JPH02212522A - ポリカルボシランの製法及び新規ポリカルボシラン - Google Patents
ポリカルボシランの製法及び新規ポリカルボシランInfo
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Silicon Polymers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はポリカルボンランの新規製法及び新規ポリカル
ボシランに関する。
ボシランに関する。
ポリカルボシランは、一般にSl−基及び炭化水素基が
交互に存在する炭素と珪素の元素から成る骨格構造を有
する1合体である。この独のポリカルボシランの骨格構
造は、例えば式:%式% 〔式中、ROは炭化水素置換分を表す〕の反復構造単位
から成る。
交互に存在する炭素と珪素の元素から成る骨格構造を有
する1合体である。この独のポリカルボシランの骨格構
造は、例えば式:%式% 〔式中、ROは炭化水素置換分を表す〕の反復構造単位
から成る。
ポリカルボ・7ランの公知製法には2つの方法が包含さ
れるが、そのうちの1つ&よ、モノシラン、例えばテト
ラメチルシラン、トリメチルクロル7ラン、ジメチルジ
クロルシラン又&iメチルトリクロルンランから出発し
、モノシランを温度約700°Cに加熱し、熱分解生成
物を短時間後に反応帯域から除去し、冷却することによ
って、これを熱分解により種々のポリカルボシランの混
合物に変える。この場合にをま、有率1]にはSi−C
−Si−骨格を有する化合物が生じ、その際、熱分解混
合物中の高分子化合物の含分&ま温度上昇及び反応帯域
中の滞留時間延長に伴って増大する;しかしこの方法に
より製造した生成物は非常に不均一であり、低分子であ
る。
れるが、そのうちの1つ&よ、モノシラン、例えばテト
ラメチルシラン、トリメチルクロル7ラン、ジメチルジ
クロルシラン又&iメチルトリクロルンランから出発し
、モノシランを温度約700°Cに加熱し、熱分解生成
物を短時間後に反応帯域から除去し、冷却することによ
って、これを熱分解により種々のポリカルボシランの混
合物に変える。この場合にをま、有率1]にはSi−C
−Si−骨格を有する化合物が生じ、その際、熱分解混
合物中の高分子化合物の含分&ま温度上昇及び反応帯域
中の滞留時間延長に伴って増大する;しかしこの方法に
より製造した生成物は非常に不均一であり、低分子であ
る。
ポリカルボシランのその他の公知製法で(ま、ポリシラ
ンから出発し、これを温度350〜450℃で熱分解に
よりポリカルボシランに変える。この方法の場合には、
使用されるポリシラン中で珪素原子の2つの置換分の少
なくとも1つはメチル基であり、これから熱変換の間に
2つの隣合った81元素間に挿入されたメチル基が生成
され、そしてその際、81元素のところに水素原子が残
留する。この方法によれば常にポリカルボシラン鎖中の
珪素原子がメチlノン橋によってのみ結合していること
ができ、珪素原子のところで常に任意の置換分R0のみ
を有しうるが、第2の置換分は常に水素であるようなポ
リカルボシランしか得られない。
ンから出発し、これを温度350〜450℃で熱分解に
よりポリカルボシランに変える。この方法の場合には、
使用されるポリシラン中で珪素原子の2つの置換分の少
なくとも1つはメチル基であり、これから熱変換の間に
2つの隣合った81元素間に挿入されたメチル基が生成
され、そしてその際、81元素のところに水素原子が残
留する。この方法によれば常にポリカルボシラン鎖中の
珪素原子がメチlノン橋によってのみ結合していること
ができ、珪素原子のところで常に任意の置換分R0のみ
を有しうるが、第2の置換分は常に水素であるようなポ
リカルボシランしか得られない。
最後に記載の方法に使用すべきである水リシランは、置
換されたメチルジ・・ロケゞンシラノをアルカリ金属の
存在で縮合することによって得られる。この種のポリシ
ランの熱分解によっては、不均一なポリカルボシランが
生じるか又はその他の有利な生成物を得ることができな
い;例えば珪素元素のところで水素原子の代わりに第2
置換分を有するか、又はS1原子間にメチレン橋とは異
なる炭素橋を有するようなものは得られない。熱分解で
は部分的に既に生成されたポリカルボシランの分解が起
き、多かれ少なかれ易揮発性の生成物(これはポリカル
ボシラン中でそれ自体望ましくない)が生じる。
換されたメチルジ・・ロケゞンシラノをアルカリ金属の
存在で縮合することによって得られる。この種のポリシ
ランの熱分解によっては、不均一なポリカルボシランが
生じるか又はその他の有利な生成物を得ることができな
い;例えば珪素元素のところで水素原子の代わりに第2
置換分を有するか、又はS1原子間にメチレン橋とは異
なる炭素橋を有するようなものは得られない。熱分解で
は部分的に既に生成されたポリカルボシランの分解が起
き、多かれ少なかれ易揮発性の生成物(これはポリカル
ボシラン中でそれ自体望ましくない)が生じる。
卓越した熱安定性及び酸化安定性及び公知方法による非
酸化性雰囲気中で燃焼させる際の高い残留重量比を有す
るポリカルボシランを製造するために、圧力反応容器、
例えばオートクレーブ又は循環して運ひ戻すことのでき
る循環型の装置が必要である。圧力反応器を使用する方
法の場合には、反応全10〜15時間、温度400〜4
70°Cで圧力81〜111バールで実施せねばならず
、圧力全一定にする装備が絶対に不可欠であり、燃焼の
危険性に対する手段を講する必要がある。この方法は更
に大量生産に不適当であるという欠点を有する。循環型
の装置を使用する方法の場合には、熱反応塔、生成物分
離塔等全含有する装置を使用する必要があり、低分子生
成物は反応を繰り返すために、強制的に循環して熱反応
塔に戻さねばならない。
酸化性雰囲気中で燃焼させる際の高い残留重量比を有す
るポリカルボシランを製造するために、圧力反応容器、
例えばオートクレーブ又は循環して運ひ戻すことのでき
る循環型の装置が必要である。圧力反応器を使用する方
法の場合には、反応全10〜15時間、温度400〜4
70°Cで圧力81〜111バールで実施せねばならず
、圧力全一定にする装備が絶対に不可欠であり、燃焼の
危険性に対する手段を講する必要がある。この方法は更
に大量生産に不適当であるという欠点を有する。循環型
の装置を使用する方法の場合には、熱反応塔、生成物分
離塔等全含有する装置を使用する必要があり、低分子生
成物は反応を繰り返すために、強制的に循環して熱反応
塔に戻さねばならない。
従って温度を高度に、600〜800℃に冒めねばなら
ず、20〜50時間の長い反応時間を用いねばならない
。従って、最後に記載した方法は工業的見地から多くの
欠点を有する。
ず、20〜50時間の長い反応時間を用いねばならない
。従って、最後に記載した方法は工業的見地から多くの
欠点を有する。
西ドイツ特許公開公報第3634281号明細書から、
有機芳香族又は有利には芳香複素環式基、例えばピロー
ル−2,5−ジイル又はチオフェン−2,5−ジイルか
らなる橋を介してS1原子が存在する、ポリカルボンラ
ンが公知である。その際、相応する化学的又は電気化学
的ドーピングにより伝導性のポリシランを製造すること
が目的である。
有機芳香族又は有利には芳香複素環式基、例えばピロー
ル−2,5−ジイル又はチオフェン−2,5−ジイルか
らなる橋を介してS1原子が存在する、ポリカルボンラ
ンが公知である。その際、相応する化学的又は電気化学
的ドーピングにより伝導性のポリシランを製造すること
が目的である。
シリング(Schilling )及びウィリアムス(
Williams ) ((Schilling C,
L、Jr、 ;Williams T、C,) (Un
ion Carble Corp、タリタウン、ニュー
ヨーク、USA)、Report19B3、T R−8
3−2; 0rder No、 A D −A1415
58.15 pp、 (英国)、Avail。
Williams ) ((Schilling C,
L、Jr、 ;Williams T、C,) (Un
ion Carble Corp、タリタウン、ニュー
ヨーク、USA)、Report19B3、T R−8
3−2; 0rder No、 A D −A1415
58.15 pp、 (英国)、Avail。
NTl5.From Gov、RKp、Announc
e、 工ndex(U、S、)1984.84(18
)、48;ケミカル アフストラクソ(Chemica
l Abstracts ) 101巻:196821
q参照)〕から、・/ラフラン体単位及びオレフィン単
位からなる共重合体全テトラヒドロフラン中のカリウム
の存在で製造することが公知である。7ラン単量体とし
て、メチルトリクロル/ラン、ジメチルジクロル7ラン
又はメチルジクロルヒドロンラ/をスチレン又はイソプ
レ/と反応させ、その際、スチレ/の場合には、Sl−
単位はフェニル置換されたエチレン単位を介して結合し
てbる。イソプレンの場合には、Sl−単位はなお二重
結合1個を有する相応するメチル置換されたC4−アル
キレン鎖によって結合している。2つのその他の例では
、イソプレンをメチルクロルメチルジクロルシラン又は
ビニルメチルジクロル7ラントトリメチルクロルシラン
から成る混合物と反応させる。
e、 工ndex(U、S、)1984.84(18
)、48;ケミカル アフストラクソ(Chemica
l Abstracts ) 101巻:196821
q参照)〕から、・/ラフラン体単位及びオレフィン単
位からなる共重合体全テトラヒドロフラン中のカリウム
の存在で製造することが公知である。7ラン単量体とし
て、メチルトリクロル/ラン、ジメチルジクロル7ラン
又はメチルジクロルヒドロンラ/をスチレン又はイソプ
レ/と反応させ、その際、スチレ/の場合には、Sl−
単位はフェニル置換されたエチレン単位を介して結合し
てbる。イソプレンの場合には、Sl−単位はなお二重
