JPH02218768A - 改良された導電性組成物及びその製造方法 - Google Patents
改良された導電性組成物及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、酸化錫が主として結晶であるアンチモン含有
酸化錫を包含し、組成物がシリカ又はシリカ含有物質、
例えばシリケートと独特の関係で存在する改良された導
電性組成物に関する。特に、本発明は、無定形シリカ又
はシリカ含有物質の薄い表面層を有する数十ミクロンな
いしサブミクロンの大きさの粒子を包含し、該物質がア
ンチモン含有酸化錫結晶子のネットワークを包含する薄
被覆層を有する改良された導電性粉末組成物、及び該組
成物の製造方法に関する。
酸化錫を包含し、組成物がシリカ又はシリカ含有物質、
例えばシリケートと独特の関係で存在する改良された導
電性組成物に関する。特に、本発明は、無定形シリカ又
はシリカ含有物質の薄い表面層を有する数十ミクロンな
いしサブミクロンの大きさの粒子を包含し、該物質がア
ンチモン含有酸化錫結晶子のネットワークを包含する薄
被覆層を有する改良された導電性粉末組成物、及び該組
成物の製造方法に関する。
[従来の技術]
米国特許第4.373,013号及び第4,452.8
30号明細書には、核としての酸化チタン粒子と該酸化
チタン粒子の表面上のアンチモン含有酸化錫の被膜を包
含する構造を有する導電性粉末の製造方法が記載されて
いる。該粉末は酸化チタン粒子の水性懸濁液と加水分解
可能錫塩及び加水分解可能アンチモン塩を含有する溶液
とを混合して製造される。
30号明細書には、核としての酸化チタン粒子と該酸化
チタン粒子の表面上のアンチモン含有酸化錫の被膜を包
含する構造を有する導電性粉末の製造方法が記載されて
いる。該粉末は酸化チタン粒子の水性懸濁液と加水分解
可能錫塩及び加水分解可能アンチモン塩を含有する溶液
とを混合して製造される。
該酸化チタン粒子はアンチモン含・有酸化錫で被覆され
、濾過で回収できる。
、濾過で回収できる。
文献[Journal of Materials 5
c1ence、21(198B)、pp2731−27
34 ]には、ガラス基体上での2−エチルへキサン酸
錫の熱分解でアンチモンでドープしたSnO2フィルム
の製造が記載されている。試薬級の2−エチルヘキサン
酸錫及びアンチモントリプトキサイドがそれぞれ錫及び
アンチモン源として用いられ、基体へのフィルムの適用
は、基体を有機金属化合物を含むアル1〜溶液に浸漬し
た後、適用溶液を乾燥して行われる。用いられる基体は
、ソーダーライムガラスで、予め有機金属化合物の熱分
解でTiO2,5in2又は5n02(8重量%のSb
を伴う)の約30ni層で被覆されたものであった。基
体が5in2で予め被覆された生成フィルムの抵抗は、
未被覆ガラス基体上のアンチモンドープ酸化錫フィルム
の抵抗の1/30であった。然し、製造されたフィルム
の範囲において、他の方法、例えば噴霧、化学蒸着で得
られるフィルムに比べて電気特性は多少劣ることが認め
られた。
c1ence、21(198B)、pp2731−27
34 ]には、ガラス基体上での2−エチルへキサン酸
錫の熱分解でアンチモンでドープしたSnO2フィルム
の製造が記載されている。試薬級の2−エチルヘキサン
酸錫及びアンチモントリプトキサイドがそれぞれ錫及び
アンチモン源として用いられ、基体へのフィルムの適用
は、基体を有機金属化合物を含むアル1〜溶液に浸漬し
た後、適用溶液を乾燥して行われる。用いられる基体は
、ソーダーライムガラスで、予め有機金属化合物の熱分
解でTiO2,5in2又は5n02(8重量%のSb
を伴う)の約30ni層で被覆されたものであった。基
体が5in2で予め被覆された生成フィルムの抵抗は、
未被覆ガラス基体上のアンチモンドープ酸化錫フィルム
の抵抗の1/30であった。然し、製造されたフィルム
の範囲において、他の方法、例えば噴霧、化学蒸着で得
られるフィルムに比べて電気特性は多少劣ることが認め
られた。
日本特許昭83[1988]−20342号公報には、
酸化錫/酸化アンチモン混合物で被覆する微細導電性マ
イカ粒子の製造方法が記−載されている。この被覆はマ
イカを四塩化錫、三塩化アンチモン、及びヒドロキシ含
有低分子量脂肪酸で処理して行われる。
酸化錫/酸化アンチモン混合物で被覆する微細導電性マ
イカ粒子の製造方法が記−載されている。この被覆はマ
イカを四塩化錫、三塩化アンチモン、及びヒドロキシ含
有低分子量脂肪酸で処理して行われる。
薄いフィルム、例えば重合体フィルム、磁気記録テープ
、ワーク表面、及び塗料に導電特性を付与することがで
きる組成物は、必ずしも経済的に魅力的ではないし、所
定の応用に信頼性もない。
、ワーク表面、及び塗料に導電特性を付与することがで
きる組成物は、必ずしも経済的に魅力的ではないし、所
定の応用に信頼性もない。
導電性組成物、例えば粉末で、例えば塗料の導電性顔料
として現在利用できるものは多くの欠点を有している。
として現在利用できるものは多くの欠点を有している。
導電性を付与するのにカーボンブラックが用いられるが
、これは塗料の色を黒、暗灰色及び近接関連色に限られ
る。先行技術の方法でアンチモンドープ酸化錫で被覆し
た二酸化チタン粉末は、最小限受容できる表面伝導性を
達成するためには通常高い顔料/バインダ比、例えば2
00/100を必要とする。このような高い顔料充填は
高価であり、色範囲及び生成塗料の透明性を極めて明る
い色調及びパステルに限定する。アンチモンドープ酸化
錫の単なる粉末も用い得るが、高価で色の限定も好まし
くない。
、これは塗料の色を黒、暗灰色及び近接関連色に限られ
る。先行技術の方法でアンチモンドープ酸化錫で被覆し
た二酸化チタン粉末は、最小限受容できる表面伝導性を
達成するためには通常高い顔料/バインダ比、例えば2
00/100を必要とする。このような高い顔料充填は
高価であり、色範囲及び生成塗料の透明性を極めて明る
い色調及びパステルに限定する。アンチモンドープ酸化
錫の単なる粉末も用い得るが、高価で色の限定も好まし
くない。
マイカ粉末は、粒子をアンチモンドープ酸化錫で直接被
覆して導電性にできるが、マイカの表面に対する錫及び
アンチモン中間体の親和性が乏しいため、この粉末の製
造は高価で困難である。有機複合化剤及び/又は有機溶
剤を典型的に用いてマイカ表面に対する錫及びアンチモ
ン中間体の反応を促進する。これらの添加剤を用いても
、錫及びアンチモンの重要部分は溶液中又は遊離の粒子
として残る。これは粉末の有効導電性を減少し、コスト
を増大させる。錫及びアンチモン値の重要量が被覆粒子
を反応媒体から回収する際に失われるからである。更に
、溶液中に残る錫及びアンチモン値は残存する廃溶液を
放出する前に除かなければならない。最後に、アンチモ
ンドープ酸化錫層はマイカに僅かしか結合しないことが
見出だされ、後の処理、例えば粉砕中、又は塗料処方又
はポリエステルフィルムのように重合体ビヒクル中への
配合の間に脱ラミネートすることがある。
覆して導電性にできるが、マイカの表面に対する錫及び
アンチモン中間体の親和性が乏しいため、この粉末の製
造は高価で困難である。有機複合化剤及び/又は有機溶
剤を典型的に用いてマイカ表面に対する錫及びアンチモ
ン中間体の反応を促進する。これらの添加剤を用いても
、錫及びアンチモンの重要部分は溶液中又は遊離の粒子
として残る。これは粉末の有効導電性を減少し、コスト
を増大させる。錫及びアンチモン値の重要量が被覆粒子
を反応媒体から回収する際に失われるからである。更に
、溶液中に残る錫及びアンチモン値は残存する廃溶液を
放出する前に除かなければならない。最後に、アンチモ
ンドープ酸化錫層はマイカに僅かしか結合しないことが
見出だされ、後の処理、例えば粉砕中、又は塗料処方又
はポリエステルフィルムのように重合体ビヒクル中への
配合の間に脱ラミネートすることがある。
[発明の概要]
本発明は、無定形シリカ又はシリカ含有物質と独特の関
係[assoclation ]で存在するアンチモン
含有酸化錫の結晶子の二次元ネットワークを包含する導
電性組成物である。アンチモン含有酸化錫はシリカ又は
シリカ含有物質の表面に密に詰まった結晶子(crys
tallftes)の二次元ネットワークを形成する。
係[assoclation ]で存在するアンチモン
含有酸化錫の結晶子の二次元ネットワークを包含する導
電性組成物である。アンチモン含有酸化錫はシリカ又は
シリカ含有物質の表面に密に詰まった結晶子(crys
tallftes)の二次元ネットワークを形成する。
シリカ又はシリカ含有物質は基体であり、ネットワーク
は結晶子が隣接結晶子に電気的導電路を形成する結晶子
の一般的に均一な層を包含する。酸化錫結晶子の層は典
型的には約5〜20rvの厚さであるが、酸化錫層の厚
みの典型的には10〜10,000倍の大きさである主
要面積の粒子の表面を被覆する。従って、結晶子は二次
元で連続導電層の部分である。
は結晶子が隣接結晶子に電気的導電路を形成する結晶子
の一般的に均一な層を包含する。酸化錫結晶子の層は典
型的には約5〜20rvの厚さであるが、酸化錫層の厚
みの典型的には10〜10,000倍の大きさである主
要面積の粒子の表面を被覆する。従って、結晶子は二次
元で連続導電層の部分である。
シリカ基体は実質的に任意の形状であり得る。
フレーク又は中空シェルの形状で1.シリカ基体の片側
にのみ二次元ネットワークが形成される場合には、満足
できる結果が達成される。然しなから、一般には、シリ
カ基体の露出面の実質的に全てが結晶子で被覆される場
合に最も良い結果が得られる。
にのみ二次元ネットワークが形成される場合には、満足
できる結果が達成される。然しなから、一般には、シリ
カ基体の露出面の実質的に全てが結晶子で被覆される場
合に最も良い結果が得られる。
本発明の一面によると、該組成物はアンチモン含有酸化
錫[5nOz (Sb)]結晶子の二次元ネットワー
クで被覆された無定形シリカの成形粒子[5haped
partieleslを包含する粉末である。
錫[5nOz (Sb)]結晶子の二次元ネットワー
クで被覆された無定形シリカの成形粒子[5haped
partieleslを包含する粉末である。
仕上げ[f’1njshed1粒子は、典型的には大き
さが数十ミクロンないしサブミクロンであり、したがっ
て、塗料フィルム内のような薄いフィルムのマトリック
ス内に導電性ネットワークを形成することができる。無
定形シリカの成形粒子は、針状、小板状[platel
ets ] 、、球状、樹枝状[dendritiC]
構造または不規則粒子の形態であることができる。これ
らは、アンチモン含有酸化錫の沈着に広範な表面を提供
する。
さが数十ミクロンないしサブミクロンであり、したがっ
て、塗料フィルム内のような薄いフィルムのマトリック
ス内に導電性ネットワークを形成することができる。無
定形シリカの成形粒子は、針状、小板状[platel
ets ] 、、球状、樹枝状[dendritiC]
構造または不規則粒子の形態であることができる。これ
らは、アンチモン含有酸化錫の沈着に広範な表面を提供
する。
好ましい態様において、無定形シリカ粉末は厚みが約2
0nm未満の薄いシェル又は小板を包含する。この粉末
はビヒクルに分散すると、一般に透明で、塗料内の顔料
成分としてその存在は色及び関連特性にほとんど影響を
及ぼさない。
0nm未満の薄いシェル又は小板を包含する。この粉末
はビヒクルに分散すると、一般に透明で、塗料内の顔料
成分としてその存在は色及び関連特性にほとんど影響を
及ぼさない。
本発明の他の態様では、組成物は成形粒子を包含する粉
末で、その各々は無定形シリカの表面被覆層を有する不
活性コア物質を包含する構造を有し、次にアンチモン含
有酸化錫結晶子の二次元ネットワークで被覆されている
。これらの粉末は、有用な成形品を成形する際に伴われ
る剪断応力がそうでなければ中空シェル又は薄フレーク
を包含する導電性粉末を劣化させる場合にプラスチック
及びエラストマーに配合するのに特に有用である。
末で、その各々は無定形シリカの表面被覆層を有する不
活性コア物質を包含する構造を有し、次にアンチモン含
有酸化錫結晶子の二次元ネットワークで被覆されている
。これらの粉末は、有用な成形品を成形する際に伴われ
る剪断応力がそうでなければ中空シェル又は薄フレーク
を包含する導電性粉末を劣化させる場合にプラスチック
及びエラストマーに配合するのに特に有用である。
本発明は、
(a)無定形ヒドロキシル化シリカ又は活性シリカ含有
物質の基体を準備する工程、 (b)アンチモン及び錫の水和[hydrous ]酸
化物から本質的になる被覆を該基体表面に適用する工程
、及び (c)該被覆基体を400〜900℃の範囲の温度で酸
素含有雰囲気において焼成する工程を包含する導電性組
成物の製造方法をも包含するものである。
物質の基体を準備する工程、 (b)アンチモン及び錫の水和[hydrous ]酸
化物から本質的になる被覆を該基体表面に適用する工程
、及び (c)該被覆基体を400〜900℃の範囲の温度で酸
素含有雰囲気において焼成する工程を包含する導電性組
成物の製造方法をも包含するものである。
アンチモン及び錫の水和酸化物の層は、加水分解可能な
Sn及びSb塩の水溶液を約1.5〜約3.5の範囲の
pH1好ましくは2.0のpHでシリカを含有するスラ
リーに添加することによってヒドロキシル化基体表面に
適用する。被覆シリカ基体の焼成は、組成物の個々の粒
子に所望の導電特性を付与するSnO2(Sb)被覆層
の結晶相を完成する。
Sn及びSb塩の水溶液を約1.5〜約3.5の範囲の
pH1好ましくは2.0のpHでシリカを含有するスラ
リーに添加することによってヒドロキシル化基体表面に
適用する。被覆シリカ基体の焼成は、組成物の個々の粒
子に所望の導電特性を付与するSnO2(Sb)被覆層
の結晶相を完成する。
本方法の一面では、無定形ヒドロキシル化シリカ又は活
性シリカ含有物質の基体は、微細に分割された固体コア
物質を活性シリカで被覆した後、該シリカ被覆を不当に
乱すことなくコア物質を除いて調製する。こうして得た
基体は、実質的に半透明でコア物質の一般形状を有する
中空シリカ粒子を包含する。この目的のため、光を反射
しないようにシリカ被覆は充分薄いことが評価される。
性シリカ含有物質の基体は、微細に分割された固体コア
物質を活性シリカで被覆した後、該シリカ被覆を不当に
乱すことなくコア物質を除いて調製する。こうして得た
基体は、実質的に半透明でコア物質の一般形状を有する
中空シリカ粒子を包含する。この目的のため、光を反射
しないようにシリカ被覆は充分薄いことが評価される。
これは通常は約250 nm未満の厚さであることを意
味する。多く、の用途には、約5〜20rvの範囲の厚
みが好ましい。
味する。多く、の用途には、約5〜20rvの範囲の厚
みが好ましい。
活性シリカは、珪酸ナトリウム又は珪酸カリウムの水溶
液を鉱酸、例えば硫酸又は塩酸で徐々に中和して調製す
るのが便宜である。
液を鉱酸、例えば硫酸又は塩酸で徐々に中和して調製す
るのが便宜である。
活性シリカ含有物質は、反応溶液中の活性シリカと共に
他の成分を含む選択されたコア物質に対し被覆として適
用するのが便宜である。例えば、硼酸ナトリウムを珪酸
ナトリウム又はカリウムと共に添加することによって、
シリカ−ボリア被覆が得られる。この被覆は、被覆表面
がヒドロキシル化シリカ官能性を含む限り本発明を実施
する基体として有効である。シリカ含有基体に存在する
他の成分が基体表面にヒドロキシ基を保持することを抑
制する場合には、次のSnO2(Sb)被覆が完全には
接着せず、従って有効ではない。
他の成分を含む選択されたコア物質に対し被覆として適
用するのが便宜である。例えば、硼酸ナトリウムを珪酸
ナトリウム又はカリウムと共に添加することによって、
シリカ−ボリア被覆が得られる。この被覆は、被覆表面
がヒドロキシル化シリカ官能性を含む限り本発明を実施
する基体として有効である。シリカ含有基体に存在する
他の成分が基体表面にヒドロキシ基を保持することを抑
制する場合には、次のSnO2(Sb)被覆が完全には
接着せず、従って有効ではない。
本発明の他の面では、コア物質は、その存在が仕上げ組
成物の所望の最終用途に悪影響を及ぼさない限り、かつ
後の処理の間に安定に止まる限り、無定形シリカ被覆内
にカプセル化していることができる。
成物の所望の最終用途に悪影響を及ぼさない限り、かつ
後の処理の間に安定に止まる限り、無定形シリカ被覆内
にカプセル化していることができる。
好ましい態様では、コアは厚みが250 rv未満のマ
イカ小板である。このタイプの小板は適当なビヒクルに
分散した場合はぼ透明であるが、ビヒクル中の低充填で
導電性を生じる。白雲母(1Iuseovite )は
本発明に用いるマイカの好ましい形態である。
イカ小板である。このタイプの小板は適当なビヒクルに
分散した場合はぼ透明であるが、ビヒクル中の低充填で
導電性を生じる。白雲母(1Iuseovite )は
本発明に用いるマイカの好ましい形態である。
本方法の更に他の態様では、アンチモン及び錫の水和酸
化物の被覆層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷
移金属、及び希土類元素の可溶性化合物から選ばれるグ
レインリファイナ(grainref’tner )又
はグレインリファイナの混合物の存在下でヒドロキシル
化シリカ基体表面に適用される。アルカリ土類塩化物及
び塩化亜鉛が好ましい。
化物の被覆層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷
移金属、及び希土類元素の可溶性化合物から選ばれるグ
レインリファイナ(grainref’tner )又
はグレインリファイナの混合物の存在下でヒドロキシル
化シリカ基体表面に適用される。アルカリ土類塩化物及
び塩化亜鉛が好ましい。
この点で、本発明は、無定形ヒドロキシル化シリカ以外
の基体の表面にアンチモン及び錫の水和酸化物の被覆層
を例えば沈着させて適用することにより調製した導電性
粉末を含む。この場合、沈着は上記のグレインリファイ
ナの約500ppmから約3モルまでの存在下で行われ
る。仕上げ(fin15hed)組成物はグレイン刃フ
ァイナを約10重量%まで含むことができるが、約11
0ppmから1重量%までの濃度が好ましい。
の基体の表面にアンチモン及び錫の水和酸化物の被覆層
を例えば沈着させて適用することにより調製した導電性
粉末を含む。この場合、沈着は上記のグレインリファイ
ナの約500ppmから約3モルまでの存在下で行われ
る。仕上げ(fin15hed)組成物はグレイン刃フ
ァイナを約10重量%まで含むことができるが、約11
0ppmから1重量%までの濃度が好ましい。
好ましい態様における本発明の組成物は、自動車塗装シ
ステム用の塗料処方の顔料として特に有用な粉末を包含
する。本発明の仕上げ粉末は、顔料/バインダ充填比が
15/100又はそれ以下のように低くて塗料フィルム
内に一般に透明な導電性ネットワークを形成することが
できる粒子を包含する。この移送効率は次の被覆、例え
ばトップコートを静電的に適用すると改善できる。本発
明の他の面では、粒子は成形され、好ましくはペンキビ
ヒクル内の一般的に低顔料容積濃度を生じる針状が好ま
しい。
ステム用の塗料処方の顔料として特に有用な粉末を包含
する。本発明の仕上げ粉末は、顔料/バインダ充填比が
15/100又はそれ以下のように低くて塗料フィルム
内に一般に透明な導電性ネットワークを形成することが
できる粒子を包含する。この移送効率は次の被覆、例え
ばトップコートを静電的に適用すると改善できる。本発
明の他の面では、粒子は成形され、好ましくはペンキビ
ヒクル内の一般的に低顔料容積濃度を生じる針状が好ま
しい。
[発明の構成]
本発明は、無定形シリカ又はシリカ含有物質と独特の関
係で存在するアンチモン含有酸化錫の結晶子の二次元ネ
ットワークを包含する組成物である。この組成物は、粒
子の形態で、適用され表面上に薄フィルムとして乾燥す
る溶液又はキャリアマトリックス内の成分として配合さ
れた場合に相互連結[1ntereonnectlng
]導電性ネットワークを独特に形成することができる
。・キャリアマトリックスは、塗料膜、繊維、又は他の
成形物品を含む任意の形態をとることができる。この粒
子は本発明の方法によって達成される無定形シリカ又は
シリカ含有物質とアンチモン含有酸化錫結晶子の二次元
ネットワークの連結(association )を示
す。この方法は次の工程を包含する。
係で存在するアンチモン含有酸化錫の結晶子の二次元ネ
ットワークを包含する組成物である。この組成物は、粒
子の形態で、適用され表面上に薄フィルムとして乾燥す
る溶液又はキャリアマトリックス内の成分として配合さ
れた場合に相互連結[1ntereonnectlng
]導電性ネットワークを独特に形成することができる
。・キャリアマトリックスは、塗料膜、繊維、又は他の
成形物品を含む任意の形態をとることができる。この粒
子は本発明の方法によって達成される無定形シリカ又は
シリカ含有物質とアンチモン含有酸化錫結晶子の二次元
ネットワークの連結(association )を示
す。この方法は次の工程を包含する。
(a)無定形ヒドロキシル化シリカ又は活性シリカ含有
物質の基体を準備する工程、 (b)アンチモン及び錫の水和酸化物から本質的になる
該基体表面に外部導電性被覆層を適用する工程、及び (c)該被覆基体を400〜900℃の範囲の温度で酸
素含有雰囲気下で焼成する工程。
物質の基体を準備する工程、 (b)アンチモン及び錫の水和酸化物から本質的になる
該基体表面に外部導電性被覆層を適用する工程、及び (c)該被覆基体を400〜900℃の範囲の温度で酸
素含有雰囲気下で焼成する工程。
ここで用いる「シリカ含有物質」の語は、金属珪酸塩1
、無定形シリカ含を物質、又は−収約に、SiO4テト
ラヘドラを含む広範な共有結合ネットワークを有する物
質のような物質、即ち組成物を意味する。このような組
成物は表面ヒドロキシル形成の可能性を提供する。この
特徴は、本発明組成物の形成において錫及びアンチモン
塩の水溶液及びシリカ含有固体の間の化学的相互作用に
おいて重要であると考えられる。
、無定形シリカ含を物質、又は−収約に、SiO4テト
ラヘドラを含む広範な共有結合ネットワークを有する物
質のような物質、即ち組成物を意味する。このような組
成物は表面ヒドロキシル形成の可能性を提供する。この
特徴は、本発明組成物の形成において錫及びアンチモン
塩の水溶液及びシリカ含有固体の間の化学的相互作用に
おいて重要であると考えられる。
ここで用いる「活性シリカ含有物質」の語は、表面水酸
基の形成で活性化されたシリカ含有組成物を意味する。
基の形成で活性化されたシリカ含有組成物を意味する。
これは、無定形シリカ、アルカリ土類シリケート、又は
遷移金属シリケート、例えば珪酸亜鉛の水溶液をコア粒
子の表面に直接沈殿させて達成するのが最も便宜である
。活性ボロシリケート組成物はこの方法でも調製できる
。一般に、乾燥されたか又は強く加熱されたシリケート
表面はもはや有効濃度の表面水酸基を含まず、不活性で
ある。然し、このような表面は、熱カセイのような反応
性水溶液で長く処理すると再活性化できる。例えば、マ
イカ表面はこの方法で活性化できるが、このタイプの活
性化表面は典型的には新しく沈殿した活性シリカ被覆の
よう、には錫/アンチモン中間体と活性ではない。一般
に、水溶液から直接沈殿で調製した活性シリカ含有物質
が好ましい。
遷移金属シリケート、例えば珪酸亜鉛の水溶液をコア粒
子の表面に直接沈殿させて達成するのが最も便宜である
。活性ボロシリケート組成物はこの方法でも調製できる
。一般に、乾燥されたか又は強く加熱されたシリケート
表面はもはや有効濃度の表面水酸基を含まず、不活性で
ある。然し、このような表面は、熱カセイのような反応
性水溶液で長く処理すると再活性化できる。例えば、マ
イカ表面はこの方法で活性化できるが、このタイプの活
性化表面は典型的には新しく沈殿した活性シリカ被覆の
よう、には錫/アンチモン中間体と活性ではない。一般
に、水溶液から直接沈殿で調製した活性シリカ含有物質
が好ましい。
一般的には、本発明の組成物の最大有用性は基体が粉末
、即ち大きさが数十ミクロンないしサブミクロンである
微細に分割された粒子を包含する場合に実現される。粉
末粒子は、無定形シリカ又はシリカ含有物質で構成され
るか、又は無定形シリカ被覆又はシリカ含有物質の被覆
を有する不活性コア物質で構成される。
、即ち大きさが数十ミクロンないしサブミクロンである
微細に分割された粒子を包含する場合に実現される。粉
末粒子は、無定形シリカ又はシリカ含有物質で構成され
るか、又は無定形シリカ被覆又はシリカ含有物質の被覆
を有する不活性コア物質で構成される。
本発明の一面では、粉末粒子は、球状又は等軸より若干
延びた、アスペクト比[aspect ratiolが
少なくとも約2.0から約50までである成形粒子であ
る。シリカ又はシリカ含有粒子についての重要な基準は
、仕上げ乾燥粉末として、塗料フィルムのような薄膜内
で、又はバルク重合体物質内に充填剤として用いられた
場合に相互連結導電性ネットワークを形成することがで
きることである。
延びた、アスペクト比[aspect ratiolが
少なくとも約2.0から約50までである成形粒子であ
る。シリカ又はシリカ含有粒子についての重要な基準は
、仕上げ乾燥粉末として、塗料フィルムのような薄膜内
で、又はバルク重合体物質内に充填剤として用いられた
場合に相互連結導電性ネットワークを形成することがで
きることである。
有効な相互連結ネットワークを形成することができ、本
発明での使用が考えられる粒子形状は、棒、ウィスカー
、小板、繊維、針、シェル、及びシェル部等から選ばれ
る。形状が等軸である本発明の粒子も用いることができ
る。これは、極めて高い導電性が必要で、高い顔料/バ
インダー比が許容される場合には好ましいことさえある
。
発明での使用が考えられる粒子形状は、棒、ウィスカー
、小板、繊維、針、シェル、及びシェル部等から選ばれ
る。形状が等軸である本発明の粒子も用いることができ
る。これは、極めて高い導電性が必要で、高い顔料/バ
インダー比が許容される場合には好ましいことさえある
。
本発明の一見地において、粉粒子は、血小板(plat
elets )の形状を有する。この形状は、粒子が薄
膜中において相互連結電気・伝導性ネットワークを成形
するのを容易にする。本発明の好ましい態様において、
粒子は厚さ250nm未満のマイカの血小板(plat
etets )である。これらの粒子は選択されたバイ
ンダ中に分散された場合、実際上透明であるが、比較的
低い粉量においては電気的伝導性を提供する。
elets )の形状を有する。この形状は、粒子が薄
膜中において相互連結電気・伝導性ネットワークを成形
するのを容易にする。本発明の好ましい態様において、
粒子は厚さ250nm未満のマイカの血小板(plat
etets )である。これらの粒子は選択されたバイ
ンダ中に分散された場合、実際上透明であるが、比較的
低い粉量においては電気的伝導性を提供する。
重合材料が、重合体組成物を本発明の等軸(cquia
xfal )すなわち一般に球の粒子の粉で満たすこと
により、便利に導電性にされることができる。
xfal )すなわち一般に球の粒子の粉で満たすこと
により、便利に導電性にされることができる。
任意の特定の用途のために好ましい粒子形状は多数の因
子に依存することが認められるだろう。針状粒子が一般
にペイント膜における使用のために好ましく、等軸成形
粒子は一般に充填されたブラチックにおける使用のため
に好ましいが、他の因子が特定の用途における異なる好
適を導くことができる。
子に依存することが認められるだろう。針状粒子が一般
にペイント膜における使用のために好ましく、等軸成形
粒子は一般に充填されたブラチックにおける使用のため
に好ましいが、他の因子が特定の用途における異なる好
適を導くことができる。
本発明の好ましい態様において、アモルファスシリカの
基体、は、中空シーエルであり、これは微細に分割され
たコア物質を活性シリカで被覆しそしてアンチモン含有
錫酸化物表面被覆層を受けるための基体としてシリカシ
ェルを残すようにコア物質を除去することにより製造さ
れる。コア物質の主な機能は、アモルファスシリカ基体
がデポジットされる成形粒子を単に提供することである
。コア物質は、もちろん、シリカ被覆工程の間にその物
理的安定性を充分に維持なければならない。
基体、は、中空シーエルであり、これは微細に分割され
たコア物質を活性シリカで被覆しそしてアンチモン含有
錫酸化物表面被覆層を受けるための基体としてシリカシ
ェルを残すようにコア物質を除去することにより製造さ
れる。コア物質の主な機能は、アモルファスシリカ基体
がデポジットされる成形粒子を単に提供することである
。コア物質は、もちろん、シリカ被覆工程の間にその物
理的安定性を充分に維持なければならない。
シリカ基体の製造は、まずコア物質を水中に懸濁し、そ
して懸濁物のpHを8ないし11の範囲に維持しつつ活
性シリカを添加することにより達成することができる。
して懸濁物のpHを8ないし11の範囲に維持しつつ活
性シリカを添加することにより達成することができる。
この方法は米国特許節2゜885、 366 (Ile
r)により詳しく記載されている。一般に、活性シリカ
は、非常に低分子量シリカ例えばケイ酸またはポリケイ
酸または金属シリケートであり、これはそれだけで懸濁
物に添加される又は酸とシリケートとの反応によりその
場で形成することができる。
r)により詳しく記載されている。一般に、活性シリカ
は、非常に低分子量シリカ例えばケイ酸またはポリケイ
酸または金属シリケートであり、これはそれだけで懸濁
物に添加される又は酸とシリケートとの反応によりその
場で形成することができる。
適当なコア物質は、炭酸塩例えばB a COiおよび
CaC0,である。他の物質もまた、それらがアモルフ
ァスヒドロキシル化シリカの粘着スキンを容易に受容し
、被覆条件で低、い溶解性を有し、それらが抜き取り、
反応および酸化を含む種々の方法によってシリカシェル
から容易に除去されることができ、および/又はそれら
の化学組成が錫酸化物被覆層の適用に抵触しないもので
ある限り、使用することができる。B a CO3、C
a CO3,、およびSrCO3のコア物質としての使
用は、それぞれその場でグレインリファイナ、この重要
性は、後により詳しく説明する、の源を提供するので、
コア物質として特に有利である。
CaC0,である。他の物質もまた、それらがアモルフ
ァスヒドロキシル化シリカの粘着スキンを容易に受容し
、被覆条件で低、い溶解性を有し、それらが抜き取り、
反応および酸化を含む種々の方法によってシリカシェル
から容易に除去されることができ、および/又はそれら
の化学組成が錫酸化物被覆層の適用に抵触しないもので
ある限り、使用することができる。B a CO3、C
a CO3,、およびSrCO3のコア物質としての使
用は、それぞれその場でグレインリファイナ、この重要
性は、後により詳しく説明する、の源を提供するので、
コア物質として特に有利である。
本発明の別の見地において、コア物質は、アモルファス
シリカ又はシリカ含有物質のシェル中に封止されたまま
であり、すなわち除去されない。
シリカ又はシリカ含有物質のシェル中に封止されたまま
であり、すなわち除去されない。
この態様のための適当なコア物質の例は、TiO2、マ
イカ、カオリン、タルク及びB a S O4を含む。
イカ、カオリン、タルク及びB a S O4を含む。
各々の場合、シリカ被覆は、bア材料に密着し結合して
厚さ約5ないし20nmの実質的に均一な被覆層を形成
する。透明性が重合体母体の望ましい特徴である場合又
は重合体母体を着色するときのフレ羊シビリテイが重要
である場合、導電粉のためのコア物質は、マイカより高
くない屈折率を有するべきである。
厚さ約5ないし20nmの実質的に均一な被覆層を形成
する。透明性が重合体母体の望ましい特徴である場合又
は重合体母体を着色するときのフレ羊シビリテイが重要
である場合、導電粉のためのコア物質は、マイカより高
くない屈折率を有するべきである。
実際には、所望のコア物質の水性懸濁物すなわち分散物
が製造され、該分散物は適当量のアルカリ例えばNa0
HSKOH,又はNH4OHを添加することにより、p
H10にされる。コア物質を包含する粒子は、一般に0
.1ないし50m2/gの範囲の比表面積(BET法
N2吸着)を有するべきであるが、最も良い結果のため
には2ないし8m2/gの範囲の比表面積が好ましい。
が製造され、該分散物は適当量のアルカリ例えばNa0
HSKOH,又はNH4OHを添加することにより、p
H10にされる。コア物質を包含する粒子は、一般に0
.1ないし50m2/gの範囲の比表面積(BET法
N2吸着)を有するべきであるが、最も良い結果のため
には2ないし8m2/gの範囲の比表面積が好ましい。
一般に、好ましい表面積は高密度物質のためには上記の
範囲の低い部分であり、低密度物質のためには上記の範
囲の高い部分である。
範囲の低い部分であり、低密度物質のためには上記の範
囲の高い部分である。
分散物中のコア物質の濃度は、特に臨界的ではない。1
00から400g/リットルの範囲であることができる
が、最も良い結果のためには分散物は均一であるべきで
ある。コア物質の分散物を製造しておいて、可溶性シリ
ケート例えばケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムをシ
リカ被覆の形成を容易にするために添加する。ケイ酸ナ
トリウムの便利なかたちは、すべての不溶な残渣を除去
するためにフィルターにかけられたモル比3,25/1
のS i 02 / N a 20の澄んだ水溶液であ
る。分散物中のコア材料の量を基礎として2ないし50
重重量の範囲のシリカが好ましいが6ないし25重量%
の範囲のシリカが好ましい。反応速度を促進するために
、分散物すなわちスラリーは約60ないし100℃の範
囲の温度に加熱される。
00から400g/リットルの範囲であることができる
が、最も良い結果のためには分散物は均一であるべきで
ある。コア物質の分散物を製造しておいて、可溶性シリ
ケート例えばケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムをシ
リカ被覆の形成を容易にするために添加する。ケイ酸ナ
トリウムの便利なかたちは、すべての不溶な残渣を除去
するためにフィルターにかけられたモル比3,25/1
のS i 02 / N a 20の澄んだ水溶液であ
る。分散物中のコア材料の量を基礎として2ないし50
重重量の範囲のシリカが好ましいが6ないし25重量%
の範囲のシリカが好ましい。反応速度を促進するために
、分散物すなわちスラリーは約60ないし100℃の範
囲の温度に加熱される。
ケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムのアルカリ成分は
次に、希釈酸を、“フリーな”シリカすなわちコア物質
に付着しないシリカ粒子の形成を避けるように、存在す
るシリカの量により指示される、所定の時間に渡り、ス
ラリーにゆっくり添加することにより、中和される。H
2SO4、HC1、HNO,から選択される鉱酸その他
か中和のために適当である。酸性金属塩例えばカルシウ
ムクロライドもまた使用することができる。この方法に
おいて、あるカルシウムがシリカ被覆中に混入し、後に
錫酸化物被覆工程においてグレインリファイナとして利
用できるようになる。存在するシリカの量が多いほど、
中和に要する時間が長くなるが、1時間当たり基礎粉の
重量の3%のシリカ沈着速度が普通シリカ被覆層の形成
を保証するのに満足できるものである。重要な考慮は、
添加速度をフリーシリカの析出を避けるに充分なほどゆ
っくりに維持することである。ヒドロキシル化シリカ被
覆層の完全な反応を保証するために、スラリーは中和の
後少なくとも1時間生温度に保たれる。、シリカ被覆さ
れた粒子は、工程の次の段階の開始の前に、単離され洗
浄され乾燥されることができる、またはそれらはスラリ
ーとして維持し工程を続行することができる。
次に、希釈酸を、“フリーな”シリカすなわちコア物質
に付着しないシリカ粒子の形成を避けるように、存在す
るシリカの量により指示される、所定の時間に渡り、ス
ラリーにゆっくり添加することにより、中和される。H
2SO4、HC1、HNO,から選択される鉱酸その他
か中和のために適当である。酸性金属塩例えばカルシウ
ムクロライドもまた使用することができる。この方法に
おいて、あるカルシウムがシリカ被覆中に混入し、後に
錫酸化物被覆工程においてグレインリファイナとして利
用できるようになる。存在するシリカの量が多いほど、
中和に要する時間が長くなるが、1時間当たり基礎粉の
重量の3%のシリカ沈着速度が普通シリカ被覆層の形成
を保証するのに満足できるものである。重要な考慮は、
添加速度をフリーシリカの析出を避けるに充分なほどゆ
っくりに維持することである。ヒドロキシル化シリカ被
覆層の完全な反応を保証するために、スラリーは中和の
後少なくとも1時間生温度に保たれる。、シリカ被覆さ
れた粒子は、工程の次の段階の開始の前に、単離され洗
浄され乾燥されることができる、またはそれらはスラリ
ーとして維持し工程を続行することができる。
または、アモルファスヒドロキシル化シリカはアルカリ
シリケート溶液および酸溶液を同時に、被覆される粉を
含むアルカリ水のヒールすなわち反応器内に既に存在す
る量に、添加することにより製造することができる。こ
の方法でpHは反応のほとんどを通して一定に維持され
る。ある条件下で、これは、基体へのシリカの均一被覆
を容易にする。
シリケート溶液および酸溶液を同時に、被覆される粉を
含むアルカリ水のヒールすなわち反応器内に既に存在す
る量に、添加することにより製造することができる。こ
の方法でpHは反応のほとんどを通して一定に維持され
る。ある条件下で、これは、基体へのシリカの均一被覆
を容易にする。
ヒドロキシル化シリカは表面上゛にヒドロギシル基を有
するシリカである。これは、アルカリ条件下で水溶液か
らシリカを析出することにより得ることができる。好ま
しいアモルファスヒドロキシル化シリカは、析出をゆっ
くり(1−3時間にわたり)および高められた温度例え
ば90℃前後で行うことにより得ることができる。これ
らの処理条件下でシリカは密着する、すなわちシリカは
基体に粘着しほぼ基体粒子の形状をとる。代表的には、
密着シリカ被覆で被覆された粒子の窒素吸着による表面
積は、被覆されない粒子の面積とほぼ等しいか少し小さ
い。非密着すなわちポーラスシリカ被覆を有する粒子は
、ずっと大きい例えば10ないし100倍高い表面積を
有するだろう。密着被覆が本発明の実施に好ましいが、
被覆における中程度の多孔性は特別有害ではない。特に
、中空シェルが望ましい場合、少量の多孔性はコア材料
の抜き取りを容易にする点で都合が良い。
するシリカである。これは、アルカリ条件下で水溶液か
らシリカを析出することにより得ることができる。好ま
しいアモルファスヒドロキシル化シリカは、析出をゆっ
くり(1−3時間にわたり)および高められた温度例え
ば90℃前後で行うことにより得ることができる。これ
らの処理条件下でシリカは密着する、すなわちシリカは
基体に粘着しほぼ基体粒子の形状をとる。代表的には、
密着シリカ被覆で被覆された粒子の窒素吸着による表面
積は、被覆されない粒子の面積とほぼ等しいか少し小さ
い。非密着すなわちポーラスシリカ被覆を有する粒子は
、ずっと大きい例えば10ないし100倍高い表面積を
有するだろう。密着被覆が本発明の実施に好ましいが、
被覆における中程度の多孔性は特別有害ではない。特に
、中空シェルが望ましい場合、少量の多孔性はコア材料
の抜き取りを容易にする点で都合が良い。
前記のよう1こ、アモルファスヒドロキシル化シリカの
製造は、シリカの密度化を容易にするために好ましくは
60″ないし90℃の温度で行う。
製造は、シリカの密度化を容易にするために好ましくは
60″ないし90℃の温度で行う。
しかしながら、反応混合物中に密度化助剤例えばB20
.が存在する場合には、45″ないし75℃の範囲のよ
り低い温度を使用することができる。
.が存在する場合には、45″ないし75℃の範囲のよ
り低い温度を使用することができる。
先に乾燥されたシリカ被覆粒子から工程を続行する場合
、それらはまず水中に再分散され、得られたスラリーは
約40@ないし100℃の範囲の温度に加熱される。次
に、コア物質は、例えば酸での処理により溶解され抜き
出される。これは、シリカ被覆された粒子の水性スラリ
ーを40@ないし100℃に加熱し、撹拌下pHが1.
5ないし3.5の範囲に達するまで塩酸を添加すること
により行うことができる。しかし最良の結果のために好
ましくはpHは2゜0であるべきである。
、それらはまず水中に再分散され、得られたスラリーは
約40@ないし100℃の範囲の温度に加熱される。次
に、コア物質は、例えば酸での処理により溶解され抜き
出される。これは、シリカ被覆された粒子の水性スラリ
ーを40@ないし100℃に加熱し、撹拌下pHが1.
5ないし3.5の範囲に達するまで塩酸を添加すること
により行うことができる。しかし最良の結果のために好
ましくはpHは2゜0であるべきである。
コア物質は溶解し、アンチモンドープされた錫酸化物被
覆が適用される基体であるアモルファスシリカの中空の
成形粒子が残される。
覆が適用される基体であるアモルファスシリカの中空の
成形粒子が残される。
コア物質は、他の方法例えばコア材料がグラファイト粉
の場合焼結の間の酸化により、ぬき出すことができる。
の場合焼結の間の酸化により、ぬき出すことができる。
本発明にかかる使用のために意図される他のコア物質は
、微細に分割された金属粉例えばアルミニウムおよび銅
、および金属酸化物例えば酸化鉄を含む。
、微細に分割された金属粉例えばアルミニウムおよび銅
、および金属酸化物例えば酸化鉄を含む。
BaC01がコア物質である場合、適当な溶剤は、MC
Iであり、これはB a C03を溶解し、溶液中にC
O2およびBa〜ミルイオン離する。
Iであり、これはB a C03を溶解し、溶液中にC
O2およびBa〜ミルイオン離する。
溶媒の選択は、コア物質と反応して不溶性の反応生成物
を形成する溶媒を使用するべきでないという範囲で臨界
的である。
を形成する溶媒を使用するべきでないという範囲で臨界
的である。
前に述べたように、本発明の一見地によれば、コア物質
は最終工程を通して封止され続けていることができる。
は最終工程を通して封止され続けていることができる。
本発明の実施におけるコア物質の有無は、ある光学また
は他の性質をを高めることができ、オペレータの便利の
よいようにされる。
は他の性質をを高めることができ、オペレータの便利の
よいようにされる。
本発明の好ましい態様において、除去可能なコア物質特
にBaCO3又はCaC01の使用は、成形アモルファ
スシリカ基体の形成を容易にする。
にBaCO3又はCaC01の使用は、成形アモルファ
スシリカ基体の形成を容易にする。
又はアモルファスヒドロキシル化シリカ又はヒドロキシ
ル化シ、リカ含有材料、好ましくはヒドロキシル化シリ
カの便利な原料が、本発明の実施において基体として使
用されることができる。
ル化シ、リカ含有材料、好ましくはヒドロキシル化シリ
カの便利な原料が、本発明の実施において基体として使
用されることができる。
加水分解可能な錫およびアンチモン塩の別々の溶液を製
造しそれらを同時に基体スラリーに、スラリーのpHを
所望の範囲に維持するために適当な量の強塩基と共に添
加することにより、アモルファスヒドロキシル化シリカ
基体に、外側導電性被覆層を適用することができる。錫
およびアンチモン溶液を同時に添加することが一般的に
好ましく、実際にそれらは便利に最初に一緒に混合され
そして1つの溶液として添加されることができるが、溶
液を順に添加することもできる。個々の錫およびアンチ
モン塩溶液を製造するための溶媒は、該塩を溶解し反応
に影響しない任意の溶媒であることができる。しかしな
がら、水又は酸性水溶液が好ましい溶媒である。錫塩溶
液は水にSnC14・5H20を溶解することにより便
利に製造することができる。アンチモン塩溶液は、HC
Iの名目37%水溶液にSbC+3を溶解することによ
り便利に製造することができる。SnおよびSb塩化物
は好ましい塩であるが、他の塩、例えば硫酸塩、硝酸塩
、シュウ酸塩およ・び酢酸塩を使用することができる。
造しそれらを同時に基体スラリーに、スラリーのpHを
所望の範囲に維持するために適当な量の強塩基と共に添
加することにより、アモルファスヒドロキシル化シリカ
基体に、外側導電性被覆層を適用することができる。錫
およびアンチモン溶液を同時に添加することが一般的に
好ましく、実際にそれらは便利に最初に一緒に混合され
そして1つの溶液として添加されることができるが、溶
液を順に添加することもできる。個々の錫およびアンチ
モン塩溶液を製造するための溶媒は、該塩を溶解し反応
に影響しない任意の溶媒であることができる。しかしな
がら、水又は酸性水溶液が好ましい溶媒である。錫塩溶
液は水にSnC14・5H20を溶解することにより便
利に製造することができる。アンチモン塩溶液は、HC
Iの名目37%水溶液にSbC+3を溶解することによ
り便利に製造することができる。SnおよびSb塩化物
は好ましい塩であるが、他の塩、例えば硫酸塩、硝酸塩
、シュウ酸塩およ・び酢酸塩を使用することができる。
一般に、4価の錫塩および3価のアンチモン塩が原料と
して好ましい。溶液における塩の濃度は臨界的ではない
が、不要な希釈なしに均一被覆を容易にするために、錫
酸化物50ないし500g/リットルおよび0.5ない
し250gのSb/リットルの実用的範囲の濃度が好ま
しい。本発明の一見地によれば、個々のSnおよびSb
溶液を混合して単一の溶液とし、これを、添加されるS
n 02 (S b)のパーセントを基礎として所
定の時間にわたり、スラリーにゆっくり添加することが
できる。代表的には、全SnO2およびSbの25%の
割合が1時間で添加されることができる。。5nOz(
Sb)溶液の高速の添加は、シリカ基体へのS n 0
2 (S b)の不均一な被覆をもたらし、SnO2
(Sb)溶液の非常に低速の添加は、作業を不必要に長
びかせる。アンチモンドープされた錫酸化物被覆層の沈
着の間のスラ、リーの温度゛は、連続撹拌下25°ない
し100℃の範囲に維持される。
して好ましい。溶液における塩の濃度は臨界的ではない
が、不要な希釈なしに均一被覆を容易にするために、錫
酸化物50ないし500g/リットルおよび0.5ない
し250gのSb/リットルの実用的範囲の濃度が好ま
しい。本発明の一見地によれば、個々のSnおよびSb
溶液を混合して単一の溶液とし、これを、添加されるS
n 02 (S b)のパーセントを基礎として所
定の時間にわたり、スラリーにゆっくり添加することが
できる。代表的には、全SnO2およびSbの25%の
割合が1時間で添加されることができる。。5nOz(
Sb)溶液の高速の添加は、シリカ基体へのS n 0
2 (S b)の不均一な被覆をもたらし、SnO2
(Sb)溶液の非常に低速の添加は、作業を不必要に長
びかせる。アンチモンドープされた錫酸化物被覆層の沈
着の間のスラ、リーの温度゛は、連続撹拌下25°ない
し100℃の範囲に維持される。
好ましい態様および本発明の重要な特徴において、塩の
スラリーへの添加と同時に、該添加中に1、アルカリ例
えばNaOH,KOH又はその他を添加することにより
、系のpHは1.5から3゜5最も好ましくは2.0の
値に一定に維持される。
スラリーへの添加と同時に、該添加中に1、アルカリ例
えばNaOH,KOH又はその他を添加することにより
、系のpHは1.5から3゜5最も好ましくは2.0の
値に一定に維持される。
このpH範囲において、基体の活性又はヒドロキシル化
シリカは表面は、錫およびアンチモンの水和水和酸化物
との会合すなわち沈着を非常に受容しやすくなる。pH
値が1.5ないし3.5の上又は下へ小さく離れること
は、−収約に有害ではないが、実質的にこの範囲の外側
での長大な処理はアンチモンドープされた錫酸化物微結
晶の二次元ネットワークの連続性を低下し、得られる粉
の導電性質に悪影響を与えるだろう。錫及びアンチモン
塩は加水分解しシリカの表面に沈着し、典型的には約5
ないし20nmの範囲の厚さより典型的には約10nm
の厚さのほぼ均一な層を形成する。焼結の後、5nOz
(Sb)結晶は、代表的には、直径的10nmであるが
、個々の結晶は直径20nm程又はそれ以上に太き(で
もよい。ある微結晶は20nmより顕著に大きく50又
は60nmまでの範囲であることができることが認めら
れるだろう。これらのより大きい微結晶の限定された量
は、粉の全体的透明性に影響しない。外側被覆層中のア
ンチモン含有錫酸化物の量が増加すると、仕上げ乾燥粉
の抵抗が低下すなわち導電性が増加することが観察され
ている。一般に、錫酸化物層のアンチモン含量は、工な
いし30重量%の範囲であることができるが、最良の結
果は、アンチモン含量が約10重量%のときに達成され
る。
シリカは表面は、錫およびアンチモンの水和水和酸化物
との会合すなわち沈着を非常に受容しやすくなる。pH
値が1.5ないし3.5の上又は下へ小さく離れること
は、−収約に有害ではないが、実質的にこの範囲の外側
での長大な処理はアンチモンドープされた錫酸化物微結
晶の二次元ネットワークの連続性を低下し、得られる粉
の導電性質に悪影響を与えるだろう。錫及びアンチモン
塩は加水分解しシリカの表面に沈着し、典型的には約5
ないし20nmの範囲の厚さより典型的には約10nm
の厚さのほぼ均一な層を形成する。焼結の後、5nOz
(Sb)結晶は、代表的には、直径的10nmであるが
、個々の結晶は直径20nm程又はそれ以上に太き(で
もよい。ある微結晶は20nmより顕著に大きく50又
は60nmまでの範囲であることができることが認めら
れるだろう。これらのより大きい微結晶の限定された量
は、粉の全体的透明性に影響しない。外側被覆層中のア
ンチモン含有錫酸化物の量が増加すると、仕上げ乾燥粉
の抵抗が低下すなわち導電性が増加することが観察され
ている。一般に、錫酸化物層のアンチモン含量は、工な
いし30重量%の範囲であることができるが、最良の結
果は、アンチモン含量が約10重量%のときに達成され
る。
この方法で得られた被覆された粒子は便利な固体−液体
分離方法例えば濾過によって取り出され、水で塩をなく
し、そして乾燥する。乾燥は、約120℃までの温度で
便利に行うことができるが、乾燥は、粒子が取り出し及
び洗浄に続いて直ちに焼結されるときは任意である。
分離方法例えば濾過によって取り出され、水で塩をなく
し、そして乾燥する。乾燥は、約120℃までの温度で
便利に行うことができるが、乾燥は、粒子が取り出し及
び洗浄に続いて直ちに焼結されるときは任意である。
取り出された粒子は、酸素含有雰囲気で4000ないし
900℃、の温度範囲好ましくは600゜ないし750
℃で、錫酸化物層の結晶性を高め及び導電性を確立する
のに充分な期間焼結される。
900℃、の温度範囲好ましくは600゜ないし750
℃で、錫酸化物層の結晶性を高め及び導電性を確立する
のに充分な期間焼結される。
必要な時間は、温度及び炉の形状及び処理条件に依存す
るだろう。例えば、小さいバッチ炉において焼結に必要
な時間は代表的には工ないし2時間である。焼結は本発
明の方法において重要である。
るだろう。例えば、小さいバッチ炉において焼結に必要
な時間は代表的には工ないし2時間である。焼結は本発
明の方法において重要である。
というのは、これは、アンチモン含有酸化錫外側被m層
の結晶相を完成するのを助け、それがまた粒子に導電性
質を与えるからである。
の結晶相を完成するのを助け、それがまた粒子に導電性
質を与えるからである。
本発明の別の見地において、組成物の導電性は、510
2表面上のSnO□沈着の均一性を高め及び続く焼結の
間の粒子成長を最小にする、アルカリ金属、アルカリ土
類金属、遷移金属および希土元素から選捩噛れる、グレ
インリファイナ又はグレインリファイナの混合物の存在
下でのアンチモン含有酸化錫外側被TIi層の沈着を行
うことによって、高められることができる。グレインリ
ファイナの正確な機能は完全には理解されていないが、
酸化錫導電相の沈着の間のスラリーにおける、100万
当たり500部程0゛少なさ又は約3モル又はそれ以上
の濃度のグレインリファイナ又はグレインリファイナの
混合物は、焼結の後、組成物の改良された導電性質をも
たらす。アルカリ金属、希土金属、他のアルカリ土類金
属およびある遷移金属例えばFeおよびZnの可溶塩が
満足できる結果を形成することが予想されるが、好まし
いグレインリファイナは、Ba、Ca、Mg、およびS
rの可溶塩である。
2表面上のSnO□沈着の均一性を高め及び続く焼結の
間の粒子成長を最小にする、アルカリ金属、アルカリ土
類金属、遷移金属および希土元素から選捩噛れる、グレ
インリファイナ又はグレインリファイナの混合物の存在
下でのアンチモン含有酸化錫外側被TIi層の沈着を行
うことによって、高められることができる。グレインリ
ファイナの正確な機能は完全には理解されていないが、
酸化錫導電相の沈着の間のスラリーにおける、100万
当たり500部程0゛少なさ又は約3モル又はそれ以上
の濃度のグレインリファイナ又はグレインリファイナの
混合物は、焼結の後、組成物の改良された導電性質をも
たらす。アルカリ金属、希土金属、他のアルカリ土類金
属およびある遷移金属例えばFeおよびZnの可溶塩が
満足できる結果を形成することが予想されるが、好まし
いグレインリファイナは、Ba、Ca、Mg、およびS
rの可溶塩である。
水和酸化アンチモンおよび錫の被覆層が、上記に規定し
たようなグレインリファイナの存在下で本発明の方法に
したがって適用されるようとするとき、アモルファスヒ
ドロキシル化シリカ以外の基体例えばBa5O,、S
rso4、Ca5O,。
たようなグレインリファイナの存在下で本発明の方法に
したがって適用されるようとするとき、アモルファスヒ
ドロキシル化シリカ以外の基体例えばBa5O,、S
rso4、Ca5O,。
グラファイト、カーボンおよびTiO2から選択される
基体が使用されることができ、予期しない導電性質を有
する粉を与えることが見出だされた。
基体が使用されることができ、予期しない導電性質を有
する粉を与えることが見出だされた。
そのような基体のための好ましいグレインリファイナは
、Ca++ Ba++、およびSr++から選択される
。そのような非シリカ基体は一般に、水和酸化アンチモ
ンおよび錫の被覆を適用するために使用される反応条件
下で低い溶解性を有する粉である。適当な基体はまた不
活性でもあり、一般に焼結の開成化アンチモンおよび錫
と反応しない。
、Ca++ Ba++、およびSr++から選択される
。そのような非シリカ基体は一般に、水和酸化アンチモ
ンおよび錫の被覆を適用するために使用される反応条件
下で低い溶解性を有する粉である。適当な基体はまた不
活性でもあり、一般に焼結の開成化アンチモンおよび錫
と反応しない。
非シリカ基体を基礎とした導電性粉は、一般に、100
万あたり100部又はそれ以上のグレインリファイナ又
はグレインリファイナの混合物を含む。
万あたり100部又はそれ以上のグレインリファイナ又
はグレインリファイナの混合物を含む。
本発明の導電性粉は、電子顕微鏡により観察される平均
粒子サイズのために予想される表面積に比較して、窒素
吸着で決定される、高い表面積によって特徴づけられる
。先に示したように、本発明の導電性粉は、代表的には
サブミクロンから10ミクロンの粒子サイズである。電
子顕微鏡で観察されたとき、シリカ表面は、各々代表的
にはうないし20nmの範囲のアンチモンドープされた
酸化錫の微細結晶が濃く密集しているように見られる。
粒子サイズのために予想される表面積に比較して、窒素
吸着で決定される、高い表面積によって特徴づけられる
。先に示したように、本発明の導電性粉は、代表的には
サブミクロンから10ミクロンの粒子サイズである。電
子顕微鏡で観察されたとき、シリカ表面は、各々代表的
にはうないし20nmの範囲のアンチモンドープされた
酸化錫の微細結晶が濃く密集しているように見られる。
この結晶サイズ範囲は、X線回折線ブロードニングによ
り確められる。高い表面積は、微細な微結晶の密集(p
opulation)の結果である。実際の表面積は、
窒素吸着で測定されるように、代表的には30ないし6
0m2/Hの範囲である。
り確められる。高い表面積は、微細な微結晶の密集(p
opulation)の結果である。実際の表面積は、
窒素吸着で測定されるように、代表的には30ないし6
0m2/Hの範囲である。
ここで図面を参照すると、第1図は、本発明に従って製
造さバた、シェル状の導電性粒子群を示す電子顕微鏡写
真図である。3つの明るい領域を見ることが出来るが、
この領域は、コア物質が加工中に除去されている時に形
成された、孔であると考えられる。成る程度、断面図に
おいて見られるが、シェルの表面は、アンチモンがドー
プされた酸化スズ微結晶の二次元ネットワークにより、
均一に被覆されている。第2図は、本発明に従って製造
されたシェルの断片の、より高倍率の電子顕微鏡写真図
である。アンチモンがドープされた酸化スズ微結晶の二
次元ネットワークは、この図において見ることが出来る
。ある微結晶は非常に暗いが、他はグレーから白に近い
ものまで種々の明度として現れる。この明度の変化は、
シリカ表面上の微結晶のランダムな配列に起因し、組成
の変化を示さない。
造さバた、シェル状の導電性粒子群を示す電子顕微鏡写
真図である。3つの明るい領域を見ることが出来るが、
この領域は、コア物質が加工中に除去されている時に形
成された、孔であると考えられる。成る程度、断面図に
おいて見られるが、シェルの表面は、アンチモンがドー
プされた酸化スズ微結晶の二次元ネットワークにより、
均一に被覆されている。第2図は、本発明に従って製造
されたシェルの断片の、より高倍率の電子顕微鏡写真図
である。アンチモンがドープされた酸化スズ微結晶の二
次元ネットワークは、この図において見ることが出来る
。ある微結晶は非常に暗いが、他はグレーから白に近い
ものまで種々の明度として現れる。この明度の変化は、
シリカ表面上の微結晶のランダムな配列に起因し、組成
の変化を示さない。
第1図及び第2図は、アモルファスシリカの表面に緻密
に充填されたアンチモン−ドープの酸化スズ微結晶を示
しており、緻密に充填された結果、微結晶間の隙間、即
ち気孔は非常に小さい、このように、微結晶間、及び接
触するコートされた個々の粒子間の電気抵抗は、最小と
される。窒素吸着/吸収により測定された相当気孔径は
、20nm以下、好ましくは10nrn以下である。
に充填されたアンチモン−ドープの酸化スズ微結晶を示
しており、緻密に充填された結果、微結晶間の隙間、即
ち気孔は非常に小さい、このように、微結晶間、及び接
触するコートされた個々の粒子間の電気抵抗は、最小と
される。窒素吸着/吸収により測定された相当気孔径は
、20nm以下、好ましくは10nrn以下である。
本発明の導電性粉末は、低い等電点、例えば1゜0〜4
.0、典型的には1.5〜3,0の等電点により更に特
徴づけされる。これに対し、シリカの不存在の下で製造
されたアンチモンドープ酸化スズ粗末は、実質的に1.
0以下、典型的には0.5以下の等電点を有するであろ
う、シリカ自体は2〜3の等電点を有する。
.0、典型的には1.5〜3,0の等電点により更に特
徴づけされる。これに対し、シリカの不存在の下で製造
されたアンチモンドープ酸化スズ粗末は、実質的に1.
0以下、典型的には0.5以下の等電点を有するであろ
う、シリカ自体は2〜3の等電点を有する。
本発明に従ってwA造された導電性15)末サンプルは
、乾燥粉末抵抗を比較することにより評値された。乾燥
粉末サンプルの相対的比較は、粒径及び粒形がサンプル
間で実質的に変化しない限り、可能である。一般に、乾
燥粉未詳16における相対抵抗が低いほど、最終用途系
における抵抗は低くなる。ただし1例えば最終用途キャ
リアマトリックス又はビヒクル系における内部連通イ・
・ソトヮークを形成する能力のような他の多くのファク
ターも最終用途コンダクタンスに影響を与えるのではあ
るが。
、乾燥粉末抵抗を比較することにより評値された。乾燥
粉末サンプルの相対的比較は、粒径及び粒形がサンプル
間で実質的に変化しない限り、可能である。一般に、乾
燥粉未詳16における相対抵抗が低いほど、最終用途系
における抵抗は低くなる。ただし1例えば最終用途キャ
リアマトリックス又はビヒクル系における内部連通イ・
・ソトヮークを形成する能力のような他の多くのファク
ターも最終用途コンダクタンスに影響を与えるのではあ
るが。
最終用途であるペイントプライマー系において、本発明
の導電性粉末は、それがペイント顔料の1成分として含
まれているドライペイントフィルムの表面導電度を測定
することにより評価することが出来る。ペイントフィル
ムの表面導電度を測定するための藺草なメーターが、ラ
ンスバーグコー;l? レ−ショア (RanSbur
g Corporation)により開発された。ラン
スバーグスプレーアビリティーメ−9−(RanSbu
rg 5prayability Meter )とし
て知られているこのメーターは、ランスバーブ単位(R
an5btlrQυnit ) (RU)で値65か
ら値165まで検量されている。120RUを越える表
面導電度を示すどのようなペイン1−フィルムも、満足
すべき表面導電度を有するものと考えられる。
の導電性粉末は、それがペイント顔料の1成分として含
まれているドライペイントフィルムの表面導電度を測定
することにより評価することが出来る。ペイントフィル
ムの表面導電度を測定するための藺草なメーターが、ラ
ンスバーグコー;l? レ−ショア (RanSbur
g Corporation)により開発された。ラン
スバーグスプレーアビリティーメ−9−(RanSbu
rg 5prayability Meter )とし
て知られているこのメーターは、ランスバーブ単位(R
an5btlrQυnit ) (RU)で値65か
ら値165まで検量されている。120RUを越える表
面導電度を示すどのようなペイン1−フィルムも、満足
すべき表面導電度を有するものと考えられる。
本発明の導電性粉末の初期評価に用いられる乾燥粉末法
は、第3図で部分断面が示されている装置を用いるもの
である。この装置は、一端に位置し、エンドキャップ1
4によりその場に支持されている[1ピストン12を有
する。プラスチックのような非導電性材料の中空シリン
ダー10を具備する。シリンダーより短い所定の長さの
銅製ロッド16が、図示するようにピストンと接触して
シリンダー内に置かれており、測定されるべき粉末サン
ダル18が、とどまっているシリンダーの中空部分に置
かれている。第2のエンドキャップ20が粉末サンプル
を収容するシリンダーの端部上に置かれ、銅製リード線
がオームメーターに接続するため、シリンダーの端部に
取り付けられている。実際には、K4IQピストンは銅
製ロッドを駆動し、個々の粉末サンプルを圧縮し、それ
ぞれのサンプルについて、オームメーターにより抵抗率
が測定される。以下に記載された実施例においては、円
筒ツキャビテイー(径0.64cm、長さ1.72cm
)に粉末と充填し、エンドキャップを手で締めて粉末を
圧縮することにより測定された。
は、第3図で部分断面が示されている装置を用いるもの
である。この装置は、一端に位置し、エンドキャップ1
4によりその場に支持されている[1ピストン12を有
する。プラスチックのような非導電性材料の中空シリン
ダー10を具備する。シリンダーより短い所定の長さの
銅製ロッド16が、図示するようにピストンと接触して
シリンダー内に置かれており、測定されるべき粉末サン
ダル18が、とどまっているシリンダーの中空部分に置
かれている。第2のエンドキャップ20が粉末サンプル
を収容するシリンダーの端部上に置かれ、銅製リード線
がオームメーターに接続するため、シリンダーの端部に
取り付けられている。実際には、K4IQピストンは銅
製ロッドを駆動し、個々の粉末サンプルを圧縮し、それ
ぞれのサンプルについて、オームメーターにより抵抗率
が測定される。以下に記載された実施例においては、円
筒ツキャビテイー(径0.64cm、長さ1.72cm
)に粉末と充填し、エンドキャップを手で締めて粉末を
圧縮することにより測定された。
本発明の導電性組成物及びその製造方法を、以下の実施
例により、より詳細に説明する0便宜上、実施例を表1
にまとめる。
例により、より詳細に説明する0便宜上、実施例を表1
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A
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(A> 18リツトルの攪拌されているポリエチレン
ビーカー内で、水酸化ナトリウムにより3リツトルの水
のp Hを10.0にした。ケイ酸ナトリウムの原液を
準備し、ろ過して不溶性物質を除去した。この原液はS
iO,/Na、0モル比が3.25/1であり、原液1
リツトル当たり398gの5iOzを有している。この
溶液65m1を18リツトルビーカーに添加した。その
後、1リツトルの水の中に予め分散させておいた135
0gのBaCO3を添加してスラリーを形成しンこ、ス
ラリーをスチームの導入により90℃で半時間加熱した
。加熱後のpHは97であった。
ビーカー内で、水酸化ナトリウムにより3リツトルの水
のp Hを10.0にした。ケイ酸ナトリウムの原液を
準備し、ろ過して不溶性物質を除去した。この原液はS
iO,/Na、0モル比が3.25/1であり、原液1
リツトル当たり398gの5iOzを有している。この
溶液65m1を18リツトルビーカーに添加した。その
後、1リツトルの水の中に予め分散させておいた135
0gのBaCO3を添加してスラリーを形成しンこ、ス
ラリーをスチームの導入により90℃で半時間加熱した
。加熱後のpHは97であった。
次に、ケイ酸ナトリウム溶液及び硫酸溶液を3時間に亘
って同時に添加した。その間、スラリーを勢い良く攪拌
すると共に、p)(を9.0に維持した。このケイ酸ナ
トリウム溶液は上記ケイ酸ナトリウム原液342m1を
水で600m1に希釈して調整した。上記硫酸溶液は9
6%H2SOイ69gを水で600m lに希釈して調
整した。このケイ酸ナトリウム溶液を全てスラリーにμ
「シた。
って同時に添加した。その間、スラリーを勢い良く攪拌
すると共に、p)(を9.0に維持した。このケイ酸ナ
トリウム溶液は上記ケイ酸ナトリウム原液342m1を
水で600m1に希釈して調整した。上記硫酸溶液は9
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整した。このケイ酸ナトリウム溶液を全てスラリーにμ
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十分な硫酸溶液を添加してpHを9.0に維持した。同
時添加の完了後に、スラリーを90℃で半時間温浸した
。その結果シリカで被覆されたBaCoI粒子が生じた
。この粒子をろ過して単離し、水で洗浄して可溶性塩を
除去し、120℃で一晩乾燥し、乾燥粉末を1485g
回収した。
時添加の完了後に、スラリーを90℃で半時間温浸した
。その結果シリカで被覆されたBaCoI粒子が生じた
。この粒子をろ過して単離し、水で洗浄して可溶性塩を
除去し、120℃で一晩乾燥し、乾燥粉末を1485g
回収した。
(B) 3リツトルの攪拌されているガラスフラスコ内
において、1リツトルの水の中に(A)で準備した粉末
を250g分散させ、このようにして形成されたスラリ
ーを90℃の温度に加熱した。164m1の公称37%
HCIをゆっくりとスラリーに添加してp Hを2.0
に下げ、BaC0] m 質’5: 溶Mした0次に、
5nC14’5HzOを水に溶かし、S n CI s
を公称37%HCIに溶かして、S n CI 4/
S b Cl y / HCl原液を準備した。これら
を1部のSbに対して10部の5nOzである当量を与
える比で合せ、水で希釈して0.215gのS n O
z / m I及び00215gのS b / m I
の当量を有する溶液を生成した。このS n / S
b / HCl溶液256m lを2時間かけてスラリ
ーに添加し、これと同時に十分な量の10%NaOHを
添加してスラリーのpHを2,0に維持した。スラリー
をpH=2゜0、温度90℃で半時間温浸した。この結
果生成した粒子をろ過し、洗浄して可溶性塩を除去し、
120℃の温度で一晩乾燥させた。乾燥した粒子(粉末
からなる)を750℃で空気中で2時間か焼した。乾燥
粉末106gを回収した。仕上がった粉末製品は、5オ
ームの乾燥粉末抵抗を有していた。X線蛍光分析により
、粉末はSn (SnO2として)を46%、S i
(S i 02として)を22%、Ba (BaOとし
て)を18%、5b(SbiOiとして)を4%それぞ
れ有していることが判明した。この粉末は、電子顕微鏡
で検査すると、シリカの中空の殻で構成され、シリカの
表面にはアンチモンのドープされた酸化スズの微結晶が
均一な二次元ネットワークを形成していることが判明し
た。この粉末を試験塗料キャリアと顔料/バインダーロ
ーディング25/100で配合し、試験面に塗布した。
において、1リツトルの水の中に(A)で準備した粉末
を250g分散させ、このようにして形成されたスラリ
ーを90℃の温度に加熱した。164m1の公称37%
HCIをゆっくりとスラリーに添加してp Hを2.0
に下げ、BaC0] m 質’5: 溶Mした0次に、
5nC14’5HzOを水に溶かし、S n CI s
を公称37%HCIに溶かして、S n CI 4/
S b Cl y / HCl原液を準備した。これら
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える比で合せ、水で希釈して0.215gのS n O
z / m I及び00215gのS b / m I
の当量を有する溶液を生成した。このS n / S
b / HCl溶液256m lを2時間かけてスラリ
ーに添加し、これと同時に十分な量の10%NaOHを
添加してスラリーのpHを2,0に維持した。スラリー
をpH=2゜0、温度90℃で半時間温浸した。この結
果生成した粒子をろ過し、洗浄して可溶性塩を除去し、
120℃の温度で一晩乾燥させた。乾燥した粒子(粉末
からなる)を750℃で空気中で2時間か焼した。乾燥
粉末106gを回収した。仕上がった粉末製品は、5オ
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て)を18%、5b(SbiOiとして)を4%それぞ
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で検査すると、シリカの中空の殻で構成され、シリカの
表面にはアンチモンのドープされた酸化スズの微結晶が
均一な二次元ネットワークを形成していることが判明し
た。この粉末を試験塗料キャリアと顔料/バインダーロ
ーディング25/100で配合し、試験面に塗布した。
この結果生成した乾燥塗料フィルムは、140ランスバ
ーグ(Ran5bura )単位の表面伝導率を示した
。
ーグ(Ran5bura )単位の表面伝導率を示した
。
匠ユ
(A) 18リツトルの攪拌されているポリエチレン
ビーカー内で、3リツトルの水をNaOHによりpH1
0,0にした。SiO,/に20のモル比が3.29で
26.5重量%のSiO□を有するケイ酸塩カリウムの
原液を用意した。この原液100gを18リツトルのビ
ーカー内の溶液に添加し、その後、4 rrr / g
の表面積を有する沈降CaC0,粉末を1350g添加
して、スラリーを形成した。このスラリーをスチームの
導入により90℃で半時間加熱した。その後、pHは9
゜7になった0次に、上記ケイ酸塩カリウム原液387
5gを10100Oの水で希釈し、5時間かけてスラリ
ーに添加した。この添加の間に塩酸を同時添加すること
によりpt−+を9.0に維持した。
ビーカー内で、3リツトルの水をNaOHによりpH1
0,0にした。SiO,/に20のモル比が3.29で
26.5重量%のSiO□を有するケイ酸塩カリウムの
原液を用意した。この原液100gを18リツトルのビ
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導入により90℃で半時間加熱した。その後、pHは9
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によりpt−+を9.0に維持した。
水によりlooomlに希釈した262gの37%HC
IがpHを9.0に維持するのに必要であった0次に、
スラリーを90℃で半時間温浸した。
IがpHを9.0に維持するのに必要であった0次に、
スラリーを90℃で半時間温浸した。
その後、塩酸を添加してスラリーのpHを7.0に調整
した。この結果生成した、シリカで被覆された粒子をろ
過により分離し、洗浄して可溶性塩を除去し、120℃
で24時間乾燥した。1607gの粉末を回収した。
した。この結果生成した、シリカで被覆された粒子をろ
過により分離し、洗浄して可溶性塩を除去し、120℃
で24時間乾燥した。1607gの粉末を回収した。
(B) 3リットルの攪拌されているガラスフラスコ内
において、(A)で準備した粉末を1リツトルの水に分
散させ、その結果生じたスラリーを温度90℃に加熱し
た。355m1の公称37%MCIをスラリーに添加し
て、pHを2.0に調整し、コア材料を溶解した0次に
、0.286g5not/ml当量を含むS n Cl
aの水溶液158m lと、0.235gSb/ml
当量を含む5bC1,の1(cI水溶液20m1とを合
せて、SnC14,SbCl、、及びHCIの水溶液を
4偏した。この溶液を2時間かけてスラリーに添加した
。この時、十分な10%のNaOHを同時に添加して、
スラリーのp +−1を2.0に維持した。
において、(A)で準備した粉末を1リツトルの水に分
散させ、その結果生じたスラリーを温度90℃に加熱し
た。355m1の公称37%MCIをスラリーに添加し
て、pHを2.0に調整し、コア材料を溶解した0次に
、0.286g5not/ml当量を含むS n Cl
aの水溶液158m lと、0.235gSb/ml
当量を含む5bC1,の1(cI水溶液20m1とを合
せて、SnC14,SbCl、、及びHCIの水溶液を
4偏した。この溶液を2時間かけてスラリーに添加した
。この時、十分な10%のNaOHを同時に添加して、
スラリーのp +−1を2.0に維持した。
スラリーを温度90℃、pH2,0で半時間温浸した。
その結果化じた粒子をろ過し、水で洗浄することにより
可溶性塩を除去し、750℃で2時間か焼した。完了し
た粉末生成物は、18オームの乾燥粉末抵抗を有してい
た。Xl!螢光分析によると、この粉末はSnを(S
n Oxとして)48%、SLを(S i Ozとして
)47%、Sbを(Sb、O,として)6%、Caを(
caOとして)0.3%有していることが判明した。電
子顕微鏡で検査したところ、この粉末はシリカの中空の
殻及びシリカの殻の断片よりなり、シリカの表面にはア
ンチモンがドープされた酸化スズの微結晶が均一な二次
元ネットワークを形成していることが判明した。透過型
電子顕微鏡により、アンチモンのドープされた酸化スズ
の微結晶の大きさは9nmであることが判明した。xa
回折ラインを広めることにより、微結晶の大きさはSn
mであった。この粉末は、窒素吸着による50nf/g
の表面積、及び平均で7.7nmの大きさの孔を有して
いた。この粉末は比重が3.83g/ccで嵩密度が0
.317g/ccであった。
可溶性塩を除去し、750℃で2時間か焼した。完了し
た粉末生成物は、18オームの乾燥粉末抵抗を有してい
た。Xl!螢光分析によると、この粉末はSnを(S
n Oxとして)48%、SLを(S i Ozとして
)47%、Sbを(Sb、O,として)6%、Caを(
caOとして)0.3%有していることが判明した。電
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元ネットワークを形成していることが判明した。透過型
電子顕微鏡により、アンチモンのドープされた酸化スズ
の微結晶の大きさは9nmであることが判明した。xa
回折ラインを広めることにより、微結晶の大きさはSn
mであった。この粉末は、窒素吸着による50nf/g
の表面積、及び平均で7.7nmの大きさの孔を有して
いた。この粉末は比重が3.83g/ccで嵩密度が0
.317g/ccであった。
ハイソリッドポリエステル/メラミン/ひまし油田11
25.9g)−、コノ例ノ乾燥粉末12.3gとを4オ
ンスガラスジヤーに添加して練り顔料を形成した。ジャ
ーを密閉し、ペイントシエイカーでこれを5分間振った
。8.5gのブタノール/キシレン/ジイソブチルケト
ン溶媒及び160gの20−30メツシユジルコニアビ
ーズをジャーに添加し、更に10分振った0次に、ジル
コニアビーズをふるいにより除去した。22.8gの練
り顔料を回収した。この練り顔料のサンプル9゜7gを
7.6gの樹脂により希釈して、顔料(乾燥粉末)/バ
インダー比が15/100のスラリーを作った。
25.9g)−、コノ例ノ乾燥粉末12.3gとを4オ
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ン溶媒及び160gの20−30メツシユジルコニアビ
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7.6gの樹脂により希釈して、顔料(乾燥粉末)/バ
インダー比が15/100のスラリーを作った。
触媒(cycat 600 、ジメチルオキサシラジン
(dimethyl oxazoladine) )
溶媒中のドデシルベンゼンスルホン酸触媒)を0.06
g添加し、スラリーを攪拌した。0.015ミルギヤツ
プのドローダウンブレードを用いてスラリーフィルム、
即ち、ペイントフィルムをガラスプレート上にキャスト
し、163℃に半時間熱してフィルムを硬化させた。硬
化したフィルムのランスバーブ値は158を示した。
(dimethyl oxazoladine) )
溶媒中のドデシルベンゼンスルホン酸触媒)を0.06
g添加し、スラリーを攪拌した。0.015ミルギヤツ
プのドローダウンブレードを用いてスラリーフィルム、
即ち、ペイントフィルムをガラスプレート上にキャスト
し、163℃に半時間熱してフィルムを硬化させた。硬
化したフィルムのランスバーブ値は158を示した。
4.4gのバインダーで希釈して顔料/バインダー比2
0の10.8gの練り顔料を用いて以上の処置を繰り返
した。触媒を0.05g添加し、前記のようにしてフィ
ルムを準備した。硬化フィルムは最大ランスバーブ値1
65単位を越える伝導性を有していた。
0の10.8gの練り顔料を用いて以上の処置を繰り返
した。触媒を0.05g添加し、前記のようにしてフィ
ルムを準備した。硬化フィルムは最大ランスバーブ値1
65単位を越える伝導性を有していた。
被覆された粉末が反応スラリーがらろ過された時に得ら
れるろ過液を、誘導カップルプラズマスペクトルにより
、Sn及びSbについて分析したところ、各元素は百方
につき1部未満であることが判明した(この方法で検出
できる限界)。
れるろ過液を、誘導カップルプラズマスペクトルにより
、Sn及びSbについて分析したところ、各元素は百方
につき1部未満であることが判明した(この方法で検出
できる限界)。
前記のようにして準備した18gの伝導性粗末を77.
7gの市販のビニルアクリルラテックス塗料及び6gの
水と混合した。これらの成分を先ず手技で混合し1次に
20−30メツシユジルコニアビーズを160g用いて
市販のペイントシエイカーによりlO分間混合した。こ
の結果できた塗料を市販の段ボール上に引き伸ばして、
厚さをほぼ2ミルにした。乾燥後の塗料表面は120単
位を越えるランスバーブ値を有していた。
7gの市販のビニルアクリルラテックス塗料及び6gの
水と混合した。これらの成分を先ず手技で混合し1次に
20−30メツシユジルコニアビーズを160g用いて
市販のペイントシエイカーによりlO分間混合した。こ
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厚さをほぼ2ミルにした。乾燥後の塗料表面は120単
位を越えるランスバーブ値を有していた。
(A) tgL木0すT−ナレ゛7ビーh中hτ コ
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:l−υ111−旦、1焼へ、し九。
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7.OZ’囁 /=、 i ラFh4g゛11
Q 1す ・・3旭、 p ・1 リ 仏 /T4
M ”−* ;E タ(5γを永τ″Goo
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77メH(−講:+3 ′I、、11L s )
1い−1:oo−I Jz 七); 5iノア
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z k4% T−t で丸 こ ^ Y
丈 3 フ ≠ lイU/すlPr511羽りえ
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茂−柱下1“ 3θi +hに百つ11toi 、
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(’f、、7)+口%1 yH2、:を惺、九、
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5p:、 rtlt > ”住”:i”−tL<、
1%S y ”’11% L ’v7 J L、
−(44s tIi 迦碑 Q−@ L、l N 0
7 L ””l−M 菖粂LXi ”R中 り5o
”rL q−之θ)由双へり九 九^斗果、柁停?’[
′3i[’<tt、、、’、め毅鐸f工斡疋歓斥杖1゛
ユ1m−’?’孟、1. 又、宜九p仄九1旬」えら1
bl・1 > 、y= s拝、’(’1.’/ −”/
−、T” k S : Y、15+(慢 ” ’t−
’)nH””t” 1番 こ1t・−え出 ぐト光。
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寛J亙取硅1〜L】桟1す・林、家べ1縁7 ”f
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4L ii /1 17> b)pfg’t、 :
8t 墳オ)ν電1≠ら 中ψンリレh(’> ?
+)ユ^iA’t4し仏/I私;ムIi ’C’;)−
な 2攻えυη録・Z”す1177へ之品に刑へ°34
h)ミ1か一引出りロト、−嶋−97−21′2ミit
コ、■イ茫二乙i((−上・・〕、 ζ、’t−”
sXo 例?(h’>#’)9’−t−tc (onm
7−茨z こ℃、ス8゜1凹竹 5づシフ1゛α−フ
’ニシク′ −1〒tb % 5j p”r ’l’1
m l” k ) ” /1” L 忠t (d弓j
) IN A k2゜饗屹6竹偽駈1朱、い智停戊S1
、粋 賢り−1,(sへ% t L l、) 、 S
t” fr−3q−ゲ’、(sHyLjut)、 Sら
pl−7y−(S峠05 ? L z )、 hか
〜 1.3 ≠ (BaOt し”L) 7″お
次ハト ?11 哨(丈、 ス、衿1事 o−bL
t It 斗、s+71cし、 ″シウ゛ド舅、をた
p“ o、333. 乙。、、 ¥ タとL す1
°゛2・37”大)′−t″7!+′′″♀1 plq
L iz。
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セ!土
ICjハ木0・1碕レンU′−7>−1勺1℃−t、L
品1らJ 、、、”/−、n ’11プ・級友偽u1仔
クシア伏フ009芝1> ;tq 1” −2’す1(
乙叉中ルり膚脣セち。
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[’JtD)+iFn’・7パリI−1−(1o、o日
時し21(ml 1 a 217rh、 す I−
’t Iしk N 4? ”!、 LN +S 4
MJt ’:l’J¥T4丁JAl−λ9’l−+b7
7ytfy ≧hス51) −1z y−Lt−
b? L Q 4 人シz l、 ”231η\:
tて qO”(、h−ηo工丸した 7 +−”1
’ Zl)るぬにbて16ブ・硅N’4− L悴hk
bo j (*)(t 71t、”j大・、つ入ヲ’
l−1’2”’10”(−1pli 71L’t l、
Sβ1+t+(tt、’)q ’y +−i、 u’
+ 7> 臘1 ’f タ” 7 ’?t+t>t!F
Ciソ公41 L、;しに■4+9t1斥?、し、 ン
lΔ1 lν゛とl“−暁平’4tし、オナイ本 31
0リ tta’tλし人。
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CB) 上 含e (p> 7パ41 九イ
方 イ1ツ IQり 3 ε 水 (1す1を九
Jミ〒丁−を唱・11分$1tt ?、、 fq >
を失zs゛+−t’i覧冗不7パ3叉カ°゛うλ7ち
χコ11′pF% u、 友 Q 、A”〕 らし
、 七19 2eclot 力υ 辷 ≠5
こ1’lλう1− を吹IL tjoD(−1b p
I7pe L、 PM −t h (J!1゛2、□
lt調堅 し?、、 次+6・・cz、〆<cc
l、/H(、e−4ci I’t’l s)、 t
zDF(E+ lu 、E 、z x;+1−11・
加 ン−] ”e’c t Iν (Oゾ9
FJ八へ11sネ ;に*p八へT pH’2
.Q lb イ朶、イ5.延 へ Sへ/ 60
ρ−5/暇’y匁’wTI Lt−SaQz t
Oo” qi / x支 sty tO,Ol−
ら’ t /−L主e! 9 j %、 t4ei−t
1e /可づ、穎L−t −) (3代九−≧q、)
の4余t p a%1i生加t−i、t+j、ミ^ス”
r’l−’3’(0°0、p z、。
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了・・♂51側、’;t1勺lb711gシ12. 1
ζζ氷−八。
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賭を子L?−思、し丸身し ■4稈し* f 99:
し−ド。
し−ド。
/+5、 1 z o” c−7’ l
B’i、L )x¥ ” も 、 フ
1−71 こ(都イ冬t6ひo’r−w” zGi山
、−只ナプ・大L〜 し、リイ不 (fr7 f IT
I恒(九、 こへ’4’−”QStk共ct−3立で
結氷 メ鴇紮央 扮 イ今 1bh”] 、 2の −
す6イ牟r11 汎 工 31 ヅ・(s、、Oz、
、c’−7) S’t ” Q ”/’ CS;O
L ”L L 1)、Sい 千釘sl、、、O,℃ L
す、 丁: 方 、(o γ″ CT;O。
B’i、L )x¥ ” も 、 フ
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υ(1)谷マ、暮を艷j ? K、え、ヤ了。
JjJ fE> 娃w ’g 3柱杏ひ8寮、2・堡り
ニ]7nP+t’−r’l*t’41%th 、−
mv’l’%’4んづ〜 香鍵イじtも−6りゐ0 i
?9ゴβ1・17→)7い九。
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又、ア、7賢ゾを蚤t7n奎1シ1δハ1あげ 5り力
thiIt2゛々尤駈法ビいtb −h喧胞b1\\
眠 ミヘ +3 イ本へ 蔦]を蝮 ル 3.)
て°′ ム蓄い之賓私¥饗 14 宴左01入h%:
’1 1’;、今。V1雀Sζ’c P f’l 13
)1 ’、入孕t5子titけ1へ 1+−拓丸、
メな’t、 +コ釣)イン7′ロー〒°°ニンリ゛
hl−7i% −1si At 7% hZ
me め て↑ 1づ−11; 、、 τ゛′
ψ 3 ;−c%”ljt!ニゲ代、 イif 電]−
1(亙 if゛ズ 4j+・h °) 了7テモンr°
−ア1イtt’L/1午”b ii 4% ”l−’L
” ’t n r T ゛丈5=r−*”L払υべ、
リ駐らり【紋Tり詐執 +LE、lfL で゛メア
t。
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1偽χ1へ才会傅 301 炊し へ1ンバ”1−if
しtmい]竹、念N胛7エ9レソχ邊4(、)]ご(代
。
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−3ep、 fi xll−し’/ pt PI雪+L
社に2 to5〜1?7°乙q’tlリ (の′S翫
言協1よ;乙ミ\シ1丙h−”’L llo”〜12
、b”(L −L]D?rg 71− Z−介” ’
N9 しX、 ユQV&イ署塵t ラムん 号O〜
bOPs: ”°iq ($ ’−、7Is1゛1り
ミ+v 、J、、 レート棋1℃加ル〜IF5l−
3,二eq ’y =) h @ フ”
Q % ”! ’f’ 11 ’6g−r
)、・ cb 1’s−、二へ一・ 上1℃(、g)−t゛BLCO,−t ;1m 13
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・1.j=二 L・ず=、 ’L s fg 、%
、 戟ツ(を杯≠」tに 1尻ME上侍しtt、
Z A不タイヰ−tt+ua>5イ支T” Q j
L # Z ” ’5 ”7 ’+ 7> Ah ’
l lJj 4tlS’+ he :o ツム>7−’
z SFa a’ 川L ”登l声−弄ぢi′23℃乙
々゛し会(曳ス、L−1却情−1沫/−I 9,0−t
−1ス・)、tゐ11呟クー’−4mL17.□ 1゛
2ン、18. ン(!i4 運゛) 1°゛ロ
ー −デ゛シシン7’lbkソ、SnOL S’s a
n”r’A ’l ll ram ”t”J )ζε
炉先$t−七1゜ リフカコーティンj’ L L” ll?、C03
99%、−hb−ttttt t ν4りh渉上tこ
1イJ’+ (、A 7な11 ネL )〔翌し子
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実施例゛7
(A) 1841)ポリエチレンビーカー中において
、水6gに3.3trr/gの表面積を育する硫酸バリ
ウム(Blanc Plxe) 3000 gを、撹
拌しながら分散させた。水酸化ナトリウムを用いてpH
を10.0に調整し、実施例1の貯蔵硅酸ナトリウム溶
液454−を添加した。このスラリーに蒸気を導入する
ことにより、30分で90℃まで加熱した。その後、p
t1が7.0に達するまで10%硫酸を100al+
/時の割合で添加した。粒子をろ過し、洗浄して可溶性
塩を除去し、120℃で一晩乾燥した。乾燥粉末313
0 gが回収された。
、水6gに3.3trr/gの表面積を育する硫酸バリ
ウム(Blanc Plxe) 3000 gを、撹
拌しながら分散させた。水酸化ナトリウムを用いてpH
を10.0に調整し、実施例1の貯蔵硅酸ナトリウム溶
液454−を添加した。このスラリーに蒸気を導入する
ことにより、30分で90℃まで加熱した。その後、p
t1が7.0に達するまで10%硫酸を100al+
/時の割合で添加した。粒子をろ過し、洗浄して可溶性
塩を除去し、120℃で一晩乾燥した。乾燥粉末313
0 gが回収された。
(B) 181ポリエチレンビーカー中において、水
5000−に上記(A)で調整した粉末500gおよび
CaCO3500gを分散させた。このスラリーを90
℃に加熱し、塩酸を用いてpHを2.0に調整した。
5000−に上記(A)で調整した粉末500gおよび
CaCO3500gを分散させた。このスラリーを90
℃に加熱し、塩酸を用いてpHを2.0に調整した。
その後、10%Na0II溶液を同時に添加することに
よってpl+を2.0に保ちながら、5nCI4/ 5
bC13/+1cI溶液325−を2時間にわたってこ
のスラリーに添加した。この添加の間は温度を90℃に
保った。
よってpl+を2.0に保ちながら、5nCI4/ 5
bC13/+1cI溶液325−を2時間にわたってこ
のスラリーに添加した。この添加の間は温度を90℃に
保った。
5nC14/ 5bC1) / HCI溶液は実施例1
と同様にして調製され、5n0283 gおよびSb
g、agの等量を含有する。さらに30分間、このスラ
リーを90℃、pH2,0に保った。その後、生成物を
ろ過し、洗浄して可溶性塩を除去し、120℃で一晩乾
燥して、空気中で750℃で2時間焼成した。■2オー
ムの乾燥粉末抵抗を有する生成物557gが回収された
。
と同様にして調製され、5n0283 gおよびSb
g、agの等量を含有する。さらに30分間、このスラ
リーを90℃、pH2,0に保った。その後、生成物を
ろ過し、洗浄して可溶性塩を除去し、120℃で一晩乾
燥して、空気中で750℃で2時間焼成した。■2オー
ムの乾燥粉末抵抗を有する生成物557gが回収された
。
X線蛍光分析によると、この粉末はSn (SnO□と
して)14%、Sb (Sb203として)2%、Sl
(5to2として)5%およびIla (BaSO4と
して)79%を含有していた。
して)14%、Sb (Sb203として)2%、Sl
(5to2として)5%およびIla (BaSO4と
して)79%を含有していた。
炭酸カルシウムを添加することなくこの実施例を繰り返
し、その乾燥粉末抵抗は1200オームであった。さら
に、シリカコーティングまたは炭酸カルシウムの添加の
いずれかを行わずにこの実施例を繰り返し、その乾燥粉
末抵抗は1400オームであった。
し、その乾燥粉末抵抗は1200オームであった。さら
に、シリカコーティングまたは炭酸カルシウムの添加の
いずれかを行わずにこの実施例を繰り返し、その乾燥粉
末抵抗は1400オームであった。
実施例8
3gビーカーに脱イオン水2gを入れ、90℃に加熱し
た。この浴にCaCl225gを添加した。公称37%
のHCIを用いてpHを9.5に維持しながら、この溶
液に、5iOz / K20モル比が3.29/ 1で
あり、24重量%の8102を含有する硅酸・カリウム
400 gを2時間にわたって添加した。シリカ沈殿の
間よく撹拌し続けた。硅酸カリウム溶液を添加した後、
11cIを用いてpHを7.0に調整し、30分間維持
した。
た。この浴にCaCl225gを添加した。公称37%
のHCIを用いてpHを9.5に維持しながら、この溶
液に、5iOz / K20モル比が3.29/ 1で
あり、24重量%の8102を含有する硅酸・カリウム
400 gを2時間にわたって添加した。シリカ沈殿の
間よく撹拌し続けた。硅酸カリウム溶液を添加した後、
11cIを用いてpHを7.0に調整し、30分間維持
した。
その後、濃MCIを用いてpHを2.0に低下させた。
5nC14/5bCI3溶液を次のように調製した。水
に5nC14・51420を溶解し、全量を3000−
に調整した。公称37%のllCl 500−にSbC
l3250gを溶解した。5nCI<溶液BOOmJと
SbCl 3溶液73−とを混合し、保存液とした。こ
の保存液を2時間にわたってカルシウム変性シリカスラ
リーに添加した。
に5nC14・51420を溶解し、全量を3000−
に調整した。公称37%のllCl 500−にSbC
l3250gを溶解した。5nCI<溶液BOOmJと
SbCl 3溶液73−とを混合し、保存液とした。こ
の保存液を2時間にわたってカルシウム変性シリカスラ
リーに添加した。
この添加の間、20%NaOHを添加することによりス
ラリーのpl+を2.0に保った。温度は90℃を維持
した。30分のキュアの後、生成物をろ過によって単離
し、洗浄して可溶性塩を除去した。その後、生成物を1
20℃で12時間乾燥した。次に、乾燥した生成物をシ
リカ血中で750℃で2時間焼成した。
ラリーのpl+を2.0に保った。温度は90℃を維持
した。30分のキュアの後、生成物をろ過によって単離
し、洗浄して可溶性塩を除去した。その後、生成物を1
20℃で12時間乾燥した。次に、乾燥した生成物をシ
リカ血中で750℃で2時間焼成した。
乾燥粉末2Hgが回収された。乾燥生成物の表面積は8
0d1gであり、焼゛成した生成物の表面積は48rf
/gであった。焼成した粉末は6オームの乾燥抵抗を有
していた。酸化物として報告されたこの粉末の組成は、
5n02 55%、5bz037%、8102 37%
およびCa00.3%であった。電子顕微鏡での観察に
より、この粉末は、シリカの粒子とシリカ表面上の連続
2次元ネットワーク中に分散した酸化錫微結晶からなる
ことが見出された。
0d1gであり、焼゛成した生成物の表面積は48rf
/gであった。焼成した粉末は6オームの乾燥抵抗を有
していた。酸化物として報告されたこの粉末の組成は、
5n02 55%、5bz037%、8102 37%
およびCa00.3%であった。電子顕微鏡での観察に
より、この粉末は、シリカの粒子とシリカ表面上の連続
2次元ネットワーク中に分散した酸化錫微結晶からなる
ことが見出された。
この粉末の等重点は2.3であった。
塩化カルシウムを添加することなく上記実施例を繰り返
したときに、乾燥粉末抵抗は8オームであった。焼成し
た粉末の表面積は5orry/srであった。
したときに、乾燥粉末抵抗は8オームであった。焼成し
た粉末の表面積は5orry/srであった。
実施例9
3gビーカーに脱イオン水2fIを入れ、90℃に加熱
した。加熱した水にDa(OH)z ・112015g
を添加した。公称37%の1101を用いてpHを9.
5に保ちながら、この溶液に実施例8の硅酸カリウム溶
液400gを2時間にわたって添加した。シリカ沈殿の
間、よく撹拌した。硅酸カリウム溶液の添加に続いて、
pHを7,0に調整し、30分間維持した。次いで、公
称37%の1(c1を用いてpHを2,0に低下させた
。5nCI4/ 5bCI3の保存液を・次のように調
整した。水に5nC14’ 5H202000Kを溶解
し、脱イオン水で全量を3000−に調整した。SbC
I 3250−を公称37%のllCl 5001に溶
解した。
した。加熱した水にDa(OH)z ・112015g
を添加した。公称37%の1101を用いてpHを9.
5に保ちながら、この溶液に実施例8の硅酸カリウム溶
液400gを2時間にわたって添加した。シリカ沈殿の
間、よく撹拌した。硅酸カリウム溶液の添加に続いて、
pHを7,0に調整し、30分間維持した。次いで、公
称37%の1(c1を用いてpHを2,0に低下させた
。5nCI4/ 5bCI3の保存液を・次のように調
整した。水に5nC14’ 5H202000Kを溶解
し、脱イオン水で全量を3000−に調整した。SbC
I 3250−を公称37%のllCl 5001に溶
解した。
5nC14溶液600−および5bCI3溶液73wJ
を一緒に混合し、沈殿したシリカに添加するための保存
液とした。pHを調整するために20%NaOH溶液を
用い、pi 2および90℃で、2時間にわたって、こ
の保存液を添加した。30分間キュアした後、生成物を
ろ過によって単離し、洗浄して可溶性塩を除去した。こ
の生成物を120℃で12時間乾燥した。乾燥した生成
物を空気中のシリカ皿中で、750℃で2時間焼成した
。乾燥粉末295gが回収された。
を一緒に混合し、沈殿したシリカに添加するための保存
液とした。pHを調整するために20%NaOH溶液を
用い、pi 2および90℃で、2時間にわたって、こ
の保存液を添加した。30分間キュアした後、生成物を
ろ過によって単離し、洗浄して可溶性塩を除去した。こ
の生成物を120℃で12時間乾燥した。乾燥した生成
物を空気中のシリカ皿中で、750℃で2時間焼成した
。乾燥粉末295gが回収された。
乾燥した生成物の表面積は83rr?/gであり、焼成
した生成物の表面積は39rd/gであった。酸化物と
して報告されたこの粉末の組成は、5nOz 58%、
5b2037%、810235%、およびBaOO,4
%であった。この粉末の等電点は2.0であった。
した生成物の表面積は39rd/gであった。酸化物と
して報告されたこの粉末の組成は、5nOz 58%、
5b2037%、810235%、およびBaOO,4
%であった。この粉末の等電点は2.0であった。
NaOHを添加することに゛よりpHを2,0に保ちな
がら、5nC14/ 5bC13/ HCI保存液を9
0℃で水に単に添加することによって、シリカまたはバ
リウムの存在なしにこの実施例を繰り返した。得られた
乾燥粉末の等電点は0.5であった。
がら、5nC14/ 5bC13/ HCI保存液を9
0℃で水に単に添加することによって、シリカまたはバ
リウムの存在なしにこの実施例を繰り返した。得られた
乾燥粉末の等電点は0.5であった。
実施例10
(A) パドルスターラーを備えた5!!ビーカーに
脱イオン水3000−を入れた。そのpHを20%Na
0Il溶液を用いて10.5に調整し、ホットプレート
を使用して混合液の温度を75℃に昇温した。これとは
別に、硅酸カリウム溶液(5iO224%)615gと
Na262O468H2O200gとを混合することに
より保存コーテイング液を調製した。保存コーテイング
液150 gを5gビーカー中の撹拌した溶液に約2分
間にわたって添加した。保存コーテイング液の添加の後
ただちに、約2分間にわたって、BaCO3粉末135
0 gを添加した。その後、残りの保存コーテイング液
(665g)をスラリーに添加した。75℃の温度を維
持しながら、3時間にわたって、総量1860 all
のGN llClを撹拌したスラリ−に添加した。J(
cIの添加が完了したときに、スラリーをpH7および
75℃に30分間保った。
脱イオン水3000−を入れた。そのpHを20%Na
0Il溶液を用いて10.5に調整し、ホットプレート
を使用して混合液の温度を75℃に昇温した。これとは
別に、硅酸カリウム溶液(5iO224%)615gと
Na262O468H2O200gとを混合することに
より保存コーテイング液を調製した。保存コーテイング
液150 gを5gビーカー中の撹拌した溶液に約2分
間にわたって添加した。保存コーテイング液の添加の後
ただちに、約2分間にわたって、BaCO3粉末135
0 gを添加した。その後、残りの保存コーテイング液
(665g)をスラリーに添加した。75℃の温度を維
持しながら、3時間にわたって、総量1860 all
のGN llClを撹拌したスラリ−に添加した。J(
cIの添加が完了したときに、スラリーをpH7および
75℃に30分間保った。
5102/B2O3でコートされたBaCO3を、粗焼
結ガラスフィルターでろ過することにより単離した。
結ガラスフィルターでろ過することにより単離した。
この生成物を脱イオン水で洗浄して7000マイクロモ
ーとし、次いで120℃でI2時間乾燥した。この生成
物は12%の5i02 /820Bを含有していた。
ーとし、次いで120℃でI2時間乾燥した。この生成
物は12%の5i02 /820Bを含有していた。
(B) 上記(A)で調製したような12%5i02
/B2O3でコートされたBaCO3粉末250gを、
脱イオン水500−の入ったウォーリングブレンダー(
Waring blender)に入れ、2分間混合し
た。この原料を、パドルスターラーを備えた4gビーカ
ーに入れられた水130(l WJに添加した。このス
ラリーを60℃に加熱し、公称37%の1101を撹拌
したスラリーに滴下してBaCO3の核を除去した。公
称3726のllCl 1871が必要であった。全て
の使用可能なりaCO3が除去されたときに、pHが2
.0で安定化した。5nCI4/5bC13保存液を、
pH2,0で2時間にわたってスラリーに添加した。2
0%Na011溶液を同時に添加することにより、pH
を2.0に保った。
/B2O3でコートされたBaCO3粉末250gを、
脱イオン水500−の入ったウォーリングブレンダー(
Waring blender)に入れ、2分間混合し
た。この原料を、パドルスターラーを備えた4gビーカ
ーに入れられた水130(l WJに添加した。このス
ラリーを60℃に加熱し、公称37%の1101を撹拌
したスラリーに滴下してBaCO3の核を除去した。公
称3726のllCl 1871が必要であった。全て
の使用可能なりaCO3が除去されたときに、pHが2
.0で安定化した。5nCI4/5bC13保存液を、
pH2,0で2時間にわたってスラリーに添加した。2
0%Na011溶液を同時に添加することにより、pH
を2.0に保った。
その後、生成、物をろ過し、洗浄して7000マイクロ
モーにした。洗浄した生成物を120℃で12時間乾燥
し、空気中で750℃で2時間焼成した。乾燥粉末84
gが回収された。乾燥粉末セルにおいて、生成物の抵
抗は8オームであった。この生成物の表面積は1211
.9ゴ/gであった。
モーにした。洗浄した生成物を120℃で12時間乾燥
し、空気中で750℃で2時間焼成した。乾燥粉末84
gが回収された。乾燥粉末セルにおいて、生成物の抵
抗は8オームであった。この生成物の表面積は1211
.9ゴ/gであった。
実施例11
(A) 3flのガラスフラスコ中において、水1
gに硫酸バルウム(Blanc Fix ) 300
gを撹拌しながら分散させ、90℃に加熱した。50
gの5n02および5.0gのSbの等量を含有し、実
施例1の手順に従って調製された5nCI4/ 5bC
I3/)ICI溶液197−を、2時間にわたってスラ
リーに添加した。pHが2に達した場合には、5nCI
4 /5bC13/MCI溶液と共に10%水酸化ナト
リウムを添加して、残りの添加の間p11を2に維持し
た。その後、このスラリーをさらに30分間p1(2か
つ90℃の温度で保った。生成物をろ過し、洗浄して可
溶性塩を除去し、空気中750℃で2時間焼成した。乾
燥生成物354gが回収された。
gに硫酸バルウム(Blanc Fix ) 300
gを撹拌しながら分散させ、90℃に加熱した。50
gの5n02および5.0gのSbの等量を含有し、実
施例1の手順に従って調製された5nCI4/ 5bC
I3/)ICI溶液197−を、2時間にわたってスラ
リーに添加した。pHが2に達した場合には、5nCI
4 /5bC13/MCI溶液と共に10%水酸化ナト
リウムを添加して、残りの添加の間p11を2に維持し
た。その後、このスラリーをさらに30分間p1(2か
つ90℃の温度で保った。生成物をろ過し、洗浄して可
溶性塩を除去し、空気中750℃で2時間焼成した。乾
燥生成物354gが回収された。
(B ) Ba5Osスラリーの調製に使用された1
gにCaCl2333+rを溶解したこと以外はパート
(A)を繰り返した。乾燥生成物354gが回収された
。
gにCaCl2333+rを溶解したこと以外はパート
(A)を繰り返した。乾燥生成物354gが回収された
。
(c) 18Uポリエチレンビーカー中において、水
6gにBaSO43000gを撹拌しながら分散させた
。10%Na0IIを添加することにより pHを10
.0 、に調整した。28.7%の5in2および8.
9%Na2Oを含有する硅酸ナトリウム溶液・628g
を添加し、次いでスラリーを30分で90℃に加熱した
。
6gにBaSO43000gを撹拌しながら分散させた
。10%Na0IIを添加することにより pHを10
.0 、に調整した。28.7%の5in2および8.
9%Na2Oを含有する硅酸ナトリウム溶液・628g
を添加し、次いでスラリーを30分で90℃に加熱した
。
pilは 10.15であった。次に25%l12SO
4溶液を、pilが7.0に達するまで100al!
/時の割合で添加した。
4溶液を、pilが7.0に達するまで100al!
/時の割合で添加した。
スラリーをpil7かつ90℃で30分間維持した。得
られた生成物をろ過し、洗浄して可溶性塩を除去し、1
20℃で一晩乾焔させた。乾燥粉末3088 gが回収
された。
られた生成物をろ過し、洗浄して可溶性塩を除去し、1
20℃で一晩乾焔させた。乾燥粉末3088 gが回収
された。
(D)3gガラスフラスコ中において、水1gに上記工
程(c)で得られた粉末300gを分散させ、次いで9
0℃に加熱した。パート(A)の5lICI4 / 5
bCI3/ llCl溶液197−を、2時間にわたっ
てスラリ、−に添加した。pHが2.0に低下した場合
には、5nCI4 / 5bCI3 / tlcl溶液
と共に十分な10%苛性アルカリを添加してallを2
に保ち、90℃の温度を維持した。得られた生成物をろ
過し、洗浄して可溶性塩を除去し、空気中750℃の温
度で2時間焼成した。乾燥粉末35[i gが回収され
た。
程(c)で得られた粉末300gを分散させ、次いで9
0℃に加熱した。パート(A)の5lICI4 / 5
bCI3/ llCl溶液197−を、2時間にわたっ
てスラリ、−に添加した。pHが2.0に低下した場合
には、5nCI4 / 5bCI3 / tlcl溶液
と共に十分な10%苛性アルカリを添加してallを2
に保ち、90℃の温度を維持した。得られた生成物をろ
過し、洗浄して可溶性塩を除去し、空気中750℃の温
度で2時間焼成した。乾燥粉末35[i gが回収され
た。
(E) スラリーの調製に使用された水Igに、Ca
Cl2333gを溶解させたことを除いて、パート(D
)を繰り返した。乾燥粉末154gが回収された。
Cl2333gを溶解させたことを除いて、パート(D
)を繰り返した。乾燥粉末154gが回収された。
工程(A)、(B)、(c)および(D)において調製
された粉末の乾燥粉末抵抗、細孔径および表面積を測定
し、その結果を第2表に示した。
された粉末の乾燥粉末抵抗、細孔径および表面積を測定
し、その結果を第2表に示した。
パート
第2′表
CaCl2
抵抗
オーム
(A)
(B)
(c)
(D)
細孔径
l
12.0
9.9
11.5
7.5
パート
(A)
(B)
(c)
(D)
aSO4
換算
Ba(%)
第3表
n02
換算
Sn(%)
j02
換算
Sl(%)
6.5
6.4
b2o3
換算
Sb(%)
1.7
1.7
1.7
1.13
表面積
ゴ/g
8.4
7.6
11.4
9.2
aO
換算
Ca(%)
<0.05
<0.05
<0.05
<0.05
実施例工2
(A) 蒸留水2000 lj!に、表面積が8.7
nf/gである湿式粉砕した白雲母188gをトリエタ
ノールアミン0.8%と共に分散させた。処理温度を9
0℃に昇温し、残りの水性処理の間これを維持した。2
0%N a Otlを用いてpHを 10.0に調整し
、3.29比(ratio )硅酸カリウム(25%5
I02 )を2分にわたって撹拌したスラリーに添加し
た。次いで、20%HCIを2時間にわたってスラリー
に添加し、pHを 8.0とした。その後、20%11
引を用いてさらにpHを7.0に調整し、スラリーを3
0分間撹拌した。次に、20%HCIを用いてI)Hを
2.0に調整し、CaCl2220gを5分間にわたっ
て浴に添加した。5nC14溶液220mJ (0,4
45g SnO2/ if)および5bCI3溶液42
al (0,235gSb/af)を混合し、20%
N a Otlを添加することによってpl+を2.0
に維持しながら、2時間にわたってスラリーに添加した
。このスラリーを90℃およびp112に30分間保っ
た。その後、これをろ過し、洗浄して可溶性塩を除去し
、120℃で12時間乾燥した。乾焔した生成物を75
℃で2時間焼成゛した。X線蛍光分析によって、この粉
末が33.1%のSn (5n02換算)、4.0%の
Sb (Sb203換算) 、31.2%のSl (5
102換算) 、22.0%のAI(AI203換算)
、および6.3%のK(K20換算)を含有することが
見出だされた。X線回折線の拡がりから、5n02微結
晶の平均径は7nmであった。ポリエステル/メラミン
/ヒマシ油プライマー塗料を実施例2と同様にして調製
した。
nf/gである湿式粉砕した白雲母188gをトリエタ
ノールアミン0.8%と共に分散させた。処理温度を9
0℃に昇温し、残りの水性処理の間これを維持した。2
0%N a Otlを用いてpHを 10.0に調整し
、3.29比(ratio )硅酸カリウム(25%5
I02 )を2分にわたって撹拌したスラリーに添加し
た。次いで、20%HCIを2時間にわたってスラリー
に添加し、pHを 8.0とした。その後、20%11
引を用いてさらにpHを7.0に調整し、スラリーを3
0分間撹拌した。次に、20%HCIを用いてI)Hを
2.0に調整し、CaCl2220gを5分間にわたっ
て浴に添加した。5nC14溶液220mJ (0,4
45g SnO2/ if)および5bCI3溶液42
al (0,235gSb/af)を混合し、20%
N a Otlを添加することによってpl+を2.0
に維持しながら、2時間にわたってスラリーに添加した
。このスラリーを90℃およびp112に30分間保っ
た。その後、これをろ過し、洗浄して可溶性塩を除去し
、120℃で12時間乾燥した。乾焔した生成物を75
℃で2時間焼成゛した。X線蛍光分析によって、この粉
末が33.1%のSn (5n02換算)、4.0%の
Sb (Sb203換算) 、31.2%のSl (5
102換算) 、22.0%のAI(AI203換算)
、および6.3%のK(K20換算)を含有することが
見出だされた。X線回折線の拡がりから、5n02微結
晶の平均径は7nmであった。ポリエステル/メラミン
/ヒマシ油プライマー塗料を実施例2と同様にして調製
した。
(B) シリカコーティングを省略したことを除いて
、パート(A)の手順を繰り返した。水およびトリエタ
ノールアミンに雲母を分散させた後、20%llClを
添加することによフてpHを2.0に下げた。塩化カル
シウムを添加し、その時点からパート(A)の手順を続
けた。
、パート(A)の手順を繰り返した。水およびトリエタ
ノールアミンに雲母を分散させた後、20%llClを
添加することによフてpHを2.0に下げた。塩化カル
シウムを添加し、その時点からパート(A)の手順を続
けた。
(c) 塩化カルシウム溶液を使用しないことを除い
て、パート(A)の手順を繰り返した。
て、パート(A)の手順を繰り返した。
得られた粉末の組成および導電性能は、以下の通りに求
められた。組成はX線蛍光分析で決定し、微結晶のサイ
ズはX線回折線の拡がりによって決定した。
められた。組成はX線蛍光分析で決定し、微結晶のサイ
ズはX線回折線の拡がりによって決定した。
粉末
tO2
(%)
33.1
33.8
33.5
第4表
5b203 5102
(%) (%)
4.0 31.2
4.2 28.9
3.833.6
A1.03
(%)
22.0
22.6
23.3
aO
pH
に20
(%)
6.3
6.3
G、3
第5表
粉
末
5n02−8bの ペイン
微結晶径
(nIIl) P/B
ト中での性能
伝導度
ランスブルク印位
〉 IG5
実施例13
雲母1811 gの代わりに離層したカオリナイトクレ
イ 188.を使用し、5nC14溶液°の量を252
sJに増量し、および5bCI3溶液の量を48−に増
量したことを除いて、実施例■2のパート(A)を繰り
返した。カオリナイトの表面積は12.1d/gであっ
た。粉末の試料は、実施例2と同様に、ポリエステル/
メラミン/ヒマシ油塗料と合体された。
イ 188.を使用し、5nC14溶液°の量を252
sJに増量し、および5bCI3溶液の量を48−に増
量したことを除いて、実施例■2のパート(A)を繰り
返した。カオリナイトの表面積は12.1d/gであっ
た。粉末の試料は、実施例2と同様に、ポリエステル/
メラミン/ヒマシ油塗料と合体された。
得られた塗膜は、P/B50で135ランスブルク単位
の伝導度を有していた。
の伝導度を有していた。
第1図は、本発明の方法にしたがって製造されたシェル
の形の導電性粒子の構造を示す電子顕微鏡写真図、 第2図は本発明に係るアンチモン含有酸化錫微結晶の導
電層で被覆されたシェルの断片の粒子構造のより高倍率
の電子顕微鏡写真図、 第3図は、本発明の乾燥粉として調製された組成物の個
々の試料の乾燥粉抵抗を測定するために使用される装置
の断面図である。
の形の導電性粒子の構造を示す電子顕微鏡写真図、 第2図は本発明に係るアンチモン含有酸化錫微結晶の導
電層で被覆されたシェルの断片の粒子構造のより高倍率
の電子顕微鏡写真図、 第3図は、本発明の乾燥粉として調製された組成物の個
々の試料の乾燥粉抵抗を測定するために使用される装置
の断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 無定形シリカ又はシリカ含有物質をアンチモン含量
が酸化錫の1〜約30重量%の範囲であるアンチモン含
有酸化錫結晶子の二次元ネットワークと共に包含する導
電性組成物。 2 該組成物が、アンチモン含有酸化チタン結晶子の二
次元ネットワークで表面被覆された、無定形シリカ又は
シリカ含有物質の成形粒子、又は無定形シリカ被覆又は
シリカ含有被覆を有する不活性コア物質を包含する粒子
を包含する粉末である請求項1に記載の組成物。 3 成形粒子が少なくとも2のアスペクト比を有する請
求項2に記載の組成物。 4 成形粒子が無定形シリカ又はシリカ含有物質の中空
シェルである請求項2又は3に記載の組成物。 5 該シリカ含有物質が、金属シリケート、シリカ含有
ガラス及びSiO_4を含む広範な共有結合ネットワー
クを有する物質から選ばれる組成物である請求項1、2
、3、又は4に記載の組成物。 6 該シリカ含有物質が、シリカーボリア物質である請
求項1、2、3、4又は5に記載の組成物。 7 重合体キャリアマトリックスにおいて、シリカ又は
シリカ含有物質の被覆を有する不活性コア及びアンチモ
ンが酸化錫の1〜約30重量%の量で存在するアンチモ
ン含有酸化錫結晶子の二次元導電性ネットワークの表面
被覆を包含する粒子の相互連結成形粒子を包含する導電
性ネットワーク。 8 重合体キャリアマトリックスにおいて、アンチモン
の含量が酸化錫の1〜約30重量%の範囲であるアンチ
モン含有酸化錫結晶子の二次元導電性ネットワークを包
含する表面被覆と共に無定形シリカ又はシリカ含有物質
から本質的になる構造を有する粒子の相互連結成形粒子
を包含する導電性ネットワーク。 9 重合体キャリアマトリックスが塗料のフィルムであ
る請求項7又は8の導電性ネットワーク。 10 重合体キャリアマトリックスが繊維である請求項
7又は8の導電性ネットワーク。 11 該コアが本質的に硫酸バリウムからなる請求項2
に記載の組成物。 12 該コアが本質的に二酸化チタンからなる請求項2
に記載の組成物。 13 アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び
稀土類元素から選ばれる1以上のグレインリファイナを
約10重量%まで含む請求項1〜6のいずれかに記載の
導電性組成物。 14 該グレインリファイナがCa、Ba、Sr、及び
Mgから選ばれる請求項13に記載の組成物。 15 次の工程を包含するアンチモン含有酸化錫結晶子
の二次元導電性ネットワークを包含する表面被覆と共に
無定形シリカ又はシリカ含有物質を包含する導電性組成
物の製造方法。 (a)無定形ヒドロキシル化シリカ又はシリカ含有物質
の基体を準備する工程、 (b)アンチモン及び錫の水和酸化物から本質的になる
被覆層を該基体表面に適用する工程、(c)該被覆基体
を400〜900℃の範囲の温度で焼成する工程。 16 該無定形ヒドロキシル化シリカは溶液からシリカ
を沈殿させて準備する請求項15に記載の方法。 17 該被覆基体を酸素含有雰囲気下で400〜900
℃の範囲の温度において焼成する請求項15に記載の方
法。 18 該無定形ヒドロキシル化シリカ又はシリカ含有物
質基体は微細に分割されたコア物質を活性シリカ又はシ
リカ含有物質で被覆して準備する請求項15に記載の方
法。 19 該コア物質はBaCO_3及びCaCO_3から
選ばれる炭酸塩である請求項18に記載の方法。 20 該コア物質はBaSO_4、CaSO_4及びT
iO_2から選ばれる請求項18に記載の方法。 21 コア物質を除く付加工程を含む請求項19、20
又は21に記載の方法。 22 該コア物質が次の工程によって活性シリカで被覆
される請求項18〜21のいずれかに記載の方法。 (a)該コア物質を水中に懸濁し、懸濁液のpHを8〜
11の範囲の値に維持しながら活性シリカ源を添加する
工程、及び (b)該懸濁液に存在するシリカの量に基づいてあらか
じめ定めた時間に亘って該懸濁液に希鉱酸を添加してシ
リカ源に含まれるアルカリを中和する工程。 23 該鉱酸がH_2SO_4、HCl、及びHNO_
3から選ばれる請求項22に記載の方法。 24 該コア物質は該シリカ被覆粒子を水中に懸濁し、
該コア物質が溶解する溶媒を該懸濁液に添加することに
よって除く請求項22に記載の方法。 25 アンチモン及び錫の水和酸化物の被覆層が次の工
程によって該シリカ基体に適用される請求項15〜24
のいずれかに記載の方法。 (a)加水分解できる4価Sn及び3価Sb塩の別個の
水溶液を調製する工程、 (b)該Sn及びSb塩の溶液を合体する工程、及び (c)該合体溶液をスラリーのpHを1.5乃至3.5
の範囲にかつスラリーの温度を25〜100℃の範囲の
温度に保ちながら連続攪拌下であらかじめ定めた時間に
わたってシリカ基体のスラリーに添加する工程。 26 アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び
稀土類元素から選ばれるグレインリファイナ又はグレイ
ンリファイナの混合物を約3モルまでの濃度で含むスラ
リーに該塩溶液を添加する請求項25に記載の方法。 27 該グレインリファイナがCa、Ba、Sr、Zn
、及びMgから選ばれる請求項26に記載の方法。 28 BaSO_4、SrSO_4、CaSO_4、グ
ラファイト、カーボン、マイカ、及びTiO_2から選
ばれ、アンチモン含有酸化錫結晶子の二次元導電性ネッ
トワークで表面被覆され、該粒子がアルカリ金属、アル
カリ土類金属、遷移金属及び稀土類元素から選ばれるグ
レインリファイナ又はグレインリファイナの混合物を少
なくとも約100ppm含む成形粒子を包含する粉末で
ある導電性組成物。 29 該成形粒子がBaSO_4であり、該グレインリ
ファイナがCaである請求項28に記載の組成物。 30 次の工程を包含する、BaSO_4、SrSO_
4、CaSO_4、グラファイト、カーボン、マイカ、
及びTiO_2から選ばれ、アンチモン含有酸化錫結晶
子の二次元導電性ネットワークで表面被覆され、グレイ
ンリファイナ又はグレインリファイナの混合物を少なく
とも約100ppm含む成形粒子を包含する導電性組成
物の製造方法。 (a)アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び
稀土類元素から選ばれるグレインリファイナ又はグレイ
ンリファイナの混合物の存在下でアンチモン及び錫の水
和酸化物から本質的になる粒子に被覆層を適用する工程
、及び (b)該被覆粒子を酸素含有雰囲気下で400〜900
℃の温度において焼成する工程。 31 アンチモン及び錫の水和酸化物の被覆層を次の工
程で該粒子に適用する請求項30に記載の方法。 (a)加水分解できる4価Sn及び3価Sb塩の別個の
水溶液を調製する工程、 (b)該Sn及びSb塩の溶液を合体する工程、及び (c)該合体溶液をスラリーのpHを1.5乃至3.5
の範囲にかつスラリーの温度を25〜100℃の範囲の
温度に保ちながら連続撹拌下であらかじめ定めた時間に
わたって該粒子のスラリーに添加する工程。 32 該シリカ含有物質がマイカである請求項1又は2
に記載の組成物。 33 該基体が本質的にマイカからなる請求項8に記載
の組成物。 34 無定形シリカの被覆又はシリカ含有被覆が20n
m未満であり、アンチモン含有酸化錫結晶子の導電性ネ
ットワークが20nm未満である請求項2に記載の組成
物。
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US24518388A | 1988-09-16 | 1988-09-16 | |
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US07/386,765 US5585037A (en) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | Electroconductive composition and process of preparation |
US386,765 | 1989-08-02 |
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