JPH0221761Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0221761Y2 JPH0221761Y2 JP19509884U JP19509884U JPH0221761Y2 JP H0221761 Y2 JPH0221761 Y2 JP H0221761Y2 JP 19509884 U JP19509884 U JP 19509884U JP 19509884 U JP19509884 U JP 19509884U JP H0221761 Y2 JPH0221761 Y2 JP H0221761Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- reed
- high frequency
- circuit
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 58
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Contacts (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この考案は例えば高周波用の各種測定器等に利
用することができる高周波切替回路に関する。
用することができる高周波切替回路に関する。
「従来技術」
高周波切替回路では切離した回路は開放端とす
ることなく特性インピーダンスを保持するために
終端抵抗を接続することが行われている。その一
例として第３図に示すような切替回路がある。第
３図においてＡ，Ｂはそれぞれリードリレーを示
す。これらリードリレーＡ，Ｂは例えば第４図に
示すようにガラス封止管１の外側に非磁性の導体
管２を被せ、この導体管２とリードリレーＡ，Ｂ
を構成するリード３及び４によつて同軸構造と
し、インピーダンス整合させる構造としている。
また導体管２の外側に励磁コイル５を設け、励磁
コイル５を励磁することによりリード３と４の間
をオンにさせ、また非励磁状態にすることにより
リード３と４の間をオフさせることができる構造
となつている。
ることなく特性インピーダンスを保持するために
終端抵抗を接続することが行われている。その一
例として第３図に示すような切替回路がある。第
３図においてＡ，Ｂはそれぞれリードリレーを示
す。これらリードリレーＡ，Ｂは例えば第４図に
示すようにガラス封止管１の外側に非磁性の導体
管２を被せ、この導体管２とリードリレーＡ，Ｂ
を構成するリード３及び４によつて同軸構造と
し、インピーダンス整合させる構造としている。
また導体管２の外側に励磁コイル５を設け、励磁
コイル５を励磁することによりリード３と４の間
をオンにさせ、また非励磁状態にすることにより
リード３と４の間をオフさせることができる構造
となつている。
第４図に示す構造のリードリレーを第３図に示
すように接続し、リードリレーＡとＢを互に連動
させてオン、オフさせる。つまりリードリレーＡ
をオンに制御したときはリードリレーＢをオフに
制御する。またリードリレーＡをオフに制御した
ときはリードリレーＢをオンに制御する。
すように接続し、リードリレーＡとＢを互に連動
させてオン、オフさせる。つまりリードリレーＡ
をオンに制御したときはリードリレーＢをオフに
制御する。またリードリレーＡをオフに制御した
ときはリードリレーＢをオンに制御する。
P1，P2は第１及び第２端子を示す。またP3は
第３端子を示す。また第３端子と共通電位点６の
それぞれの間に終端抵抗器７を接続する。第１及
び第２端子にはそれぞれ高周波回路９Ａ，９Ｂを
接続する。
第３端子を示す。また第３端子と共通電位点６の
それぞれの間に終端抵抗器７を接続する。第１及
び第２端子にはそれぞれ高周波回路９Ａ，９Ｂを
接続する。
このような切替回路においてリードリレーＢが
オンに制御されることにより高周波回路９Ａと９
ＢがリードリレーＢを通じて接続される。またリ
ードリレーＡがオンに制御されると高周波回路９
ＡがリードリレーＡを通じて抵抗器７に接続され
抵抗器７によつて終端される。
オンに制御されることにより高周波回路９Ａと９
ＢがリードリレーＢを通じて接続される。またリ
ードリレーＡがオンに制御されると高周波回路９
ＡがリードリレーＡを通じて抵抗器７に接続され
抵抗器７によつて終端される。
「考案が解決しようとする問題点」
リードリレーＡがオンの状態のときリードリレ
ーＢがオフとなつている。従つてリードリレーＡ
がオンの状態のときリードリレーＢのリード３が
分岐した状態で開放端を構成する。またリードリ
レーＢがオンの状態のときリードリレーＡのリー
ド３が開放端を構成する。
ーＢがオフとなつている。従つてリードリレーＡ
がオンの状態のときリードリレーＢのリード３が
分岐した状態で開放端を構成する。またリードリ
レーＢがオンの状態のときリードリレーＡのリー
ド３が開放端を構成する。
これら各開放端は端子P1からの長さに応じた
周波数の共振子として作用し、切替回路が第５図
に示すような周波数特性を持つ。第５図に示す周
波数特性において第１番目に切込が生じる周波数
