JPH0221759U - - Google Patents

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JPH0221759U
JPH0221759U JP10044888U JP10044888U JPH0221759U JP H0221759 U JPH0221759 U JP H0221759U JP 10044888 U JP10044888 U JP 10044888U JP 10044888 U JP10044888 U JP 10044888U JP H0221759 U JPH0221759 U JP H0221759U
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fixed part
resistor
strain
crystal
axis
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JP10044888U
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  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の1実施例の構成を示す構成図
、第2図は第1図における演算抵抗を用いて構成
される演算部の回路を示す回路図、第3図は従来
の半導体圧力変換器の要部の構成を示す構成図で
ある。 10……ダイヤフラム、12……起歪部、13
……固定部、15……支持部、16……ガラス部
材、17……剪断形ゲージ、18……通常形ゲー
ジ、19a〜19f……演算抵抗、20,21…
…電源端、22,23……出力端、24……ダイ
ヤフラム、25……起歪部、26……固定部、2
7a〜27h……演算抵抗、28……演算部、2
9……駆動回路、Q〜Q……演算増幅器。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. シリコン単結晶の(100)結晶面がエツチン
    グされて凹部が形成され肉厚の薄くなつた起歪部
    とこの起歪部の周辺の厚肉の固定部とを有するダ
    イアフラムと、この起歪部上に形成され測定圧力
    に対応してこれに応答する圧力信号を出力するピ
    エゾ抵抗素子と、前記固定部の上に一体に形成さ
    れこの圧力信号を演算抵抗を用いて演算処理をす
    る演算手段とを具備し、この演算抵抗を前記固定
    部上であつて結晶軸が〈100〉軸の方向になる
    ように形成したことを特徴とする半導体圧力変換
    器。
JP10044888U 1988-07-28 1988-07-28 Pending JPH0221759U (ja)

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JP10044888U JPH0221759U (ja) 1988-07-28 1988-07-28

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JPH0221759U true JPH0221759U (ja) 1990-02-14

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5972775A (ja) * 1982-10-20 1984-04-24 Hitachi Ltd シリコン歪ゲ−ジ式感圧装置およびその製造方法
JPS59217374A (ja) * 1983-05-26 1984-12-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 半導体ひずみ変換器
JPS61212740A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Yokogawa Electric Corp 半導体圧力変換器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5972775A (ja) * 1982-10-20 1984-04-24 Hitachi Ltd シリコン歪ゲ−ジ式感圧装置およびその製造方法
JPS59217374A (ja) * 1983-05-26 1984-12-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 半導体ひずみ変換器
JPS61212740A (ja) * 1985-03-18 1986-09-20 Yokogawa Electric Corp 半導体圧力変換器

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