタ位置又はバラ位置にある塩素又は臭素
などのハロゲンを表す、 に相当するジハロゲノベンゼン、及び B)、A)とB)の和を基準として0−50重量%、好
ましくは0−20重量%のジハロゲン化芳香族化合物、
好ましくは、式(II)、式中、 Xは前記したとおりであり、 R1及びR1は、同一であるか又は相異なり、水素、C
,−C,−アルキル、C,−C,。−シクロアルキル、
C@−C+o−アリール、C7C1@−アルキルアリー
ル又はc t−c ti−アリールアルキルを表し、そ
して、互いにオルト位置にあるR1により表された2個
の基は相互に結合して芳香族環又はN、O又はSなどの
へテロ原子を3個まで含有する複素環を形成していても
よく、そしてR1により表された基の1つは常に水素と
は異なる、 に相当するジハロゲノベンゼン、 C)場合により更に、(A+B)のジノ10ゲン化芳香
族化合物の和を基準として0.01−5モル%、好まし
くは0.05−2.5モル%の、式(ff) Ar”Xp (Iり 式中、 Ar“は、芳香族C,−C,,基又は5−14個の環原
子を持ち、3個までの環C原子がN、 0又はSなどの
へテロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xは塩素又は臭素などの)10ゲンを表し、pは数3又
は4を表す、 のトリー及びテトラハロゲン化芳香族化合物、及び D)式(III)、 (III) 式中、 Yは、F、C1又はBr好ましくはF又はCtなとのハ
ロゲンを表し、 R1,R1、R3及びR月よ、相互に独立に、式(II
)で定義されたR1及びR2の基、好ましくはH又はメ
チルを表し、 Zは、単結合、随意に分岐していてもよいCI−〇1.
−アルキリデン基、随意に分岐していてもよいCs
Cm。−シクロアルキリデン、酸素、硫黄、So、So
n又はCOを表し、その際R1は式(ff)で示された
意味を有し、pは、数l又は0を表し、 nは、数1−100表す、 に相当するポリエーテルエーテルケトンブロックから製
造されたブロックコポリアリーレンスルフィト、好マシ
くはブロックコポリフェニレンスルフィドに関する。
式(III)において、2は、好ましくは随意に分岐し
ていてもよいC,−C,−アルキリデン又は随意に分岐
していてもよいC、−C、。−シクロアルキリデン、例
えば、式(Illa)、 チルを表し、 qは、数0、l、2又は3、好ましくは、0又はlを表
す、 に相当する基、S又はSO8を表す。式(III)でn
により表された数は括弧内のブロックの分子量が約50
0−10.000、好ましくは約1000−6000と
なるように選ばれる。
ていてもよいC,−C,−アルキリデン又は随意に分岐
していてもよいC、−C、。−シクロアルキリデン、例
えば、式(Illa)、 チルを表し、 qは、数0、l、2又は3、好ましくは、0又はlを表
す、 に相当する基、S又はSO8を表す。式(III)でn
により表された数は括弧内のブロックの分子量が約50
0−10.000、好ましくは約1000−6000と
なるように選ばれる。
本発明に従うブロックコポリマーは、化学的に導入され
ている式(III)のポリエーテルエーテルケトンブロ
ック1−50重量%、好ましくは1−30重量%を含有
する。
ている式(III)のポリエーテルエーテルケトンブロ
ック1−50重量%、好ましくは1−30重量%を含有
する。
本発明は、ジハロゲン化芳香族化合物、好ましくは、式
(I) 式中、 R1、R6、R7及びR1は、相互に独立に、水素又は
C,−C4−アルキル、好ましくは水素又はメ式中、 Xは、互いにメタ位置又はパラ位置にある塩素又は臭素
などのハロゲン原子を表す、 に相当するジハロゲノベンゼン、及び ジハロゲン化芳香族化合物、好ましくは、式(n)、 式中、 Xは前記したとおりであり、 R1及びR2は、同一であるか又は相異なり、水素、C
I C4−アルキル、Caに+。−シクロアルキル、
Ca (:+。−アリール、C7−C+。
(I) 式中、 R1、R6、R7及びR1は、相互に独立に、水素又は
C,−C4−アルキル、好ましくは水素又はメ式中、 Xは、互いにメタ位置又はパラ位置にある塩素又は臭素
などのハロゲン原子を表す、 に相当するジハロゲノベンゼン、及び ジハロゲン化芳香族化合物、好ましくは、式(n)、 式中、 Xは前記したとおりであり、 R1及びR2は、同一であるか又は相異なり、水素、C
I C4−アルキル、Caに+。−シクロアルキル、
Ca (:+。−アリール、C7−C+。
−アルキルアリール又はC7−C+a−アリールアルキ
ルヲ表し、そして、互いにオルト位置ニあるR1により
表された2個の基は相互に結合して芳香族環又はNSO
又はSなどのへテロ原子を3個まで含有する複素環を形
成してl/1てもよく、モしてR1により表された基の
1つは常に水素とは異なる、 に相当するジ/10ゲノベンゼン0−50重量%を、水
酸化ナトリウム又は水酸化カリウムなどのアルカリ金属
水酸化物0−1o%及びアルカリ金属硫化水素、好まし
くは硫化水素ナトリウムもしくは硫化水素カリウム又は
その混合物0−0.5モルと一緒になったアルカリ金属
硫化物、好ましくは硫化ナトリウムもしくは硫化カリウ
ム又はその混合物などの硫黄供給体0.5−1.25モ
ル、ここでジハロゲン化芳香族化合物対アルカリ金属硫
化物のモル比は0.75:l乃至1.25:lの範囲と
することができる、及び ジハロゲン化芳香族化合物の和を基準として0−0.0
5モル%のトリー及びテトラハロゲン化芳香族化合物、
好ましくは、式(IV)ArXn (rv) 式中、 A「は、芳香族C,−C,、基又は5−14個の環原子
を持ち、3個までの環C原子がN、O又はSなどのへテ
ロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xは塩素又は臭素などのハロゲンを表し、nは数3又は
4を表す、 に相当するトリー及びテトラハロゲノベンゼン、及び、 式(II[)、 (III) 式中、 Yは、F、CI又はB「好ましくはF又はCIなどのハ
ロゲンを表し、 Rt、R1、Rs及びR’li、相互に独立に、式(I
[)で定義されたR1又はR2で表された基、好ましく
はH又はメチルを表し、 Zは、単結合、随意に分岐していてもよいC3−CIZ
−アルキリデン基、随意に分岐していてもよいCI
CI。−シクロアルキリデン基、酸素、硫黄、5O1S
O,又はCOを表し、その際R1は式(II)で示され
た意味を有し、 pは、数l又は0を表し、 nは、数1−100を表す、 に相当するポリエーテルエーテルケトンブロックと反応
させ、その際この反応を随意に連鎖調節剤の存在下に行
ってもよいことを特徴とする、本発明に従うポリアリー
レンスルフィドブロックコポリマー、好ましくは、ポリ
フェニレンスルフィドブロックコポリマーの製造方法に
関する。
ルヲ表し、そして、互いにオルト位置ニあるR1により
表された2個の基は相互に結合して芳香族環又はNSO
又はSなどのへテロ原子を3個まで含有する複素環を形
成してl/1てもよく、モしてR1により表された基の
1つは常に水素とは異なる、 に相当するジ/10ゲノベンゼン0−50重量%を、水
酸化ナトリウム又は水酸化カリウムなどのアルカリ金属
水酸化物0−1o%及びアルカリ金属硫化水素、好まし
くは硫化水素ナトリウムもしくは硫化水素カリウム又は
その混合物0−0.5モルと一緒になったアルカリ金属
硫化物、好ましくは硫化ナトリウムもしくは硫化カリウ
ム又はその混合物などの硫黄供給体0.5−1.25モ
ル、ここでジハロゲン化芳香族化合物対アルカリ金属硫
化物のモル比は0.75:l乃至1.25:lの範囲と
することができる、及び ジハロゲン化芳香族化合物の和を基準として0−0.0
5モル%のトリー及びテトラハロゲン化芳香族化合物、
好ましくは、式(IV)ArXn (rv) 式中、 A「は、芳香族C,−C,、基又は5−14個の環原子
を持ち、3個までの環C原子がN、O又はSなどのへテ
ロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xは塩素又は臭素などのハロゲンを表し、nは数3又は
4を表す、 に相当するトリー及びテトラハロゲノベンゼン、及び、 式(II[)、 (III) 式中、 Yは、F、CI又はB「好ましくはF又はCIなどのハ
ロゲンを表し、 Rt、R1、Rs及びR’li、相互に独立に、式(I
[)で定義されたR1又はR2で表された基、好ましく
はH又はメチルを表し、 Zは、単結合、随意に分岐していてもよいC3−CIZ
−アルキリデン基、随意に分岐していてもよいCI
CI。−シクロアルキリデン基、酸素、硫黄、5O1S
O,又はCOを表し、その際R1は式(II)で示され