結合1個を有する相応するメチル置換されたC4−アル
キレン鎖によって結合している。2つのその他の例では
、イソプレンをメチルクロルメチルジクロルシラン又は
ビニルメチルジクロル7ラントトリメチルクロルシラン
から成る混合物と反応させる。
本発明の課題は、簡単な方法でポリカルボシランを非熱
分解的方法で、高い純度(例えば低分子量の熱分解生成
物なし)及び広い範囲で変えつる置換分及び飽和炭化水
素橋を有するポリカルボシランを製造することができる
方法全提供すること並びにこの方法により製造すること
ができる有利な特性を有する新規ポリカルボシランを準
備することである・。
分解的方法で、高い純度(例えば低分子量の熱分解生成
物なし)及び広い範囲で変えつる置換分及び飽和炭化水
素橋を有するポリカルボシランを製造することができる
方法全提供すること並びにこの方法により製造すること
ができる有利な特性を有する新規ポリカルボシランを準
備することである・。
この課題は本発明による方法及び本発明によるポリカル
ボシランにより解決される。
ボシランにより解決される。
本発明は、−殺伐1:
%式%(1)
〔式中、R1は水素、アルキル、シクロアルキル、アリ
ール又はアリールアルキルを表し、その際、同じポリカ
ルボシランの異なる単位中のR1は異なるものを表して
もよ<、R2はアルキル、7クロアルキル、アリール又
はアリールアルキルを表し、その際、同じポリカルボシ
ランの異なる単位中のR2は異なるものを表してもよく
、Aは直鎖又は分枝状のアルキレン基を表すか又はシク
ロアルキレン基を表し、その際、同じポリカルボシラン
の異なる単位中のAは異なるものを表してもよい〕の構
造単位を基礎とするポリカルボシランの製法に関し、こ
れは、−殺伐■: X−Si−X(■) 〔式中、R1及びR2は前記のものを表し、Xはハロケ
9ン、有利には塩素又は臭素全表す〕のジハロゲンシラ
ン少なくとも1種類全一般弐■:y −A −y
(Ill) 〔式中、Aは前記のものを表し、Yは・・ロケ9ン、塩
素、臭素又は沃素、有利には塩素又は臭素を表す〕のジ
・・ロケ9ン炭化水素少なくとも1種類とアルカリ金属
の存在で反応させることより成る。
ール又はアリールアルキルを表し、その際、同じポリカ
ルボシランの異なる単位中のR1は異なるものを表して
もよ<、R2はアルキル、7クロアルキル、アリール又
はアリールアルキルを表し、その際、同じポリカルボシ
ランの異なる単位中のR2は異なるものを表してもよく
、Aは直鎖又は分枝状のアルキレン基を表すか又はシク
ロアルキレン基を表し、その際、同じポリカルボシラン
の異なる単位中のAは異なるものを表してもよい〕の構
造単位を基礎とするポリカルボシランの製法に関し、こ
れは、−殺伐■: X−Si−X(■) 〔式中、R1及びR2は前記のものを表し、Xはハロケ
9ン、有利には塩素又は臭素全表す〕のジハロゲンシラ
ン少なくとも1種類全一般弐■:y −A −y
(Ill) 〔式中、Aは前記のものを表し、Yは・・ロケ9ン、塩
素、臭素又は沃素、有利には塩素又は臭素を表す〕のジ
・・ロケ9ン炭化水素少なくとも1種類とアルカリ金属
の存在で反応させることより成る。
本発明によれば、−殺伐1の構造単位を基礎とするポリ
カルボシランを製造するために、殺伐IIのジハロゲン
シラン少なくとも1種類全一般式■の飽和シバロケ9ン
炭化水素少な(とも1種類と不活性有機液体媒体中でア
ルカリ金属の存在で相互に反応させる。
カルボシランを製造するために、殺伐IIのジハロゲン
シラン少なくとも1種類全一般式■の飽和シバロケ9ン
炭化水素少な(とも1種類と不活性有機液体媒体中でア
ルカリ金属の存在で相互に反応させる。
使用されるジハロゲンシランの一般式1 中で、R1は
水素であってよい。その場合にはR2はアルキル、シク
ロアルキル、アリール又はアリールアルキルを表す。
水素であってよい。その場合にはR2はアルキル、シク
ロアルキル、アリール又はアリールアルキルを表す。
使用されるジハロゲンシランの一般式II 中テ、基R
1又はR2の一方又は両方ともアルキル全表すことがで
きる;その際、アルキルは、場合により不活性基によっ
て更に置換されてめてよ贋飽和又は不飽和の、直鎖又は
分枝状のアルキル基金表す。好適なアルキル基の例は、
自−〜C16−アルキル基、例えばメチル、エチル、)
。
1又はR2の一方又は両方ともアルキル全表すことがで
きる;その際、アルキルは、場合により不活性基によっ
て更に置換されてめてよ贋飽和又は不飽和の、直鎖又は
分枝状のアルキル基金表す。好適なアルキル基の例は、
自−〜C16−アルキル基、例えばメチル、エチル、)
。
ロビル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、ドデ
シル、ヘキサアリル、イソプロピル、インブチル、t−
ブチル又はアリルであるが、しかし特に自−〜C6−ア
ルキル基、有利にはC原子1〜4個を有する低級アルキ
ル基である。
シル、ヘキサアリル、イソプロピル、インブチル、t−
ブチル又はアリルであるが、しかし特に自−〜C6−ア
ルキル基、有利にはC原子1〜4個を有する低級アルキ
ル基である。
前記記載は、これらに制限するものでも限定するもので
もない。
もない。
使用されるジハロゲンシランの一歴代■中で基R]又は
R2の一方又は両方ともシクロアルキルを表すことがで
きる;その際、°/クロアルキルは、飽和又は不飽和の
、場合により不活性基によって更に置換されているシク
ロアルキル基を表す。シクロアルキルの例は、7りOペ
ンチル、7クロヘキシル及ヒ/クロペンテニル、シクロ
へキセニルである。前記記載はこれらに制限するもので
も限定するものでもない。
R2の一方又は両方ともシクロアルキルを表すことがで
きる;その際、°/クロアルキルは、飽和又は不飽和の
、場合により不活性基によって更に置換されているシク
ロアルキル基を表す。シクロアルキルの例は、7りOペ
ンチル、7クロヘキシル及ヒ/クロペンテニル、シクロ
へキセニルである。前記記載はこれらに制限するもので
も限定するものでもない。
使用されるシバロケ9ンシランの一般式11中で基R1
又はR2の一方又は両、方ともアリールを表すことがで
きる;その際、アリールは、非置換又は不活性置換され
た芳香族炭化水素基を表す。
又はR2の一方又は両、方ともアリールを表すことがで
きる;その際、アリールは、非置換又は不活性置換され
た芳香族炭化水素基を表す。
アリールの例はフェニル、ナフチル、p−ジフェニル又
はアルキルアリール基、例えばl−1,1ル、エチルフ
ェニル又はプロピルフェニルでアル。
はアルキルアリール基、例えばl−1,1ル、エチルフ
ェニル又はプロピルフェニルでアル。
前記記載はこれらに制限するものでも限定するものでも
ない。
ない。
使用されるシバロケ9ンシランの一般式11中で基R1
又はR2の一方又は両方ともアリールアルキルを表すこ
とができる;アリールアルキル基の例はフェニルメチル
又はフェニルエチルである。前記記載はこれらに制限す
るものでも限定するものでもない。
又はR2の一方又は両方ともアリールアルキルを表すこ
とができる;アリールアルキル基の例はフェニルメチル
又はフェニルエチルである。前記記載はこれらに制限す
るものでも限定するものでもない。
ジハロゲンシランとしてジクロル−又はシフロムシラン
が本発明による方法に特に好適である。特に好適なジハ
ロゲン7ランの例は、ジメチルジクロルシラン、ジメチ
ルジブロム7ラン、ジエチルジクロルシラン、ジエチル
ジブロム7ラン、メチルフエニルジクロルシラン、メチ
ルフエニルジフロムシラノ、ジフェニルジクロルシラン
又はジフェニルジブロムシランである。
が本発明による方法に特に好適である。特に好適なジハ
ロゲン7ランの例は、ジメチルジクロルシラン、ジメチ
ルジブロム7ラン、ジエチルジクロルシラン、ジエチル
ジブロム7ラン、メチルフエニルジクロルシラン、メチ
ルフエニルジフロムシラノ、ジフェニルジクロルシラン
又はジフェニルジブロムシランである。
AiJ記記載はこれらに制限するものでも限定するもの
でもない。
でもない。
使用されるシバロケ9ン炭化水素の一般式11中で、A
は直鎖又は分枝鎖状アルキレン基を表す;有利にはC□
−〜C6−アルキレン基、特にC原子1〜4個を有する
低級アルキル基、例えばメチレン、エチレン、トリメチ
レン、フロピレン又はブチレンである;前記記載はこれ
らに制限するものでも限定するものでもない。
は直鎖又は分枝鎖状アルキレン基を表す;有利にはC□
−〜C6−アルキレン基、特にC原子1〜4個を有する
低級アルキル基、例えばメチレン、エチレン、トリメチ
レン、フロピレン又はブチレンである;前記記載はこれ
らに制限するものでも限定するものでもない。
使用されるジハロゲン炭化水素の一歴代■1中で、Aは
シクロアルキレン基金表すことができる;有利にはC4
−〜C7−C0−ンクロアルキレン基、例えば/クロペ
ンチレン又はシクロヘキシレンである。前記記載はこれ
らに制限するものでも限定するものでもない。
シクロアルキレン基金表すことができる;有利にはC4
−〜C7−C0−ンクロアルキレン基、例えば/クロペ
ンチレン又はシクロヘキシレンである。前記記載はこれ
らに制限するものでも限定するものでもない。
ジハロゲン炭化水素としては、特に飽和ショト−ジブロ
ム−又はジクロル炭化水素が本発明による方法に好適で
ある。特に好適な飽和ジハロゲン炭化水素の例は塩化メ
チレン、臭化メチレン、1.2−ジクロルエタン、1.
2シフロムエタン、1.3−ジクロルプロパン、1.
3−ジブロムプロパン、1,6−ジョー−プロパン、1
,2−ジブロムプロパン、ジクロルプロパンタン又はジ
クロルシクロヘキサ/である。前記記載はこれらに制限
するものでも限定するものでもない。
ム−又はジクロル炭化水素が本発明による方法に好適で
ある。特に好適な飽和ジハロゲン炭化水素の例は塩化メ
チレン、臭化メチレン、1.2−ジクロルエタン、1.
2シフロムエタン、1.3−ジクロルプロパン、1.
3−ジブロムプロパン、1,6−ジョー−プロパン、1
,2−ジブロムプロパン、ジクロルプロパンタン又はジ
クロルシクロヘキサ/である。前記記載はこれらに制限
するものでも限定するものでもない。
本発明により使用可能なアルカリ金属は、例えばリチウ
ム、ナトリウム又はカリウムであってよい。有利なアル
カリ金属は、一般に最高の収量のポリカルボシランを生
じ、副反応が最も少ないので、ナトリウムである。完全
な反応を確認するために、少量の過剰のアルカリ金属を
用いる操作が有利である。使用すべきであるアルカリ金
属の量は、使用される全シバロケゞン化合物1モルに対
して約2.2モル、耶ちジハロゲン7ラン1モルとジハ
ロゲン炭化水素1モルトの反応に結局アルカリ金属約4
.4モルが必要である。
ム、ナトリウム又はカリウムであってよい。有利なアル
カリ金属は、一般に最高の収量のポリカルボシランを生
じ、副反応が最も少ないので、ナトリウムである。完全
な反応を確認するために、少量の過剰のアルカリ金属を
用いる操作が有利である。使用すべきであるアルカリ金
属の量は、使用される全シバロケゞン化合物1モルに対
して約2.2モル、耶ちジハロゲン7ラン1モルとジハ
ロゲン炭化水素1モルトの反応に結局アルカリ金属約4
.4モルが必要である。
反応がその中で行われる有機水性媒体は、反応成分とし
て使用されるジハロrンンラン及びジハロゲン炭化水素
が可溶性である、アルカリ金属と相溶性の任意の溶剤で
あってよい。有利には、この有機液体媒体は、本発明に
よる方法により製造することのできるポリカルボシラン
の溶剤であってもよい。好適な溶剤は例えば、炭化水素
、例えばトルエン、キシレン又はパラフィン、エーテル
、例えばテトラヒドロフラン又はジオキサン、アルキレ
ングリコールエーテル、例えばエチレングリコール、例
えばジエチレングリコールジアルキルエーテル、フロピ
レンクリコールエーテル、ポリエチレングリコルエーテ
ル又はホIJ 、”ロピレンクリコールエテルであるが
、窒素含有の溶剤、例えばエチレンジアミン又はその混
合物であってもよい。有利には、その沸騰温度が使用さ
れるアルカリ金属の融点より上にあるような溶剤を使用
する。
て使用されるジハロrンンラン及びジハロゲン炭化水素
が可溶性である、アルカリ金属と相溶性の任意の溶剤で
あってよい。有利には、この有機液体媒体は、本発明に
よる方法により製造することのできるポリカルボシラン
の溶剤であってもよい。好適な溶剤は例えば、炭化水素
、例えばトルエン、キシレン又はパラフィン、エーテル
、例えばテトラヒドロフラン又はジオキサン、アルキレ
ングリコールエーテル、例えばエチレングリコール、例
えばジエチレングリコールジアルキルエーテル、フロピ
レンクリコールエーテル、ポリエチレングリコルエーテ
ル又はホIJ 、”ロピレンクリコールエテルであるが
、窒素含有の溶剤、例えばエチレンジアミン又はその混
合物であってもよい。有利には、その沸騰温度が使用さ
れるアルカリ金属の融点より上にあるような溶剤を使用
する。
有利な溶剤はキシレンである。溶剤の量は広い範囲で変
えることができる。大量の溶剤の使用は、例えば低分子
量のポリカルボシランを生じる。反応で生じるアルカリ
金属ノ・ロデン化物は一般に不溶性であり、従って濾過
により容易に除去することができる。
えることができる。大量の溶剤の使用は、例えば低分子
量のポリカルボシランを生じる。反応で生じるアルカリ
金属ノ・ロデン化物は一般に不溶性であり、従って濾過
により容易に除去することができる。
方法は広い温度範囲で行うことができるが、その際有利
には反応温度を約10〜180℃の温度に保つ。反応は
発熱的に経過し、有利には使用されるアルカリ金属の融
点で、例えばナトリウムを使用する場合には約100°
Cで開始する。反応の間、外部からの熱の供給は必要で
ない。反応が急激に進行しすぎる場合には、場合により
冷却してもよい;しかし原則として冷却は強制的ではな
い。更に、反応は一般に好適な保護ガス下に行われる。
には反応温度を約10〜180℃の温度に保つ。反応は
発熱的に経過し、有利には使用されるアルカリ金属の融
点で、例えばナトリウムを使用する場合には約100°
Cで開始する。反応の間、外部からの熱の供給は必要で
ない。反応が急激に進行しすぎる場合には、場合により
冷却してもよい;しかし原則として冷却は強制的ではな
い。更に、反応は一般に好適な保護ガス下に行われる。
好適な保護ガスは例えば窒素又はアルゴンである。
反応は一般に、先ず溶剤中のアルカリ金属の懸濁液を製
造して行う。懸濁液を製造するために有利な溶剤は、炭
化水素、例えばキシレン又はデカリンであり、その中に
アルカリ金属を小片の形で入れ、次いで強力な攪拌下に
アルカリ金属の融点より上の温度に加熱する。こうして
得られたアルカリ金属懸濁液を冷却後又は直ちに次の反
応に使用することができる。このために、残りの反応成
分(ジノ・ロデンシラン、ジ・・ロケ゛ン炭化水素)を
アルカリ金属懸濁液に装入する。これは金属@濁液に反
応成分を同時に滴加することによってか又は反応成分を
直接金属懸濁液に同時に導入することによって行われる
。
造して行う。懸濁液を製造するために有利な溶剤は、炭
化水素、例えばキシレン又はデカリンであり、その中に
アルカリ金属を小片の形で入れ、次いで強力な攪拌下に
アルカリ金属の融点より上の温度に加熱する。こうして
得られたアルカリ金属懸濁液を冷却後又は直ちに次の反
応に使用することができる。このために、残りの反応成
分(ジノ・ロデンシラン、ジ・・ロケ゛ン炭化水素)を
アルカリ金属懸濁液に装入する。これは金属@濁液に反
応成分を同時に滴加することによってか又は反応成分を
直接金属懸濁液に同時に導入することによって行われる
。
反応成分を直接金属懸濁液中に導入することが有利であ
る。特に、反応成分を、導入する前に既に相互に混合し
、場合によっては好適な溶剤で希釈することが有利であ
ると判明した。
る。特に、反応成分を、導入する前に既に相互に混合し
、場合によっては好適な溶剤で希釈することが有利であ
ると判明した。
反応を行った後に、反応混合物から各々好適な方法によ
りポリカルボンラン全得ることができる。ポリカルボシ
ランが溶剤に可溶性であるなら、その他の不溶性成分を
濾過によって分離することができる。溶剤中に残留する
ポリカルボンランを水で洗浄することによって清浄にし
、溶剤を除去することによって乾燥させて粉末にするこ
とができる。過剰のアルカリ金属全使用した場合には、
これ全ポリカルボシランを単離する前に好適なアルコー
ルで自体公知の方法で加溶媒分解する。好適なアルコー
ルは、使用されるアルカリ金属によりメタノール、エタ
ノール、インプロパツール、t−ブタノールである。
りポリカルボンラン全得ることができる。ポリカルボシ
ランが溶剤に可溶性であるなら、その他の不溶性成分を
濾過によって分離することができる。溶剤中に残留する
ポリカルボンランを水で洗浄することによって清浄にし
、溶剤を除去することによって乾燥させて粉末にするこ
とができる。過剰のアルカリ金属全使用した場合には、
これ全ポリカルボシランを単離する前に好適なアルコー
ルで自体公知の方法で加溶媒分解する。好適なアルコー
ルは、使用されるアルカリ金属によりメタノール、エタ
ノール、インプロパツール、t−ブタノールである。
生成されたアルカリ金属アルコラードを引続き水の添加
により更に分解し、析出したアルカリ金属塩を濾過によ
り除去する。しかし生成されたポリカルボシランは溶剤
に不溶性であるので、これ全好適なその他の溶剤により
抽出し、引続ぎ水で洗浄することによって清浄にし、溶
剤を除去することによって乾燥させて粉末にすることが
できる。
により更に分解し、析出したアルカリ金属塩を濾過によ
り除去する。しかし生成されたポリカルボシランは溶剤
に不溶性であるので、これ全好適なその他の溶剤により
抽出し、引続ぎ水で洗浄することによって清浄にし、溶
剤を除去することによって乾燥させて粉末にすることが
できる。
本発明の方法によって種々のポリカルボシランを有利に
製造するために、簡単にかつ一般に使用することができ
る方法が提供される。本発明による方法は、既に公知の
ポリカルボシランを製造することもできるし、新規ポリ
カルボンランを製造することもできる。この方法は使用
される反応成分、即ち一つにはジハロゲン・/ランそし
てもう一つには飽和ジハロゲン炭化水素の種類と数を変
えることによって多数の有利な、これまで入手できなか
った一般式Iのポリカルボシロキサン全製造することが
できる。
製造するために、簡単にかつ一般に使用することができ
る方法が提供される。本発明による方法は、既に公知の
ポリカルボシランを製造することもできるし、新規ポリ
カルボンランを製造することもできる。この方法は使用
される反応成分、即ち一つにはジハロゲン・/ランそし
てもう一つには飽和ジハロゲン炭化水素の種類と数を変
えることによって多数の有利な、これまで入手できなか
った一般式Iのポリカルボシロキサン全製造することが
できる。
本発明の1変形法では、−殺伐Hの異なる置換されたジ
ハロゲンシランの混合物音、それ自体異なる基Aを有す
る一歴代■の飽和ジ・・ロデン炭化水素の混合物と相互
に反応させる。ジノ・ロデンンラン混合物とジ・・ロゲ
ン炭化水素混合物の反応によって、例えば、使用される
反応成分の選択された種類と数に応じて、相互に無関係
に置換分中でR1及び/又はR2及び/又は基Aが異な
っていてもよい、−殺伐1の種々の構造単位が相並んで
存在す゛るポリカルボシランが得られる。しかし、一般
に多くとも3種類より多くない異なるシバロケゝンシラ
ンを多くとも3種類より多くない異なるジ・・ロブ/炭
化水素と同時に相互に反応させる。特に、最高3種類よ
り多くないシバロケゞンシシンと1種類だけのシバロケ
9ノ炭化水素とから成る混合物の反応又は1種類のジ・
・ロデンンランと最高6種類の異なるジ・・ロデノ炭化
水素から成る混合、物の反応が有利である。使用される
ジー・ロデンンラン又はその混合物の量対使用されるジ
・・ロケ9ン炭化水素又はその混合物の量は有利には、
−括してジハロゲン7ランとジハロゲン炭化水素のモル
比が1:1であるようにきめるのが有利であるが;しか
し一般に90%までこのモル比から外れてもよい。
ハロゲンシランの混合物音、それ自体異なる基Aを有す
る一歴代■の飽和ジ・・ロデン炭化水素の混合物と相互
に反応させる。ジノ・ロデンンラン混合物とジ・・ロゲ
ン炭化水素混合物の反応によって、例えば、使用される
反応成分の選択された種類と数に応じて、相互に無関係
に置換分中でR1及び/又はR2及び/又は基Aが異な
っていてもよい、−殺伐1の種々の構造単位が相並んで
存在す゛るポリカルボシランが得られる。しかし、一般
に多くとも3種類より多くない異なるシバロケゝンシラ
ンを多くとも3種類より多くない異なるジ・・ロブ/炭
化水素と同時に相互に反応させる。特に、最高3種類よ
り多くないシバロケゞンシシンと1種類だけのシバロケ
9ノ炭化水素とから成る混合物の反応又は1種類のジ・
・ロデンンランと最高6種類の異なるジ・・ロデノ炭化
水素から成る混合、物の反応が有利である。使用される
ジー・ロデンンラン又はその混合物の量対使用されるジ
・・ロケ9ン炭化水素又はその混合物の量は有利には、
−括してジハロゲン7ランとジハロゲン炭化水素のモル
比が1:1であるようにきめるのが有利であるが;しか
し一般に90%までこのモル比から外れてもよい。
有利な1変形法では1種類だけのジハロゲン7ランを1
種類だけのジハロゲン炭化水素と反応させる。この変形
法により、非常に均一な鎖状ポリカルボシランが得られ
るが、その際、このポリカルボシランの一般式Iの全構
造単位で置換°分R,l R2及び基Aは各々1つの
ものだけを表す。2つの反応成分のモル比は有利には1
:1であるが、しかし一般には90%までこのモル比か
ら外れることもできる。
種類だけのジハロゲン炭化水素と反応させる。この変形
法により、非常に均一な鎖状ポリカルボシランが得られ
るが、その際、このポリカルボシランの一般式Iの全構
造単位で置換°分R,l R2及び基Aは各々1つの
ものだけを表す。2つの反応成分のモル比は有利には1
:1であるが、しかし一般には90%までこのモル比か
ら外れることもできる。
本発明による方法のもう1つの変形法では、所望の場合
には、一般構造式1’を基礎とする直鎖のポリカルボシ
ラン鎖の付加的に所望の架橋を生じしめることもできる
。その場合には、所望の架橋度に応じて、50モル%ま
で使用されるジハロゲン7ランnk式R81X3 (式
中、Xはハロゲン、有利には塩素又は臭素を表し、Rは
R1に前記したもの、水素、アルキル、シクロアルキル
、アリール又はアールアルキルを表す〕のトリハロゲン
シランに代える。トリハロゲンシランR81X3 k
、同時に金属懸濁液に供給すべきであるジハロゲンシラ
ン■及び不飽和ジ・・ロデン炭化水素■から成る反応混
合物中に混入することができるが;しかじ、この反応混
合物とは別に金属懸濁液に滴加するか又は導入すること
もできる。使用することのできる!・リノ・ロケゞンシ
ラ7 R81X3はトリクロルシラン、メチルトリブロ
ムシラン、メチルトリクロルシラン又はフェニルトリク
ロルシランである。この変形法により、再び構造単位1
081原子が接続している式■: R−sl−A −(IV) 〔式中、R及びAは前記のものを表す〕の架橋基金付加
的に含有する、−殺伐1の構造成分を基礎とする架橋し
たポリカルざシランが得られる。
には、一般構造式1’を基礎とする直鎖のポリカルボシ
ラン鎖の付加的に所望の架橋を生じしめることもできる
。その場合には、所望の架橋度に応じて、50モル%ま
で使用されるジハロゲン7ランnk式R81X3 (式
中、Xはハロゲン、有利には塩素又は臭素を表し、Rは
R1に前記したもの、水素、アルキル、シクロアルキル
、アリール又はアールアルキルを表す〕のトリハロゲン
シランに代える。トリハロゲンシランR81X3 k
、同時に金属懸濁液に供給すべきであるジハロゲンシラ
ン■及び不飽和ジ・・ロデン炭化水素■から成る反応混
合物中に混入することができるが;しかじ、この反応混
合物とは別に金属懸濁液に滴加するか又は導入すること
もできる。使用することのできる!・リノ・ロケゞンシ
ラ7 R81X3はトリクロルシラン、メチルトリブロ
ムシラン、メチルトリクロルシラン又はフェニルトリク
ロルシランである。この変形法により、再び構造単位1
081原子が接続している式■: R−sl−A −(IV) 〔式中、R及びAは前記のものを表す〕の架橋基金付加
的に含有する、−殺伐1の構造成分を基礎とする架橋し
たポリカルざシランが得られる。
更に、もう1つの変形法では、一般構造式■を基礎とす
る直鎖のポリカルボシラン釦の架橋を、テトラハロゲン
シラン、例えばテトラクロルシラン又はテトラブロムシ
ランの添加によって起こすことができる。
る直鎖のポリカルボシラン釦の架橋を、テトラハロゲン
シラン、例えばテトラクロルシラン又はテトラブロムシ
ランの添加によって起こすことができる。
再び構造単位IのSi原子が接続して因る式:
%式%()
〔式中、Aは前記のものを表す〕の架橋基を付加的に含
有する、−殺伐Iの構造成分全基礎とする架橋されたポ
リカルボシランが得られる。
有する、−殺伐Iの構造成分全基礎とする架橋されたポ
リカルボシランが得られる。
更に、その他の変形法では、一般構造式Iを基礎とする
製造すべき鎖状又は架橋したポリカルボシランの架橋度
を、縮合中断試薬の添加によって縮合全中止させること
によって、制御することができる。縮合反応を中断させ
る好適な試薬はモノハロゲンシランR’3SiX(式中
Xはハロゲン、有利には塩素又は臭素を表し、R′はR
2に記載したもの、アルキル、シクロアルキル、アリー
ル又はアリールアルキルを表す〕である;縮合反応を中
断させるその他の好適な試薬は、モノハロゲン炭化水素
RNY〔式中Yは沃素、臭素又は塩素を表し、R″はア
ルキル又はシクロアルキルを表す〕である。好適なモノ
・・ロデンシランの例は、l−リメテルクロル7ラン、
トリメチルブロムシラン又はジフェニルメチルクロルシ
ランである。好適なモノ・・ロケ゛ン炭化水素の例は、
臭化メチル又は塩化メチルである。
製造すべき鎖状又は架橋したポリカルボシランの架橋度
を、縮合中断試薬の添加によって縮合全中止させること
によって、制御することができる。縮合反応を中断させ
る好適な試薬はモノハロゲンシランR’3SiX(式中
Xはハロゲン、有利には塩素又は臭素を表し、R′はR
2に記載したもの、アルキル、シクロアルキル、アリー
ル又はアリールアルキルを表す〕である;縮合反応を中
断させるその他の好適な試薬は、モノハロゲン炭化水素
RNY〔式中Yは沃素、臭素又は塩素を表し、R″はア
ルキル又はシクロアルキルを表す〕である。好適なモノ
・・ロデンシランの例は、l−リメテルクロル7ラン、
トリメチルブロムシラン又はジフェニルメチルクロルシ
ランである。好適なモノ・・ロケ゛ン炭化水素の例は、
臭化メチル又は塩化メチルである。
本発明による方法により製造されるポリカルボシラン中
に存在する末端基の種類は、方法全連釦停止反応試薬を
用いて行うか又はそれなしに行うかに左右される。末端
基は一方では片側テ+7)ミ反応Lり式R1aR2El
i(X)−、R1′R2Si(X)及び/又はR”1)
R2bst(x)−のハロゲンノリル基及び/又は式Y
−A−の・・ロデン炭化水素基又は加溶媒分解によって
によって生じるR1aR2ast(oH)−R1′R2
5t(on)−及’0:/又はR1bR21)Si(O
)わ−及び/又はRlaR”aSi (07ルキシ)−
基−1R1’R”si (oアルキル)−及び/又はR
1bR2bSi (Oアルキル〕−基及び/又は連鎖停
止基、例えばトリアルキルシリル基又は低級アルキル基
であってよ層。末端基の例は、ジメチルクロルシリル、
ジメチルブロムシリル、フェニルメチルクロルシリル、
フェニルメチルフロムシリル、ジメチルクロルシリル、
ジフェニルブロムシリル、ハロゲンアルキル基、例えば
クロルメチル、ブロムメチル、クロルエチル、フロムエ
チル、2−#コル−1−メチルエチル、又はクロルシク
ロヘキ/ル、ジメチルヒドロキシノリル、メチルフェニ
ルエトキシシリル、ジフェニルヒドロキンシリル、ジメ
チルメトキシシリル、ジメチルエトキシシリル、メチル
フェニルメトキシシリル、メチルフェニルエトキシシリ
ル、ジフェニルメトキシシリル、ジメチルクロルシリル
又は連鎖停止反応試薬、例えばトリメナルンリル、ジフ
ェニルメチルンリル、メチル又はエチルである。R1a
2a lb 2b、 R1’、R2、X、Y及
びAばR、RX R 各々前記又は下記に更に記載するものを表す。
に存在する末端基の種類は、方法全連釦停止反応試薬を
用いて行うか又はそれなしに行うかに左右される。末端
基は一方では片側テ+7)ミ反応Lり式R1aR2El
i(X)−、R1′R2Si(X)及び/又はR”1)
R2bst(x)−のハロゲンノリル基及び/又は式Y
−A−の・・ロデン炭化水素基又は加溶媒分解によって
によって生じるR1aR2ast(oH)−R1′R2
5t(on)−及’0:/又はR1bR21)Si(O
)わ−及び/又はRlaR”aSi (07ルキシ)−
基−1R1’R”si (oアルキル)−及び/又はR
1bR2bSi (Oアルキル〕−基及び/又は連鎖停
止基、例えばトリアルキルシリル基又は低級アルキル基
であってよ層。末端基の例は、ジメチルクロルシリル、
ジメチルブロムシリル、フェニルメチルクロルシリル、
フェニルメチルフロムシリル、ジメチルクロルシリル、
ジフェニルブロムシリル、ハロゲンアルキル基、例えば
クロルメチル、ブロムメチル、クロルエチル、フロムエ
チル、2−#コル−1−メチルエチル、又はクロルシク
ロヘキ/ル、ジメチルヒドロキシノリル、メチルフェニ
ルエトキシシリル、ジフェニルヒドロキンシリル、ジメ
チルメトキシシリル、ジメチルエトキシシリル、メチル
フェニルメトキシシリル、メチルフェニルエトキシシリ
ル、ジフェニルメトキシシリル、ジメチルクロルシリル
又は連鎖停止反応試薬、例えばトリメナルンリル、ジフ
ェニルメチルンリル、メチル又はエチルである。R1a
2a lb 2b、 R1’、R2、X、Y及
びAばR、RX R 各々前記又は下記に更に記載するものを表す。
本発明には、前記の本発明の方法により製造される、−
殺伐1a: H1& 5L−A−(Ia) 2 a 〔式中、R]aは水素、アルキル、シクロアルキル又は
アリールアルキルを表し、その際、同じポリカルボシラ
ンの異なる単位中のRl aは異なるものを表してもよ
く、及びH2aはアルキル、シクロアルキル又はアリー
ルアルキルを表し、その際同じポリカルボシランの異な
る単位中のR2aは異なるもの全表してもよく、Aは直
鎖又は分枝状のアルキレン基全表すか又はシクロアルキ
レン基を表し、その際、同じポリカルボシランの異なる
単位中のAは異なるもの全表してもよい〕の構造単位全
基礎とするポリカルボシランも包含される。飽和炭化水
素aAk有する式1aの構造単位全基礎とするポリカル
ボシランが存在するが、その際、基はアルキル、シクロ
アルキル、アリールアルキル、アルキレン及びシクロア
ルキレン例えば前記したようなものと定義される。
殺伐1a: H1& 5L−A−(Ia) 2 a 〔式中、R]aは水素、アルキル、シクロアルキル又は
アリールアルキルを表し、その際、同じポリカルボシラ
ンの異なる単位中のRl aは異なるものを表してもよ
く、及びH2aはアルキル、シクロアルキル又はアリー
ルアルキルを表し、その際同じポリカルボシランの異な
る単位中のR2aは異なるもの全表してもよく、Aは直
鎖又は分枝状のアルキレン基全表すか又はシクロアルキ
レン基を表し、その際、同じポリカルボシランの異なる
単位中のAは異なるもの全表してもよい〕の構造単位全
基礎とするポリカルボシランも包含される。飽和炭化水
素aAk有する式1aの構造単位全基礎とするポリカル
ボシランが存在するが、その際、基はアルキル、シクロ
アルキル、アリールアルキル、アルキレン及びシクロア
ルキレン例えば前記したようなものと定義される。
従って、本発明には、−殺伐la c式中例えば基R2
aは前記のものを表し Rl &は水素を表し、Aはメ
チレン基を表し、本発明による方法により製造された〕
の構造成分を基礎にする自体公知のポリカルボシランの
群が包含される。
aは前記のものを表し Rl &は水素を表し、Aはメ
チレン基を表し、本発明による方法により製造された〕
の構造成分を基礎にする自体公知のポリカルボシランの
群が包含される。
この種の式1aのポリカルボシランの例中でR2はメチ
ルを表す。
ルを表す。
本発明は、更に、−殺伐1′:
R1′
5l−A−(+’)
〔式中、 l/はアリールを表し、その際、同じポリカ
ルボシランの異なる単位中のR17は異なるものを表し
てもよく、R2はアルキル、シクロアルキル、アリール
又はアリールアルキルを表し、その際、同じポリカルボ
シランの異なる単位中のR2は異なるものを表してもよ
く、Aは直鎖又は分枝状のアルキレン基を表すか又はシ
クロアルキレン基を表し、その際、同じポリカルボシラ
ンの異なる単位中のAは異なるものを表してもよい〕の
構造単位を基礎とする新規ポリカルボシランにも関する
。
ルボシランの異なる単位中のR17は異なるものを表し
てもよく、R2はアルキル、シクロアルキル、アリール
又はアリールアルキルを表し、その際、同じポリカルボ
シランの異なる単位中のR2は異なるものを表してもよ
く、Aは直鎖又は分枝状のアルキレン基を表すか又はシ
クロアルキレン基を表し、その際、同じポリカルボシラ
ンの異なる単位中のAは異なるものを表してもよい〕の
構造単位を基礎とする新規ポリカルボシランにも関する
。
本発明は、1変形において、−殺伐1′の構造単位の最
高50%までが、−殺伐Ib:1 b −s1−A −(!b) 2b 〔式中 Hlbはアルキル、′/シクロアルキルはアリ
ールアルキルを表し、その際、同じポリカルボンランの
異なる単位中のRlbは異なるものを表してもよ(、R
2t)はアルキル、シクロアルキル又はアリールアルキ
ル全表し、その際、同じポリカルボシランの異なる単位
中のR2bは異なるものを表してもよく、Aは直鎖又は
分枝状のアルキレン基を表すか又はシクロアルキレン基
を表し、その際、同じポリカルボシランの異なる単位中
のAは異なるものを表してもよい〕に代わっている新規
の変形ポリカルボシランにも関する。
高50%までが、−殺伐Ib:1 b −s1−A −(!b) 2b 〔式中 Hlbはアルキル、′/シクロアルキルはアリ
ールアルキルを表し、その際、同じポリカルボンランの
異なる単位中のRlbは異なるものを表してもよ(、R
2t)はアルキル、シクロアルキル又はアリールアルキ
ル全表し、その際、同じポリカルボシランの異なる単位
中のR2bは異なるものを表してもよく、Aは直鎖又は
分枝状のアルキレン基を表すか又はシクロアルキレン基
を表し、その際、同じポリカルボシランの異なる単位中
のAは異なるものを表してもよい〕に代わっている新規
の変形ポリカルボシランにも関する。
式I′の構造単位を基礎とするか又は式1′及び飽和炭
化水素橋Aを有するIbの構造単位を基礎とするポリカ
ルゼシランが存在するが、その際、基は、アルキル、シ
クロアルキル、アリールアルギル、アルキレジ及びシク
ロアルキレン例えば下記に史に記載するように定義され
る。
化水素橋Aを有するIbの構造単位を基礎とするポリカ
ルゼシランが存在するが、その際、基は、アルキル、シ
クロアルキル、アリールアルギル、アルキレジ及びシク
ロアルキレン例えば下記に史に記載するように定義され
る。
本発明の1構成では、ホリヵルボシアンは多数の種々の
隣接して存在する一般式1′ もしくは1′及びIbの
構造単位から成る。この構造単位は、基A及び/又は置
換分R2及び/又はR11′もしくは置換基R1b及び
/又はR2b中では異なっていてよい。通例、ポリカル
ゼシランを構成する一般式1′もしくは1′及びIbの
構造単位は、最大3種類よシ多くない種々の置換された
Si−単位及び最大3種類より多くない種々のA−単位
の組合せである。
隣接して存在する一般式1′ もしくは1′及びIbの
構造単位から成る。この構造単位は、基A及び/又は置
換分R2及び/又はR11′もしくは置換基R1b及び
/又はR2b中では異なっていてよい。通例、ポリカル
ゼシランを構成する一般式1′もしくは1′及びIbの
構造単位は、最大3種類よシ多くない種々の置換された
Si−単位及び最大3種類より多くない種々のA−単位
の組合せである。
有利な1変形では、ポリカルボシランの一歴代I′又は
■′及びIbの全構造単位中で、Aがたった一つのもの
しか表さない;その場合には例えば−殺伐I′又はI′
及びIbの構造単位が3つよりは多くない異なる置換さ
れたSi 単位及びただ1種類の八−単位の組合せから
構成されているようなポリカルデシランが存在するその
他の有利な変形では、ポリカルボシランの一歴代I′又
はI′及びIbの全構造単位中で置換分R2及びR1′
又はR2、RI Rub及びH2bはただ一つのも
のを表す。その場合には例えば全R1’R2Si−単位
が同一である一歴代I′の構造成分から成るポリカルボ
シランが存在するか;又は例えば式中、1種類のみのR
1′R”SL−単位及び1種類のみのH1bR21)S
l−単位が存在する一般式1′及びIbの構造成分から
成るポリカルボシランが存在する。
■′及びIbの全構造単位中で、Aがたった一つのもの
しか表さない;その場合には例えば−殺伐I′又はI′
及びIbの構造単位が3つよりは多くない異なる置換さ
れたSi 単位及びただ1種類の八−単位の組合せから
構成されているようなポリカルデシランが存在するその
他の有利な変形では、ポリカルボシランの一歴代I′又
はI′及びIbの全構造単位中で置換分R2及びR1′
又はR2、RI Rub及びH2bはただ一つのも
のを表す。その場合には例えば全R1’R2Si−単位
が同一である一歴代I′の構造成分から成るポリカルボ
シランが存在するか;又は例えば式中、1種類のみのR
1′R”SL−単位及び1種類のみのH1bR21)S
l−単位が存在する一般式1′及びIbの構造成分から
成るポリカルボシランが存在する。
有利な1変形清では、本発明によるポリカルボシラン中
に一歴代I′及びlbのただ1種類の構造単位しか存在
しない。その場合にはR1’n2st−単位及びA−単
位は一般式1”を基礎とするポリカルボシランの全構造
単位で同じであり;又は−殺伐■′の唯一の種類の構造
成分及び−般弐Ibの唯一の種類の構造成分しか存在し
ないポリカルボシランが存在し、その際、Aは式1′及
びIbの全構造単位中で同じである。
に一歴代I′及びlbのただ1種類の構造単位しか存在
しない。その場合にはR1’n2st−単位及びA−単
位は一般式1”を基礎とするポリカルボシランの全構造
単位で同じであり;又は−殺伐■′の唯一の種類の構造
成分及び−般弐Ibの唯一の種類の構造成分しか存在し
ないポリカルボシランが存在し、その際、Aは式1′及
びIbの全構造単位中で同じである。
式1′又は1′及びlbの構造単位を基礎とする本発明
によるポリカルボシラン中で、基R1はアリールを表し
;その際、アリールは非置換又は不活性置換された芳香
族炭化水素基である。
によるポリカルボシラン中で、基R1はアリールを表し
;その際、アリールは非置換又は不活性置換された芳香
族炭化水素基である。
アリールのSHまフェニル、ナフチル、p−ジフェニル
又はアルキルアリール基、例えばトリル、エチルフェニ
ル又はプロぎルフェニルテアル。
又はアルキルアリール基、例えばトリル、エチルフェニ
ル又はプロぎルフェニルテアル。
式I′又はI′及び1bの構造単位を基礎とする本発明
によるポリカルボンラン中で、基R2、Hlb及び/又
はB、2 bはアルキルを表すことができる;その際、
アルキルは場合により不活性基により更に置換されてい
てよい飽和又は不飽和の、直鎖又は分枝状のアルキル基
を表してよい。
によるポリカルボンラン中で、基R2、Hlb及び/又
はB、2 bはアルキルを表すことができる;その際、
アルキルは場合により不活性基により更に置換されてい
てよい飽和又は不飽和の、直鎖又は分枝状のアルキル基
を表してよい。
好適なアルキル基の例は自−〜C16−アルキル基、例
工ばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、オクチル、ドテシル、ヘキサデシル、イソプロ
ピル、イソブチル、1−ブチル又はアリル、特にCニー
−C6−アルキル基、有利にはC原子1〜4個を、有す
る低級アルキル基である。
工ばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、オクチル、ドテシル、ヘキサデシル、イソプロ
ピル、イソブチル、1−ブチル又はアリル、特にCニー
−C6−アルキル基、有利にはC原子1〜4個を、有す
る低級アルキル基である。
式I′又はじ及び[bの構造単位を基礎とする本発明に
よるポリカルボシラン中で、基R2、R,lb及び/又
はR2bはシクロアルキルを表すことができる;その際
、シクロアルキルは、飽和又は不飽和の、場合により不
活性基によって更に置換されているシクロアルキル基を
表す。シクロアルキルの例は、シクロペンチル、シクロ
ヘキシル及ヒシクロペンテニル又はシクロヘキセニルで
ある。
よるポリカルボシラン中で、基R2、R,lb及び/又
はR2bはシクロアルキルを表すことができる;その際
、シクロアルキルは、飽和又は不飽和の、場合により不
活性基によって更に置換されているシクロアルキル基を
表す。シクロアルキルの例は、シクロペンチル、シクロ
ヘキシル及ヒシクロペンテニル又はシクロヘキセニルで
ある。
式I′又は1′及びlbの構造単位を基礎とする本発明
によるポリカルボシラン中で、基R2はアリールを表す
ことができる;その際、アリールは、非置換又は不活性
置換された芳香族炭化水素基を表す。アリールの例はフ
ェニル、ナフチル、p−ジフェニル又はアルキルアリー
ル基例えばトリル、エチルフェニル又はプロピルフェニ
ルである。
によるポリカルボシラン中で、基R2はアリールを表す
ことができる;その際、アリールは、非置換又は不活性
置換された芳香族炭化水素基を表す。アリールの例はフ
ェニル、ナフチル、p−ジフェニル又はアルキルアリー
ル基例えばトリル、エチルフェニル又はプロピルフェニ
ルである。
式1′又は1′及びlbの構造単位を基礎とする本発明
によるポリカルボシラン中で、基R2、Hl b及び/
又はR2bはアリールアルキルを表すことができる;ア
リールアルキル基の例は、フェニルメチル又ハフェニル
エチルテアル。
によるポリカルボシラン中で、基R2、Hl b及び/
又はR2bはアリールアルキルを表すことができる;ア
リールアルキル基の例は、フェニルメチル又ハフェニル
エチルテアル。
式1′又は1′及び1bの構造単位全基礎とする本発明
によるポリカルボシランの有利な1変形では、置換分R
2はアリール、有利にはフェニルを表す。その場合に式
1′の構造単位中で、R1’R2Si−基としてはジア
リールシリレン基、例えばアリールフェニルシリレン基
が存在する。
によるポリカルボシランの有利な1変形では、置換分R
2はアリール、有利にはフェニルを表す。その場合に式
1′の構造単位中で、R1’R2Si−基としてはジア
リールシリレン基、例えばアリールフェニルシリレン基
が存在する。
式I′又は1′及びibの構造単位を基礎とする本発明
によるポリカルボシランの特に有利な変化方法では、置
換分R2及びR1は同じものを表す。しかし有利には両
方の置換分R2及び R1′はフェニルであり、その場
合に式1′の構造単位中でR1’R2S、i−基はジフ
ェニルシリレンでアル。
によるポリカルボシランの特に有利な変化方法では、置
換分R2及びR1は同じものを表す。しかし有利には両
方の置換分R2及び R1′はフェニルであり、その場
合に式1′の構造単位中でR1’R2S、i−基はジフ
ェニルシリレンでアル。
形
本発明の特に有利なi(〆I膚には、式中R1b及び/
又はR2bが低級アルキル、有利にはメチル、エチル、
プロピル又はブチルを表す式1′又はI′及びlbの構
造単位を基礎とするポリカルボシランが包含される。こ
の種の弐1bの構造単位中に含有されるR1bR2Si
−単位の例は、ジメチルシリレン、ジエチルシリレン、
ジプロピルシリレン、ジブチルシリレン、メチルエチル
シリレン、メチルプロピルシリレン又はメチルブチルシ
リレンである。
又はR2bが低級アルキル、有利にはメチル、エチル、
プロピル又はブチルを表す式1′又はI′及びlbの構
造単位を基礎とするポリカルボシランが包含される。こ
の種の弐1bの構造単位中に含有されるR1bR2Si
−単位の例は、ジメチルシリレン、ジエチルシリレン、
ジプロピルシリレン、ジブチルシリレン、メチルエチル
シリレン、メチルプロピルシリレン又はメチルブチルシ
リレンである。
式1′又は1′及びlbの構造単位を基礎とする本発明
によるポリカルボシラン中で、単位Aは飽和の直鎖又は
分校状アルキレン基又は飽和シクロアルキレン−基を表
す。しかし特に有利には、C1−〜C6−アルキレン基
、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、プロピレ
ン、テトラメチレン、ペンタメチレン又はへキサメチレ
ンである。有利にはC原子1〜4個を有する低級アルキ
レン、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、プロ
ざレン又はブチレン、しかし特にはメチレンである。し
かし単位Aがシクロアルキレン基を表す場合には、C1
−〜C7−シクロアルキレン基、例えばシクロペンチレ
ン又はシクロヘキシレンが有利である。
によるポリカルボシラン中で、単位Aは飽和の直鎖又は
分校状アルキレン基又は飽和シクロアルキレン−基を表
す。しかし特に有利には、C1−〜C6−アルキレン基
、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、プロピレ
ン、テトラメチレン、ペンタメチレン又はへキサメチレ
ンである。有利にはC原子1〜4個を有する低級アルキ
レン、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、プロ
ざレン又はブチレン、しかし特にはメチレンである。し
かし単位Aがシクロアルキレン基を表す場合には、C1
−〜C7−シクロアルキレン基、例えばシクロペンチレ
ン又はシクロヘキシレンが有利である。
本発明によるポリカルボシランは、主として各々の珪素
原子が炭素原子とだけ結合している構造を有する、固体
又は液体の、ワックス状又は結晶状の物質である。この
ポリカルボシロキサンは最高5%だけのSi−Si−結
合分を有することを特徴とする。本発明による実施例で
はSi−Si−結合分は1%以下である。
原子が炭素原子とだけ結合している構造を有する、固体
又は液体の、ワックス状又は結晶状の物質である。この
ポリカルボシロキサンは最高5%だけのSi−Si−結
合分を有することを特徴とする。本発明による実施例で
はSi−Si−結合分は1%以下である。
本発明によるポリカルボシランを構成する構造単位の数
は、一般に10〜50口、特に60〜150の値である
。それによってポリカルボシランは580〜60ロ00
0 g1モルの範囲の平均分子量ヲ有する。
は、一般に10〜50口、特に60〜150の値である
。それによってポリカルボシランは580〜60ロ00
0 g1モルの範囲の平均分子量ヲ有する。
形
本発明の変γツ凌ではポリカルボシランは、−殺伐IV
及び/又はV: A
AR−Si −A −(1v)、 −A−Si
−A −(V)A
A〔式中、Aは前記のものを表
し、Rは水素、アルキル、シクロアルキル、アリール又
はアリールアルキルを表す〕の分枝基によって架橋して
いてよい。架橋基■及び/又はVによって本発明による
ポリカルボシランは50%まで架橋されていてよい。
及び/又はV: A
AR−Si −A −(1v)、 −A−Si
−A −(V)A
A〔式中、Aは前記のものを表
し、Rは水素、アルキル、シクロアルキル、アリール又
はアリールアルキルを表す〕の分枝基によって架橋して
いてよい。架橋基■及び/又はVによって本発明による
ポリカルボシランは50%まで架橋されていてよい。
式I′又は1′及びIbの一般構造単位を基礎とする本
発明によるポリカルボンラ/は、種々の末端基を有する
ことができる。末端基は片側だけ反応L タR1aR2
aSi(X)−R1′R2Si(X)−及び/ 又はR
1bR2bSi(X)−(7) ハo r 7 シIJ
/l/基及び/又は式Y−A−のハロゲン炭化水素基
及び加溶媒分解によってによって生じるR1aR2aS
i(OH)−1R1′R2Si(On)−及び/又はR
1bR2bSi(OH)−及び/又はR1aR2aSi
(O7’ルキ/L、 )−基−1R1’R2Si(0ア
ルキル)−及び/又はR1bR21)si (oアルキ
ル)−基又は他方では連鎖停止基、例えばトリアルキル
シリル基又は低級アルキル基であってよい。末端基の例
は、ジメチルクロルシリル、ジメチルブロムシリル、フ
ェニルメチルクロルシリル、フェニルメチルブロムシリ
ル、ジフェニルクロルシリル、ジフェニルブロムシリル
、ハロゲンアルキル基、例えばクロルメチル、ブロムメ
チル、クロルエチル、ブロムエチル、2−クロル−1−
メチルエチル、又はクロルシクロヘキンル、ジメチルク
ロルシリル、メチルフェニルヒドロキシシリル、ジフェ
ニルヒドロキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメ
チルエトキシシリル、メチルフェニルメトキシシリル、
メチルフェニルエトキシシリル、ジフェニルメトキシシ
リル、ジフェニルエトキシシリル又は連鎖停止反応試薬
、例えばl−’Jメチルシリル、ジフェニルメチルシリ
ル、メチル又はエチルである。
発明によるポリカルボンラ/は、種々の末端基を有する
ことができる。末端基は片側だけ反応L タR1aR2
aSi(X)−R1′R2Si(X)−及び/ 又はR
1bR2bSi(X)−(7) ハo r 7 シIJ
/l/基及び/又は式Y−A−のハロゲン炭化水素基
及び加溶媒分解によってによって生じるR1aR2aS
i(OH)−1R1′R2Si(On)−及び/又はR
1bR2bSi(OH)−及び/又はR1aR2aSi
(O7’ルキ/L、 )−基−1R1’R2Si(0ア
ルキル)−及び/又はR1bR21)si (oアルキ
ル)−基又は他方では連鎖停止基、例えばトリアルキル
シリル基又は低級アルキル基であってよい。末端基の例
は、ジメチルクロルシリル、ジメチルブロムシリル、フ
ェニルメチルクロルシリル、フェニルメチルブロムシリ
ル、ジフェニルクロルシリル、ジフェニルブロムシリル
、ハロゲンアルキル基、例えばクロルメチル、ブロムメ
チル、クロルエチル、ブロムエチル、2−クロル−1−
メチルエチル、又はクロルシクロヘキンル、ジメチルク
ロルシリル、メチルフェニルヒドロキシシリル、ジフェ
ニルヒドロキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメ
チルエトキシシリル、メチルフェニルメトキシシリル、
メチルフェニルエトキシシリル、ジフェニルメトキシシ
リル、ジフェニルエトキシシリル又は連鎖停止反応試薬
、例えばl−’Jメチルシリル、ジフェニルメチルシリ
ル、メチル又はエチルである。
本発明の方法は、有利に、ポリカルボシランを直接単量
体のジハロゲンシランから、その際、ポリシランを介し
て回り道し、その熱分解によりポリカルボシランに変え
て行なう必要なしに、製造することができる。これには
、高い純度のポリカルボシランを製造することができる
非常に大切な方法が該当する。この方法は特に熱分解に
よる方法で得られる公知ポリカルボシランに比してより
均一であり、より高い純度を有する。更に本発明による
方法によりこれまで人手できなかった新規のポリカルボ
シランの製造が可能になる。本発明によるポリカルボシ
ラン群の特別な特徴は、その中に含まれる了り−ル置換
分である。即ち、式I′又は式1′及びlbの一般構造
単位を基礎とするポリカルボシラン中で置換分 i/は
各々の場合にアリール置換分であり、置換分R2はアリ
ール置換分であってよい;従って、式1′及びlbの一
般構造単位を基礎とするポリカルボシラン中で置換分R
1′R2、R1b及びH2bの25〜50%、並びに式
1′の一般構造単位を基礎とするポリカルボシラン中で
置換分 R1′及びR250〜100%は、アリル置換
分であってよい。特に有利な本発明によるポリカルボシ
ラン中で、アリール置換分はフェニル基である。本発明
による新規ポリカルボシランは更に、分子量、架橋の数
及び種類を選択して変えることによって、そして基AX
R2、R1’ Hlb及びR2b6適切に選択するこ
とによって定められる特定な特性によって卓越している
。
体のジハロゲンシランから、その際、ポリシランを介し
て回り道し、その熱分解によりポリカルボシランに変え
て行なう必要なしに、製造することができる。これには
、高い純度のポリカルボシランを製造することができる
非常に大切な方法が該当する。この方法は特に熱分解に
よる方法で得られる公知ポリカルボシランに比してより
均一であり、より高い純度を有する。更に本発明による
方法によりこれまで人手できなかった新規のポリカルボ
シランの製造が可能になる。本発明によるポリカルボシ
ラン群の特別な特徴は、その中に含まれる了り−ル置換
分である。即ち、式I′又は式1′及びlbの一般構造
単位を基礎とするポリカルボシラン中で置換分 i/は
各々の場合にアリール置換分であり、置換分R2はアリ
ール置換分であってよい;従って、式1′及びlbの一
般構造単位を基礎とするポリカルボシラン中で置換分R
1′R2、R1b及びH2bの25〜50%、並びに式
1′の一般構造単位を基礎とするポリカルボシラン中で
置換分 R1′及びR250〜100%は、アリル置換
分であってよい。特に有利な本発明によるポリカルボシ
ラン中で、アリール置換分はフェニル基である。本発明
による新規ポリカルボシランは更に、分子量、架橋の数
及び種類を選択して変えることによって、そして基AX
R2、R1’ Hlb及びR2b6適切に選択するこ
とによって定められる特定な特性によって卓越している
。
本発明によるポリカルボシランは、一方では工業的に貴
重な炭化珪素セラミックの貴重な出発重合体として好適
であるが、他方ではその他の多様な工業用の用途に、例
えば結合剤又は被覆剤として好適である。
重な炭化珪素セラミックの貴重な出発重合体として好適
であるが、他方ではその他の多様な工業用の用途に、例
えば結合剤又は被覆剤として好適である。
次に本発明を実施例につき詳説するが、本発明はこれた
のみ限定されるものではない。実施例中、部及び%は重
量部及び重量%である。反応は全て標準実験室装置で、
必要な場合には窒素又はアルゴンから成る保護気体雰囲
気下で実施した。
のみ限定されるものではない。実施例中、部及び%は重
量部及び重量%である。反応は全て標準実験室装置で、
必要な場合には窒素又はアルゴンから成る保護気体雰囲
気下で実施した。
例 1
キシレン2000 ml中のナトリウム185gの懸濁
液中に、温度100℃でジフェニルジクロルシラン47
5g及び臭化メチvノ526g後、反応溶液を更に1時
間温度供給なしに攪拌した。引き続いてメタノール30
0m′ff:添加することによって、反応してなかった
すl−’Jウムを反応させ、溶液から濾過によりノ・ロ
ケ9ン化ナトリウムを除去した。水で濾液を数回抽出し
た後、キシレン相を分離し、再び濾過し、キシレンを蒸
発除去し、残留したポリカルボシランを真空中で乾燥さ
せた。これによって、固体ポリカルボンラン349gが
得られた。この物質の元素分析によりC79,61%、
H6,14%及びsi 14−2%が判明した。IR−
及びlH−NMR−分析によりフェニル−並びに81−
フェニル−及びSl−メチレン−結合の存在が示された
。SiS1−結合の含分は1%より少なかった。
液中に、温度100℃でジフェニルジクロルシラン47
5g及び臭化メチvノ526g後、反応溶液を更に1時
間温度供給なしに攪拌した。引き続いてメタノール30
0m′ff:添加することによって、反応してなかった
すl−’Jウムを反応させ、溶液から濾過によりノ・ロ
ケ9ン化ナトリウムを除去した。水で濾液を数回抽出し
た後、キシレン相を分離し、再び濾過し、キシレンを蒸
発除去し、残留したポリカルボシランを真空中で乾燥さ
せた。これによって、固体ポリカルボンラン349gが
得られた。この物質の元素分析によりC79,61%、
H6,14%及びsi 14−2%が判明した。IR−
及びlH−NMR−分析によりフェニル−並びに81−
フェニル−及びSl−メチレン−結合の存在が示された
。SiS1−結合の含分は1%より少なかった。
例 2
キシレン300m1中のナトリウム4.9.29の懸濁
液中に、温度130’Cでジフェニルジクロルシラン6
3.3g、ジメチルジクロルシラン32.3.9及び臭
化メチレン86.9 、?の混合物を導入した。発熱反
応の進行中、反応溶液の温度は132°Cであった。全
混合物の導入後、反応溶液を更に1時間温度供給なしに
攪拌した。りき続いてメタノール200 mlを添加す
ることによって、反応してなかったナトリウムを反応さ
せ、溶液から濾過によりハロゲン化ナトリウムを除去し
た。水で濾液を数回抽出した後、キシレン相を分離し、
再び濾過し、キシレンを蒸発除去し、残留したポリカル
ボシランを真空中で乾燥させた。これによって、固体ポ
リカルボシラン53.7 &が得られた。この物質の元
素分析により、C71,26%、H7,09%及びSi
21.12%が判明した。工R−及びLH−NMR−分
析によりSl−フェニル−Si−メチル及びSl−メチ
レン−結合の存在が示された。Si−Si−結合の含分
は1%より少なかった。
液中に、温度130’Cでジフェニルジクロルシラン6
3.3g、ジメチルジクロルシラン32.3.9及び臭
化メチレン86.9 、?の混合物を導入した。発熱反
応の進行中、反応溶液の温度は132°Cであった。全
混合物の導入後、反応溶液を更に1時間温度供給なしに
攪拌した。りき続いてメタノール200 mlを添加す
ることによって、反応してなかったナトリウムを反応さ
せ、溶液から濾過によりハロゲン化ナトリウムを除去し
た。水で濾液を数回抽出した後、キシレン相を分離し、
再び濾過し、キシレンを蒸発除去し、残留したポリカル
ボシランを真空中で乾燥させた。これによって、固体ポ
リカルボシラン53.7 &が得られた。この物質の元
素分析により、C71,26%、H7,09%及びSi
21.12%が判明した。工R−及びLH−NMR−分
析によりSl−フェニル−Si−メチル及びSl−メチ
レン−結合の存在が示された。Si−Si−結合の含分
は1%より少なかった。
例 3
デカリン200m1中のナトリウム84gの懸濁液中に
、温度180°Cでメチルジクロルシラン89.5 !
!、トリクロルシラン4゜76g、メチルトリクロルシ
ラン5.26 g及び塩化メチレン74.2 、!7の
混合物を45分間以内に導入した。
、温度180°Cでメチルジクロルシラン89.5 !
!、トリクロルシラン4゜76g、メチルトリクロルシ
ラン5.26 g及び塩化メチレン74.2 、!7の
混合物を45分間以内に導入した。
発熱反応の進行中、反応磐度は180°Cであった。混
合物の導入後、反応溶液を更に1時間180°Cで攪拌
し、引き続き反応してなかったナトリウムをメタノール
200 mlと反応させた。
合物の導入後、反応溶液を更に1時間180°Cで攪拌
し、引き続き反応してなかったナトリウムをメタノール
200 mlと反応させた。
生じた塩化ナトl)ラムを除去するために、反応溶液を
濾過し、残渣及び濾液を数回水で抽出した。残渣から真
空中で乾燥後、固体の不溶性ポリカルボシラン15!I
が得られた。濾液を水で抽出し、デカリン相を分離し、
デカリンを蒸発除去した後に、こうして得られたポリカ
ルボシランを真空中で乾燥させた。不溶性の粘性ポリカ
ルボシラン11.3.!i+が単離された。得られた物
質の元素分析によりC38,2%、H9,95%及びS
i51.5%が判明した。H’を−及びIH−41MR
分析によりSl−メチル、Si−メチレ/−及びSi−
H−結合の存在が示された。Si−9i−結合の含分は
1%より少なかった。
濾過し、残渣及び濾液を数回水で抽出した。残渣から真
空中で乾燥後、固体の不溶性ポリカルボシラン15!I
が得られた。濾液を水で抽出し、デカリン相を分離し、
デカリンを蒸発除去した後に、こうして得られたポリカ
ルボシランを真空中で乾燥させた。不溶性の粘性ポリカ
ルボシラン11.3.!i+が単離された。得られた物
質の元素分析によりC38,2%、H9,95%及びS
i51.5%が判明した。H’を−及びIH−41MR
分析によりSl−メチル、Si−メチレ/−及びSi−
H−結合の存在が示された。Si−9i−結合の含分は
1%より少なかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 I : ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R^1は水素、アルキル、シクロアルキル、ア
リール又はアリールアルキルを表し、その際、同じポリ
カルボシランの異なる単位中のR^1は異なるものを表
してもよく、R^2はアルキル、シクロアルキル、アリ
ール又はアリールアルキルを表し、その際、同じポリカ
ルボシランの異なる単位中のR^2は異なるものを表し
てもよく、Aは直鎖又は分枝状のアルキレン基を表すか
又はシクロアルキレン基を表し、その際、同じポリカル
ボシランの異なる単位中のAは異なるものを表してもよ
い〕の構造単位を基礎とするポリカルボシランを製造す
るに当り、一般式II: ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、R^1及びR^2は前記のものを表し、Xはハ
ロゲンを表す〕のジハロゲンシラン少なくとも1種と一
般式III: Y−A−Y(III) 〔式中、Aは前記のものを表し、Yはハロ ゲン、塩素、臭素又は沃素を表す〕のジハロゲン炭化水
素少なくとも1種とをアルカリ金属の存在で反応させる
ことを特徴とする、ポリカルボシランの製法。 2、請求項1に記載の方法により製造された一般式 I
a: ▲数式、化学式、表等があります▼( I a) 〔式中、R^1^aは水素、アルキル、シクロアルキル
又はアリールアルキルを表し、その際、同じポリカルボ
シランの異なる単位中のR^1^aは異なるものを表し
てもよく、R^2^aはアルキル、シクロアルキル又は
アリールアルキルを表し、その際、同じポリカルボシラ
ンの異なる単位中のR^2^aは異なるものを表しても
よく、Aは直鎖又は分枝状のアルキレン基を表すか又は
シクロアルキレン基を表し、その際、同じポリカルボシ
ランの異なる単位中のAは異なるものを表してもよい〕
の構造単位を基礎とするポリカルボシラン。 3、一般式 I ′: ▲数式、化学式、表等があります▼( I ′) 〔式中、R^1^′はアリールを表し、その際、同じポ
リカルボシランの異なる単位中のR^1^′は異なるも
のを表してもよく、R^2はアルキル、シクロアルキル
、アリール又はアリールアルキルを表し、その際、同じ
ポリカルボシランの異なる単位中のR^2は異なるもの
を表してもよく、Aは直鎖又は分枝状のアルキレン基を
表すか又はシクロアルキレン基を表し、その際、同じポ
リカルボシランの異なる単位中のAは異なるものを表し
てもよい〕の構造単位を基礎とするポリカルボシラン。 4、一般式 I ′の構造単位の最高50%までが、一般
式 I b: ▲数式、化学式、表等があります▼( I b) 〔式中、R^1^bはアルキル、シクロアルキル又はア
リールアルキルを表し、その際、同じポリカルボシラン
の異なる単位中のR^1^bは異なるものを表してもよ
く、R^2^bはアルキル、シクロアルキル又はアリー
ルアルキルを表し、その際、同じポリカルボシランの異
なる単位中のR^2^bは異なるものを表してもよく、
Aは直鎖又は分枝状のアルキレン基を表すか又はシクロ
アルキレン基を表し、その際、同じポリカルボシランの
異なる単位中のAは異なるものを表してもよい〕に代え
られていることを特徴とする、請求項3に記載の変形ポ
リカルボシラン。 5、ポリカルボシランの全構造単位中のAは同じものを
表すことを特徴とする、請求項3又は4のいずれか1項
に記載のポリカルボシラン。 6、全構造単位中の置換分R^2は同じものを表わし、
全構造単位中の置換分は同じものを表すことを特徴とす
る、請求項3又は5に記載のポリカルボシラン。 7、全構造単位中の置換分R^2は同じものを表わし、
全構造単位中のR^1′は同じものを表わし、全構造単
位中の置換分R^1^bは同じものを表わし、全置換分
中のR^2^bは同じものを表すことを特徴とする、請
求項4又は5に記載のポリカルボシラン。 8、R^2がアリールを表すことを特徴とする、請求項
3に記載のポリカルボシラン。 9、置換分R^2及びR^1′が同じものであることを
特徴とする、請求項8に記載のポリカルボシラン。 10、R^1^b及び/又はR^2^bが低級アルキル
を表すことを特徴とする、請求項4に記載のポリカルボ
シラン。 11、Aが直鎖又は分枝状C_1−〜C_6−アルキレ
ン−基又はC_4−〜C_7−シクロアルキレン−基を
表すことを特徴とする、請求項3又は4のいずれか1項
に記載のポリカルボシラン。 12、C_1−〜C_6−アルキレン−基がメチレン、
エチレン、トリメチレン、プロピレンであることを特徴
とする、請求項11に記載のポリカルボシラン。 13、C_4−〜C_7−シクロアルキレン−基がシク
ロペンチレン又はシクロヘキシレンであることを特徴と
する、請求項11に記載のポリカルボシラン。 14、最高5%のSi−Si−結合分を有することを特
徴とする、請求項2、3又は4のいずれか1項に記載の
ポリカルボシラン。 15、構造単位の数が10〜500であることを特徴と
する、請求項2、3又は4のいずれか1項に記載のポリ
カルボシラン。 16、平均分子量が580〜300000g/モルであ
ることを特徴とする、請求項2、3又は4のいずれか1
項に記載のポリカルボシラン。 17、一般式IV及び/又はV: ▲数式、化学式、表等があります▼(IV)、▲数式、化
学式、表等があります▼(V) 〔式中、Aは前記のものを表し、Rは水素、アルキル、
シクロアルキル、アリール又はアリールアルキルを表す
〕の分枝基を有することを特徴とする、請求項2、3又
は4のいずれか1項に記載のポリカルボシラン。 18、末端基として、片側で反応したR^1^aR^2
^aSi(X)−、R^1′R^2Si(X)−及び/
又はR^1^bR^2^bSi(X)−ハロゲンシリル
基及び/又はY−A−ハロゲン炭化水素基及び/又は加
溶媒分解によつて生じるR^1^aR^2^aSi(O
H)−、R^1′R^2Si(OH)−及び/又はR^
1^bR^2^bSi(OH)−及び/又はR^1^a
R^2^aSi(Oアルキル)−基−、R^1′R^2
Si(Oアルキル)−及び/又はR^1^bR^2^b
Si(Oアルキル)−基又は連鎖停止基を有することを
特徴とする、請求項2、3又は4のいずれか1項に記載
のポリカルボシラン。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE3841348.5 | 1988-12-08 | ||
DE3841348A DE3841348A1 (de) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | Verfahren zur herstellung von polycarbosilanen und neue polycarbosilane |
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JP (1) | JPH02212522A (ja) |
AT (1) | ATE102969T1 (ja) |
DE (2) | DE3841348A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006152063A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Jsr Corp | 新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法 |
JP2021155628A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ポリカルボシランの合成法 |
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-
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- 1989-12-02 AT AT89122264T patent/ATE102969T1/de not_active IP Right Cessation
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- 1989-12-05 JP JP1314481A patent/JPH02212522A/ja active Pending
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