JPH02210230A - 赤外線センサおよびその製造方法 - Google Patents
赤外線センサおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH02210230A JPH02210230A JP2990289A JP2990289A JPH02210230A JP H02210230 A JPH02210230 A JP H02210230A JP 2990289 A JP2990289 A JP 2990289A JP 2990289 A JP2990289 A JP 2990289A JP H02210230 A JPH02210230 A JP H02210230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- substrate
- thin film
- thermistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は被測定物体から放射される赤外線エネルギを検
知して、該被測定物体の存否やその温度等を検出するの
に利用する赤外線センサおよびその製造方法に関する。
知して、該被測定物体の存否やその温度等を検出するの
に利用する赤外線センサおよびその製造方法に関する。
赤外線の入射量を検知するための熱形素子としてサーミ
スタボロメータが用いられているが、かかるサーミスタ
ボロメータはサーミスタの温度と電気抵抗の関係を利用
して、入射する赤外線量に応じたサーミスタの温度上昇
を電気信号として出力するようにしている。このような
サーミスタボロメータにおいては、検知感度を高めるた
めにサーミスタの感温部の熱容量を小さくすることが有
効であることが知られており、そのために感温部を基板
等と接触しないように橋架構造とする手段が提案されて
いる(たとえば特開昭61−30730号)。
スタボロメータが用いられているが、かかるサーミスタ
ボロメータはサーミスタの温度と電気抵抗の関係を利用
して、入射する赤外線量に応じたサーミスタの温度上昇
を電気信号として出力するようにしている。このような
サーミスタボロメータにおいては、検知感度を高めるた
めにサーミスタの感温部の熱容量を小さくすることが有
効であることが知られており、そのために感温部を基板
等と接触しないように橋架構造とする手段が提案されて
いる(たとえば特開昭61−30730号)。
このセンサにおいては、絶縁体上に銅箔を積層したi板
を用い、銅箔上にアモルファスシリコン等のサーミスタ
材料の層を設けたのちに感温部分に相当するF4箔部分
をエッチ除去して橋架部を形成すると共に、この橋架部
に続く前後の銅箔部分を残して橋架支持部とした構造を
有している。この構造のセンサは、受光部の熱容量が小
さくて高感度と高速応答性を持つ利点があるものの、水
素化アモルファスシリコンなどをサーミスタ材料として
使用しているため、製造工程中における水素の含有量や
熱処理条件等の変動によってサーミスタの特性(たとえ
ばB定数など)が変動し、また長期間中に特性が変化す
るなど耐久性が乏しい欠点があるほか、製造工程中でク
ランクや眉間剥離が発生し易く、製品歩留まりが低いと
いう欠点もあった。
を用い、銅箔上にアモルファスシリコン等のサーミスタ
材料の層を設けたのちに感温部分に相当するF4箔部分
をエッチ除去して橋架部を形成すると共に、この橋架部
に続く前後の銅箔部分を残して橋架支持部とした構造を
有している。この構造のセンサは、受光部の熱容量が小
さくて高感度と高速応答性を持つ利点があるものの、水
素化アモルファスシリコンなどをサーミスタ材料として
使用しているため、製造工程中における水素の含有量や
熱処理条件等の変動によってサーミスタの特性(たとえ
ばB定数など)が変動し、また長期間中に特性が変化す
るなど耐久性が乏しい欠点があるほか、製造工程中でク
ランクや眉間剥離が発生し易く、製品歩留まりが低いと
いう欠点もあった。
一方、シリコン基板をその両面からエツチングすること
によって薄膜化部分を形成し、この薄膜化部分の両面に
電極を設けて板状の感温抵抗体とする技術が知られてい
る(特開昭63−151830号)、シかしこのような
方法においては、均一な厚さの薄膜化は非常に困難であ
って、性能とくに熱容量にバラツキが生ずることが避け
られなかった。
によって薄膜化部分を形成し、この薄膜化部分の両面に
電極を設けて板状の感温抵抗体とする技術が知られてい
る(特開昭63−151830号)、シかしこのような
方法においては、均一な厚さの薄膜化は非常に困難であ
って、性能とくに熱容量にバラツキが生ずることが避け
られなかった。
本発明は、前述のような従来のサーミスタボロメータに
おける欠点を解消して、特性上のバラツキが小さくてか
つ高感度の赤外線センサを提供することを目的としたも
のである。
おける欠点を解消して、特性上のバラツキが小さくてか
つ高感度の赤外線センサを提供することを目的としたも
のである。
このような本発明の目的は、基板上に絶縁層を介して設
けた半導体単結晶薄膜層からなる感熱抵抗体と、該感熱
抵抗体の端子部上に設けた導電体薄層からなる電極とを
備え、前記感熱抵抗体の端子部を除く部位の下側に当た
る前記基板の部分に空洞部を設けてなる赤外線センサに
よって達成でき、またかかる赤外線センサは、基板上に
絶縁層を形成する工程と、該絶縁層上に半導体単結晶薄
膜層からなる感熱抵抗体を形成する工程と、該感熱抵抗
体端子部上に導電体薄層からなる電極を形成する工程と
、該感熱抵抗体の下側に当たる該基板の部分に空洞部を
形成する工程とを含む製造方法によって得ることができ
る。
けた半導体単結晶薄膜層からなる感熱抵抗体と、該感熱
抵抗体の端子部上に設けた導電体薄層からなる電極とを
備え、前記感熱抵抗体の端子部を除く部位の下側に当た
る前記基板の部分に空洞部を設けてなる赤外線センサに
よって達成でき、またかかる赤外線センサは、基板上に
絶縁層を形成する工程と、該絶縁層上に半導体単結晶薄
膜層からなる感熱抵抗体を形成する工程と、該感熱抵抗
体端子部上に導電体薄層からなる電極を形成する工程と
、該感熱抵抗体の下側に当たる該基板の部分に空洞部を
形成する工程とを含む製造方法によって得ることができ
る。
本発明の赤外線センサの製造手順を第1図(a)〜(d
)の例によって説明する。
)の例によって説明する。
同図(a)において、1はn形シリコン単結晶基板であ
り、この基板1上に5totp 5isNa等の絶縁層
2をたとえばプラズマCVD法等によって形成する。こ
の時、基板lは約500°C位に加熱されることが好ま
しい。更に絶縁層2の、後の工程に支障のない部分をエ
ッチして窓部2′を形成する。
り、この基板1上に5totp 5isNa等の絶縁層
2をたとえばプラズマCVD法等によって形成する。こ
の時、基板lは約500°C位に加熱されることが好ま
しい。更に絶縁層2の、後の工程に支障のない部分をエ
ッチして窓部2′を形成する。
次に、絶縁層2の上に約1μm厚のポリシリコン層3を
CVD法によって形成する。堆積したポリシリコン層3
と基板1とは窓部2′で接触しており、ポリシリコン層
を単結晶層に変えるためのシード部4となる。ついで、
アルゴンレーザ5などを用い、基板1を約450°Cに
加熱しつつシード部4からレーザ加熱を開始してポリシ
リコン層を溶融させ、溶融部分を徐々に移動させながら
結晶を成長させる。こうして絶縁層2上のポリシリコン
層3をシリコンの単結晶薄膜層6に転換する。
CVD法によって形成する。堆積したポリシリコン層3
と基板1とは窓部2′で接触しており、ポリシリコン層
を単結晶層に変えるためのシード部4となる。ついで、
アルゴンレーザ5などを用い、基板1を約450°Cに
加熱しつつシード部4からレーザ加熱を開始してポリシ
リコン層を溶融させ、溶融部分を徐々に移動させながら
結晶を成長させる。こうして絶縁層2上のポリシリコン
層3をシリコンの単結晶薄膜層6に転換する。
ここで、シリコンの単結晶薄膜層6を形成するに当たっ
てアルゴンレーザを用いるビーム再結晶化法を利用した
が、電子ビームなどを用いてもよく、その他適宜の方法
を利用しても構わない。
てアルゴンレーザを用いるビーム再結晶化法を利用した
が、電子ビームなどを用いてもよく、その他適宜の方法
を利用しても構わない。
単結晶薄膜層6上には、予定されたサーミスタの端子部
位にたとえば白金等の金属をスパッタするなどの方法に
よって導電体薄層7を形成する。
位にたとえば白金等の金属をスパッタするなどの方法に
よって導電体薄層7を形成する。
この際、単結晶薄膜層6と導電体薄層7との間に良好な
オーミック接触を構成するために、導電体薄層7をスパ
ッタする前に錫の薄層8を蒸着しておくことが好ましい
。このような導電体薄層7などを形成するに当たって、
たとえはリフトオフ法などを用い、不要の部分に導電体
が付着しないようにすることが望ましい(同図(b))
。
オーミック接触を構成するために、導電体薄層7をスパ
ッタする前に錫の薄層8を蒸着しておくことが好ましい
。このような導電体薄層7などを形成するに当たって、
たとえはリフトオフ法などを用い、不要の部分に導電体
が付着しないようにすることが望ましい(同図(b))
。
こうして導電体薄層7を形成したのち、全面にSi、N
、等からなる絶縁層9をプラズマCVDなとの方法を利
用して形成する。その厚さは0.2μm程度でよい。そ
の後、導電体薄層7の上に当たる位置にホトリソグラフ
ィ技術を利用して絶縁層9に開口を明は更にリード線引
出し用電極10を設け、また予定されたサーミスタの感
熱部位の上に当たる位置に光エネルギを熱に変換するた
めの合焦のような光吸収層11を形成する(同図(C)
)。
、等からなる絶縁層9をプラズマCVDなとの方法を利
用して形成する。その厚さは0.2μm程度でよい。そ
の後、導電体薄層7の上に当たる位置にホトリソグラフ
ィ技術を利用して絶縁層9に開口を明は更にリード線引
出し用電極10を設け、また予定されたサーミスタの感
熱部位の上に当たる位置に光エネルギを熱に変換するた
めの合焦のような光吸収層11を形成する(同図(C)
)。
最後に、ホトエツチング法などにより不要な絶縁層9、
単結晶薄膜層6、絶縁層2の部分をそれぞれエッチ除去
して予定されたサーミスタ部分を残す。更に、サーミス
タの感熱部位の側方部分の基板1に、たとえばシルバー
グリコールエツチング液などの結晶方向によってエツチ
ング速度にあまり差のないエツチング液を用いて溝12
を掘ったのち、たとえばKOHなどを含む異方性エツチ
ング液によってサーミスタの感熱部位の下方の基板1に
空洞部13を形成して、サーミスタを橋架型構造とする
。そして、同図(d)における点線位置でダイシングし
て切り離し、個々のサーミスタチップが完成する。
単結晶薄膜層6、絶縁層2の部分をそれぞれエッチ除去
して予定されたサーミスタ部分を残す。更に、サーミス
タの感熱部位の側方部分の基板1に、たとえばシルバー
グリコールエツチング液などの結晶方向によってエツチ
ング速度にあまり差のないエツチング液を用いて溝12
を掘ったのち、たとえばKOHなどを含む異方性エツチ
ング液によってサーミスタの感熱部位の下方の基板1に
空洞部13を形成して、サーミスタを橋架型構造とする
。そして、同図(d)における点線位置でダイシングし
て切り離し、個々のサーミスタチップが完成する。
なお、第2図は、このようにして得たサーミスタ型赤匁
線センサチップの平面図である。
線センサチップの平面図である。
このような本発明のサーミスタ形の赤外線センサを製造
するに当たって、感熱抵抗体となる半導体単結晶薄膜1
層を真性半導体とすれば、その固有の定数であるバンド
ギャップエネルギEg(シリコンではEg=1.11
ev (300° K))から単結晶薄膜層のB定数を
B = B g / 2 k Tによりほぼ一定に定め
ることができるし、また金(Au)などの特定の深い準
位を作る不純物を添加すれば、その準位がB定数を定め
る活性化エネルギを支配するので上記と同様にB定数を
ほぼ一定に定めることができ、B定数のバラツキを従来
に比べ小さ(させることが可能である。
するに当たって、感熱抵抗体となる半導体単結晶薄膜1
層を真性半導体とすれば、その固有の定数であるバンド
ギャップエネルギEg(シリコンではEg=1.11
ev (300° K))から単結晶薄膜層のB定数を
B = B g / 2 k Tによりほぼ一定に定め
ることができるし、また金(Au)などの特定の深い準
位を作る不純物を添加すれば、その準位がB定数を定め
る活性化エネルギを支配するので上記と同様にB定数を
ほぼ一定に定めることができ、B定数のバラツキを従来
に比べ小さ(させることが可能である。
なお、半導体単結晶薄膜層は形成された面全体が単結晶
化している必要はなく、赤外線の受光面となる導電体薄
層からなる電極間の薄膜層部分が少なくとも単結晶化し
ていればよい。
化している必要はなく、赤外線の受光面となる導電体薄
層からなる電極間の薄膜層部分が少なくとも単結晶化し
ていればよい。
また、サーミスタの橋架部を両端支持構造とする代わり
に、−側端のみで支持する構造とすることもでき、これ
によって応答速度性能を更に改良することも可能である
。さらにまた、サーミスタの橋架部における単結晶薄膜
層がそれ自体で充分な強度を有しているときには、橋架
部の下面に残る絶縁層をエッチ除去することにより、橋
架部の熱容量を更に小さくすることもでき、これによっ
て−層感度と応答速度を高めることが可能である。
に、−側端のみで支持する構造とすることもでき、これ
によって応答速度性能を更に改良することも可能である
。さらにまた、サーミスタの橋架部における単結晶薄膜
層がそれ自体で充分な強度を有しているときには、橋架
部の下面に残る絶縁層をエッチ除去することにより、橋
架部の熱容量を更に小さくすることもでき、これによっ
て−層感度と応答速度を高めることが可能である。
このような橋架部の下の空洞部は基板の裏面まで貫通し
ていてもよく、このような場合には基板の表面よりエツ
チングする代わりに裏面からエツチングすることによっ
て空洞部を形成してもよい。
ていてもよく、このような場合には基板の表面よりエツ
チングする代わりに裏面からエツチングすることによっ
て空洞部を形成してもよい。
なお、本発明の実施例に示したように半導体単結晶基板
を用いた場合は、異方性エツチング技術を使えるので、
橋架部分を精度良く作製できるなどの利点があるが必ず
しも単結晶基板を用いる必要はな(、セラミックなどの
無機材料基板を用いてもよい。この場合には、シード部
は必要なく熱処理時間及び基板温度などの処理条件を適
切に選ぶことにより単結晶化が可能である。そして空洞
部は基板と単結晶薄膜層間の絶縁層をエッチ除去するこ
とにより形成される。
を用いた場合は、異方性エツチング技術を使えるので、
橋架部分を精度良く作製できるなどの利点があるが必ず
しも単結晶基板を用いる必要はな(、セラミックなどの
無機材料基板を用いてもよい。この場合には、シード部
は必要なく熱処理時間及び基板温度などの処理条件を適
切に選ぶことにより単結晶化が可能である。そして空洞
部は基板と単結晶薄膜層間の絶縁層をエッチ除去するこ
とにより形成される。
本発明の赤外線センサは、上述のような構造を有するサ
ーミスタによって構成されたものであり、赤外線に対し
てのみ感度を有するようにする場合にば、感熱部の前面
に所望の透過波長範囲を有する赤外線フィルタを取り付
けて使用するものである。
ーミスタによって構成されたものであり、赤外線に対し
てのみ感度を有するようにする場合にば、感熱部の前面
に所望の透過波長範囲を有する赤外線フィルタを取り付
けて使用するものである。
本発明の赤外線センサは、半導体単結晶薄膜層から形成
された感熱抵抗体からなるサーミスタを、半導体製造プ
ロセスを用いて精密形状に形成して得られたものである
ので、サーミスタ特性の制御が高精度で行えることと相
俟って性能上のバラツキが少ないほか、感度や応答速度
が格段に改良される特長を存する。
された感熱抵抗体からなるサーミスタを、半導体製造プ
ロセスを用いて精密形状に形成して得られたものである
ので、サーミスタ特性の制御が高精度で行えることと相
俟って性能上のバラツキが少ないほか、感度や応答速度
が格段に改良される特長を存する。
第1図は本発明の赤外線センサの製造工程の説明図であ
り、 第2図は第1図の製造工程によって得た赤外線センサの
平面図である。 1・・・基板、2・・・絶縁層、6・・・単結晶薄膜層
、7・・・導電体薄層、9・・・絶縁層、10・・・電
極、11・・・光吸収層、13・・・空洞部。
り、 第2図は第1図の製造工程によって得た赤外線センサの
平面図である。 1・・・基板、2・・・絶縁層、6・・・単結晶薄膜層
、7・・・導電体薄層、9・・・絶縁層、10・・・電
極、11・・・光吸収層、13・・・空洞部。
Claims (3)
- (1)基板上に絶縁層を介して設けた半導体単結晶薄膜
層からなる感熱抵抗体と、該感熱抵抗体の端子部上に設
けた導電体薄層からなる電極とを備え、前記感熱抵抗体
の端子部を除く部位の下側に当たる前記基板の部分に空
洞部を設けてなる赤外線センサ。 - (2)基板上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層上に
半導体単結晶薄膜層からなる感熱抵抗体を形成する工程
と、該感熱抵抗体端子部上に導電体薄層からなる電極を
形成する工程と、該感熱抵抗体の下側に当たる該基板の
部分に空洞部を形成する工程とを含む、サーミスタ形の
赤外線センサの製造方法。 - (3)基板として半導体単結晶からなるものを用いる特
許請求の範囲第2項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2990289A JP2742287B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2990289A JP2742287B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02210230A true JPH02210230A (ja) | 1990-08-21 |
JP2742287B2 JP2742287B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=12288911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2990289A Expired - Fee Related JP2742287B2 (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2742287B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5397897A (en) * | 1992-04-17 | 1995-03-14 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared sensor and method for production thereof |
AU675042B2 (en) * | 1995-04-07 | 1997-01-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared-rays sensor and manufacturing method therefor |
WO1999031471A1 (fr) * | 1997-12-18 | 1999-06-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur de prise d'image infrarouge |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP2990289A patent/JP2742287B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5397897A (en) * | 1992-04-17 | 1995-03-14 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared sensor and method for production thereof |
US5521123A (en) * | 1992-04-17 | 1996-05-28 | Terumo Kabushiki Kaisha | Infrared sensor and method for production thereof |
AU675042B2 (en) * | 1995-04-07 | 1997-01-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared-rays sensor and manufacturing method therefor |
WO1999031471A1 (fr) * | 1997-12-18 | 1999-06-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur de prise d'image infrarouge |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2742287B2 (ja) | 1998-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3112680B2 (ja) | 半導体膜ボロメータ熱性赤外検出器 | |
US5589688A (en) | Infrared radiation sensor | |
US5549006A (en) | Temperature compensated silicon carbide pressure transducer and method for making the same | |
JPS5477588A (en) | Heat insulating single piece semiconductor die and method of producing same | |
JPH06317475A (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
JPH08271332A (ja) | 薄膜温度センサ及びその製造方法 | |
JPH07209089A (ja) | 赤外線センサ | |
US6579740B2 (en) | Method of making a thin film sensor | |
JPH02210230A (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
JPH09329499A (ja) | 赤外線センサ及び赤外線検出器 | |
US5622586A (en) | Method of fabricating device made of thin diamond foil | |
CN86207853U (zh) | 聚偏氟乙烯薄膜激光辐射探测器 | |
JP2000131147A (ja) | 赤外線センサ | |
JP2000356545A (ja) | 赤外検出素子とその製造方法 | |
JPH06103218B2 (ja) | 光センサ | |
JPH0196548A (ja) | センサ素子 | |
JPH08159866A (ja) | 赤外線センサ | |
JPH0795002B2 (ja) | センサ素子 | |
JP2000065637A (ja) | 赤外検出素子とその製造方法 | |
JP3132210B2 (ja) | ガスセンサ | |
JP4034142B2 (ja) | 流量センサー | |
JPH0733979B2 (ja) | 温度センサ | |
JPH02206733A (ja) | 赤外線センサ | |
JP3179861B2 (ja) | 赤外線センサの製造方法 | |
JPH07107938B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090130 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |