JPH02208906A - ガーネット系磁性体 - Google Patents
ガーネット系磁性体Info
- Publication number
- JPH02208906A JPH02208906A JP2753089A JP2753089A JPH02208906A JP H02208906 A JPH02208906 A JP H02208906A JP 2753089 A JP2753089 A JP 2753089A JP 2753089 A JP2753089 A JP 2753089A JP H02208906 A JPH02208906 A JP H02208906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- garnet
- composition
- magnetic material
- rotation angle
- coercive force
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002223 garnet Substances 0.000 title claims description 20
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 title claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
- H01F1/346—[(TO4) 3] with T= Si, Al, Fe, Ga
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は特に光磁気記録媒体として好適なガーネット系
磁性体に関する。
磁性体に関する。
（従来の技術）
情報処理技術の分野における情報の増大や多様化に伴い
、高密度の記録が可能な記録媒体に対する要求が高まっ
てきた。垂直磁化膜では、こうした高密度な記録を安定
して行なうことのできる垂直磁気記録が可能であるため
、近年活発に研究が進められてきた。特に最近見出され
た一般式％式％ （ただしＲはイツトリウム（Ｙ）を含みセリウム（Ｃｅ
）を除いた希土類元素を示す）で表されるセリウム（Ｃ
ｏ）置換型のガーネットを初めとするガーネット系磁性
体は、結晶質であるため化学的に安定であり、また酸化
による磁気特性の劣化がなく、さらには垂直磁化膜を容
易に形成できるため、数多くの開発が行なわれてきた。
、高密度の記録が可能な記録媒体に対する要求が高まっ
てきた。垂直磁化膜では、こうした高密度な記録を安定
して行なうことのできる垂直磁気記録が可能であるため
、近年活発に研究が進められてきた。特に最近見出され
た一般式％式％ （ただしＲはイツトリウム（Ｙ）を含みセリウム（Ｃｅ
）を除いた希土類元素を示す）で表されるセリウム（Ｃ
ｏ）置換型のガーネットを初めとするガーネット系磁性
体は、結晶質であるため化学的に安定であり、また酸化
による磁気特性の劣化がなく、さらには垂直磁化膜を容
易に形成できるため、数多くの開発が行なわれてきた。
しかしながら上記したような従来のガーネット系磁性体
においては、保磁力が低く高々数百０ｅ程度で実用上要
求される１ｋＯｅ以上の保磁力が得られなかった。
においては、保磁力が低く高々数百０ｅ程度で実用上要
求される１ｋＯｅ以上の保磁力が得られなかった。
さらに垂直磁化膜を形成して光磁気記録媒体として用い
るときは、高精度の記録及び再生が行なわ九るためにさ
まざまな特性が要求される。このような光磁気記録媒体
に要求される特性としては。
るときは、高精度の記録及び再生が行なわ九るためにさ
まざまな特性が要求される。このような光磁気記録媒体
に要求される特性としては。
ファラデー回転角が大きいこと、光吸収係数が適当な値
を有すること、キュリー点が適当な温度範囲に存在する
こと等があげられる。すなわちファラデー回転角が小さ
すぎると、角度を読み取る精度が下がり、再生時のＳ／
Ｎ比が低下してしまう。
を有すること、キュリー点が適当な温度範囲に存在する
こと等があげられる。すなわちファラデー回転角が小さ
すぎると、角度を読み取る精度が下がり、再生時のＳ／
Ｎ比が低下してしまう。
また光吸収係数は、記録媒体が記録時にレーザ光を吸収
して温度が上昇することが必要であるために、適当な大
きさが要求されるが、一方で光吸収係数が大きすぎると
、透過光よりファラデー回転角を測定することが困難と
なるため、適当な値を有することが要求される。キュリ
ー点についても、キュリー点の温度が低いほど記録時の
感度は向上するが、余り低すぎると外部の温度変化に弱
くなるため適当な温度範囲に存在することが要求される
。
して温度が上昇することが必要であるために、適当な大
きさが要求されるが、一方で光吸収係数が大きすぎると
、透過光よりファラデー回転角を測定することが困難と
なるため、適当な値を有することが要求される。キュリ
ー点についても、キュリー点の温度が低いほど記録時の
感度は向上するが、余り低すぎると外部の温度変化に弱
くなるため適当な温度範囲に存在することが要求される
。
このように光磁気記録媒体には種々の特性が要求される
が、従来のガーネット系磁性体においては、光吸収係数
が小さすぎ、またファラデー回転角も充分な大きさを有
しているとはいえず、光磁気記録媒体として用いるのに
充分な特性を有していなかった。
が、従来のガーネット系磁性体においては、光吸収係数
が小さすぎ、またファラデー回転角も充分な大きさを有
しているとはいえず、光磁気記録媒体として用いるのに
充分な特性を有していなかった。
（発明が解決しようとする課題）
上述したように従来のガーネット系磁性体においては、
保磁力が低すぎるため実用化に至らず、また光磁気記録
媒体としての特性についても充分とはいえなかった。
保磁力が低すぎるため実用化に至らず、また光磁気記録
媒体としての特性についても充分とはいえなかった。
本発明では実用上要求される１ｋＯｅ以上の保磁力を有
し、さらには光吸収係数及びファラデー回転角において
も充分な大きさの値をもち、光磁気記録媒体としても好
適なガーネット系磁性体を提供することを目的としてい
る。
し、さらには光吸収係数及びファラデー回転角において
も充分な大きさの値をもち、光磁気記録媒体としても好
適なガーネット系磁性体を提供することを目的としてい
る。
（１１題を解決するための手段及び作用）本発明は原子
比が一般式 ％式％ （ただしＲはセリウム（Ｃｏ）を除いた希土類元素及び
イツトリウム（Ｙ）の少なくとも一種、Ａはゲルマニウ
ム（Ｇｏ）及びケイ素（Ｓｉ）の少なくとも一種を示す
） で表されるガーネット型結晶構造を有し、組成範囲が １．０≦Ｘ≦２．０ ０．２≦ｙ≦１．５ のガーネット系磁性体である。すなわち本発明のガーネ
ット系磁性体は一般式Ｒ３Ｆａ、Ｏ，，（ただしＲはＹ
を含みＣｅを除いた希土類元素）で表されるガーネット
系磁性体において、Ｒの一部がＣｅにより。
比が一般式 ％式％ （ただしＲはセリウム（Ｃｏ）を除いた希土類元素及び
イツトリウム（Ｙ）の少なくとも一種、Ａはゲルマニウ
ム（Ｇｏ）及びケイ素（Ｓｉ）の少なくとも一種を示す
） で表されるガーネット型結晶構造を有し、組成範囲が １．０≦Ｘ≦２．０ ０．２≦ｙ≦１．５ のガーネット系磁性体である。すなわち本発明のガーネ
ット系磁性体は一般式Ｒ３Ｆａ、Ｏ，，（ただしＲはＹ
を含みＣｅを除いた希土類元素）で表されるガーネット
系磁性体において、Ｒの一部がＣｅにより。
またＦｅの一部がＣｏ及びＡ元素（ＡはＧｅ及びＳｉの
うちの少なくとも一種を示す）により置換されたことを
特徴としている。
うちの少なくとも一種を示す）により置換されたことを
特徴としている。
本発明に係るガーネット系磁性体におけるＣｏの含有量
は１本発明の組成を表す一般式において１．０≦Ｘ≦２
．０の範囲である。 Ｃｏの含有量がこれより少ない範
囲においては、ガーネット系磁性体のファラデー回転角
が小さくなり、これを超えて多いとガーネット型結晶構
造を得ることが困難となるからである。また本発明のガ
ーネット系磁性体は、Ｃｏを加えたことにより保磁力、
光吸収係数、さらにはファラデー回転角が増大し、いず
れも光磁気記録媒体として満足される値を有している。
は１本発明の組成を表す一般式において１．０≦Ｘ≦２
．０の範囲である。 Ｃｏの含有量がこれより少ない範
囲においては、ガーネット系磁性体のファラデー回転角
が小さくなり、これを超えて多いとガーネット型結晶構
造を得ることが困難となるからである。また本発明のガ
ーネット系磁性体は、Ｃｏを加えたことにより保磁力、
光吸収係数、さらにはファラデー回転角が増大し、いず
れも光磁気記録媒体として満足される値を有している。
このＣｏの含有量は１本発明の組成を表す一般式におい
て０．２≦ｙ≦１．５好ましくは０．６≦ｙ≦０．８で
ある。含有量が少なすぎるとＣｏを加えた効果が得られ
なくなり、多すぎると室温以上で強磁性を得ることが困
難となるからである。また本発明のガーネット系磁性体
においてＣｏはＣｏイオンの形で含有されているが、こ
のときガーネット型結晶構造をとるためにはＣｏイオン
は３価である必要がある。
て０．２≦ｙ≦１．５好ましくは０．６≦ｙ≦０．８で
ある。含有量が少なすぎるとＣｏを加えた効果が得られ
なくなり、多すぎると室温以上で強磁性を得ることが困
難となるからである。また本発明のガーネット系磁性体
においてＣｏはＣｏイオンの形で含有されているが、こ
のときガーネット型結晶構造をとるためにはＣｏイオン
は３価である必要がある。
本発明においてはＣｏイオンを３価とするために、Ａ元
素（ＡはＧｅ及びＳｉのうちの少なくとも一種を示す）
がＣｏと等量加えられている。
素（ＡはＧｅ及びＳｉのうちの少なくとも一種を示す）
がＣｏと等量加えられている。
上述したような本発明のガーネット系磁性体は、１．５
ｋＯａ以上の高保磁力を有し、ファラデー回転角及び光
吸収係数も光磁気記録媒体として好適な値を示している
。さらにはキュリー点も光磁気記録媒体として好適な１
５０°〜２５０℃の温度範囲に存在し、また酸化物であ
るために耐食性に富み長時間使用においても特性の劣化
が著しく小さい。
ｋＯａ以上の高保磁力を有し、ファラデー回転角及び光
吸収係数も光磁気記録媒体として好適な値を示している
。さらにはキュリー点も光磁気記録媒体として好適な１
５０°〜２５０℃の温度範囲に存在し、また酸化物であ
るために耐食性に富み長時間使用においても特性の劣化
が著しく小さい。
以下に本発明のガーネット系磁性体からなる垂直磁化膜
を形成する製造方法を簡単に示す、まず原料として本発
明のガーネット系磁性体中に含有される元素の各酸化物
１例えばＣｅＯ２、Ｆｅ、Ｏｎ 、Ｃｏｍｂ、 ＩＧｏ
ｏ、などを所望の割合に混合し１通常のセラミックス技
術を用いて仮焼、粉砕、焼結してセラミックス体を形成
する。このセラミックス体をターゲットとしイオンビー
ムスパッタ法を用いて適当な基板上に着膜する。この際
使用されるイオンビームスパッタ装置の概略図を第２図
に示す、前述したような工程により得られたセラミック
ス体をスパッタ用のターゲット■としてイオンビームス
ノ（ツタ装置のターゲットホルダーに設置し、６ＸＩＯ
”” Ｔｏｒｒ以上の真空度まで排気した後イオン源用
Ａｒガスを３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ導入して、イオン
ガン■よりＡｒイオンビームを発生してターゲット■に
Ａｒイオンを衝突させて、スパッタ粒子を基板■上に堆
積させる。本発明の組成中には蒸気圧の高い成分は存在
しないため垂直磁化膜形成時に失われる成分はほとんど
無く、製造当初の各成分の混合比とほとんど変わりない
組成比を有する垂直磁化膜が上記製造方法により得られ
る。
を形成する製造方法を簡単に示す、まず原料として本発
明のガーネット系磁性体中に含有される元素の各酸化物
１例えばＣｅＯ２、Ｆｅ、Ｏｎ 、Ｃｏｍｂ、 ＩＧｏ
ｏ、などを所望の割合に混合し１通常のセラミックス技
術を用いて仮焼、粉砕、焼結してセラミックス体を形成
する。このセラミックス体をターゲットとしイオンビー
ムスパッタ法を用いて適当な基板上に着膜する。この際
使用されるイオンビームスパッタ装置の概略図を第２図
に示す、前述したような工程により得られたセラミック
ス体をスパッタ用のターゲット■としてイオンビームス
ノ（ツタ装置のターゲットホルダーに設置し、６ＸＩＯ
”” Ｔｏｒｒ以上の真空度まで排気した後イオン源用
Ａｒガスを３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ導入して、イオン
ガン■よりＡｒイオンビームを発生してターゲット■に
Ａｒイオンを衝突させて、スパッタ粒子を基板■上に堆
積させる。本発明の組成中には蒸気圧の高い成分は存在
しないため垂直磁化膜形成時に失われる成分はほとんど
無く、製造当初の各成分の混合比とほとんど変わりない
組成比を有する垂直磁化膜が上記製造方法により得られ
る。
なお上記製造方法においては、垂直磁化膜を形成する手
段としてイオンビームスパッタ法を用いた場合を示した
が、蒸着法、ＣＶＤ法、スピンコード等の塗布法や、高
周波スパッタ法、マグネトロンスパッタ法等の他のスパ
ッタ法により形成することもできる。
段としてイオンビームスパッタ法を用いた場合を示した
が、蒸着法、ＣＶＤ法、スピンコード等の塗布法や、高
周波スパッタ法、マグネトロンスパッタ法等の他のスパ
ッタ法により形成することもできる。
（実施例）
以下に本発明の実施例を示す。
大凰孤二工
出発原料としてＤｙ、 Ｃａ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｇｅ
等の酸化物を用いて、得られるガーネット型結晶構造に
おいて所望の組成比となるように混合した。混合物に仮
焼、粉砕、焼成の各工程を施しセラミックス体とし、こ
のセラミックス体を第２図に示したようなイオンビーム
スパッタ装置のターゲットホルダーに設置し、イオン源
としてカウフマン型のイオンガン■を用いて、加速電圧
１ｋＶ、イオン電流５０ｍＡのＡｒ＋イオンでターゲッ
ト■のスパッタを行なった。基板■にはＮｄ、Ｇａ、Ｏ
，、（１１１）もしくは（１００）面または５Ｉ１１．
（Ｓｃ、Ｇａ）、Ｏ，、（１１１）もしくは（１００
）面を用い、基板温度は４００〜６００℃とし、成膜速
度はｌＯ人／ｗｉｎとして膜厚約３０００人の薄膜を作
製した。
等の酸化物を用いて、得られるガーネット型結晶構造に
おいて所望の組成比となるように混合した。混合物に仮
焼、粉砕、焼成の各工程を施しセラミックス体とし、こ
のセラミックス体を第２図に示したようなイオンビーム
スパッタ装置のターゲットホルダーに設置し、イオン源
としてカウフマン型のイオンガン■を用いて、加速電圧
１ｋＶ、イオン電流５０ｍＡのＡｒ＋イオンでターゲッ
ト■のスパッタを行なった。基板■にはＮｄ、Ｇａ、Ｏ
，、（１１１）もしくは（１００）面または５Ｉ１１．
（Ｓｃ、Ｇａ）、Ｏ，、（１１１）もしくは（１００
）面を用い、基板温度は４００〜６００℃とし、成膜速
度はｌＯ人／ｗｉｎとして膜厚約３０００人の薄膜を作
製した。
得られた薄膜をＸ線回折で解析したところ、ガーネット
型結晶構造を有することが確認された。
型結晶構造を有することが確認された。
またＶＳＭ （振動試料型磁力計）を用いて磁化を測定
したところ、得られた膜は膜面に垂直な方向に磁化容易
軸をもつ垂直磁化膜であり、保磁力はいずれも１．５ｋ
ｏｅ以上の高い値を有することが確認された。さらに第
１表に波長７３０ｎｍにおける光吸収係数及びファラデ
ー回転角を示す０本発明に係る垂直磁化膜はいずれも、
光吸収係数、ファラデー回転角ともに光磁気記録媒体と
して充分な大きさを有している。