た意味を有し、 pは、数l又は0を表し、 nは、数1−100を表す、 に相当するポリエーテルエーテルケトンブロックと反応
させ、その際この反応を随意に連鎖調節剤の存在下に行
ってもよいことを特徴とする、本発明に従うポリアリー
レンスルフィドブロックコポリマー、好ましくは、ポリ
フェニレンスルフィドブロックコポリマーの製造方法に
関する。
常用の連鎖調節剤、例えばモノハロゲン化芳香族化合物
、モノメルカプト化合物及びその混合物(例えば西ドイ
ツ公開公報(DE−A)第3529500号、第352
9501号及び第3523498号)を使用することが
できる。
、モノメルカプト化合物及びその混合物(例えば西ドイ
ツ公開公報(DE−A)第3529500号、第352
9501号及び第3523498号)を使用することが
できる。
本方法は、アルカリ金属カルボン酸塩(例えばNaoA
c%KOAc)、アルカリ金属りン酸塩(例えばNaH
,PO,、Na5PO4)アルカリ金属・ホスホン酸塩
、アルカリ金属7ツ化物(例えばNaFlKF)又はア
ルカリ金属アルキルスルホネートなどの反応促進剤の存
在下に行うことができる。N。
c%KOAc)、アルカリ金属りン酸塩(例えばNaH
,PO,、Na5PO4)アルカリ金属・ホスホン酸塩
、アルカリ金属7ツ化物(例えばNaFlKF)又はア
ルカリ金属アルキルスルホネートなどの反応促進剤の存
在下に行うことができる。N。
N−ジアルキル−カルボン酸アミド、ラクタム、カルボ
ン酸の無水物及びエステルを存在させることもできる。
ン酸の無水物及びエステルを存在させることもできる。
本方法は、随意に共溶媒を添加してN−アルキルラクタ
ムなどの二極性非プロトン性溶媒中で行うことができる
。アルカリ金属硫化物対溶媒のモル比はl:2乃至1:
15の範囲にある。
ムなどの二極性非プロトン性溶媒中で行うことができる
。アルカリ金属硫化物対溶媒のモル比はl:2乃至1:
15の範囲にある。
反応は150−300℃の温度で行う。
ポリエーテルエーテルケトンブロックは、溶液として又
は固体の形態でジハロゲン化芳香族化合物と一緒に反応
混合物に加えることができる。好ましくは、それらは反
応混合物の脱水の後反応混合物(例えばハロゲン化芳香
族化合物と硫黄供与体との)に加えられる。1つの特定
の態様では、ポリエーテルエーテルケトンブロックはジ
ハロゲン化芳香族化合物と硫黄供与体の重縮合反応の後
に加えることができる。
は固体の形態でジハロゲン化芳香族化合物と一緒に反応
混合物に加えることができる。好ましくは、それらは反
応混合物の脱水の後反応混合物(例えばハロゲン化芳香
族化合物と硫黄供与体との)に加えられる。1つの特定
の態様では、ポリエーテルエーテルケトンブロックはジ
ハロゲン化芳香族化合物と硫黄供与体の重縮合反応の後
に加えることができる。
ポリエーテルエーテルケトンブロックは、公知であるか
又は公知の方法に類似した方法(例えば西ドイツ公開公
報第2220079号及び第3833386号)により
製造することができる。
又は公知の方法に類似した方法(例えば西ドイツ公開公
報第2220079号及び第3833386号)により
製造することができる。
ポリエーテルエーテルケトンブロックの製造に使用され
るビスフェノール成分は、好ましくは、ヒドロキノン、
レゾルシノール フェニル類、ヒス−(ヒドロキシフェニル)−アルカン
類、ビス−(ヒドロキシフェニル)−シクロアルカン類
、ビス−(ヒドロキシフェニル)−スルフィド類、ビス
−(ヒドロキシフェニル)−エーテル類、ビス−(ヒド
ロキシフェニル)−ケトン類、ビス−(ヒドロキシフェ
ニル)−スルホキシド類、ビス−(ヒドロキシ−フェニ
ル)−スルホン類、又はσ。
るビスフェノール成分は、好ましくは、ヒドロキノン、
レゾルシノール フェニル類、ヒス−(ヒドロキシフェニル)−アルカン
類、ビス−(ヒドロキシフェニル)−シクロアルカン類
、ビス−(ヒドロキシフェニル)−スルフィド類、ビス
−(ヒドロキシフェニル)−エーテル類、ビス−(ヒド
ロキシフェニル)−ケトン類、ビス−(ヒドロキシフェ
ニル)−スルホキシド類、ビス−(ヒドロキシ−フェニ
ル)−スルホン類、又はσ。
a −t”スー(ヒドロキシフェニル)−ジイソプロ
ピルベンゼン類、例えば、4.4′−ジヒドロキシジフ
ェニル、4.4′−ジヒドロキシ−3.3′5、5′−
テトラメチルジフェニル、ビス−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−メタン、ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジ
メチルフェニル l−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−エタン、1、
2−t’スス−4−ヒドロキシフェニル)−エタン、1
.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジメチル−フ
ェニル)−エタン、1.2−ビス−(4−ヒドロキシ−
3.5−ジメチルフェニル)−エタン、2−フェニル−
2.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−エタン、
2−7エニルー2.2−t’スス−4−ヒドロキシ−3
.5−ジメチルフェニル)ーエタン、2.2−ビス−(
4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、2.゛2ービス
ー(4−ヒドロキシ−3.5−ジメチルフェニル)−フ
ロパン、、1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)
−シクロヘキサン、1.1−ビス−(4−ヒドロキシ−
3.5−ジメチルフェニル)−シクロヘキサン、3.3
.5−トリメチル−1.1−ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキサン、3.3.5−トリメチル−
1.1−ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジメチルフ
ェニル)−シクロヘキサン、3.3.5.5−テトラメ
チル−1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シ
クロヘキサン、3.3.5.5−テトラメチル−1.1
−ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジメチルフェニル
)−シクロヘキサン、3.3−ジメチル−5−メチル−
1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロペ
ンタン、3.3−ジメチル−5−メチル−1.1−ビス
−(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−シ
クロペンタン、ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−ス
ルホン、ビス−(4−ヒトaキシ−3.5−ジメチルフ
ェニル)ースルホン、ビス−(4−ヒドロキシフェニル
)−スルフィド、ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジ
メチルフェニル)−スルフィト、ヒス−(4−ヒドロキ
シフェニル)−エーテル、ビス−(4−ヒドロキシ−3
.5−ジメチルフェニル)−エーテル、ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−ケトン、ビス−(4−ヒドロキシ
−3.5−ジメチルフェニル)−ケトン等である。
ピルベンゼン類、例えば、4.4′−ジヒドロキシジフ
ェニル、4.4′−ジヒドロキシ−3.3′5、5′−
テトラメチルジフェニル、ビス−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−メタン、ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジ
メチルフェニル l−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−エタン、1、
2−t’スス−4−ヒドロキシフェニル)−エタン、1
.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジメチル−フ
ェニル)−エタン、1.2−ビス−(4−ヒドロキシ−
3.5−ジメチルフェニル)−エタン、2−フェニル−
2.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−エタン、
2−7エニルー2.2−t’スス−4−ヒドロキシ−3