1は各開放端を構成するリード３と４の長さによ
つて決まる。つまり例えば開放端の電気長Ｌ信号
の波長をλとした場合Ｌ＝λ／４で共振する。よつ て共振周波数1は1＝Ｃ／4Lとなる（Ｃは光速）。従 つてリード３と４が比較的長いと周波数1は比較
的低い周波数となり、実用周波数範囲Ｍが狭くな
つてしまう不都合がある。特にギガヘルツ帯の高
周波信号を授受する場合は信号帯域内に共振周波
数1を含むようになり、正確に信号の授受が達せ
られなくなる欠点がある。
周波数の共振子として作用し、切替回路が第５図
に示すような周波数特性を持つ。第５図に示す周
波数特性において第１番目に切込が生じる周波数
1は各開放端を構成するリード３と４の長さによ
つて決まる。つまり例えば開放端の電気長Ｌ信号
の波長をλとした場合Ｌ＝λ／４で共振する。よつ て共振周波数1は1＝Ｃ／4Lとなる（Ｃは光速）。従 つてリード３と４が比較的長いと周波数1は比較
的低い周波数となり、実用周波数範囲Ｍが狭くな
つてしまう不都合がある。特にギガヘルツ帯の高
周波信号を授受する場合は信号帯域内に共振周波
数1を含むようになり、正確に信号の授受が達せ
られなくなる欠点がある。
更に第６図に示すような切替回路とする場合も
ある。この回路はリードリレーＡとＣが同時にオ
ンに制御され、そのときリードリレーＢとＤがオ
フとなつている。またリードリレーＢとＤがオン
のときリードリレーＡとＣがオフに制御される。
ある。この回路はリードリレーＡとＣが同時にオ
ンに制御され、そのときリードリレーＢとＤがオ
フとなつている。またリードリレーＢとＤがオン
のときリードリレーＡとＣがオフに制御される。
このようにリードリレーＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄがオ
ン、オフ制御されることによつて高周波回路９Ａ
と９Ｂが接続される状態と高周波回路９Ｃと９Ｂ
が接続される状態とに切替られる。
ン、オフ制御されることによつて高周波回路９Ａ
と９Ｂが接続される状態と高周波回路９Ｃと９Ｂ
が接続される状態とに切替られる。
この切替回路においてもリードリレーＡとＣが
オンのときリードリレーＢとＤのリード３及び４
が開放端を構成し、上述と同様の不都合が生じ
る。
オンのときリードリレーＢとＤのリード３及び４
が開放端を構成し、上述と同様の不都合が生じ
る。
更にこの回路構造によれば切替が２回路存在す
るため例えばリードリレーＡとＣがオンのときリ
ードリレーＢはオフとなつているが、リード３と
４が極く小さい間隙で対向しているため高周波回
路９Ｃと９Ｂ間で授受している信号がリードリレ
ーＢのリード３と４の間隙で構成される静電容量
を通じて高周波回路９Ａ側に漏れる欠点がある。
るため例えばリードリレーＡとＣがオンのときリ
ードリレーＢはオフとなつているが、リード３と
４が極く小さい間隙で対向しているため高周波回
路９Ｃと９Ｂ間で授受している信号がリードリレ
ーＢのリード３と４の間隙で構成される静電容量
を通じて高周波回路９Ａ側に漏れる欠点がある。
「問題点を解決するための手段」
この考案による高周波切替回路は、
Ａ 封止管の内部において短かいリードと長いリ
ードを有し、長いリード側を互に共通接続した
第１、第２リードリレーと、 Ｂ この第１、第２リードリレーの短かいリード
側を接続した第１端子及び第２端子と、 Ｃ 封止管内部において長いリードと短かいリー
ドを有し長いリード側を第３端子に接続し短か
いリード側を第１端子又は第２端子に接続した
第３リードリレーと、 によつて高周波切替回路を構成したものである。
ードを有し、長いリード側を互に共通接続した
第１、第２リードリレーと、 Ｂ この第１、第２リードリレーの短かいリード
側を接続した第１端子及び第２端子と、 Ｃ 封止管内部において長いリードと短かいリー
ドを有し長いリード側を第３端子に接続し短か
いリード側を第１端子又は第２端子に接続した
第３リードリレーと、 によつて高周波切替回路を構成したものである。
（作用効果）
この考案による高周波切替回路によればオフ状
態にあるリードリレーのリードが形成する開放端
は短かいリードによつて形成される。このため開
放端の共振周波数は従来の構造と比較して高い周
波数となる。
態にあるリードリレーのリードが形成する開放端
は短かいリードによつて形成される。このため開
放端の共振周波数は従来の構造と比較して高い周
波数となる。
この結果切替回路の周波数特性の第１番目の切
込周波数1は従来より高い周波数となり実用周波
数領域Ｍを広くすることができる。
込周波数1は従来より高い周波数となり実用周波
数領域Ｍを広くすることができる。
「考案の実施例」
第１図にこの考案による高周波切替回路の実施
例を示す。図中１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃはそれぞ
れ封止管の内部において長いリード１２と短かい
リード１３を有するリードリレーを示す。
例を示す。図中１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃはそれぞ
れ封止管の内部において長いリード１２と短かい
リード１３を有するリードリレーを示す。
ここでリードリレー１１Ａと１１Ｂは長いリー
ド１２を共通接続した第１及び第２リードリレー
を示す。これら第１、第２リードリレー１１Ａと
１１Ｂの各短かいリード１３は第１端子P1と第
２端子P2に接続する。第１端子P1と第２端子P2
に接続する。第１端子P1と第２端子P2には高周
波回路９Ａと９Ｂを接続する。ここで高周波回路
９Ａは信号源側であり、９Ｂは高周波信号の受取
側の回路である。
ド１２を共通接続した第１及び第２リードリレー
を示す。これら第１、第２リードリレー１１Ａと
１１Ｂの各短かいリード１３は第１端子P1と第
２端子P2に接続する。第１端子P1と第２端子P2
に接続する。第１端子P1と第２端子P2には高周
波回路９Ａと９Ｂを接続する。ここで高周波回路
９Ａは信号源側であり、９Ｂは高周波信号の受取
側の回路である。
またこの例ではリード１３の共通接続点１４ま
での長さを可及的に短かくするためにリードリレ
ー１１Ａと１１ＣをＶ字状に配置している。
での長さを可及的に短かくするためにリードリレ
ー１１Ａと１１ＣをＶ字状に配置している。
１１Ｃは第３リードリレーである。この第３リ
ードリレー１１Ｃの短かいリード１３を第１端子
P1に接続し、長いリード１２を第３端子P3に接
続する。第３端子P3は終端用抵抗器７を通じて
共通電位点６に接続する。
ードリレー１１Ｃの短かいリード１３を第１端子
P1に接続し、長いリード１２を第３端子P3に接
続する。第３端子P3は終端用抵抗器７を通じて
共通電位点６に接続する。
「実施例の作用」
この実施回路構造において第１、第２リードリ
レー１１Ａと１１Ｂがオンに制御されているとき
は第３リードリレー１１Ｃはオフとなつている。
また第３リードリレー１１Ｃがオンのときは第
１、第２リードリレー１１Ａ，１１Ｂはオフとさ
れる。この切替制御によつて高周波回路９Ａと９
Ｂ間が断続され、高周波回路９Ａと９Ｂ間が断に
なつているとき、高周波回路９Ａは終端用抵抗器
７によつて終端され信号源の出力側を特定の特性
インピーダンスを保持するように動作する。
レー１１Ａと１１Ｂがオンに制御されているとき
は第３リードリレー１１Ｃはオフとなつている。
また第３リードリレー１１Ｃがオンのときは第
１、第２リードリレー１１Ａ，１１Ｂはオフとさ
れる。この切替制御によつて高周波回路９Ａと９
Ｂ間が断続され、高周波回路９Ａと９Ｂ間が断に
なつているとき、高周波回路９Ａは終端用抵抗器
７によつて終端され信号源の出力側を特定の特性
インピーダンスを保持するように動作する。
「考案の効果」
この考案の回路構造によれば特に信号源となる
高周波回路９Ａに接続されるリードリレーのリー
ドによつて形成される開放端は短かいリード１３
によつて形成される。よつて開放端の共振周波数
が高くなり第５図に示した周波数特性の第１番目
の切込周波数1を高い周波数とすることができ
る。よつて実用周波数帯域Ｍの上限周波数を高く
することができる。この結果より一層高い周波数
の信号を断続することができる高周波切替回路を
構成することができる。
高周波回路９Ａに接続されるリードリレーのリー
ドによつて形成される開放端は短かいリード１３
によつて形成される。よつて開放端の共振周波数
が高くなり第５図に示した周波数特性の第１番目
の切込周波数1を高い周波数とすることができ
る。よつて実用周波数帯域Ｍの上限周波数を高く
することができる。この結果より一層高い周波数
の信号を断続することができる高周波切替回路を
構成することができる。
「考案の他の実施例」
第２図にこの考案の他の実施例を示す。第２図
に示す回路では第１、第２リードリレー１１Ａ，
１１Ｂに対応する第４、第５リードリレー１１
Ｄ，１１Ｅと、第３リードリレー１１Ｃに対応す
る第６リードリレー１１Ｆを設け、これら第４、
第５、第６リードリレー１１Ｄ，１１Ｅ，１１Ｆ
を設けることによつて高周波回路９Ｂに二つの高
周波回路９Ａと９Ｃの何れか一方を選択的に接続
する切替を行なう構造とした場合を示す。
に示す回路では第１、第２リードリレー１１Ａ，
１１Ｂに対応する第４、第５リードリレー１１
Ｄ，１１Ｅと、第３リードリレー１１Ｃに対応す
る第６リードリレー１１Ｆを設け、これら第４、
第５、第６リードリレー１１Ｄ，１１Ｅ，１１Ｆ
を設けることによつて高周波回路９Ｂに二つの高
周波回路９Ａと９Ｃの何れか一方を選択的に接続
する切替を行なう構造とした場合を示す。
この回路構造において第１、第２リードリレー
１１Ａ，１１Ｂがオンのときは第４、第５リード
リレー１１Ｄ，１１Ｅはオフに制御され、第６リ
ードリレー１１Ｆがオンに制御される。この状態
では高周波回路９Ａが高周波回路９Ｂに接続さ
れ、高周波回路９Ｃは第６リードリレー１１Ｆを
通じて終端用抵抗器７に接続される。
１１Ａ，１１Ｂがオンのときは第４、第５リード
リレー１１Ｄ，１１Ｅはオフに制御され、第６リ
ードリレー１１Ｆがオンに制御される。この状態
では高周波回路９Ａが高周波回路９Ｂに接続さ
れ、高周波回路９Ｃは第６リードリレー１１Ｆを
通じて終端用抵抗器７に接続される。
このとき第４、第５リードリレー１１Ｄと１１
Ｅのリード３と４によつて構成される静電容量を
通じて高周波回路９Ｃに信号が漏れるが、その静
電容量は二つのリードリレー１１Ｄと１１Ｅの直
列回路によつて構成される静電容量であるためそ
の容量値は小さい値となる。よつて断の状態にあ
る高周波回路９Ｃへの信号の漏れ量はわずかな量
となる。
Ｅのリード３と４によつて構成される静電容量を
通じて高周波回路９Ｃに信号が漏れるが、その静
電容量は二つのリードリレー１１Ｄと１１Ｅの直
列回路によつて構成される静電容量であるためそ
の容量値は小さい値となる。よつて断の状態にあ
る高周波回路９Ｃへの信号の漏れ量はわずかな量
となる。
第１図はこの考案の一実施例を説明するための
接続図、第２図はこの考案の他の実施例を説明す
るための接続図、第３図は従来の高周波切替回路
を説明するための接続図、第４図は高周波切替ス
イツチとして用いるリードリレーの構造を説明す
るための断面図、第５図は従来の欠点を説明する
ためのグラフ、第６図は従来の他の例を説明する
ための接続図である。 １：封止管、２：導体管、３，４：リード、
５：励磁コイル、P1：第１端子、P2：第２端子、
P3：第３端子、６：共通電位点、７：終端用抵
抗器、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ：高周波回路、１１Ａ〜
１１Ｆ：第１〜第６リードリレー、１２：長いリ
ード、１３：短かいリード。
接続図、第２図はこの考案の他の実施例を説明す
るための接続図、第３図は従来の高周波切替回路
を説明するための接続図、第４図は高周波切替ス
イツチとして用いるリードリレーの構造を説明す
るための断面図、第５図は従来の欠点を説明する
ためのグラフ、第６図は従来の他の例を説明する
ための接続図である。 １：封止管、２：導体管、３，４：リード、
５：励磁コイル、P1：第１端子、P2：第２端子、
P3：第３端子、６：共通電位点、７：終端用抵
抗器、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ：高周波回路、１１Ａ〜
１１Ｆ：第１〜第６リードリレー、１２：長いリ
ード、１３：短かいリード。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 Ａ 封止管内部において長いリードと短かいリー
ドを有し長いリード側を互に共通接続した第
１、第２リードリレーと、 Ｂ この第１、第２リードリレーの短かいリード
側を接続した第１端子及び第２端子と、 Ｃ 封止管内部において長いリードと短かいリー
ドを有し長いリード側を第３端子に接続し短か
いリード側を上記第１端子に接続した第３リー
ドリレーと、 Ｄ 上記第１端子に接続され、この第１端子に高
周波信号を与える高周波回路と、 Ｅ 上記第１リードリレーと第２リードリレーを
通じて第２端子に出力される高周波信号を取込
む高周波回路と、 Ｆ 上記第３端子と共通電位点との間に接続され
上記第１端子に高周波信号を与える高周波回路
の出力インピーダンスとインピーダンス整合す
る抵抗値を持つ終端抵抗器と、 から成る高周波切替回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19509884U JPH0221761Y2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19509884U JPH0221761Y2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61109202U JPS61109202U (ja) | 1986-07-10 |
| JPH0221761Y2 true JPH0221761Y2 (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=30752590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19509884U Expired JPH0221761Y2 (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0221761Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4617147B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-01-19 | 国立大学法人 熊本大学 | 高周波信号のスイッチング方法及び高周波信号用スイッチ |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP19509884U patent/JPH0221761Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61109202U (ja) | 1986-07-10 |
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