したところ、得られた膜は膜面に垂直な方向に磁化容易
軸をもつ垂直磁化膜であり、保磁力はいずれも１．５ｋ
ｏｅ以上の高い値を有することが確認された。さらに第
１表に波長７３０ｎｍにおける光吸収係数及びファラデ
ー回転角を示す０本発明に係る垂直磁化膜はいずれも、
光吸収係数、ファラデー回転角ともに光磁気記録媒体と
して充分な大きさを有している。
（以下余白）
ル」ＩＫ
比較例としてＤｙａ、。Ｃｏ□、。Ｆｅ、 ｏ、 、で
表される組成からなるＣｏ無添加の垂直酸化膜を実施例
−１と同様の製法により作製した。得られた垂直磁化膜
では保磁力が１ｋＯｅに満たず、さらに光吸収係数及び
ファラデー回転角もそれぞれ４８００ａｌ−１，２，８
０Ｘ１０’ と実施例で得られた垂直磁化膜より小さく
、光磁気記録媒体としての特性に劣っている。
表される組成からなるＣｏ無添加の垂直酸化膜を実施例
−１と同様の製法により作製した。得られた垂直磁化膜
では保磁力が１ｋＯｅに満たず、さらに光吸収係数及び
ファラデー回転角もそれぞれ４８００ａｌ−１，２，８
０Ｘ１０’ と実施例で得られた垂直磁化膜より小さく
、光磁気記録媒体としての特性に劣っている。
夾展叢二又
第１表の試料番号６に示す組成の垂直磁化膜を基板に石
英を用い、膜厚を５０００人とした以外は、実施例−１
と同様の方法で形成し、ＶＳＭにより磁化を測定し磁化
曲線を求めた。得られた磁化曲線を第１図に示す。第１
図かられかるように本実施例に係る垂直磁化膜は保磁力
１．８ｋＯｅと充分な値を有している。さらに磁化の温
度変化を測定しキュリー点を求めたところ、キュリー点
は１８０℃で光磁気記録媒体として好適な値を示した。
英を用い、膜厚を５０００人とした以外は、実施例−１
と同様の方法で形成し、ＶＳＭにより磁化を測定し磁化
曲線を求めた。得られた磁化曲線を第１図に示す。第１
図かられかるように本実施例に係る垂直磁化膜は保磁力
１．８ｋＯｅと充分な値を有している。さらに磁化の温
度変化を測定しキュリー点を求めたところ、キュリー点
は１８０℃で光磁気記録媒体として好適な値を示した。
以上詳述したように本発明のガーネット系磁性体は１ｋ
ｏｅ以上の高い保磁力を有し、さらには光吸収係数及び
ファラデー回転角が光磁気記録媒体として用いるときに
好適な値で、光磁気記録媒体としての特性も充分な垂直
磁化膜を提供することができる。
ｏｅ以上の高い保磁力を有し、さらには光吸収係数及び
ファラデー回転角が光磁気記録媒体として用いるときに
好適な値で、光磁気記録媒体としての特性も充分な垂直
磁化膜を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例の磁化曲線を示す特性図、第
２図は垂直磁化膜の製造に用いたイオンビームスパッタ
装置の概略図である。 １・・・ターゲット ２・・・イオンガン３・・
・基板 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光之
２図は垂直磁化膜の製造に用いたイオンビームスパッタ
装置の概略図である。 １・・・ターゲット ２・・・イオンガン３・・
・基板 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光之
Claims (1)
- （１） 原子比が一般式 Ｒ＿３＿−＿ｘＣｅ＿ｘＦｅ＿５＿−＿２＿ｙＣｏ＿ｙ
Ａ＿ｙＯ＿１＿２（ただしＲはセリウム（Ｃｅ）を除い
た希土類元素及びイットリウム（Ｙ）の少なくとも一種
、Ａはゲルマニウム（Ｇｅ）及びケイ素（Ｓｉ）の少な
くとも一種を示す） で表されるガーネット型結晶構造を有し、組成範囲が １．０≦ｘ≦２．０ ０．２≦ｙ≦１．５ であることを特徴とするガーネット系磁性体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1027530A JP2728715B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | ガーネット系磁性体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1027530A JP2728715B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | ガーネット系磁性体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208906A true JPH02208906A (ja) | 1990-08-20 |
| JP2728715B2 JP2728715B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=12223670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1027530A Expired - Fee Related JP2728715B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | ガーネット系磁性体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2728715B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0796931A1 (en) * | 1996-03-22 | 1997-09-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Cerium-containing magnetic garnet single crystal and producing method thereof |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP1027530A patent/JP2728715B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0796931A1 (en) * | 1996-03-22 | 1997-09-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Cerium-containing magnetic garnet single crystal and producing method thereof |
| US6033470A (en) * | 1996-03-22 | 2000-03-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing a cerium-containing magnetic garnet single crystal |
| US6063304A (en) * | 1996-03-22 | 2000-05-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Cerium-containing magnetic garnet single crystal and production method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2728715B2 (ja) | 1998-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2896193B2 (ja) | 酸化物結晶配向膜の製造方法及び酸化物結晶配向膜並びに光磁気記録媒体 | |
| JP2872226B2 (ja) | 垂直磁化膜及びその製造法 | |
| JPS6115308A (ja) | 光磁気記録材料 | |
| US4362767A (en) | Magnetic thin film and method of making it | |
| JP2721205B2 (ja) | 非晶質酸化物磁性体及び磁心及び磁気記録媒体 | |
| EP0253282B1 (en) | Thin-film having large kerr rotation angle and production process thereof | |
| JPH0738357B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02208906A (ja) | ガーネット系磁性体 | |
| JPH07235034A (ja) | 垂直磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| JPS59162622A (ja) | 垂直磁気記録体並にその製造法 | |
| JP2003100515A (ja) | 高飽和磁化を有する磁心用軟磁性薄膜 | |
| JPH0513323B2 (ja) | ||
| JP2795688B2 (ja) | 垂直磁化膜 | |
| JP2553145B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0522982B1 (en) | An FeGaSi-based magnetic material with Ir as an additive | |
| JPS6196706A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2824998B2 (ja) | 磁性膜 | |
| JPH0221440A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63122036A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03273540A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録装置及びスピングラス磁性体 | |
| JPH05267057A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPH0330302A (ja) | 非晶質酸化物磁性体及び磁心及び磁気記録媒体 | |
| JPH0462814A (ja) | 人工格子膜の製造方法 | |
| JPS60125933A (ja) | 磁性媒体の製法 | |
| JPS63266626A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |