JPH02214812A - プレーナ型電気光学変調器 - Google Patents
プレーナ型電気光学変調器Info
- Publication number
- JPH02214812A JPH02214812A JP1332483A JP33248389A JPH02214812A JP H02214812 A JPH02214812 A JP H02214812A JP 1332483 A JP1332483 A JP 1332483A JP 33248389 A JP33248389 A JP 33248389A JP H02214812 A JPH02214812 A JP H02214812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arsenide layer
- laser signal
- signal
- gallium
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 45
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N dipotassioarsanylpotassium Chemical compound [K][As]([K])[K] KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- XUKUURHRXDUEBC-KAYWLYCHSA-N Atorvastatin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C1=C(C=2C=CC(F)=CC=2)N(CC[C@@H](O)C[C@@H](O)CC(O)=O)C(C(C)C)=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 XUKUURHRXDUEBC-KAYWLYCHSA-N 0.000 description 1
- ZXRRHFSTAFVGOC-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[K] Chemical compound [AlH3].[K] ZXRRHFSTAFVGOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、マイクロ波赤外線変調器に関し、詳しくは、
単側帯波周波数変調を行うことが出来る変調器に関する
。
単側帯波周波数変調を行うことが出来る変調器に関する
。
［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］周知の
ように、両側帯波変調器やベースバンド変調器の場合、
レーザーの搬送周波数から所望の側波帯周波数への周波
数変換は、被変調用カスベクトルが上側波帯信号と下側
波帯信号の２つの無限級数に分配されることによって、
厳しく制限される。従って、最低次数の側波帯に変換さ
れた最大出力は、全入力の約２０％に達することが出来
るだけである。このレベルを越えると、デバイスに供給
される入力の大部分は、高次の側波帯信号を発生する。
ように、両側帯波変調器やベースバンド変調器の場合、
レーザーの搬送周波数から所望の側波帯周波数への周波
数変換は、被変調用カスベクトルが上側波帯信号と下側
波帯信号の２つの無限級数に分配されることによって、
厳しく制限される。従って、最低次数の側波帯に変換さ
れた最大出力は、全入力の約２０％に達することが出来
るだけである。このレベルを越えると、デバイスに供給
される入力の大部分は、高次の側波帯信号を発生する。
１９６２年以前には、ＨｅＮｅレーザーの波長により、
１９７９年以降には、ＣＯ２レーザーの１０．６ミクロ
ンの波長により、はとんど１００％の変換効率で、選択
周波数釦域内で、単側波帯だけを発生させることが出来
ると説明されていた。これは、角速度ωｆｆｌ／２で右
側又は左側に回転する屈折率楕円体（インディカトリッ
クス）を生ずることによって、達成される。ω、は、適
当な方向を有する電気光学結晶に送り込まれる左側又は
右側円偏光マイクロ波の周波数である。
１９７９年以降には、ＣＯ２レーザーの１０．６ミクロ
ンの波長により、はとんど１００％の変換効率で、選択
周波数釦域内で、単側波帯だけを発生させることが出来
ると説明されていた。これは、角速度ωｆｆｌ／２で右
側又は左側に回転する屈折率楕円体（インディカトリッ
クス）を生ずることによって、達成される。ω、は、適
当な方向を有する電気光学結晶に送り込まれる左側又は
右側円偏光マイクロ波の周波数である。
また、円偏光波は、マイクロ波と同じ回転感度（ｓｅｎ
ｃｅ ｏｆ ｒｏｔａｔｉｏｎ）を有する結晶に送り込
まれると、被変調用カスベクトルは、２つの進行波の位
相速度が完全に一致するとすれば、搬送波と、反対の回
転感度を有する搬送周波数ω。からすれた周波数ω。の
−っだけの円偏光側波帯から成る。
ｃｅ ｏｆ ｒｏｔａｔｉｏｎ）を有する結晶に送り込
まれると、被変調用カスベクトルは、２つの進行波の位
相速度が完全に一致するとすれば、搬送波と、反対の回
転感度を有する搬送周波数ω。からすれた周波数ω。の
−っだけの円偏光側波帯から成る。
しかし、１０ミクロンのレーザー波長で、９０％の出力
変換を生ずるために必要な駆動出力は、大きい電気光学
水晶を使用して、６０ｋＷにすることが出来る。高い変
換効率とマイクロ波駆動出力の減少を特徴とする単側波
帯マイクロ波変調器を提供することは、都合が良いこと
である。本発明により、このようなデバイスを提供する
が出来る。
変換を生ずるために必要な駆動出力は、大きい電気光学
水晶を使用して、６０ｋＷにすることが出来る。高い変
換効率とマイクロ波駆動出力の減少を特徴とする単側波
帯マイクロ波変調器を提供することは、都合が良いこと
である。本発明により、このようなデバイスを提供する
が出来る。
［課題を達成するために手段及び作用］本発明は、赤外
線レーザー信号の単側波帯変調を生ずる電気光学変調器
を提供することを目的とする。
線レーザー信号の単側波帯変調を生ずる電気光学変調器
を提供することを目的とする。
また、本発明は、共平面型及びリッジ型集積光学構造に
、赤外線レーザー信号の単側波帯変調を供給する電気光
学変調器を提供することを目的とする。
、赤外線レーザー信号の単側波帯変調を供給する電気光
学変調器を提供することを目的とする。
本発明によれば、赤外線レーザー信号をマイクロ波信号
とともに搬送周波数で変調して、単周波側波帯（ａ ｓ
ｉｎｇｌｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ５ｉｄｅｂａｎｄ）
内に信号を発生させるプレーナ型電気光学変調器（ａｐ
ｌａｎａｒ ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃ ｍｏｄｕｌ
ａｔｏｒ）には、レーザ−信号ガイド領域を有する薄い
フィルム状の光導波路構造が含まれる。導波路構造は第
１の主要面を有し、この面上には、レーザー信号ガイド
領域の反対側端部に、光結合器（ａｎ ｏｐｔｉｃａｌ
ｃｏｕｐｌｅｒ）が配置され、レーザー信号を入力す
る。レーザー信号は、レーザー信号ガイド頓域に沿って
伝搬する。第１の主要面には、レーザー信号ガイド領域
に整合してマイクロストリップ電極が形成され、このマ
イクロストリップ電極は、その各々の端部に、送出し電
極（ｌａｕｎｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）を有し
ている。マイクロストリップ電極は、レーザー信号ガイ
ド領域に、マイクロ波信号を結合させる。
とともに搬送周波数で変調して、単周波側波帯（ａ ｓ
ｉｎｇｌｅ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ５ｉｄｅｂａｎｄ）
内に信号を発生させるプレーナ型電気光学変調器（ａｐ
ｌａｎａｒ ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃ ｍｏｄｕｌ
ａｔｏｒ）には、レーザ−信号ガイド領域を有する薄い
フィルム状の光導波路構造が含まれる。導波路構造は第
１の主要面を有し、この面上には、レーザー信号ガイド
領域の反対側端部に、光結合器（ａｎ ｏｐｔｉｃａｌ
ｃｏｕｐｌｅｒ）が配置され、レーザー信号を入力す
る。レーザー信号は、レーザー信号ガイド頓域に沿って
伝搬する。第１の主要面には、レーザー信号ガイド領域
に整合してマイクロストリップ電極が形成され、このマ
イクロストリップ電極は、その各々の端部に、送出し電
極（ｌａｕｎｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）を有し
ている。マイクロストリップ電極は、レーザー信号ガイ
ド領域に、マイクロ波信号を結合させる。
光導波路構造及びマイクロストリップ電極は、それぞれ
、円偏光レーザー信号及びマイクロ波信号のみを送り出
すように形成されている。導波路構造は、さらに、レー
ザー信号ガイド領域に沿って伝搬する円偏光レーザー信
号及びマイクロ波信号の各々は、ほぼ大きさの等しい位
相速度であることを特徴とする。
、円偏光レーザー信号及びマイクロ波信号のみを送り出
すように形成されている。導波路構造は、さらに、レー
ザー信号ガイド領域に沿って伝搬する円偏光レーザー信
号及びマイクロ波信号の各々は、ほぼ大きさの等しい位
相速度であることを特徴とする。
本発明によれば、赤外線レーザー信号をマイク０波信号
で変調して、単周波側波帯内に信号を発生させるプレー
ナ型電気光学変調器は、レーザー信号ガイド領域を有す
るとと もに、主要面を有し、この主要面上には、レーザー信号
ガイド領域の反対側に光結合手段が配置され、レーザー
信号ガイド領域に沿って、光結合手段に与えられたレー
ザー信号が伝搬する、薄いフィルム状の光導波路構造手
段と、 ガイド領域と整合して主要面上に形成 されるとともに、各々の端部に送出電極を有し、マイク
ロ波信号をレーザー信号ガイド領域に結合させるマイク
ロストリップ電極手段から構成され、光導波路構造手段
とマイクロストリッ プ電極手段が、それぞれ円偏光レーザー信号とマイクロ
波信号だけを送出するように形成され、光導波路構造手
段が、ガイド領域に沿って伝搬する円偏光レーザー信号
及びマイクロ波信号の各々がほぼ等しい位相速度を有す
るように形成される。
で変調して、単周波側波帯内に信号を発生させるプレー
ナ型電気光学変調器は、レーザー信号ガイド領域を有す
るとと もに、主要面を有し、この主要面上には、レーザー信号
ガイド領域の反対側に光結合手段が配置され、レーザー
信号ガイド領域に沿って、光結合手段に与えられたレー
ザー信号が伝搬する、薄いフィルム状の光導波路構造手
段と、 ガイド領域と整合して主要面上に形成 されるとともに、各々の端部に送出電極を有し、マイク
ロ波信号をレーザー信号ガイド領域に結合させるマイク
ロストリップ電極手段から構成され、光導波路構造手段
とマイクロストリッ プ電極手段が、それぞれ円偏光レーザー信号とマイクロ
波信号だけを送出するように形成され、光導波路構造手
段が、ガイド領域に沿って伝搬する円偏光レーザー信号
及びマイクロ波信号の各々がほぼ等しい位相速度を有す
るように形成される。
光導波路構造手段は、好ましくは、第１のガリウム砒素
層から成り、この第１のガリウム砒素層の［１１０１結
晶面上に、半絶縁性の第１のガリウム・アルミニウム砒
素層がエピタキシャル成長し、この第１のガリウム・ア
ルミニウム砒素層上に、半絶縁性のカリウム砒素層がエ
ピタキシャル成長し、この半絶縁性のガリウム砒素層の
［１１１］結晶方向に、半絶縁性の第２のガリウム・ア
ルミニウム砒素層がエピタキシャル成長する。また、マ
イクロストリップ電極手段は、好ましくは、レーザー信
号ガイド顛域と整合して第２のガリウム・アルミニウム
砒素層の表面上に形成された第１の金属電極と、この第
１の電極に隣接してガイド領域に沿って延在し、第２の
ガリウム砒素層上に形成された第２及び第３の電極を含
み、ストリップ搭載型電極構造を形成するように構成さ
れる。
層から成り、この第１のガリウム砒素層の［１１０１結
晶面上に、半絶縁性の第１のガリウム・アルミニウム砒
素層がエピタキシャル成長し、この第１のガリウム・ア
ルミニウム砒素層上に、半絶縁性のカリウム砒素層がエ
ピタキシャル成長し、この半絶縁性のガリウム砒素層の
［１１１］結晶方向に、半絶縁性の第２のガリウム・ア
ルミニウム砒素層がエピタキシャル成長する。また、マ
イクロストリップ電極手段は、好ましくは、レーザー信
号ガイド顛域と整合して第２のガリウム・アルミニウム
砒素層の表面上に形成された第１の金属電極と、この第
１の電極に隣接してガイド領域に沿って延在し、第２の
ガリウム砒素層上に形成された第２及び第３の電極を含
み、ストリップ搭載型電極構造を形成するように構成さ
れる。
第２のカリウム砒素層と第２のガリウム・アルミニウム
砒素層の厚さは、好ましくは、それぞれ約１６ミクロン
及び８ミクロンである。第２のガリウム・アルミニウム
砒素層は、好ましくは、第２のガリウム砒素層に沿って
、約３２ミクロンだけ横方向に延在する。また、第１及
び第２のガリウム・アルミニウム砒素層は、好ましくは
、約７８０°Ｃでエピタキシャル成長する。さらに、ガ
リウム砒素層及びガリウム・アルミニウム砒素層は、好
ましくは、ドーパントとしてトリエトキシバナジル（Ｔ
ＥＯＶ）を使用する金属有機化学蒸着により成長する。
砒素層の厚さは、好ましくは、それぞれ約１６ミクロン
及び８ミクロンである。第２のガリウム・アルミニウム
砒素層は、好ましくは、第２のガリウム砒素層に沿って
、約３２ミクロンだけ横方向に延在する。また、第１及
び第２のガリウム・アルミニウム砒素層は、好ましくは
、約７８０°Ｃでエピタキシャル成長する。さらに、ガ
リウム砒素層及びガリウム・アルミニウム砒素層は、好
ましくは、ドーパントとしてトリエトキシバナジル（Ｔ
ＥＯＶ）を使用する金属有機化学蒸着により成長する。
また、本発明によれば、赤外線レーザー信号をマイクロ
波信号で変調して、単周波側波帯内に信号を発生させる
プレーナ型多チャネル電気光学変調器は、 各々がレーザー信号ガイド領域を有す るとともに、主要面を有する多数の隣接する薄いフィル
ム状の光導波路構造手段であって、この主要面上には、
ガイド領域の反対側に光結合手段が配置され、光結合手
段に与えられたレーザー信号がレーザー信号ガイド領域
に沿って伝搬する光導波路構造手段と、 レーザー信号ガイド領域に整合して主 要面上に形成されるとともに、マイクロ波送出領域と整
合する各々の端部に送出電極を有し、レーザー信号ガイ
ド領域にマイクロ波信号を結合させるマイクロストリッ
プ電極手段から構成され、光導波路構造手段とマイクロ
ストリッ プ電極手段の各々が、それぞれ、円偏光レーザー信号と
マイクロ波信号を送出するように配置され、光導波路構
造が、さらに、ガイド領域に沿って伝搬する円偏光レー
ザー信号とマイクロ波信号の各々が、ほぼ等しい位相速
度を有するように形成される。
波信号で変調して、単周波側波帯内に信号を発生させる
プレーナ型多チャネル電気光学変調器は、 各々がレーザー信号ガイド領域を有す るとともに、主要面を有する多数の隣接する薄いフィル
ム状の光導波路構造手段であって、この主要面上には、
ガイド領域の反対側に光結合手段が配置され、光結合手
段に与えられたレーザー信号がレーザー信号ガイド領域
に沿って伝搬する光導波路構造手段と、 レーザー信号ガイド領域に整合して主 要面上に形成されるとともに、マイクロ波送出領域と整
合する各々の端部に送出電極を有し、レーザー信号ガイ
ド領域にマイクロ波信号を結合させるマイクロストリッ
プ電極手段から構成され、光導波路構造手段とマイクロ
ストリッ プ電極手段の各々が、それぞれ、円偏光レーザー信号と
マイクロ波信号を送出するように配置され、光導波路構
造が、さらに、ガイド領域に沿って伝搬する円偏光レー
ザー信号とマイクロ波信号の各々が、ほぼ等しい位相速
度を有するように形成される。
光導波路構造手段は、第１のガリウム砒素層から成り、
この第１のガリウム砒素層の［１１０］結晶面上に、半
絶縁性の第１のガリウム・アルミニウム砒素層がエピタ
キシャル成長し、この第１のガリウム・アルミニウム砒
素層上に、半絶縁性のガリウム砒素層がエピタキシャル
成長し、この半絶縁性のガリウム砒素層の［１１１］結
晶方向に、半絶縁性の第２のガリウム・アルミニウム砒
素層がエピタキシャル成長する。マイクロストリップ電
極手段は、さらに、ガイド領域の一つと整合して、第２
のカリウム・アルミニウム砒素層の表面上に形成された
第１の金属電極と、この第１の電極に隣接してガイド領
域の一つに沿って延在し、第２のガリウム砒素層上に形
成された第２及び第３の電極とから成り、ストリップ搭
載型電極構造を形成することが出来る。
この第１のガリウム砒素層の［１１０］結晶面上に、半
絶縁性の第１のガリウム・アルミニウム砒素層がエピタ
キシャル成長し、この第１のガリウム・アルミニウム砒
素層上に、半絶縁性のガリウム砒素層がエピタキシャル
成長し、この半絶縁性のガリウム砒素層の［１１１］結
晶方向に、半絶縁性の第２のガリウム・アルミニウム砒
素層がエピタキシャル成長する。マイクロストリップ電
極手段は、さらに、ガイド領域の一つと整合して、第２
のカリウム・アルミニウム砒素層の表面上に形成された
第１の金属電極と、この第１の電極に隣接してガイド領
域の一つに沿って延在し、第２のガリウム砒素層上に形
成された第２及び第３の電極とから成り、ストリップ搭
載型電極構造を形成することが出来る。
［実施例］
以下、添付図面を参照して、本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第１図に示すように、本発明による単側波帯マイクロ波
変調器１０は、導波路構造１４を支持する金属基板１２
を含む。第１図に示す様々な構成要素の寸法は拡大しで
ある。
変調器１０は、導波路構造１４を支持する金属基板１２
を含む。第１図に示す様々な構成要素の寸法は拡大しで
ある。
図示しない従来のマイクロ波信号発生器は、本発明の一
部を構成するものでないが、これは、図示しない一連の
マイクロ波端子及び送出器を通じて、米国特許４．７０
７．０６０号に記載されたような方法で、マイクロ波信
号を供給する。マイクロ波のエネルギーは、マイクロス
トリップ・ネットワーク電極（ａ ｍ１ｃｒｏ ５ｔｒ
ｉｐ ｎｅｔｗｏｒｋ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ） １６に
沿って送り出される。マイクロ波のエネルギ−に応答し
て、導波路構造自体の内部に電界が形成され、最も強い
電界は、光導波路のマイクロストリップ電極に整合する
所に形成される。後述するように、電界は、導波路物質
の屈折率を周期的に変化させる。同様の端子が、マイク
ロストリップ・ネットワーク電極の端部に設けられ、こ
こで電界が終わる。マイクロストリップ電極は、前方に
進行する波が変調器内に存在するように、周知の方法で
形成される。
部を構成するものでないが、これは、図示しない一連の
マイクロ波端子及び送出器を通じて、米国特許４．７０
７．０６０号に記載されたような方法で、マイクロ波信
号を供給する。マイクロ波のエネルギーは、マイクロス
トリップ・ネットワーク電極（ａ ｍ１ｃｒｏ ５ｔｒ
ｉｐ ｎｅｔｗｏｒｋ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ） １６に
沿って送り出される。マイクロ波のエネルギ−に応答し
て、導波路構造自体の内部に電界が形成され、最も強い
電界は、光導波路のマイクロストリップ電極に整合する
所に形成される。後述するように、電界は、導波路物質
の屈折率を周期的に変化させる。同様の端子が、マイク
ロストリップ・ネットワーク電極の端部に設けられ、こ
こで電界が終わる。マイクロストリップ電極は、前方に
進行する波が変調器内に存在するように、周知の方法で
形成される。
ＣＯ２レーザーのようなコヒーレント光源（図示しない
〕によって、光信号１８が供給される。
〕によって、光信号１８が供給される。
光信号１８は、光学領域２０及び２２に配置したカップ
リング・プリズムなどを使用して、変調器内に結合し、
その後、変調器から出ていく。好ましいプリズム・カッ
プラ・−は、第１図には示されていないか、導波路構造
内に低次の直交する光伝搬モードの励起を供給するよう
に、選択されたプリズム・ジオメトリ−を有する直角ゲ
ルマニウムタイプのものから作ることが出来る。後述す
るように、導波路構造の幾何学的厚さは、光導波路が、
より高い次数のガイド・モートを支持しないように、選
択される。供給されるマイクロ波信号によって周期的に
変化する導波路物質の屈折率は、導波路構造を通じて伝
搬するレーサー・ビームの位相シフト変調を生ずる。
リング・プリズムなどを使用して、変調器内に結合し、
その後、変調器から出ていく。好ましいプリズム・カッ
プラ・−は、第１図には示されていないか、導波路構造
内に低次の直交する光伝搬モードの励起を供給するよう
に、選択されたプリズム・ジオメトリ−を有する直角ゲ
ルマニウムタイプのものから作ることが出来る。後述す
るように、導波路構造の幾何学的厚さは、光導波路が、
より高い次数のガイド・モートを支持しないように、選
択される。供給されるマイクロ波信号によって周期的に
変化する導波路物質の屈折率は、導波路構造を通じて伝
搬するレーサー・ビームの位相シフト変調を生ずる。
第２図に示すように、マイクロストリップ電極１６は、
３つの金属電極２４．２６及び２８から成る。電極２６
は、導波路構造の表面３２から隆起して長平方向に沿っ
て延在するリッジ又はリブ３０上に配置される。第１図
及び第２図では、リッジ又はリブ構造として示されてい
るか、共平面構造（ｃｏｐｌａｎｅｒ ５ｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ）又はストリップライン構造のような他のタイプの
ガイド及び電極構造を代用することも出来る。
３つの金属電極２４．２６及び２８から成る。電極２６
は、導波路構造の表面３２から隆起して長平方向に沿っ
て延在するリッジ又はリブ３０上に配置される。第１図
及び第２図では、リッジ又はリブ構造として示されてい
るか、共平面構造（ｃｏｐｌａｎｅｒ ５ｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ）又はストリップライン構造のような他のタイプの
ガイド及び電極構造を代用することも出来る。
光導波路は、以下のようなことが要求される場合に、単
側波帯マイクロ波変調器の組立に使用することが出来る
。円偏光ガイドとマイクロ波ガイドの間の位相速度の整
合性を良好にして、円偏光領域とマイクロ波領域を共通
のガイド領域内に形成することが出来る。所望の形態の
光導波路は、所定のレベル以下の応力誘発複屈折（光弾
性効果）が得られるように形成しなければならない。後
述するように、本発明は、これらの基準に適合する導波
路変調器を提供するとともに、２ａの好ましいマイクロ
ストリップ電極を有するストリップ搭載型ＧａＡｌＡｓ
／ＧａＡｓ／ＧａＡ１？Ａｓ構造から成る変調器を提供
する。このような構造は、十分に確立されているマイク
ロ電子組立技術及び修正金属有機化学蒸着（ｍｏｄｉｆ
ｉｅｄ １ｌｅｔａｌ ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｙａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） （ＭＯＣ
ＶＤ）エピタキシャル成長を使用して作ることが出来る
。
側波帯マイクロ波変調器の組立に使用することが出来る
。円偏光ガイドとマイクロ波ガイドの間の位相速度の整
合性を良好にして、円偏光領域とマイクロ波領域を共通
のガイド領域内に形成することが出来る。所望の形態の
光導波路は、所定のレベル以下の応力誘発複屈折（光弾
性効果）が得られるように形成しなければならない。後
述するように、本発明は、これらの基準に適合する導波
路変調器を提供するとともに、２ａの好ましいマイクロ
ストリップ電極を有するストリップ搭載型ＧａＡｌＡｓ
／ＧａＡｓ／ＧａＡ１？Ａｓ構造から成る変調器を提供
する。このような構造は、十分に確立されているマイク
ロ電子組立技術及び修正金属有機化学蒸着（ｍｏｄｉｆ
ｉｅｄ １ｌｅｔａｌ ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｙａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） （ＭＯＣ
ＶＤ）エピタキシャル成長を使用して作ることが出来る
。
詳述すると、本発明は、出力処理能力を増大した多チャ
ネル単側波帯整相副変調器構造を提供する。
ネル単側波帯整相副変調器構造を提供する。
このようなＮチャネルを有する整相副導波路変調器は、
単一チャネルデバイスのＮ倍の出力を伝達し、ＬＯＷの
出力にすることが出来る。搬送波の出力の大部分は、一
つの単側波帯のみに転送されるので、この変調器を、最
大の位相シフト周波数領域（■−Ｖπ）で動作させるの
が望ましい。本発明によるデバイスの出力変換効率は、
主として、導波路物質のモード及び応力誘発複屈折によ
って限定される。
単一チャネルデバイスのＮ倍の出力を伝達し、ＬＯＷの
出力にすることが出来る。搬送波の出力の大部分は、一
つの単側波帯のみに転送されるので、この変調器を、最
大の位相シフト周波数領域（■−Ｖπ）で動作させるの
が望ましい。本発明によるデバイスの出力変換効率は、
主として、導波路物質のモード及び応力誘発複屈折によ
って限定される。
単側波帯の周波数シフトのために、適当なマイクロスト
リップ光導波路の形状は、（１）所期の変換効率、（２
）不要な側波帯の発生量、及び（３）マイクロ波領域の
ポンピングに基づいて選択される。オプティカル・フィ
ールドと共線状（ｃｏｌｉｎｅａｒ）マイクロストリッ
プ・モードとの間の重複を最大限にし、マイクロ波ポン
プと光信号波の位相同期性を最接近させ、モートと応力
誘発複屈折による調和のずれ（ｄｅｔｕｎｉｎｇ）を最
小にする幾何学的配置が好ましい。
リップ光導波路の形状は、（１）所期の変換効率、（２
）不要な側波帯の発生量、及び（３）マイクロ波領域の
ポンピングに基づいて選択される。オプティカル・フィ
ールドと共線状（ｃｏｌｉｎｅａｒ）マイクロストリッ
プ・モードとの間の重複を最大限にし、マイクロ波ポン
プと光信号波の位相同期性を最接近させ、モートと応力
誘発複屈折による調和のずれ（ｄｅｔｕｎｉｎｇ）を最
小にする幾何学的配置が好ましい。
理想的な光導波路は、完全に対称なものであり、その結
果、直交モードが同し位相速度で伝搬するものである。
果、直交モードが同し位相速度で伝搬するものである。
回転するマイクロ波（ポンプ）フィールドの適用は、３
回対称軸を有する結晶内で、−様な速度で、屈折率楕円
体（インディカトリックス）を回転させる。わずかな量
の静的複屈折は、光学屈折率楕円体を歪め、最大効率を
制限する非線形回転（ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ａｎｇｕｌ
ａｒ ｒｏｔａｔｉｏｎ）をかなり引き起こす。ＣｄＴ
ｅ、ＧａＡｓのような立法体の結晶では、［１１１］結
晶軸が３回対称軸を有することが示される。
回対称軸を有する結晶内で、−様な速度で、屈折率楕円
体（インディカトリックス）を回転させる。わずかな量
の静的複屈折は、光学屈折率楕円体を歪め、最大効率を
制限する非線形回転（ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ａｎｇｕｌ
ａｒ ｒｏｔａｔｉｏｎ）をかなり引き起こす。ＣｄＴ
ｅ、ＧａＡｓのような立法体の結晶では、［１１１］結
晶軸が３回対称軸を有することが示される。
変調器の効率についての静的複屈折の効果は、様々な変
調器の形態で変わる。最大限許容される複屈折の範囲を
設定するのに有用な評価は、−様な光学及びマイクロ波
の共線面波（ｃｏｌｉｎｅａｒｐｌａｎｅ ｗａｖｅ）
の相互作用における、基本周波数への変換を評価するこ
とによって得られる。調和のずれは、等価の静的位相シ
フトのパラメータによって特徴づけられる。
調器の形態で変わる。最大限許容される複屈折の範囲を
設定するのに有用な評価は、−様な光学及びマイクロ波
の共線面波（ｃｏｌｉｎｅａｒｐｌａｎｅ ｗａｖｅ）
の相互作用における、基本周波数への変換を評価するこ
とによって得られる。調和のずれは、等価の静的位相シ
フトのパラメータによって特徴づけられる。
Ｂ＝（２Ｌ／λ）δｎ （１）
これは、対応する静的複屈折フリンジ・シフト（ｆｒｉ
ｎｇｅ ５ｈｉｆｔ）の２倍である。Ｂ＝Ｏ１５の値が
、約６０％に変換する最大限得られる変換を制限する。
ｎｇｅ ５ｈｉｆｔ）の２倍である。Ｂ＝Ｏ１５の値が
、約６０％に変換する最大限得られる変換を制限する。
長い結晶では、モードの縮退又は応力誘発複屈折の許容
できる量は、非常に小さい。例えば、目的物を少なくと
も６０％の変換で得なければならない場合には、ＧａＡ
ｓについては、δｎ／ｎ ＜ ７ｘｌＯ−５ ここで、ｎ−（ｎｘ＋ｎｙ）／２ （２）である。
できる量は、非常に小さい。例えば、目的物を少なくと
も６０％の変換で得なければならない場合には、ＧａＡ
ｓについては、δｎ／ｎ ＜ ７ｘｌＯ−５ ここで、ｎ−（ｎｘ＋ｎｙ）／２ （２）である。
あるいは、δｎ＝７ｘｌｏ−５ｎの場合には、λ−１０
，６ミクロンについては、Ｌ＜ １．２ｃｍである。
，６ミクロンについては、Ｌ＜ １．２ｃｍである。
光導波路内のモード複屈折とエピタキシャル層形態内の
応力誘発複屈折の高精度の計算は、複雑である。開いた
誘電体導波路（ｏｐｅｎ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｗａｖ
ｅｇｕｉｄｅｓ）の伝搬定数を決定するために多くの概
算法がある。この中には、不均一な光導波路のベクトル
波方程式（ｖｅｃｔｏｒ ｗａｖｅ ｅｑｕａｔｉｏｎ
）を解くことが出来るとともに、熱膨張率の不適合な組
み合わせに接近した応力残余複屈折（ｓｔｒｅｓｓｒｅ
ｓｉｄｕａｌ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）及び層物
質の他の熱電子パラメータ（ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ）を決定することが出
来る、高精度の市販の有限要素プログラムが含まれる。
応力誘発複屈折の高精度の計算は、複雑である。開いた
誘電体導波路（ｏｐｅｎ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｗａｖ
ｅｇｕｉｄｅｓ）の伝搬定数を決定するために多くの概
算法がある。この中には、不均一な光導波路のベクトル
波方程式（ｖｅｃｔｏｒ ｗａｖｅ ｅｑｕａｔｉｏｎ
）を解くことが出来るとともに、熱膨張率の不適合な組
み合わせに接近した応力残余複屈折（ｓｔｒｅｓｓｒｅ
ｓｉｄｕａｌ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）及び層物
質の他の熱電子パラメータ（ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ）を決定することが出
来る、高精度の市販の有限要素プログラムが含まれる。
これらの計算は、正確に行うことが出来るが、結果の精
度は、光導波路及び層の蒸着の特定の物質のパラメータ
と、ドーピングの分配に依存する。
度は、光導波路及び層の蒸着の特定の物質のパラメータ
と、ドーピングの分配に依存する。
リッジ型光導波路とストリップライン型先導波蕗の両方
の場合における、モード複屈折は、幾つかの周知の方法
によって決定することができる。
の場合における、モード複屈折は、幾つかの周知の方法
によって決定することができる。
その一つには、ベル・システム・テクニカル・ジャーナ
ル（ｔｈｅ Ｂｅ１ｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｔｅｃｈｎｉｃ
ａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ（ＢＳＴＪ）、 ＶｏＬ５３．１
９７４年）に記載されたマルカチリ （Ｍａｒｃａｔｉ
ｌｉ）の方法があり、この方法は、緊密に結合した同等
の導波路内のモード複屈折（δｎ）の実効値を評価する
ものである。本発明により、モード複屈折を計算するた
めに、振動モードの形状の因子を仮定する。同等のスラ
ブ（ｓｌａｂ）の寸法が得られると、（主として）Ｘ偏
光及びｙ−偏光（ｘ−ａｎｄ ｙ−ｐｏｌａｒｉｚｅｄ
）の密接に縮退したモードの伝搬定数を評価するために
、ＴＥモードとＴＭモードの周知の解法を使用すること
が出来る。典型的な光学ストリップラインの場合に、数
値変動法（ａ ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ｖａｒｉａｔｉｏ
ｎａｌｍｅｔｈｏｄ）によって得られた伝搬定数を比較
すると、周波数遮断状態のかなり前の最低次数モードに
ついて、良く一致する。
ル（ｔｈｅ Ｂｅ１ｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｔｅｃｈｎｉｃ
ａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ（ＢＳＴＪ）、 ＶｏＬ５３．１
９７４年）に記載されたマルカチリ （Ｍａｒｃａｔｉ
ｌｉ）の方法があり、この方法は、緊密に結合した同等
の導波路内のモード複屈折（δｎ）の実効値を評価する
ものである。本発明により、モード複屈折を計算するた
めに、振動モードの形状の因子を仮定する。同等のスラ
ブ（ｓｌａｂ）の寸法が得られると、（主として）Ｘ偏
光及びｙ−偏光（ｘ−ａｎｄ ｙ−ｐｏｌａｒｉｚｅｄ
）の密接に縮退したモードの伝搬定数を評価するために
、ＴＥモードとＴＭモードの周知の解法を使用すること
が出来る。典型的な光学ストリップラインの場合に、数
値変動法（ａ ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ｖａｒｉａｔｉｏ
ｎａｌｍｅｔｈｏｄ）によって得られた伝搬定数を比較
すると、周波数遮断状態のかなり前の最低次数モードに
ついて、良く一致する。
例えば、リッジ及び基板が１０％のＡＩから成す、導波
路層が純粋なＧａＡｓである光学スｌ−１，１ツブ搭載
型リツジ・ジオメトリ−には、等価スラブ法（ｔｈｅ
ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ５ｌａｂ ｍｅｔｈｏｄ）が適
用されている。これらの評価は、モード複屈折を、構造
の適当な設計によって受は入れられる値に減少させるこ
とが出来ることを示している。δｎ ／ ｎを８ｘｌｏ
−５に減少させるためには、ｔ／λ〜１．４のかなり厚
い層が必要とされる。
路層が純粋なＧａＡｓである光学スｌ−１，１ツブ搭載
型リツジ・ジオメトリ−には、等価スラブ法（ｔｈｅ
ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ５ｌａｂ ｍｅｔｈｏｄ）が適
用されている。これらの評価は、モード複屈折を、構造
の適当な設計によって受は入れられる値に減少させるこ
とが出来ることを示している。δｎ ／ ｎを８ｘｌｏ
−５に減少させるためには、ｔ／λ〜１．４のかなり厚
い層が必要とされる。
ＡＩ濃度５％以上のドーピングを有するデバイスについ
て知られているように、ストリップライン電極間の静電
場の適用は、モード複屈折をずらすために使用すること
が出来る。１０．６ミクロンの波長のレーザービームに
ついては、モードの縮退の不足を補正するために、小さ
なｄ、ｃ、バイアスだけが必要とされる。
て知られているように、ストリップライン電極間の静電
場の適用は、モード複屈折をずらすために使用すること
が出来る。１０．６ミクロンの波長のレーザービームに
ついては、モードの縮退の不足を補正するために、小さ
なｄ、ｃ、バイアスだけが必要とされる。
本発明によれば、変調器の設計を開発するとともに、様
々なタイプの光導波路構造を比較するための最も正確な
方法は、ベクトル有限要素（ＦＥＭ又はベクトル有限差
）法を使用して、マイクロストリップ・フィールドと光
導波路モードの両方を計算することである。準静的ＦＥ
Ｍを使用して、マイクロ波領域、対応するインピーダン
ス及び有効な誘電定数又は位相速度を得ることは、「リ
ブ」（リッジ）型変調器及び「ストリップライン」 （
同平面）型変調器の両方形態にとって、適切なことであ
る。後者のパラメータは、構造のキャパシタンス及び特
定の物質についての周知の位相速度から決定される。
々なタイプの光導波路構造を比較するための最も正確な
方法は、ベクトル有限要素（ＦＥＭ又はベクトル有限差
）法を使用して、マイクロストリップ・フィールドと光
導波路モードの両方を計算することである。準静的ＦＥ
Ｍを使用して、マイクロ波領域、対応するインピーダン
ス及び有効な誘電定数又は位相速度を得ることは、「リ
ブ」（リッジ）型変調器及び「ストリップライン」 （
同平面）型変調器の両方形態にとって、適切なことであ
る。後者のパラメータは、構造のキャパシタンス及び特
定の物質についての周知の位相速度から決定される。
第３図は、リッジ型の等電位線（曲線３３）を示してい
る。この図には、リッジ３４、リッジ電極３６、及び補
足的な電極３８及び４０が示されている。リッジ内又は
ガイド層内の−様な円偏光領域は、伝導ストリップの大
きさ及び間隔に依存する。ＦＥＭ計算は、また、マイク
ロストリップ形態に関するマイクロストリップ伝達ライ
ンの特性も産出する。空気中にかなりの量のフリンジ・
フィールド（ｆｒｉｎｇｉｎｇ ｆｉｅｌｄｓ）がある
ために、リッジ又はリブ内の位相速度は、粉粒体（ｂｕ
ｌｋｍａｔｅｒｉａｌ）内を伝搬する波の位相速度に比
べて、かなり速くなり易い。第３図に示す構造物につい
ての計算は、マイクロ波の有効誘電定数が、体積値（ｂ
ｕｌｋ ｖａｌｕｅ） １０と比較して、５乃至８の範
囲であることを示している。光りビームと一致する位相
については、有効誘電定数が、１０の値に接近すべきで
ある。約１０の誘電定数を有する物質の上層（ｔｏｐ
１ａｙｅｒ）を加えて、有効誘電定数を調節することが
出来る。偶数及び奇数のモード（ｔｈｅ ｅｖｅｎ ａ
ｎｄ ｏｄｄ ｍｏｄｅｓ）を組み合わさった特性マイ
クロ波インピーダンス（ｔｈｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉ
ｓｔｉｃ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｉｍｐｅｄａｎｃｅｓ
）が等しくないことは、それほど重大なことではない。
る。この図には、リッジ３４、リッジ電極３６、及び補
足的な電極３８及び４０が示されている。リッジ内又は
ガイド層内の−様な円偏光領域は、伝導ストリップの大
きさ及び間隔に依存する。ＦＥＭ計算は、また、マイク
ロストリップ形態に関するマイクロストリップ伝達ライ
ンの特性も産出する。空気中にかなりの量のフリンジ・
フィールド（ｆｒｉｎｇｉｎｇ ｆｉｅｌｄｓ）がある
ために、リッジ又はリブ内の位相速度は、粉粒体（ｂｕ
ｌｋｍａｔｅｒｉａｌ）内を伝搬する波の位相速度に比
べて、かなり速くなり易い。第３図に示す構造物につい
ての計算は、マイクロ波の有効誘電定数が、体積値（ｂ
ｕｌｋ ｖａｌｕｅ） １０と比較して、５乃至８の範
囲であることを示している。光りビームと一致する位相
については、有効誘電定数が、１０の値に接近すべきで
ある。約１０の誘電定数を有する物質の上層（ｔｏｐ
１ａｙｅｒ）を加えて、有効誘電定数を調節することが
出来る。偶数及び奇数のモード（ｔｈｅ ｅｖｅｎ ａ
ｎｄ ｏｄｄ ｍｏｄｅｓ）を組み合わさった特性マイ
クロ波インピーダンス（ｔｈｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉ
ｓｔｉｃ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｉｍｐｅｄａｎｃｅｓ
）が等しくないことは、それほど重大なことではない。
デバイスの導波路の活性領域に円偏光波を得るために、
モード間で正確に出力を分配できるように、その正確な
値を知ることが重要である。電極間の間隔が１０乃至３
０ミクロンの場合には、インピーダンスの有用な範囲は
、５０乃至１１００ｏｈである。
モード間で正確に出力を分配できるように、その正確な
値を知ることが重要である。電極間の間隔が１０乃至３
０ミクロンの場合には、インピーダンスの有用な範囲は
、５０乃至１１００ｏｈである。
本発明による単側帯波変調器の最初の設計は、３電極の
共平面状ストリップライン・チャネルガイド変調器に関
する周知のマイクロ波変換効率の結果を、上述したリブ
型電極形態内のマイクロ波Ｅ−領域（Ｅ−ｆｉｅｌｄ）
分配についてのＦＥＭ計算と比較することによって、達
成される。第１図及び第２図にのデバイスに示されるよ
うに、本発明は、第３図に示す幾何学的配置に対応する
フィールド・オーバーラツプ（ｆｉｅｌｄ−ｏｖｅｒｌ
ａｐ）と電界の一様性が、スト’ＩＪツブ搭載型リッジ
導波路で得られることを説明している。このような変調
器構造では、静的複屈折パラメータＢは約０．５である
。本発明によれば、中央の電極は隆起し、−様な円偏光
の静電界領域は、対応して、ＧａＡｓ層内において最大
のオプティカル・フィールドを重ねるように調節される
。この設計の変換効率は、Ｖ＝ＶＲについて、約４０％
である。
共平面状ストリップライン・チャネルガイド変調器に関
する周知のマイクロ波変換効率の結果を、上述したリブ
型電極形態内のマイクロ波Ｅ−領域（Ｅ−ｆｉｅｌｄ）
分配についてのＦＥＭ計算と比較することによって、達
成される。第１図及び第２図にのデバイスに示されるよ
うに、本発明は、第３図に示す幾何学的配置に対応する
フィールド・オーバーラツプ（ｆｉｅｌｄ−ｏｖｅｒｌ
ａｐ）と電界の一様性が、スト’ＩＪツブ搭載型リッジ
導波路で得られることを説明している。このような変調
器構造では、静的複屈折パラメータＢは約０．５である
。本発明によれば、中央の電極は隆起し、−様な円偏光
の静電界領域は、対応して、ＧａＡｓ層内において最大
のオプティカル・フィールドを重ねるように調節される
。この設計の変換効率は、Ｖ＝ＶＲについて、約４０％
である。
本発明により単側帯波導波路デバイスを組み立てるため
の重要な必要条件は、（１）光波が物質の等方性の２−
軸に沿って伝搬すること、（２）導波路が、Ｘ−軸及び
ｙ−軸において、２重に縮退、又は対称であること、（
３）導波路が、低損失物質で作られること、及び（４）
ガイド層が、かなりの大きさの応力誘発複屈折を引き起
こす内部の応力から比較的自由でなければならないこと
である。
の重要な必要条件は、（１）光波が物質の等方性の２−
軸に沿って伝搬すること、（２）導波路が、Ｘ−軸及び
ｙ−軸において、２重に縮退、又は対称であること、（
３）導波路が、低損失物質で作られること、及び（４）
ガイド層が、かなりの大きさの応力誘発複屈折を引き起
こす内部の応力から比較的自由でなければならないこと
である。
導波路及びその電極から成る結晶によるマイクロ波の出
力の吸収も重要である。ＧａＡｓの場合、損失の正接（
ｌｏｓｓ ｔａｎｇｅｎｔ）は２ｘｌＯ−”である。
力の吸収も重要である。ＧａＡｓの場合、損失の正接（
ｌｏｓｓ ｔａｎｇｅｎｔ）は２ｘｌＯ−”である。
第１図及び第２図に示すようなマイクロストリップ構造
では、電極中において電流による損失が最も大きくなる
であろう。これらの構造における金属電極の損失による
減衰の近似値は、電極の厚さ及び幅がそれぞれ５ミクロ
ン及び５０ミクロンの場合、約０．５乃至１ｄＢ／ｃｍ
である。これは、３ｃｍの長さのサンプルで、３０乃至
５０％の出力吸収に対応する。従って、デバイスの構造
の選択において重要なトレードオフ因子（ｔｒａｄｅ−
ｏｆｆｆａｃｔｏｒ）は、出力の散逸と、導波路の結晶
領域から熱を伝達する手段である。
では、電極中において電流による損失が最も大きくなる
であろう。これらの構造における金属電極の損失による
減衰の近似値は、電極の厚さ及び幅がそれぞれ５ミクロ
ン及び５０ミクロンの場合、約０．５乃至１ｄＢ／ｃｍ
である。これは、３ｃｍの長さのサンプルで、３０乃至
５０％の出力吸収に対応する。従って、デバイスの構造
の選択において重要なトレードオフ因子（ｔｒａｄｅ−
ｏｆｆｆａｃｔｏｒ）は、出力の散逸と、導波路の結晶
領域から熱を伝達する手段である。
本発明により組み立てられるデバイスは、好ましくは、
ＧａＡｓ基板の［１１０重面上に成長したエピタキシャ
ル層を有するＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ構
造を含む。この方向ては、化学的エツチング又はイオン
ビーム・ミリングによって、等方性の方向に沿った狭い
ガイド・チャネルを形成することが出来る。ＧａＡｌＡ
ｓバッファ付き構造は、金属の吸収によって引き起こさ
れる過度の光出力損失を避けるように選択される。
ＧａＡｓ基板の［１１０重面上に成長したエピタキシャ
ル層を有するＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ構
造を含む。この方向ては、化学的エツチング又はイオン
ビーム・ミリングによって、等方性の方向に沿った狭い
ガイド・チャネルを形成することが出来る。ＧａＡｌＡ
ｓバッファ付き構造は、金属の吸収によって引き起こさ
れる過度の光出力損失を避けるように選択される。
第２図の断面に示されるように、本発明によって組み立
てられるデバイスは、好ましくは、ＧａＡｓ基板４２を
含む。その［１１０］面上には、約１２ミクロンの厚さ
のＡｌｏ、 ＩＧ ａ Ｏ，９Ａ Ｓの第１の層４４が
成長する。この第１の層４４の上に、ＧａＡｓ層４６が
成長する。これらのエピタキシャル層は、過度のマイク
ロ波の出力損失を避けるために、半絶縁性（１０５ｏｈ
ｍ−ｃｍ以上の高い抵抗率を有する）であることが好ま
しい。ＡｌＧａＡｓ層４８をイオンミＩＪング又は化学
的エツチングすることによって、狭いガイドチャネル３
０が形成される。金属の吸収によって引き起こされる過
度の光出力損失が避けられるので、バッファ付きＡＡ’
Ｇ ａ Ａ ｓ物質が好ましい。第２図のデバイスの場
合、ＧａＡｓ層４６は、１６ミクロンの厚さまで成長し
、チャネルの厚さは、約８ミクロン（ＡＩＧ ａ Ａ
ｓ層４８の厚さに対応する）であり、その幅は３２ミク
ロンである。上記の寸法は、１０．６ミクロンの波長の
放射線を受は取るデバイスに関するものである。従って
、異なった波長のレーザービームを受は取るデバイスの
寸法は、共通の尺度を持つ。
てられるデバイスは、好ましくは、ＧａＡｓ基板４２を
含む。その［１１０］面上には、約１２ミクロンの厚さ
のＡｌｏ、 ＩＧ ａ Ｏ，９Ａ Ｓの第１の層４４が
成長する。この第１の層４４の上に、ＧａＡｓ層４６が
成長する。これらのエピタキシャル層は、過度のマイク
ロ波の出力損失を避けるために、半絶縁性（１０５ｏｈ
ｍ−ｃｍ以上の高い抵抗率を有する）であることが好ま
しい。ＡｌＧａＡｓ層４８をイオンミＩＪング又は化学
的エツチングすることによって、狭いガイドチャネル３
０が形成される。金属の吸収によって引き起こされる過
度の光出力損失が避けられるので、バッファ付きＡＡ’
Ｇ ａ Ａ ｓ物質が好ましい。第２図のデバイスの場
合、ＧａＡｓ層４６は、１６ミクロンの厚さまで成長し
、チャネルの厚さは、約８ミクロン（ＡＩＧ ａ Ａ
ｓ層４８の厚さに対応する）であり、その幅は３２ミク
ロンである。上記の寸法は、１０．６ミクロンの波長の
放射線を受は取るデバイスに関するものである。従って
、異なった波長のレーザービームを受は取るデバイスの
寸法は、共通の尺度を持つ。
半絶縁性の層は、固有のＧａＡｓ層及びＡ＃Ｇ ａ Ａ
ｓ層から成るのが好ましい。ＭＯＣＶＤ法によるデバ
イスから成る、半絶縁性又は高抵抗率のＧａＡｓ及びＡ
７！ＧａＡｓのエピタキシャル・フィルムの成長は、ド
ーパントとしてトリエトキシバナジル（ｔｒｉｅｔｈｏ
ｘｙｖａｎａｄｙｌ） （Ｔ Ｅ ＯＶ ）を使用す
ることも可能である。方向づけられた指向性のＧａＡｓ
基板上に成長した、厚さ２０ミクロン以上の高品質のＧ
ａＡｓ及びＡＡ’Ｇ ａ Ａ ｓエピタキシャルフィル
ムを得ることが出来る。ＧａＡｓエピタキシャル層（ｅ
ｐｉｌａｙｅｒ）の表面は、般に、多少の凹凸があるだ
けで、広範囲（約１ｃｍ２）に渡って、非常に滑らかで
ある。しかし、成長温度６５０℃で、ＧａＡｓ基板上に
ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層を成長させることは困難
である。この温度では、結晶表面の形態は、極めて不規
則である。成長温度が７５０°Ｃまで上昇すると、結晶
表面の形態はかなり良好になる。本発明によれば、Ｇａ
Ａｓ基板上のＡｌＧａＡｓエピタキシャル層についての
理想的な成長温度は、約７８０℃である。適半に設計さ
れたＭＯＣＶＤ反応器システムを使用すれば、半絶縁性
のエピタキシャル層を成長させるためにトリエトキシバ
ナジルを使用することは、困難なことではない。
ｓ層から成るのが好ましい。ＭＯＣＶＤ法によるデバ
イスから成る、半絶縁性又は高抵抗率のＧａＡｓ及びＡ
７！ＧａＡｓのエピタキシャル・フィルムの成長は、ド
ーパントとしてトリエトキシバナジル（ｔｒｉｅｔｈｏ
ｘｙｖａｎａｄｙｌ） （Ｔ Ｅ ＯＶ ）を使用す
ることも可能である。方向づけられた指向性のＧａＡｓ
基板上に成長した、厚さ２０ミクロン以上の高品質のＧ
ａＡｓ及びＡＡ’Ｇ ａ Ａ ｓエピタキシャルフィル
ムを得ることが出来る。ＧａＡｓエピタキシャル層（ｅ
ｐｉｌａｙｅｒ）の表面は、般に、多少の凹凸があるだ
けで、広範囲（約１ｃｍ２）に渡って、非常に滑らかで
ある。しかし、成長温度６５０℃で、ＧａＡｓ基板上に
ＡｌＧａＡｓエピタキシャル層を成長させることは困難
である。この温度では、結晶表面の形態は、極めて不規
則である。成長温度が７５０°Ｃまで上昇すると、結晶
表面の形態はかなり良好になる。本発明によれば、Ｇａ
Ａｓ基板上のＡｌＧａＡｓエピタキシャル層についての
理想的な成長温度は、約７８０℃である。適半に設計さ
れたＭＯＣＶＤ反応器システムを使用すれば、半絶縁性
のエピタキシャル層を成長させるためにトリエトキシバ
ナジルを使用することは、困難なことではない。
上記のエピタキシャル物質を用いてストリップ搭載型導
波路を組み立て、３回対称軸の結晶を得ることが出来る
。このような導波路は、ガイド内で円偏光頭載を励起で
きるように、２つの殆ど縮退した直交モードを支持する
ように作ることが出来る。上述したように、円偏光マイ
クロ波は、共通の接地面に関してリッジ又は共平面状ス
トリップラインの幾何学的配置を使用することによって
、このガイドにも確立することが出来る。本発明により
組み立てられたデバイスでは、π位相シフトと同等の駆
動出力レベルて、ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓのリッジ型導
波路変調器を使用することによって、キャリアから所望
の側波帯への４０％の出力変換が得られる。Ｖ＝１．５
Ｖ−と同等の駆動出力レベルで、６５％以上の出力変換
が得られる。
波路を組み立て、３回対称軸の結晶を得ることが出来る
。このような導波路は、ガイド内で円偏光頭載を励起で
きるように、２つの殆ど縮退した直交モードを支持する
ように作ることが出来る。上述したように、円偏光マイ
クロ波は、共通の接地面に関してリッジ又は共平面状ス
トリップラインの幾何学的配置を使用することによって
、このガイドにも確立することが出来る。本発明により
組み立てられたデバイスでは、π位相シフトと同等の駆
動出力レベルて、ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓのリッジ型導
波路変調器を使用することによって、キャリアから所望
の側波帯への４０％の出力変換が得られる。Ｖ＝１．５
Ｖ−と同等の駆動出力レベルで、６５％以上の出力変換
が得られる。
単一の導波路構造をＮチャネル配列内に折り返すことに
よって、デバイスの出力処理能力をかなり増大させるこ
とが出来る。第４図は、ＧａＡｓ基板５２から成る共平
面型電極デバイス５０の断面を示している。この［１１
０１面上には、厚さ約１２ミクロンのＡｌｏ、、Ｇ ａ
ｏ９Ａ ｓ層５４が成長する。続いて、層５４上には
、ＧａＡｓ層５６が成長する。イオン注入、拡散構造エ
ツチング処理チャネル（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｂｕｉｌ
ｄ ｅｔｃｈｅｄ ｃｈａｎｎｅｌｓ）などのようなエ
ピタキシャル成長と超小形電子処理法（ｍｉｃｒｏｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｉｃ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｍｅｔｈｏ
ｄｓ）との組み合わせによって、多数の狭いガイドチャ
ネル５８が形成される。デバイス５４が安全に処理でき
る出力量は、内部に組み立てられた導波路の数に比例す
る。第５図は、本発明による複数チャネルストリップ搭
載型リッジデバイス６０を示している。デバイス６０は
、上述した方法で形成された多数の微小ガイドチャネル
６４．６６に特徴かある。
よって、デバイスの出力処理能力をかなり増大させるこ
とが出来る。第４図は、ＧａＡｓ基板５２から成る共平
面型電極デバイス５０の断面を示している。この［１１
０１面上には、厚さ約１２ミクロンのＡｌｏ、、Ｇ ａ
ｏ９Ａ ｓ層５４が成長する。続いて、層５４上には
、ＧａＡｓ層５６が成長する。イオン注入、拡散構造エ
ツチング処理チャネル（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｂｕｉｌ
ｄ ｅｔｃｈｅｄ ｃｈａｎｎｅｌｓ）などのようなエ
ピタキシャル成長と超小形電子処理法（ｍｉｃｒｏｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｉｃ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｍｅｔｈｏ
ｄｓ）との組み合わせによって、多数の狭いガイドチャ
ネル５８が形成される。デバイス５４が安全に処理でき
る出力量は、内部に組み立てられた導波路の数に比例す
る。第５図は、本発明による複数チャネルストリップ搭
載型リッジデバイス６０を示している。デバイス６０は
、上述した方法で形成された多数の微小ガイドチャネル
６４．６６に特徴かある。
［発明の効果］
上述したように、本発明によれば、高変換効率とマイク
ロ波駆動出力の減少を特徴とする単側波帯マイクロ波変
調器を提供することが出来る。
ロ波駆動出力の減少を特徴とする単側波帯マイクロ波変
調器を提供することが出来る。
また、本発明によれば、赤外線レーザー信号の単側波帯
変調を生ずる電気光学変調器を提供することができ、特
に、共平面型及びリッジ型集積光学構造に、赤外線レー
ザー信号の単側波帯変調を供給する電気光学変調器を提
供することが出来る。
変調を生ずる電気光学変調器を提供することができ、特
に、共平面型及びリッジ型集積光学構造に、赤外線レー
ザー信号の単側波帯変調を供給する電気光学変調器を提
供することが出来る。
第１図は、本発明による単側波帯導波路変調器の一部を
示す概略図、 第２図は、第１図の単側波帯変調器の一部をの断面図、 第３図は、第１図の変調器に関する、等電位線及び重ね
合わせた偶数及び奇数モート電界のプロットを示す概略
図、 第４図は、本発明による複数チャネル単側波帯変調器の
一部を切り欠いて示す斜視図、第５図は、本発明による
複数チャネル・リッジ型単側波帯変調器の一部を切り欠
いて示す斜視図である。 ０ 単側波帯マイクロ波変調器 ２・・・金属基板 ４・・導波路構造 ６・・・マイクロストリップ・ネットワーク電極８・・
・光信号 ０．２２・・・光学領域 ４．２６．２８ 電極 ０１３４・・・リッジ（リブ） ６ リッジ電極 ８．４０ 電極 ２・・基板 ４４・・第１のＡｌＯ，、Ｇ ａ 、９Ａ ｓ層４６・
・−ＧａＡｓ層 ４８−Ｊ’ｋｌＧ ａ Ａ ｓ層 代理人 弁理士 志 賀 富 士 弥 （外１名）
示す概略図、 第２図は、第１図の単側波帯変調器の一部をの断面図、 第３図は、第１図の変調器に関する、等電位線及び重ね
合わせた偶数及び奇数モート電界のプロットを示す概略
図、 第４図は、本発明による複数チャネル単側波帯変調器の
一部を切り欠いて示す斜視図、第５図は、本発明による
複数チャネル・リッジ型単側波帯変調器の一部を切り欠
いて示す斜視図である。 ０ 単側波帯マイクロ波変調器 ２・・・金属基板 ４・・導波路構造 ６・・・マイクロストリップ・ネットワーク電極８・・
・光信号 ０．２２・・・光学領域 ４．２６．２８ 電極 ０１３４・・・リッジ（リブ） ６ リッジ電極 ８．４０ 電極 ２・・基板 ４４・・第１のＡｌＯ，、Ｇ ａ 、９Ａ ｓ層４６・
・−ＧａＡｓ層 ４８−Ｊ’ｋｌＧ ａ Ａ ｓ層 代理人 弁理士 志 賀 富 士 弥 （外１名）
Claims (10)
- （１）赤外線レーザー信号をマイクロ波信号で変調して
、単周波側波帯内に信号を発生させるプレーナ型電気光
学変調器において、 レーザー信号ガイド領域を有するとともに、主要面を有
し、該主要面上には、前記レーザー信号ガイド領域の反
対側に光結合手段が配置され、前記レーザー信号ガイド
領域に沿って、前記光結合手段に与えられたレーザー信
号が伝搬する、薄いフィルム状の光導波路構造手段と、
前記ガイド領域と整合して前記主要面 上に形成されるとともに、各々の端部に送出電極を有し
、マイクロ波信号を前記レーザー信号ガイド領域に結合
させるマイクロストリップ電極手段から成り、 前記光導波路構造手段と前記マイクロストリップ電極手
段が、それぞれ円偏光レーザー信号とマイクロ波信号だ
けを送出するように形成され、前記光導波路構造手段が
、前記ガイド領域に沿って伝搬する前記円偏光レーザー
信号及びマイクロ波信号の各々がほぼ等しい位相速度を
有するように形成されることを特徴とする、プレーナ型
電気光学変調器。 - （２）前記光導波路構造手段が、第１のガリウム砒素層
から成り、この第１のガリウム砒素層の［１１０］結晶
面上に、半絶縁性の第１のガリウム・アルミニウム砒素
層がエピタキシャル成長し、この第１のガリウム・アル
ミニウム砒素層上に、半絶縁性のガリウム砒素層がエピ
タキシャル成長し、この半絶縁性のガリウム砒素層の［
１１１］結晶方向に、半絶縁性の第２のガリウム・アル
ミニウム砒素層がエピタキシャル成長することを特徴と
する、請求項１項に記載のプレーナ型電気光学変調器。 - （３）前記マイクロストリップ電極手段が、さらに、前
記レーザー信号ガイド領域と整合して前記第２のガリウ
ム・アルミニウム砒素層の表面上に形成された第１の金
属電極と、該第１の電極に隣接して前記ガイド領域に沿
って延在し、前記第２のガリウム砒素層上に形成された
第２及び第３の電極から成り、ストリップ搭載型電極構
造を形成することを特徴とする、請求項２項に記載のプ
レーナ型電気光学変調器。 - （４）前記第２のガリウム砒素層と前記第２のガリウム
・アルミニウム砒素層が、それぞれ約１６ミクロン及び
８ミクロンの厚さであることを特徴とする、請求項に記
載のプレーナ型電気光学変調器。 - （５）前記第２のガリウム・アルミニウム砒素層が、前
記第２のガリウム砒素層に沿って、約３２ミクロンだけ
、横方向に延在することを特徴とする、請求項４項に記
載のプレーナ型電気光学変調器。 - （６）前記第１及び第２のガリウム・アルミニウム砒素
層が、約７８０℃でエピタキシャル成長することを特徴
とする、請求項２項に記載のプレーナ型電気光学変調器
。 - （７）前記ガリウム砒素層及びガリウム・アルミニウム
砒素層が、ドーパントとしてトリエトキシバナジル（Ｔ
ＥＯＶ）を使用する金属有機化学蒸着により成長するこ
とを特徴とする、請求項２項に記載のプレーナ型電気光
学変調器。 - （８）赤外線レーザー信号をマイクロ波信号で変調して
、単周波側波帯内に信号を発生させるプレーナ型多チャ
ネル電気光学変調器において、各々がレーザー信号ガイ
ド領域を有するとともに、主要面を有する多数の隣接す
る薄いフィルム状の光導波路構造手段であって、該主要
面上には、前記ガイド領域の反対側に光結合手段が配置
され、前記光結合手段に与えられたレーザー信号が前記
レーザー信号ガイド領域に沿って伝搬する光導波路構造
手段と、 前記レーザー信号ガイド領域に整合して前記主要面上に
形成されるとともに、マイクロ波送出領域と整合する各
々の端部に送出電極を有し、前記レーザー信号ガイド領
域にマイクロ波信号を結合させるマイクロストリップ電
極手段とから成り、 前記光導波路構造手段と前記マイクロストリップ電極手
段の各々が、それぞれ、円偏光レーザー信号とマイクロ
波信号を送出するように配置され、前記光導波路構造が
、さらに、前記ガイド領域に沿って伝搬する前記円偏光
レーザー信号とマイクロ波信号の各々が、ほぼ等しい位
相速度を有するように形成されることを特徴とする、プ
レーナ型多チャネル電気光学変調器。 - （９）前記光導波路構造手段が、第１のガリウム砒素層
から成り、この第１のガリウム砒素層の［１１０］結晶
面上に、半絶縁性の第１のガリウム・アルミニウム砒素
層がエピタキシャル成長し、この第１のガリウム・アル
ミニウム砒素層上に、半絶縁性のガリウム砒素層がエピ
タキシャル成長し、この半絶縁性のガリウム砒素層の［
１１１］結晶方向に、半絶縁性の第２のガリウム・アル
ミニウム砒素層がエピタキシャル成長することを特徴と
する、請求項８項に記載のプレーナ型多チャネル電気光
学変調器。 - （１０）前記マイクロストリップ電極手段が、さらに、
前記ガイド領域の一つと整合して、前記第２のガリウム
・アルミニウム砒素層の表面上に形成された第１の金属
電極と、該第１の電極に隣接して、前記ガイド領域の一
つに沿って延在し、前記第２のガリウム砒素層上に形成
された第２及び第３の電極とから成り、ストリップ搭載
型電極構造を形成することを特徴とする、請求項９項に
記載のプレーナ型多チャネル電気光学変調器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/288,291 US4897622A (en) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | Single sideband waveguide modulator |
| US288,291 | 1988-12-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214812A true JPH02214812A (ja) | 1990-08-27 |
| JP2828707B2 JP2828707B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=23106510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1332483A Expired - Lifetime JP2828707B2 (ja) | 1988-12-22 | 1989-12-21 | プレーナ型電気光学変調器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4897622A (ja) |
| EP (1) | EP0374897B1 (ja) |
| JP (1) | JP2828707B2 (ja) |
| DE (1) | DE68917440T2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2633401B1 (fr) * | 1988-06-24 | 1990-10-05 | Labo Electronique Physique | Dispositif semiconducteur comprenant un guide de lumiere integre qui presente au moins une partie rectiligne et une partie courbe |
| US5027182A (en) * | 1990-10-11 | 1991-06-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | High-gain AlGaAs/GaAs double heterojunction Darlington phototransistors for optical neural networks |
| DE4431589C2 (de) * | 1994-09-05 | 1999-06-17 | Deutsche Telekom Ag | Integriert-optischer Einseitenbandmodulator für Mikrowellenfrequenzen |
| US6118566A (en) * | 1998-11-04 | 2000-09-12 | Corvis Corporation | Optical upconverter apparatuses, methods, and systems |
| US6292598B1 (en) | 1998-11-04 | 2001-09-18 | Corvis Corporation | Optical transmission apparatuses, methods, and systems |
| US6529305B1 (en) | 1998-11-04 | 2003-03-04 | Corvis Corporation | Optical transmission apparatuses, methods, and systems |
| US7142788B2 (en) * | 2002-04-16 | 2006-11-28 | Corvis Corporation | Optical communications systems, devices, and methods |
| US8224189B1 (en) | 2007-02-02 | 2012-07-17 | Sunlight Photonics Inc. | Retro-directive target for free-space optical communication and method of producing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5061164A (ja) * | 1973-09-22 | 1975-05-26 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3984675A (en) * | 1971-02-12 | 1976-10-05 | Martin Marietta Corporation | Wideband tunable coherent source |
| US3924931A (en) * | 1974-02-27 | 1975-12-09 | United Technologies Corp | Integrated optical signal processing system |
| US3917943A (en) * | 1974-11-21 | 1975-11-04 | Bell Telephone Labor Inc | Picosecond semiconductor electronic switch controlled by optical means |
| US4169009A (en) * | 1977-03-30 | 1979-09-25 | United Technologies Corporation | Large area microstructure processing |
| US4124270A (en) * | 1977-03-30 | 1978-11-07 | United Technologies Corporation | Monolithic, three-dimensional infrared waveguide for high power lasers |
| US4208091A (en) * | 1977-03-30 | 1980-06-17 | United Technologies Corporation | Broadband microwave waveguide modulator for infrared lasers |
| DE3415523A1 (de) * | 1984-04-24 | 1985-10-24 | Beerwald, Hans, Dr.Rer.Nat., 5370 Kall | Vorrichtung zur frequenzverschiebung von infrarot-laserstrahlung mittels einseitenbandmodulation |
| US4685988A (en) * | 1985-04-04 | 1987-08-11 | United Technologies Corporation | Buried microstrip network processing |
| US4707060A (en) * | 1985-04-04 | 1987-11-17 | United Technologies Corporation | Broadband infrared electro-optic modulator having a buried microstrip network |
| US4693549A (en) * | 1985-04-04 | 1987-09-15 | United Technologies Corporation | Optically buffered waveguide modulator |
| US4706103A (en) * | 1985-06-17 | 1987-11-10 | Hughes Aircraft Company | Bipolar electrode scheme for electro-optic semiconductor waveguide devices |
-
1988
- 1988-12-22 US US07/288,291 patent/US4897622A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-12-20 DE DE68917440T patent/DE68917440T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-20 EP EP89123584A patent/EP0374897B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-21 JP JP1332483A patent/JP2828707B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5061164A (ja) * | 1973-09-22 | 1975-05-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4897622A (en) | 1990-01-30 |
| EP0374897A1 (en) | 1990-06-27 |
| DE68917440T2 (de) | 1994-12-15 |
| EP0374897B1 (en) | 1994-08-10 |
| JP2828707B2 (ja) | 1998-11-25 |
| DE68917440D1 (de) | 1994-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5002349A (en) | Integrated acousto-optic filters and switches | |
| CA1304970C (en) | Polarization maintaining fiber interferometer and method for source stabilization | |
| JP2603437B2 (ja) | 周期的ドメイン反転電気・光変調器 | |
| US5422966A (en) | Microwave electro-optic mixer | |
| JPH02214812A (ja) | プレーナ型電気光学変調器 | |
| JP2002511155A (ja) | 光学放射のスイッチング・増幅・制御・変調の方法および装置（バージョン） | |
| US20050196092A1 (en) | Optical modulator and communications system | |
| Hinkov et al. | Collinear acoustical TM-TE mode conversion in proton exchanged Ti: LiNbO/sub 3/waveguide structures | |
| EP0576685B1 (en) | Waveguide type light directional coupler | |
| US4872738A (en) | Acousto-optic fiber-optic frequency shifter using periodic contact with a surface acoustic wave | |
| JPH01257922A (ja) | 導波路型波長変換素子 | |
| JPS5845196B2 (ja) | コウガクデンソウソウチ | |
| CN109491110A (zh) | 高损伤阈值波导相位调制器 | |
| JPS6235690A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH0422245B2 (ja) | ||
| JPS622293B2 (ja) | ||
| CN116990988A (zh) | 一种电光调制波导、偏振控制器和移相器 | |
| JP2023030675A (ja) | 光デバイス及び光通信装置 | |
| JP2975597B1 (ja) | 光制御型フェーズドアレーアンテナ装置 | |
| JPS60198880A (ja) | レ−ザ装置 | |
| JPH06289242A (ja) | 光導波路素子 | |
| CN115576121A (zh) | 热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络 | |
| JPH02189527A (ja) | 導波路型波長変換素子 | |
| JPH05165075A (ja) | 安定化波長変換装置 | |
| Selvarajan | Integrated optics—technology and applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070918 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080918 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080918 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090918 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090918 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100918 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100918 Year of fee payment: 12 |