JPH02222591A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH02222591A JPH02222591A JP4455889A JP4455889A JPH02222591A JP H02222591 A JPH02222591 A JP H02222591A JP 4455889 A JP4455889 A JP 4455889A JP 4455889 A JP4455889 A JP 4455889A JP H02222591 A JPH02222591 A JP H02222591A
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- Japan
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザに関するものである。
従来の高出力用半導体レーザとして第２図に示すような
ウィンドウ形半導体レーザがある。この半導体レーザは
、活性層２３と反射端面２４との間に活性層で発生した
レーザ光に対して透明なウィンドウ領域２５があり、ウ
ィンドウ領域での光の吸収が少ないために出射光による
端面破壊が起こりにくく大きな出力を得る事ができる（
ジャーナル・オブ・カンタム・エレクトロニクス（Ｊｏ
ｕｎａｌ ｏｆ Ｑｕｎａｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ）。
ウィンドウ形半導体レーザがある。この半導体レーザは
、活性層２３と反射端面２４との間に活性層で発生した
レーザ光に対して透明なウィンドウ領域２５があり、ウ
ィンドウ領域での光の吸収が少ないために出射光による
端面破壊が起こりにくく大きな出力を得る事ができる（
ジャーナル・オブ・カンタム・エレクトロニクス（Ｊｏ
ｕｎａｌ ｏｆ Ｑｕｎａｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ）。
しかしながら、ウィンドウ領域２５の形成は埋込み成長
や、不純物拡散で作製しなければならず、工程が複雑で
あり、再現性良く作製するのがむずかしいという欠点を
有していた。このような問題点を解決し、ウィンドウ構
造の半導体レーザを再現性良く、簡単に作製できるよう
にすることは半導体レーザの高出力化を計る上で重要な
課題である。
や、不純物拡散で作製しなければならず、工程が複雑で
あり、再現性良く作製するのがむずかしいという欠点を
有していた。このような問題点を解決し、ウィンドウ構
造の半導体レーザを再現性良く、簡単に作製できるよう
にすることは半導体レーザの高出力化を計る上で重要な
課題である。
前述の問題点を解決するために本発明が提供する手段は
、主たる発光領域である量子井戸層を含む多層積層構造
と、共振器を形成するための一対の反射端面を有し、前
記量子井戸層と前記反射端面との間に、前記量子井戸層
と斜めに交わり、前記量子井戸層に比べ井戸層が狭く禁
制帯幅が前記量子井戸層の禁制帯幅より大きい量子井戸
からなる端面量子井戸領域を有する事を特徴とする半導
体レーザである。
、主たる発光領域である量子井戸層を含む多層積層構造
と、共振器を形成するための一対の反射端面を有し、前
記量子井戸層と前記反射端面との間に、前記量子井戸層
と斜めに交わり、前記量子井戸層に比べ井戸層が狭く禁
制帯幅が前記量子井戸層の禁制帯幅より大きい量子井戸
からなる端面量子井戸領域を有する事を特徴とする半導
体レーザである。
上述の半導体レーザでは、端面量子井戸領域の禁制帯幅
が発光波長に比べ大きいため、反射端面での光の吸収が
少なく、高い出力まで安定な動作ができる。また、端面
量子井戸領域の禁制帯幅を大きくするためには、量子井
戸幅を狭くすればよいが、上述の半導体レーザでは発光
領域である量子井戸層と端面量子井戸領域の量子井戸面
が斜めに交わるため、分子線エピタキシャル法などを用
いて、角度による成長速度の違いを利用する事により容
易に発光領域の量子井戸層と端面量子井戸領域を形成す
る事ができる。
が発光波長に比べ大きいため、反射端面での光の吸収が
少なく、高い出力まで安定な動作ができる。また、端面
量子井戸領域の禁制帯幅を大きくするためには、量子井
戸幅を狭くすればよいが、上述の半導体レーザでは発光
領域である量子井戸層と端面量子井戸領域の量子井戸面
が斜めに交わるため、分子線エピタキシャル法などを用
いて、角度による成長速度の違いを利用する事により容
易に発光領域の量子井戸層と端面量子井戸領域を形成す
る事ができる。
〔実施例〕
次に図面を参照して本発明の実施例について説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
エツチングにより４５°の角度を持つ斜面１１を形成し
たＧａＡｓからなる基板１０上にｎ形ＡＪＯ，７ｃａｏ
、、Ａｓからなるｎ形りラッド層１２（厚１μｍ） 、
ＡＩｔｏ、ｚ Ｇａ０１ｇ Ａｓよりなる光ガイド層１
３．１６、ＧａＡｓよりなる量子井戸層１４（厚さ８０
人）、端面量子井戸領域１５（厚さ５６人）ｐ形Ａ Ｊ
６．７ ’Ｇ ａ ｏ、 ３Ａ Ｓからなるｐ形りラ
ッド層１７（厚さ１μｍ）、ｐ形ＧａＡｓよりなるキャ
ップ層１８を分子線エピタキシ（Ｍｆ３Ｅ）法により結
晶成長したのち、ドライエツチングにより反射端面１９
を形成し、最後に５ｉ０２膜２０．ｐ電極２１．ｎ電極
２２を形成した。
たＧａＡｓからなる基板１０上にｎ形ＡＪＯ，７ｃａｏ
、、Ａｓからなるｎ形りラッド層１２（厚１μｍ） 、
ＡＩｔｏ、ｚ Ｇａ０１ｇ Ａｓよりなる光ガイド層１
３．１６、ＧａＡｓよりなる量子井戸層１４（厚さ８０
人）、端面量子井戸領域１５（厚さ５６人）ｐ形Ａ Ｊ
６．７ ’Ｇ ａ ｏ、 ３Ａ Ｓからなるｐ形りラ
ッド層１７（厚さ１μｍ）、ｐ形ＧａＡｓよりなるキャ
ップ層１８を分子線エピタキシ（Ｍｆ３Ｅ）法により結
晶成長したのち、ドライエツチングにより反射端面１９
を形成し、最後に５ｉ０２膜２０．ｐ電極２１．ｎ電極
２２を形成した。
量子井戸層１４と端面量子井戸領域１５は同時に形成し
たがＭＢＥ法では面の角度により成長速度が異なるため
、量子井戸層１４の井戸幅が８０人で禁制帯幅が１．４
７ｅＶであるのに対し、端面量子井戸領域１５の井戸幅
は５６人で禁制帯幅は１．４９ｅＶと大きい。
たがＭＢＥ法では面の角度により成長速度が異なるため
、量子井戸層１４の井戸幅が８０人で禁制帯幅が１．４
７ｅＶであるのに対し、端面量子井戸領域１５の井戸幅
は５６人で禁制帯幅は１．４９ｅＶと大きい。
このため量子井戸層１４からの発光は端面量子井戸領域
１５で吸収される事なく反射端面１９から外部へ放射す
る。反射端面１９で光が吸収されないため１００ｍＷの
出力まで安定に動作した。
１５で吸収される事なく反射端面１９から外部へ放射す
る。反射端面１９で光が吸収されないため１００ｍＷの
出力まで安定に動作した。
また、−度の結晶成長により端面量子井戸領域１５も同
時に形成してしまうため、製作が非常に容易であり再現
良く高出力な半導体レーザを作る事ができた。
時に形成してしまうため、製作が非常に容易であり再現
良く高出力な半導体レーザを作る事ができた。
上述の実施例ではＡＪＧａＡｓ’系半導体材料全半導体
材料れに限らず他の半導体材料を用いても良い。
材料れに限らず他の半導体材料を用いても良い。
上述のよう−に本発明により、高出力な半導体レーザが
容易に再現性良く得られるようになった。
容易に再現性良く得られるようになった。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は従来
のウィンドウ形半導体レーザの断面図である。
のウィンドウ形半導体レーザの断面図である。
１０・・・基板、１１・・・斜面、１２・・・ｎ形りラ
ッド層、１３．１６・・・光ガイド層、１４・・・量子
井戸層、１５・・・端面量子井戸領域、１７・・・ｐ形
りラッド層、１８・・・キャップ層、１９・・・反射端
面、２０・・・５ｉ０２膜、２１・・・ｐ電極、２２・
・・ｎ電極、２３・・・活性層、２４・・・反射端面、
２５・・・ウィンドウ領域。
ッド層、１３．１６・・・光ガイド層、１４・・・量子
井戸層、１５・・・端面量子井戸領域、１７・・・ｐ形
りラッド層、１８・・・キャップ層、１９・・・反射端
面、２０・・・５ｉ０２膜、２１・・・ｐ電極、２２・
・・ｎ電極、２３・・・活性層、２４・・・反射端面、
２５・・・ウィンドウ領域。
Claims (1)
- 主たる発光領域である量子井戸層を含む多層積層構造と
、共振器を形成するための一対の反射端面を有し、前記
量子井戸層と前記反射端面との間に、前記量子井戸層と
斜めに交わり、前記量子井戸層に比べ井戸層が狭く禁制
帯幅が前記量子井戸層の禁制帯幅より大きい量子井戸か
らなる端面量子井戸領域を有する事を特徴とする半導体
レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044558A JP2780307B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044558A JP2780307B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222591A true JPH02222591A (ja) | 1990-09-05 |
| JP2780307B2 JP2780307B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=12694829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1044558A Expired - Lifetime JP2780307B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2780307B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622686A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS627185A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザの製造法 |
| JPS6246585A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Nec Corp | 高出力半導体レ−ザ |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1044558A patent/JP2780307B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622686A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS627185A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザの製造法 |
| JPS6246585A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Nec Corp | 高出力半導体レ−ザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2780307B2 (ja) | 1998-07-30 |
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