.5−ジメチルフェニル)ーエタン、2.2−ビス−(
4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、2.゛2ービス
ー(4−ヒドロキシ−3.5−ジメチルフェニル)−フ
ロパン、、1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)
−シクロヘキサン、1.1−ビス−(4−ヒドロキシ−
3.5−ジメチルフェニル)−シクロヘキサン、3.3
.5−トリメチル−1.1−ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキサン、3.3.5−トリメチル−
1.1−ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジメチルフ
ェニル)−シクロヘキサン、3.3.5.5−テトラメ
チル−1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シ
クロヘキサン、3.3.5.5−テトラメチル−1.1
−ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジメチルフェニル
)−シクロヘキサン、3.3−ジメチル−5−メチル−
1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロペ
ンタン、3.3−ジメチル−5−メチル−1.1−ビス
−(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−シ
クロペンタン、ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−ス
ルホン、ビス−(4−ヒトaキシ−3.5−ジメチルフ
ェニル)ースルホン、ビス−(4−ヒドロキシフェニル
)−スルフィド、ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジ
メチルフェニル)−スルフィト、ヒス−(4−ヒドロキ
シフェニル)−エーテル、ビス−(4−ヒドロキシ−3
.5−ジメチルフェニル)−エーテル、ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−ケトン、ビス−(4−ヒドロキシ
−3.5−ジメチルフェニル)−ケトン等である。
特に好ましいポリエーテルエーテルケトンブロックは、
4.4’ −ジフルオロベンゾフェノン又は4、4’−
ジクロロベンゾフェノンと、ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−スルフィド、ビス−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−スルホン、1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−シクロヘキサン、ビス−(4−ヒドロキシ−3
.5−ジメチルフェニル)−スルフィド、ビス−(4−
ヒドロキシ−3。
4.4’ −ジフルオロベンゾフェノン又は4、4’−
ジクロロベンゾフェノンと、ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−スルフィド、ビス−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−スルホン、1.1−ビス−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−シクロヘキサン、ビス−(4−ヒドロキシ−3
.5−ジメチルフェニル)−スルフィド、ビス−(4−
ヒドロキシ−3。
5−ジメチルフェニル)−スルホン、1.1−ビス−(
4−ヒドロキシ−3.5−ジメチルフェニル)−シクロ
ヘキサン、3.3.5−トリメチル−1゜l−ビス−(
4−ヒドロキシ−3,5−ジメチル7エ二ル)−シクロ
ヘキサン、3.3.5.5−テトラメチル−1,1−ビ
ス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン、3
,3.5.5−テトラメチル−1,■−ビスー(4−ヒ
ドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−シクロヘキサ
ン、3.3.5−トリメチル−1,1−ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−シクロヘキサン、3,3.5−ト
リメチル−1,1−ビス−(4−ヒドロキシ−3,5−
ジメチルフェニル)−シクロペンタン及ヒ/又は3.3
゜5−トリメチル−1,1−ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロペンタンとの反応により製造される。
4−ヒドロキシ−3.5−ジメチルフェニル)−シクロ
ヘキサン、3.3.5−トリメチル−1゜l−ビス−(
4−ヒドロキシ−3,5−ジメチル7エ二ル)−シクロ
ヘキサン、3.3.5.5−テトラメチル−1,1−ビ
ス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン、3
,3.5.5−テトラメチル−1,■−ビスー(4−ヒ
ドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−シクロヘキサ
ン、3.3.5−トリメチル−1,1−ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)−シクロヘキサン、3,3.5−ト
リメチル−1,1−ビス−(4−ヒドロキシ−3,5−
ジメチルフェニル)−シクロペンタン及ヒ/又は3.3
゜5−トリメチル−1,1−ビス−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロペンタンとの反応により製造される。
PEEK−PASブロックコポリマーの製造は、ポリア
リーレンスルフィドの製造に使用される方法に類似した
方法により、例えばヨーロッパ特許公開公報(EP−A
)第126369号、西ドイツ公開公報(DE−A)第
3703350号、ヨーロッパ特許公開公報第1096
37号、ヨーロッパ特許公開公報第142024号、ヨ
ーロッパ特許公開公報第171021号、米国特許(U
S−A)第3354129号等と類似した方法で製造す
ることができる。
リーレンスルフィドの製造に使用される方法に類似した
方法により、例えばヨーロッパ特許公開公報(EP−A
)第126369号、西ドイツ公開公報(DE−A)第
3703350号、ヨーロッパ特許公開公報第1096
37号、ヨーロッパ特許公開公報第142024号、ヨ
ーロッパ特許公開公報第171021号、米国特許(U
S−A)第3354129号等と類似した方法で製造す
ることができる。
硫黄供与体として使用されるNa2S又はに!Sなどの
アルカリ金属硫化物は、好ましくは、その水和物又は水
性混合物又は水性溶液の形態で本方法において使用され
る。それらの脱水は部分的であってもよいが、完全であ
ることが好ましい。反応混合物中に存在する水は、直接
又は共沸混合物形成剤を使用して蒸留により除去される
。この共沸混合物形成剤は好ましくはジハロゲン化芳香
族化合物である。水を除去するために、すべての反応体
を一緒に混合し、次いで全混合物を脱水することができ
る。別法として、アルカリ金属硫化物は別個に成る割合
の反応体と共に又は単独で脱水することができる。
アルカリ金属硫化物は、好ましくは、その水和物又は水
性混合物又は水性溶液の形態で本方法において使用され
る。それらの脱水は部分的であってもよいが、完全であ
ることが好ましい。反応混合物中に存在する水は、直接
又は共沸混合物形成剤を使用して蒸留により除去される
。この共沸混合物形成剤は好ましくはジハロゲン化芳香
族化合物である。水を除去するために、すべての反応体
を一緒に混合し、次いで全混合物を脱水することができ
る。別法として、アルカリ金属硫化物は別個に成る割合
の反応体と共に又は単独で脱水することができる。
反応の1つの態様では、極性溶媒の存在下に連続的に反
応促進剤又はその混合物と一緒にし、水を同時に除去す
る。この方法を採用する場合には、反応は反応体を導入
する速度により制御され、この方法は水の長い残留時間
を回避させることを可能とする。
応促進剤又はその混合物と一緒にし、水を同時に除去す
る。この方法を採用する場合には、反応は反応体を導入
する速度により制御され、この方法は水の長い残留時間
を回避させることを可能とする。
反応混合物が完全に脱水されれば、反応は圧力なしで又
は約3バールまでの低圧で行うことができる。溶媒又は
溶媒とジハロゲン化及び多ハロゲン化芳香族化合物との
混合物の沸点を越える反応温度を得るには、50バール
までの高い圧力を使用することができる。
は約3バールまでの低圧で行うことができる。溶媒又は
溶媒とジハロゲン化及び多ハロゲン化芳香族化合物との
混合物の沸点を越える反応温度を得るには、50バール
までの高い圧力を使用することができる。
反応は連続的に又はバッチ式で行うことができる。反応
時間は、広い範囲内で、即ち、1−48時間、好ましく
は1−18時間の範囲で変えることができる。反応温度
は150−300’O,好ましくは、170−280℃
である。
時間は、広い範囲内で、即ち、1−48時間、好ましく
は1−18時間の範囲で変えることができる。反応温度
は150−300’O,好ましくは、170−280℃
である。
ポリエーテルエーテルケトンブロック(P E EK)
の添加は種々の方法により行うことができる。
の添加は種々の方法により行うことができる。
例えば、PEEKブロックは反応容器に導入する最初の
成分であってもよく、又は、それは脱水工程中に溶液に
加えるか又は好ましくは反応に使用する溶媒に脱水後に
加えることができる。種々のPEEKブロックの混合体
を使用することができる。
成分であってもよく、又は、それは脱水工程中に溶液に
加えるか又は好ましくは反応に使用する溶媒に脱水後に
加えることができる。種々のPEEKブロックの混合体
を使用することができる。
反応混合物の後処理及びブロックコポリアリーレンスル
フィドの単離は公知の方法で行うことができる。
フィドの単離は公知の方法で行うことができる。
ブロックコポリアリーレンスルフィドは、直接に又は例
えば水及び/又は希酸又はポリアリーレンスルフィドに
対して低い溶解度を持った有機溶媒の添加の後、濾過又
は遠心分離などの慣用の方法により反応溶液から分離す
ることができる。ブロックコポリアリーレンスルフィド
の分離は、般的には水による洗浄の後に行なわれる。水
による洗浄に加えて又は水による洗浄の後に、他の洗浄
液による洗浄又は抽出を行うこともできる。
えば水及び/又は希酸又はポリアリーレンスルフィドに
対して低い溶解度を持った有機溶媒の添加の後、濾過又
は遠心分離などの慣用の方法により反応溶液から分離す
ることができる。ブロックコポリアリーレンスルフィド
の分離は、般的には水による洗浄の後に行なわれる。水
による洗浄に加えて又は水による洗浄の後に、他の洗浄
液による洗浄又は抽出を行うこともできる。
ブロックコポリアリーレンスルフィドは、例えば上述の
如き洗浄に続く蒸留による溶媒の除去lこよっても得ら
れる 硫黄供与体として使用されるアルカリ金属硫化物は、例
えばHasとアルカリ金属水酸化物とからも得られる。
如き洗浄に続く蒸留による溶媒の除去lこよっても得ら
れる 硫黄供与体として使用されるアルカリ金属硫化物は、例
えばHasとアルカリ金属水酸化物とからも得られる。
反応溶液のアルカリ金属硫化物中に不純物として存在す
るアルカリ金属硫化水素(例えばNaH5又はKH5)
の割合に依存して、成る割合のアルカリ金属水酸化物(
例えばNaOH,KOH)を加えることもできる。アル
カリ金属水酸化物を加える代わりに、反応条件下にアル
カリ金属水酸化物を分解放出又は形成する化合物を使用
することができる。
るアルカリ金属硫化水素(例えばNaH5又はKH5)
の割合に依存して、成る割合のアルカリ金属水酸化物(
例えばNaOH,KOH)を加えることもできる。アル
カリ金属水酸化物を加える代わりに、反応条件下にアル
カリ金属水酸化物を分解放出又は形成する化合物を使用
することができる。
本発明に従って使用されるジハロゲン化芳香族化合物は
、ジハロゲノベンゼン又は、4.4’ −ジクロロジフ
ェニル4.4’−ジクロロジフェニルスルホン、4.4
’−ジフルオロジフェニルスルホン、4.4’ −ジフ
ルオロベンゾフェノン、及び4,4′−ジクロロベンゾ
フェノンなどのジハロゲノ芳香族化合物であることがで
きる。好ましくは、式(I)及び(II)のジハロゲン
化ベンゼンが使用される。この場合に、メタ一対バラー
ジハロゲン化芳香族化合物の比は30ニア0までである
ことができる。
、ジハロゲノベンゼン又は、4.4’ −ジクロロジフ
ェニル4.4’−ジクロロジフェニルスルホン、4.4
’−ジフルオロジフェニルスルホン、4.4’ −ジフ
ルオロベンゾフェノン、及び4,4′−ジクロロベンゾ
フェノンなどのジハロゲノ芳香族化合物であることがで
きる。好ましくは、式(I)及び(II)のジハロゲン
化ベンゼンが使用される。この場合に、メタ一対バラー
ジハロゲン化芳香族化合物の比は30ニア0までである
ことができる。
好ましくは、p−ジクロロベンゼン又はp−ジブロモベ
ンゼンなどのp−ジハロゲン化芳香族化合物が使用され
る。
ンゼンなどのp−ジハロゲン化芳香族化合物が使用され
る。
分岐したポリアリーレンスルフィド/PEEKブロック
コポリマーを製造するべき場合には、(I)+(IF)
1モルを基準として少なくとも0.005モルの式(I
V)のトリー又はテトラ−ハロゲン化芳香族化合物が使
用されるべきである。
コポリマーを製造するべき場合には、(I)+(IF)
1モルを基準として少なくとも0.005モルの式(I
V)のトリー又はテトラ−ハロゲン化芳香族化合物が使
用されるべきである。
下記のものは本発明に従って使用されるべき式(I)の
ジハロゲン化芳香族化合物の例である:p−ジクロロベ
ンゼン、p−ジブロモベンゼン、l−クロロ−4−ブロ
モベンゼン、1.3−ジクロロベンゼン、1.3−ジブ
ロモベンゼン及びl−クロロ−3−ブロモベンゼン。こ
れらは個々に又は混合物として使用することができる。
ジハロゲン化芳香族化合物の例である:p−ジクロロベ
ンゼン、p−ジブロモベンゼン、l−クロロ−4−ブロ
モベンゼン、1.3−ジクロロベンゼン、1.3−ジブ
ロモベンゼン及びl−クロロ−3−ブロモベンゼン。こ
れらは個々に又は混合物として使用することができる。
1.4−ジクロロベンゼン及び/又は1.4−ジブロモ
ベンゼンが特に好ましい。
ベンゼンが特に好ましい。
下記のものは本発明に従って使用されるべき式(II)
のジハロゲン化芳香族化合物の例である:2゜5−’;
クロロトルエン、2.5−’;クロロキシレン、l−エ
チル−2,5−ジクロロベンゼン、l−エチル−2,5
−ジブロモベンゼン、l−エチル−2−ブロモー5−ク
ロロベンゼン、1.2.4゜5−テトラメチル−3,6
−ジクロロベンゼン、l−シクロヘキシル−2,5−ジ
クロロベンゼンl−7エニル−2.5−ジクロロベンゼ
ン、l−ベンジル−2,4−ジクロロベンゼン、l−フ
ェニル−2,5−ジブロモベンゼン、1−p−トリル−
2,5−ジクロロベンゼン、1−p−)リルー2゜5−
ジブロモベンゼン、■−へキシル−2,5−ジクロロベ
ンゼン、2.4−ジクロロトルエン、2.4−ジクロロ
キシレン、2,4−ジブロモクメン及びl−シクロヘキ
シル−3,5−ジクロロベンゼン。これらは個々に又は
混合物として使用することができる。
のジハロゲン化芳香族化合物の例である:2゜5−’;
クロロトルエン、2.5−’;クロロキシレン、l−エ
チル−2,5−ジクロロベンゼン、l−エチル−2,5
−ジブロモベンゼン、l−エチル−2−ブロモー5−ク
ロロベンゼン、1.2.4゜5−テトラメチル−3,6
−ジクロロベンゼン、l−シクロヘキシル−2,5−ジ
クロロベンゼンl−7エニル−2.5−ジクロロベンゼ
ン、l−ベンジル−2,4−ジクロロベンゼン、l−フ
ェニル−2,5−ジブロモベンゼン、1−p−トリル−
2,5−ジクロロベンゼン、1−p−)リルー2゜5−
ジブロモベンゼン、■−へキシル−2,5−ジクロロベ
ンゼン、2.4−ジクロロトルエン、2.4−ジクロロ
キシレン、2,4−ジブロモクメン及びl−シクロヘキ
シル−3,5−ジクロロベンゼン。これらは個々に又は
混合物として使用することができる。
下記のものは本発明に従って使用されるべき式(III
)のトリハロゲン化及びテトラハロゲン化芳香族化合物
の例である。1.2.3−トリクロロベンゼン、l 、
2.4−トリクロロベンゼン、1,2.4−トリブロモ
ベンゼン、!、3.5−トリクロロー2.4.fi−)
リメチルベンゼン、1.2.3−トリクロロナフタレン
、1,2.4−トリクロロナフタレン、1.2.6−)
ジクロロナ7タレン、2,3゜4−トリクロロトルエン
、2.3.6−トリクロロトルエン、1.2,3.4−
テトラクロロす7タレン、1.2.4.5−テトラクロ
ロベンゼン、2゜2’ 、4.4’−テトラクロロビフ
ェニル、2,4゜6−ドリクロロー1.3.5−トリア
ジン、1.3゜5−)!Jスス−4−クロロフェニル)
−ベンゼン等。
)のトリハロゲン化及びテトラハロゲン化芳香族化合物
の例である。1.2.3−トリクロロベンゼン、l 、
2.4−トリクロロベンゼン、1,2.4−トリブロモ
ベンゼン、!、3.5−トリクロロー2.4.fi−)
リメチルベンゼン、1.2.3−トリクロロナフタレン
、1,2.4−トリクロロナフタレン、1.2.6−)
ジクロロナ7タレン、2,3゜4−トリクロロトルエン
、2.3.6−トリクロロトルエン、1.2,3.4−
テトラクロロす7タレン、1.2.4.5−テトラクロ
ロベンゼン、2゜2’ 、4.4’−テトラクロロビフ
ェニル、2,4゜6−ドリクロロー1.3.5−トリア
ジン、1.3゜5−)!Jスス−4−クロロフェニル)
−ベンゼン等。
反応に使用する溶媒は、一般に反応条件下に有機反応体
及び随意の無機の反応体に対する十分な溶解度を持った
極性溶媒であればいずれでもよい。
及び随意の無機の反応体に対する十分な溶解度を持った
極性溶媒であればいずれでもよい。
好ましくはN−アルキルラクタムが使用される。
N−アルキルラクタムは、炭素構造上に置換基を有しそ
して反応条件下に不活性である3−11個の炭素原子を
含むアミノ酸のラクタムである。
して反応条件下に不活性である3−11個の炭素原子を
含むアミノ酸のラクタムである。
下記のものは好適なN−アルキルラクタムの例である。
N−メチルカプロラクタム、N−工・チルカプロラクタ
ム、N−イソプロビル力グロラクタム、N−インブチル
カプロラクタム、N−プロピルカプロラクタム、N−ブ
チルカプロラクタム、N−シクロへキシルカプロラクタ
ム、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピ
ロリドン、N−イソプロピル−2−ピロリドン、N−イ
ソブチル−2−ピロリドン、N−プロピル−2−ピロリ
ドン、N−ブチル−2−ピロリドン、N−シクロヘキシ
ル−2−ピロリドン、N−メチル−3−メチル−2−ピ
ロリドン、N−メチル−2,4,5−トリメチル−2−
ピロリドン、N−メチル−2−ビペリドン、N−エチル
−2−ピペリドン、N−イソブチル−2−ピペリドン、
N−メチル−〇−メチルー2−ピペリドン、及びN−メ
チル−3−エチル−2−ピペリドン。
ム、N−イソプロビル力グロラクタム、N−インブチル
カプロラクタム、N−プロピルカプロラクタム、N−ブ
チルカプロラクタム、N−シクロへキシルカプロラクタ
ム、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピ
ロリドン、N−イソプロピル−2−ピロリドン、N−イ
ソブチル−2−ピロリドン、N−プロピル−2−ピロリ
ドン、N−ブチル−2−ピロリドン、N−シクロヘキシ
ル−2−ピロリドン、N−メチル−3−メチル−2−ピ
ロリドン、N−メチル−2,4,5−トリメチル−2−
ピロリドン、N−メチル−2−ビペリドン、N−エチル
−2−ピペリドン、N−イソブチル−2−ピペリドン、
N−メチル−〇−メチルー2−ピペリドン、及びN−メ
チル−3−エチル−2−ピペリドン。
上記溶媒の混合物を使用することができる。
使用される連鎖停止剤は、モノハロゲン化化合物又はモ
ノメルカプト化合物、例えば、下記の化合物:3−クロ
ロジフェニル、3−ブロモジフェニル、4−クロロジフ
ェニル、4−ブロモジフェニル、3−クロロジフェニル
スルフィド、3−ブロモジフェニルスルフィド、4−ク
ロロジフェニルスルフィト、4−7’ロモジフエニルス
ルフイド、3−クロロジフェニルスルホン、3−ブロモ
ジフェニルスルホン、4−クロロジフェニルスルホン、
4−ブロモジフェニルスルホン、3−40ロジフエニル
ケトン、(3−ブロモフェニル)フェニルケトン、(4
−40ロフエニル)フェニルケトン、 (4−プロモフ
エニル)フェニルケトン、メルカプタン、例えば、ブチ
ルメルカプタン カプタン、ステアリルメルカプタン又はベンジルメルカ
プタン、チオフェノール、■ーメルカプトナフタレン、
2−メルカプトナフタレン、4−メルカプトジフェニル
、4−メルカプトジフェニルエーテル、4−メルカプト
ジフェニルスルホン、4−メルカプトジフェニルスルフ
ィド、4−メルカプトジフェニルケトン、2−メルカプ
トベンゾキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール
、及び2−メルカプトベンゾイミダゾール及びそれらの
アルカリ金属塩(例えば、Li+、Na−、K、及びN
H.メルカプチド及びアルカリ土金属塩(例えば、Ca
−、Mg−、又はZn−メルカプチド)。
ノメルカプト化合物、例えば、下記の化合物:3−クロ
ロジフェニル、3−ブロモジフェニル、4−クロロジフ
ェニル、4−ブロモジフェニル、3−クロロジフェニル
スルフィド、3−ブロモジフェニルスルフィド、4−ク
ロロジフェニルスルフィト、4−7’ロモジフエニルス
ルフイド、3−クロロジフェニルスルホン、3−ブロモ
ジフェニルスルホン、4−クロロジフェニルスルホン、
4−ブロモジフェニルスルホン、3−40ロジフエニル
ケトン、(3−ブロモフェニル)フェニルケトン、(4
−40ロフエニル)フェニルケトン、 (4−プロモフ
エニル)フェニルケトン、メルカプタン、例えば、ブチ
ルメルカプタン カプタン、ステアリルメルカプタン又はベンジルメルカ
プタン、チオフェノール、■ーメルカプトナフタレン、
2−メルカプトナフタレン、4−メルカプトジフェニル
、4−メルカプトジフェニルエーテル、4−メルカプト
ジフェニルスルホン、4−メルカプトジフェニルスルフ
ィド、4−メルカプトジフェニルケトン、2−メルカプ
トベンゾキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール
、及び2−メルカプトベンゾイミダゾール及びそれらの
アルカリ金属塩(例えば、Li+、Na−、K、及びN
H.メルカプチド及びアルカリ土金属塩(例えば、Ca
−、Mg−、又はZn−メルカプチド)。
例えば、フェノールも又ヨーロッパ特許公開公報第22
9626号に記載のとおり好適な連鎖停止剤である。
9626号に記載のとおり好適な連鎖停止剤である。
反応は、更に、慣用の反応促進剤、例えばアルカリ金属
カルボン酸塩(西ドイツ公開公報第2543749号)
、ハロゲン化リチウム、又はアルカリ金属カルボン酸塩
(西ドイツ公開公報第2623362号)、塩化リチウ
ム又はカルボン酸リチウム(西ドイツ公開公報第262
3363号)、アルカリ金属カルボン酸塩と組み合わせ
たアルカリ金属炭酸塩(米国特許第4038259号)
、酢酸リチウム(西ドイツ公開公報第2623333号
)、トリアルキル金属ホスフェート(西ドイツ公開公報
第2930797号)、アルカリ金属フッ化物(西ドイ
ツ公開公報第3019732号)、アルカリ金属スルホ
ネート(米国特許第4038260号)、炭酸リチウム
及びホウ酸リチウム(米国特許第4030518号)、
特定の量のラクタム、カルボン酸の無水物及びエステル
(例えば、ヨーロッパ特許公開公報第171021号)
及びN,N−ジアルキルカルボン酸アミド、の存在下に
行うことができる。 新規なポリアリーレンスルフィド
ブロックコポリマーは、高いガラス転位温度と溶融物の
遅い結晶化の開始により特徴付けられる。
カルボン酸塩(西ドイツ公開公報第2543749号)
、ハロゲン化リチウム、又はアルカリ金属カルボン酸塩
(西ドイツ公開公報第2623362号)、塩化リチウ
ム又はカルボン酸リチウム(西ドイツ公開公報第262
3363号)、アルカリ金属カルボン酸塩と組み合わせ
たアルカリ金属炭酸塩(米国特許第4038259号)
、酢酸リチウム(西ドイツ公開公報第2623333号
)、トリアルキル金属ホスフェート(西ドイツ公開公報
第2930797号)、アルカリ金属フッ化物(西ドイ
ツ公開公報第3019732号)、アルカリ金属スルホ
ネート(米国特許第4038260号)、炭酸リチウム
及びホウ酸リチウム(米国特許第4030518号)、
特定の量のラクタム、カルボン酸の無水物及びエステル
(例えば、ヨーロッパ特許公開公報第171021号)
及びN,N−ジアルキルカルボン酸アミド、の存在下に
行うことができる。 新規なポリアリーレンスルフィド
ブロックコポリマーは、高いガラス転位温度と溶融物の
遅い結晶化の開始により特徴付けられる。
本発明に従うポリアリーレンスルフィドブロックコポリ
マーは、他のポリマー、好ましくはPPS及びPEEK
と混合することができる。顔料及び充填剤、例えば、グ
ラファイト、金属粉、金属酸化物、ガラス粉末、粉末石
英、タルク、ガラス繊維、又は炭素繊維などの慣用の添
加剤及び、安定剤又は離型剤などのポリアリーレンスル
フィドへの通常の添加剤を加えることができる。
マーは、他のポリマー、好ましくはPPS及びPEEK
と混合することができる。顔料及び充填剤、例えば、グ
ラファイト、金属粉、金属酸化物、ガラス粉末、粉末石
英、タルク、ガラス繊維、又は炭素繊維などの慣用の添
加剤及び、安定剤又は離型剤などのポリアリーレンスル
フィドへの通常の添加剤を加えることができる。
ポリアリーレンスルフィドのメルトフローは、一般に、
5kgの重りを使用してASTM 1238−70に
従って316℃で測定され、モしてg/10分として示
される。この方法は、新規なポリアリーレンスルフイド
ーボリエーテルエーテルケトンブロックコボリマーのメ
ルト70−を決定するのにも使用された。
5kgの重りを使用してASTM 1238−70に
従って316℃で測定され、モしてg/10分として示
される。この方法は、新規なポリアリーレンスルフイド
ーボリエーテルエーテルケトンブロックコボリマーのメ
ルト70−を決定するのにも使用された。
しかしながら、メルトフロー値が高ければ、この測定は
ポリマー溶融物の高い流出速度のため困難なことがある
。
ポリマー溶融物の高い流出速度のため困難なことがある
。
この理由から、ポリマー溶融物の溶融粘度ymは、イン
ストロン拳回転粘度計(Instron Rotary
viscosimetar)を使用して、剪断応力(P
a)に依存して306℃で測定した(P a、 s)a
この方法は、1O−1乃至I Q’Pa、sの非常に広
い範囲にわたり溶融粘度を決定するのに使用することが
できる。上記インストロン・レオメータ(Instro
n Rheoweter)では、ポリマーを固体板と回
転可能な円錐との間で溶融させ、円錐のトルクを決定す
る。剪断応力に依存して溶融粘度をトルク、角粘度(a
ngular viscosity)及び装置の定数か
ら計算することができる。使用したレオメータはインス
トロンのモデル3250であり%2C11の円錐直径及
び板直径を有していた。結果をram IQ”Paの剪
断応力で決定した溶融粘度として示す。
ストロン拳回転粘度計(Instron Rotary
viscosimetar)を使用して、剪断応力(P
a)に依存して306℃で測定した(P a、 s)a
この方法は、1O−1乃至I Q’Pa、sの非常に広
い範囲にわたり溶融粘度を決定するのに使用することが
できる。上記インストロン・レオメータ(Instro
n Rheoweter)では、ポリマーを固体板と回
転可能な円錐との間で溶融させ、円錐のトルクを決定す
る。剪断応力に依存して溶融粘度をトルク、角粘度(a
ngular viscosity)及び装置の定数か
ら計算することができる。使用したレオメータはインス
トロンのモデル3250であり%2C11の円錐直径及
び板直径を有していた。結果をram IQ”Paの剪
断応力で決定した溶融粘度として示す。
反応混合物から単離した後、本発明に従うポリアリーレ
ンスルフィドは、l−5XlO”Pa、s。
ンスルフィドは、l−5XlO”Pa、s。
好ましくは5−IXlo”Pa、sの溶融粘度を有する
。それらは、例えば、車両の部品、装備又は電気部品(
スイッチなど)、電子工学的パネル、―刷回路版、耐化
学品性及び耐候性部品及び装置、例えば、ポンプハウジ
ング及びポンプインペラ、エツチング浴用の皿、シール
リング及び事務機及びテレビジ1ン装置の部品、として
、及び家庭用品、パルプ、ボールベアリング部品、電子
部品用の埋め込み材料等として使用できるシート製品、
繊維及び射出成形品を製造するための通常の方法により
加工することができる。
。それらは、例えば、車両の部品、装備又は電気部品(
スイッチなど)、電子工学的パネル、―刷回路版、耐化
学品性及び耐候性部品及び装置、例えば、ポンプハウジ
ング及びポンプインペラ、エツチング浴用の皿、シール
リング及び事務機及びテレビジ1ン装置の部品、として
、及び家庭用品、パルプ、ボールベアリング部品、電子
部品用の埋め込み材料等として使用できるシート製品、
繊維及び射出成形品を製造するための通常の方法により
加工することができる。
ポリアリーレンスルフィドは、分子量と分子量分布を決
定するためのクロマトグラフィー法により分析すること
ができる。例えば、高速液体クロマトグラフィー(HP
LC)及びゲルバーミエーシ1ンクロマトグラフィー(
cpc)がこれらの目的に好適である。
定するためのクロマトグラフィー法により分析すること
ができる。例えば、高速液体クロマトグラフィー(HP
LC)及びゲルバーミエーシ1ンクロマトグラフィー(
cpc)がこれらの目的に好適である。
本発明に従うコンパウンドは例えば、繊維、フィルム、
成形物の製造などの成形品の製造に使用することができ
る。
成形物の製造などの成形品の製造に使用することができ
る。
実施例
一般的方法
装置及び容器は、反応条件下に不活性な材料から作られ
るのが好ましく、例えば精製鋼タンクチタン又はジルコ
ニウム容器又はこれらの材料で被覆された容器又は場合
により貴金属で被覆された容器又は不活性ポリマーで被
覆された装置及びタンクである。反応条件下に安定な石
英及びガラス装置も使用できる。
るのが好ましく、例えば精製鋼タンクチタン又はジルコ
ニウム容器又はこれらの材料で被覆された容器又は場合
により貴金属で被覆された容器又は不活性ポリマーで被
覆された装置及びタンクである。反応条件下に安定な石
英及びガラス装置も使用できる。
p−ジクロロベンゼン489.2g(3,33モル)及
びN−メチルカプロラクタム2.15j2を5aの容器
に導入し、215℃に加熱し、硫化ナトリウム三水和物
919.5g(7,16モル)、水260g、水酸化ナ
トリウム3.5g(0,0875モル)及びC−カプロ
ラクタムl l 2.9g(0゜88モル)の混合物を
、溜め(su■p)の温度が215℃に維持されるよう
な速度で滴下により加える。
びN−メチルカプロラクタム2.15j2を5aの容器
に導入し、215℃に加熱し、硫化ナトリウム三水和物
919.5g(7,16モル)、水260g、水酸化ナ
トリウム3.5g(0,0875モル)及びC−カプロ
ラクタムl l 2.9g(0゜88モル)の混合物を
、溜め(su■p)の温度が215℃に維持されるよう
な速度で滴下により加える。
加えた水及び水和水をこのプロセスにおいて留去する。
p−ジクロロベンゼン489.2g(3,33モル)を
硫化ナトリウムの添加中に加え、これを4時間にわたり
行う。更に2時間の撹拌の後、N−メチルカプロラクタ
ム400m(lに溶解したPEEKブロックを加える。
硫化ナトリウムの添加中に加え、これを4時間にわたり
行う。更に2時間の撹拌の後、N−メチルカプロラクタ
ム400m(lに溶解したPEEKブロックを加える。
次いで加熱を240℃で7時間続けそして5Q容器の内
容物をインプロパツール40Q中に排出する。pH1に
酸性化した後、沈でんしたポリマーを炉別し蒸留水で電
解質がなくなるまで洗浄する。ポリマーを真空中で11
0℃で24時間乾燥する。
容物をインプロパツール40Q中に排出する。pH1に
酸性化した後、沈でんしたポリマーを炉別し蒸留水で電
解質がなくなるまで洗浄する。ポリマーを真空中で11
0℃で24時間乾燥する。
DSC測定により決定した特徴的物性は、ガラス温度T
g、再冷却による再結晶温度Tk及び溶融エンタルピー
ΔHkであった。
g、再冷却による再結晶温度Tk及び溶融エンタルピー
ΔHkであった。
実施例1
4.4′−ジフルオロベンゾフェノン及び3゜3’ 、
5.5’−テトラメチルビスフェノールAから製造した
PEEK80gを加える。
5.5’−テトラメチルビスフェノールAから製造した
PEEK80gを加える。
フッ素含有率:2%
収量:688.7g%’teats: l 40 Pa
、 sSTg:99.8℃、 Tk:2 I 6.4℃
、ΔHk:38 、 I J /g 実施例2 PEEKブロック160gを使用することを除いては実
施例Iと同じである。
、 sSTg:99.8℃、 Tk:2 I 6.4℃
、ΔHk:38 、 I J /g 実施例2 PEEKブロック160gを使用することを除いては実
施例Iと同じである。
(F−2%)、
収量ニア 98 、7g1’7mm1+:55 Pa、
s、 Tg:104.6、Tk:226.0℃、 ΔHk:36 、6 J /g。
s、 Tg:104.6、Tk:226.0℃、 ΔHk:36 、6 J /g。
実施例3
4.4′−ジフルオロベンゾフェノン及び3,3゜5−
トリメチル−1,1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル
)シクロヘキサンから製造したPEEKブロック47.
5gを加える。
トリメチル−1,1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル
)シクロヘキサンから製造したPEEKブロック47.
5gを加える。
フッ素含有率コ1.3%、
収量:679g1?−1−:27 Pa、 s、 Tg
:93 。
:93 。
2℃、Tk:234.1℃、
ΔHk:44 、4 J /g、+
実施例4
PEEKブロック95gを加えることを除いては実施例
3と同じである。
3と同じである。
フッ素含有率=1.3%、
収量ニア 25gs ’7mm++:32 P a、
Ss Tg:98’C,Tk:232 + 3℃、ΔH
k:44 、4 J /g。
Ss Tg:98’C,Tk:232 + 3℃、ΔH
k:44 、4 J /g。
実施例5
4.4’ −’;フルオロベンゾフェノン及び1.1−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンか
ら製造したPEEKブロック80gを加える。
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンか
ら製造したPEEKブロック80gを加える。
フッ素含有率=1.6%、
収量=7 o 5 g、q sel+: t lPa、
s、Tg:88.7%、Tk:237.6℃、ΔHk
:52 、4 J /g。
s、Tg:88.7%、Tk:237.6℃、ΔHk
:52 、4 J /g。
実施例6
実施例5と同様であるがフッ素含有率が0.84%であ
るPEEKブロック80gを加える。
るPEEKブロック80gを加える。
収量:693g、 v、、++l 8 Pa、 s、
Tg:92℃、Tk:216.6℃、ΔHk:46 、
5 J /g。
Tg:92℃、Tk:216.6℃、ΔHk:46 、
5 J /g。
実施例7
4.4′−ジフルオロベンゾフェノン及びヒドロキノン
から製造したPEEKブロック80gを加える。
から製造したPEEKブロック80gを加える。
フッ素含有率:2.6%、
収量ニア 09gS’7mg++:57 Pa、 s。
Tg:95.3°O,Tk:236. l”c、ΔH
k:4 4 、 47 J /g。
k:4 4 、 47 J /g。
本発明の主なる特徴及び態様は以下のとおりである。
1、A)、 A)とB)の和を基準として5〇−10
0重量%の、式(I) 式中、 Xは、互いにメタ位置又はパラ位置にある塩素又は臭素
などのハロゲンをit、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物、及び、B)、A
)とB)の和を基準として0−50重量%の、式(n)
、 式中、 Xは前記したとおりであり、 R1及びR2は、同一であるか又は相異なり、水素、C
,−C,−アルキル、C,−C,、−シクロアルキル、
C*−Cto−アリール、C,−G、。
0重量%の、式(I) 式中、 Xは、互いにメタ位置又はパラ位置にある塩素又は臭素
などのハロゲンをit、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物、及び、B)、A
)とB)の和を基準として0−50重量%の、式(n)
、 式中、 Xは前記したとおりであり、 R1及びR2は、同一であるか又は相異なり、水素、C
,−C,−アルキル、C,−C,、−シクロアルキル、
C*−Cto−アリール、C,−G、。
−アルキルアリール又はCFCl2−アリールアルキル
を表し、そして、互いにオルト位置にあるR1により表
された2個の基は相互に結合して芳香族環又はN%O又
はSなどのへテロ原子を3fiまで含有する複素環を形
成していてもよく、モしてR1により表された基の1つ
は常に水素とは異なる、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物、C)場合により
更に、(A+B)のジハロゲン化芳香族化合物の和を基
準として0.01−5モル%の、式CIり Ar”Xp (II) 式中、 Ar“は、芳香族C# −CI 4基又は5−14個の
環原子を持ち、3個までの環C[子がNSO又はSなど
のへテロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xli塩素又は臭素などのハロゲンヲ表シ、pは数3又
は4を表す、 のトリー及びテトラハロゲン化芳香族化合物、及び D)式(III)、 nは、数1−100表す、 に相当するポリエーテルエーテルケトンブロック、から
製造されたブロックコポリアリーレンスルフィド。
を表し、そして、互いにオルト位置にあるR1により表
された2個の基は相互に結合して芳香族環又はN%O又
はSなどのへテロ原子を3fiまで含有する複素環を形
成していてもよく、モしてR1により表された基の1つ
は常に水素とは異なる、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物、C)場合により
更に、(A+B)のジハロゲン化芳香族化合物の和を基
準として0.01−5モル%の、式CIり Ar”Xp (II) 式中、 Ar“は、芳香族C# −CI 4基又は5−14個の
環原子を持ち、3個までの環C[子がNSO又はSなど
のへテロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xli塩素又は臭素などのハロゲンヲ表シ、pは数3又
は4を表す、 のトリー及びテトラハロゲン化芳香族化合物、及び D)式(III)、 nは、数1−100表す、 に相当するポリエーテルエーテルケトンブロック、から
製造されたブロックコポリアリーレンスルフィド。
2、 式(III)のZが、随意に分岐していてもよい
C,−C,−アルキリデン基又は随意に分岐していても
よいCs−C*。−シクロアルキリデン基、例えば、式
(I[[a)、 (III) 式中、 Yは、F、CI又はBrなどのハロゲンを表し、R1、
R”、R”及びR’は、相互s: 独立s:、式(It
)でR1及びR″により表わされた基を表し、Zは、単
結合、随意に分岐していてもよい01C1!−アルキリ
デン基、随意に分岐していてもよいC、−C、。−シク
ロアルキリデン基、酸素、硫黄、5O1SO8又はCO
を表し、そしてR皇は式(II)で示された意味を有し
、 pは、数!又は0を表し、 式中、 R%、R@、R’及びR”は、相互ニ独立ニ、水素又は
Cr −C4−アルキル基を表し、qは、数0.1,2
又は3を表す、 に相当する基、S又はS02を表す上記lに記載のブロ
ックコポリアリーレンスルフィド。
C,−C,−アルキリデン基又は随意に分岐していても
よいCs−C*。−シクロアルキリデン基、例えば、式
(I[[a)、 (III) 式中、 Yは、F、CI又はBrなどのハロゲンを表し、R1、
R”、R”及びR’は、相互s: 独立s:、式(It
)でR1及びR″により表わされた基を表し、Zは、単
結合、随意に分岐していてもよい01C1!−アルキリ
デン基、随意に分岐していてもよいC、−C、。−シク
ロアルキリデン基、酸素、硫黄、5O1SO8又はCO
を表し、そしてR皇は式(II)で示された意味を有し
、 pは、数!又は0を表し、 式中、 R%、R@、R’及びR”は、相互ニ独立ニ、水素又は
Cr −C4−アルキル基を表し、qは、数0.1,2
又は3を表す、 に相当する基、S又はS02を表す上記lに記載のブロ
ックコポリアリーレンスルフィド。
3、A) A)+B)の和を基準として50−100
重量%の、式(I) 式中、 Xは、互いにメタ位置又はバラ位置にある塩素又は臭素
などのハロゲンを表す、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物、及びB) A
)+B)の和を基準として0−50重量%の、 式(II)、 式中、 Xは前記したとおりであり、 R1及びR2は、同一であるか又は相異なり、水素、C
,−C,−アルキル、C!−C10−シクロアルキル、
C,−C,。−アリール、C1−Cl@−アルキルアリ
ール又はC7Cl4−アリールアルキルを表し、そして
、互いにオルト位置にあるR1により表された2側の基
は相互に結合して芳香族環又はN、O又はSなどのへテ
ロ原子を3個まで含有する複素環を形成していてもよく
、モしてR1により表された基の1つは常に水素とは異
なる、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物、及びC) 場合
により更に、(A+B)のジハロゲン化芳香族化合物の
和を基準として0.01−5モル%の、式(II) AどXp (ff) 式中、 Ar”は、芳香族C@CI4基又は5−14個の環原子
を持ち、3個までの環C原子がN、0又はSなどのへテ
ロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xは塩素又は臭素などのハロゲンを表し、pは数3又は
4を表す、 のトリー及びテトラハロゲン化芳香族化合物を、水酸化
ナトリウム又は水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸
化物0−1O%とアルカリ土属硫化2水素又はその混合
物0−0.5モルと一緒の、アルカリ金属硫化物又はそ
の混合物などの硫黄供給体0.5−1.25モル、その
際ジハロゲン化芳香族化合物対アルカリ金属硫化物のモ
ル比を0゜75:l乃至1.25:1の範囲とすること
ができる、及び、 前記ジハロゲン化芳香族化合物の和を基準としてO−5
モル%の、式(IV) ArXn (IV) 式中、 Arは、芳香族Cg−CI4基又は5−14個の環原子
を持ち、3個までの環C原子がN、O又はSなどのへテ
ロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xは塩素又は臭素などのハロゲンを表し、nは数3又は
4を表す、 に相当するトリー、ジー及びテトラハロゲン化化合物、
好ましくは、トリー、ジー及びテトラハロゲン化ベンゼ
ン、及び 式(IF)、 (I[[) 式中、 Yは、F、CI又はBrなどのハロゲンを表し、R1,
R1、R3及びR4は、相互に独立に、式(n)でR1
又はR2により表わされた基を表し、2は、単結合、随
意に分岐していてもよいC1−01□−アルキリデン基
、随意に分岐していてもよいC、−C、。−シクロアル
キリデン基、酸素、硫黄、5O1SO,又はCOを表し
、R1は式(IF)でR1について示された意味を有し
、 pは、数1又は0を表し、 nは、数1−1oo表す、 に相当するポリエーテルエーテルケトンブロックと反応
させ、その際この反応を随意に連鎖調節剤の存在下に行
ってもよいことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のポリアリーレンスルフィドブロックコポリマーの製造
方法。
重量%の、式(I) 式中、 Xは、互いにメタ位置又はバラ位置にある塩素又は臭素
などのハロゲンを表す、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物、及びB) A
)+B)の和を基準として0−50重量%の、 式(II)、 式中、 Xは前記したとおりであり、 R1及びR2は、同一であるか又は相異なり、水素、C
,−C,−アルキル、C!−C10−シクロアルキル、
C,−C,。−アリール、C1−Cl@−アルキルアリ
ール又はC7Cl4−アリールアルキルを表し、そして
、互いにオルト位置にあるR1により表された2側の基
は相互に結合して芳香族環又はN、O又はSなどのへテ
ロ原子を3個まで含有する複素環を形成していてもよく
、モしてR1により表された基の1つは常に水素とは異
なる、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物、及びC) 場合
により更に、(A+B)のジハロゲン化芳香族化合物の
和を基準として0.01−5モル%の、式(II) AどXp (ff) 式中、 Ar”は、芳香族C@CI4基又は5−14個の環原子
を持ち、3個までの環C原子がN、0又はSなどのへテ
ロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xは塩素又は臭素などのハロゲンを表し、pは数3又は
4を表す、 のトリー及びテトラハロゲン化芳香族化合物を、水酸化
ナトリウム又は水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸
化物0−1O%とアルカリ土属硫化2水素又はその混合
物0−0.5モルと一緒の、アルカリ金属硫化物又はそ
の混合物などの硫黄供給体0.5−1.25モル、その
際ジハロゲン化芳香族化合物対アルカリ金属硫化物のモ
ル比を0゜75:l乃至1.25:1の範囲とすること
ができる、及び、 前記ジハロゲン化芳香族化合物の和を基準としてO−5
モル%の、式(IV) ArXn (IV) 式中、 Arは、芳香族Cg−CI4基又は5−14個の環原子
を持ち、3個までの環C原子がN、O又はSなどのへテ
ロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xは塩素又は臭素などのハロゲンを表し、nは数3又は
4を表す、 に相当するトリー、ジー及びテトラハロゲン化化合物、
好ましくは、トリー、ジー及びテトラハロゲン化ベンゼ
ン、及び 式(IF)、 (I[[) 式中、 Yは、F、CI又はBrなどのハロゲンを表し、R1,
R1、R3及びR4は、相互に独立に、式(n)でR1
又はR2により表わされた基を表し、2は、単結合、随
意に分岐していてもよいC1−01□−アルキリデン基
、随意に分岐していてもよいC、−C、。−シクロアル
キリデン基、酸素、硫黄、5O1SO,又はCOを表し
、R1は式(IF)でR1について示された意味を有し
、 pは、数1又は0を表し、 nは、数1−1oo表す、 に相当するポリエーテルエーテルケトンブロックと反応
させ、その際この反応を随意に連鎖調節剤の存在下に行
ってもよいことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のポリアリーレンスルフィドブロックコポリマーの製造
方法。
4、成形品を製造するだめの上記lに記載のブロックフ
ポリアリーレンスルフィドの使用。
ポリアリーレンスルフィドの使用。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、A)、A)とB)の和を基準として50−100重
量%の、式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 式中、 Xは、互いにメタ位置又はパラ位置にある塩素又は臭素
などのハロゲンを表す、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物、及びB)、A)
とB)の和を基準として0−50重量%の、式(II)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 式中、 Xは前記したとおりであり、 R^1及びR^2は、同一であるか又は相異なり、水素
、C_1−C_4−アルキル、C_5−C_1_0−シ
クロアルキル、C_6−C_1_0−アリール、C_7
−C_1_0−アルキルアリール又はC_7−C_1_
4−アリールアルキルを表し、そして、互いにオルト位
置にあるR^1により表された2個の基は相互に結合し
て芳香族環又はN、O又はSなどのヘテロ原子を3個ま
で含有する複素環を形成していてもよく、そしてR^1
により表された基の1つは常に水素とは異なる、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物と、 C)場合により更に、(A+B)のジハロゲン化芳香族
化合物の和を基準として0.01−5モル%の、式(I
X) Ar″Xp(IX) 式中、 Ar″は、芳香族C_6−C_1_4基又は5−14個
の環原子を持ち、3個までの環C原子がN、O又はSな
どのヘテロ原子で代替されていてもよい複素環基であり
、 Xは塩素又は臭素などのハロゲンを表し、 pは数3又は4を表す、 のトリ−及びテトラハロゲン化芳香族化合物、及び D)式(III)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 式中、 Yは、F、Cl又はBrなどのハロゲンを表し、R^1
、R^2、R^3及びR^4は、相互に独立に、式(I
I)でR^1及びR^2により表された基、好ましくは
H又はメチルを表し、 Zは、単結合、随意に分岐していてもよい C_1−C_1_2−アルキリデン基、随意に分岐して
いてもよいC_5−C_2_0−シクロアルキリデン基
、酸素、硫黄、SO、SO_2又はCOを表し、そして
R^1は式(II)で示された意味を有し、pは、数1又
は0を表し、 nは、数1−100表す、 に相当するポリエーテルエーテルケトンブロック、から
製造されたブロックコポリアリーレンスルフィド。 2、A)A)+B)の和を基準として50−100重量
%の、式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 式中、 Xは、互いにメタ位置又はパラ位置にある塩素又は臭素
などのハロゲンを表す、 に相当するジハロゲン化芳香族化合物、及びB)A)+
B)の和を基準として0−50重量%の、 式(II)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 式中、 Xは前記したとおりであり、 R^1及びR^2は、同一であるか又は相異なり、水素
、C_1−C_4−アルキル、C_5−C_1_0−シ
クロアルキル、C_6−C_1_0−アリール、C_7
−C_1_0−アルキルアリール又はC_7−C_1_
4−アリールアルキルを表し、そして、互いにオルト位
置にあるR^1により表された2個の基は相互に結合し
て芳香族環又はN、O又はSなどのヘテロ原子を3個ま
で含有する複素環を形成していてもよく、そしてR^1
により表された基の1つは常に水素とは異なる、に相当
するジハロゲン化芳香族化合物、及びC)場合により更
に、(A+B)のジハロゲン化芳香族化合物の和を基準
として0.01−5モル%の、式(IX) Ar″Xp(IX) 式中、 Ar″は、芳香族C_6−C_1_4基又は5−14個
の環原子を持ち、3個までの環C原子がN、O又はSな
どのヘテロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xは塩素又は臭素などのハロゲンを表し、 pは数3又は4を表す、 のトリ−及びテトラハロゲン化芳香族化合物を、水酸化
ナトリウム又は水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸
化物0−10%とアルカリ金属硫化水素又はその混合物
0−0.5モルと一緒の、アルカリ金属硫化物又はその
混合物などの硫黄供給体0.5−1.25モル、その際
ジハロゲン化芳香族化合物対アルカリ金属硫化物のモル
比を0.75:1乃至1.25:1の範囲とすることが
できる、及び、 前記ジハロゲン化芳香族化合物の和を基準として0−5
モル%の、式(IV) ArXn(IV) 式中、 Arは、芳香族C_6−C_1_4基又は5−14個の
環原子を持ち、3個までの環C原子がN、O又はSなど
のヘテロ原子で代替されていてもよい複素環であり、 Xは塩素又は臭素などのハロゲンを表し、 nは数3又は4を表す、 に相当するトリ−、ジ−及びテトラハロゲン化化合物、
好ましくはトリ−、ジ−及びテトラハロゲン化ベンゼン
、及び 式(III)、 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 式中、 Yは、F、Cl又はBrなどのハロゲンを表し、R^1
、R^2、R^3及びR^4は、相互に独立に、式(I
I)でR^1又はR^2により表された基を表し、Zは
、単結合、随意に分岐していてもよい C_1−C_1_2−アルキリデン基、随意に分岐して
いてもよいC_5−C_2_0−シクロアルキリデン基
、酸素、硫黄、SO、SO_2又はCOを表し、R^1
は式(II)もR^1について示された意味を有し、pは
、数1又は0を表し、 nは、数1−100表す、 に相当するポリエーテルエーテルケトンブロックと反応
させ、その際この反応を随意に連鎖調節剤の存在下に行
ってもよいことを特徴とする、特許請求の範囲第1項記
載のポリアリーレンスルフィドブロックコポリマーの製
造方法。 3、成形品を製造するための特許請求の範囲第1項記載
のブロックコポリアリーレンスルフィドの使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3900916.5 | 1989-01-13 | ||
DE3900916A DE3900916A1 (de) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | Polyetherketon-polyarylensulfid-blockcopolymere |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02228325A true JPH02228325A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=6372054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003687A Pending JPH02228325A (ja) | 1989-01-13 | 1990-01-12 | ポリエーテルエーテルケトン―ポリアリ―レンスルフイドブロツクコポリマー |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0381867A3 (ja) |
JP (1) | JPH02228325A (ja) |
DE (1) | DE3900916A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014136448A1 (ja) | 2013-03-06 | 2014-09-12 | 東レ株式会社 | ブロック共重合体およびその製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1060492C (zh) * | 1996-12-30 | 2001-01-10 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 聚芳醚酮/聚苯硫醚合金材料的制备 |
CN111670209B (zh) | 2018-01-31 | 2023-05-12 | 东丽株式会社 | 聚芳撑硫醚共聚物及其制造方法 |
CN117534838A (zh) * | 2023-10-17 | 2024-02-09 | 德阳科吉高新材料有限责任公司 | 一种改性聚苯硫醚及其合成方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4678831A (en) * | 1985-03-30 | 1987-07-07 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Block copolymers and resin compositions |
-
1989
- 1989-01-13 DE DE3900916A patent/DE3900916A1/de not_active Withdrawn
- 1989-12-30 EP EP19890124168 patent/EP0381867A3/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-01-12 JP JP2003687A patent/JPH02228325A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014136448A1 (ja) | 2013-03-06 | 2014-09-12 | 東レ株式会社 | ブロック共重合体およびその製造方法 |
CN105008427A (zh) * | 2013-03-06 | 2015-10-28 | 东丽株式会社 | 嵌段共聚物及其制造方法 |
JPWO2014136448A1 (ja) * | 2013-03-06 | 2017-02-09 | 東レ株式会社 | ブロック共重合体およびその製造方法 |
US9718928B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-08-01 | Toray Industries, Inc. | Block copolymer and production method of the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0381867A3 (de) | 1991-07-03 |
EP0381867A2 (de) | 1990-08-16 |
DE3900916A1 (de) | 1990-07-19 |
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