JPH02206158A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02206158A JPH02206158A JP2696289A JP2696289A JPH02206158A JP H02206158 A JPH02206158 A JP H02206158A JP 2696289 A JP2696289 A JP 2696289A JP 2696289 A JP2696289 A JP 2696289A JP H02206158 A JPH02206158 A JP H02206158A
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体の活性層領域を抵抗として用いる場合
の抵抗値の制御の容易化を図った半導体装置の製造方法
に関する。
の抵抗値の制御の容易化を図った半導体装置の製造方法
に関する。
〈従来の技術〉
例えばＧａＡｓ系の化合物半導体を用いてＩＣを製作す
る場合、半導体内に抵抗体を作りこむ事がしばしば発生
する。その様な場合７半導体の活性層を抵抗体として利
用する事が考えられるが。
る場合、半導体内に抵抗体を作りこむ事がしばしば発生
する。その様な場合７半導体の活性層を抵抗体として利
用する事が考えられるが。
その場合プロセス条件により抵抗値が変化して設計値を
満足しない事が多い。このため実際のＩＣ製作に際して
はＴａＮ、ＮｉＣｒＳｉ等の薄膜抵抗が用いられている
。
満足しない事が多い。このため実際のＩＣ製作に際して
はＴａＮ、ＮｉＣｒＳｉ等の薄膜抵抗が用いられている
。
〈発明か解決しようとする課題〉
しかしながら、薄膜で抵抗を形成する場合は高価なスパ
ッタ装置や蒸着装置を必要としマスキング等工程が複雑
になるという問題があった。
ッタ装置や蒸着装置を必要としマスキング等工程が複雑
になるという問題があった。
本発明は上記従来技術の問題を解決するために成された
もので、抵抗として使用する活性層に陽子を注入し、ま
たそのＩＣをアニールする事により活性層の抵抗値を制
御するようにした制御制の良い半導体装置を実現するこ
とを目的とする。
もので、抵抗として使用する活性層に陽子を注入し、ま
たそのＩＣをアニールする事により活性層の抵抗値を制
御するようにした制御制の良い半導体装置を実現するこ
とを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
上記従来技術の問題を解決する為の本発明の半導体装置
は半導体の活性層領域に陽子（Ｈ＋）を注入してその活
性層領域の抵抗を増加させ、前記注入領域をアニールす
ることにより抵抗を減少させることを特徴とするもので
ある。
は半導体の活性層領域に陽子（Ｈ＋）を注入してその活
性層領域の抵抗を増加させ、前記注入領域をアニールす
ることにより抵抗を減少させることを特徴とするもので
ある。
〈実施例〉
以下９本発明の一実施例の製造方法に図面を用いて説明
する。
する。
図において（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ
断面図であり、１は例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板、２は
エピタキシャル成長等により形成された例えばｎ、
ＧａＡｓ活性層の抵抗である。１３は電極で、活性層２
に接して所定の距離を隔てて形成されている。
断面図であり、１は例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板、２は
エピタキシャル成長等により形成された例えばｎ、
ＧａＡｓ活性層の抵抗である。１３は電極で、活性層２
に接して所定の距離を隔てて形成されている。
上記構成において電極３−３間の抵抗は始めは設計値に
近い値にその不純物の濃度か制御されているが２図示し
ない部分を加工してＩＣとしての加工を施す途中でその
抵抗値がすれてくる。そこで抵抗としての活性層部分に
Ｈ＋を注入しくこのとき他の部分にはマスクをしておく
）抵抗値を一旦上昇させる。次番こ基板を４００℃程度
に加熱→徐冷する事により抵抗値を減する事が出来る。
近い値にその不純物の濃度か制御されているが２図示し
ない部分を加工してＩＣとしての加工を施す途中でその
抵抗値がすれてくる。そこで抵抗としての活性層部分に
Ｈ＋を注入しくこのとき他の部分にはマスクをしておく
）抵抗値を一旦上昇させる。次番こ基板を４００℃程度
に加熱→徐冷する事により抵抗値を減する事が出来る。
本出願人は上記の抵抗の増減を確認する為に次の実験を
行った。
行った。
半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ上にＭＢＥ装置によりｎ型ドー
パントとしてのＳｎを４．２Ｘ１０’ ” ｃｍ−３の
濃度で２５０ＯＡエピタキシー成長させた。この場合に
おける抵抗値は７，０〜８．８Ω／口であつな。
パントとしてのＳｎを４．２Ｘ１０’ ” ｃｍ−３の
濃度で２５０ＯＡエピタキシー成長させた。この場合に
おける抵抗値は７，０〜８．８Ω／口であつな。
次に上記抵抗にＨ＋を注入エネルギー１２０ｋｅＶで１
．Ｘ１０”ｃｍ−”個注入した場合の抵抗値は２．３〜
７．６にΩ／口に上昇した。
．Ｘ１０”ｃｍ−”個注入した場合の抵抗値は２．３〜
７．６にΩ／口に上昇した。
同様に半絶縁性Ｇ ａ、 Ａ ｓ基板状にｎ型ドーパン
トとしての８１を２．Ｉ Ｘｌ、Ｏ” ｃｍ−２の濃度
で５０００八エピタキシヤル成長させた。この場合にお
ける抵抗値は２４〜３０Ω／口であった。
トとしての８１を２．Ｉ Ｘｌ、Ｏ” ｃｍ−２の濃度
で５０００八エピタキシヤル成長させた。この場合にお
ける抵抗値は２４〜３０Ω／口であった。
次に上記抵抗にＨ＋を注入エネルギー１２０ｋｅＶでｌ
Ｘｌ０”ｃｍ−３個注入した時の抵抗は１２〜１６ＭΩ
／口となった。
Ｘｌ０”ｃｍ−３個注入した時の抵抗は１２〜１６ＭΩ
／口となった。
次に上記基板を４３５°Ｃで２分４０秒加熱し。
徐冷した場合の抵抗値は３〜６ＭΩ／口に減少しな。
なお、上記実施例においては基板を半絶縁性ＧａＡｓ基
板、活性層をｎ＝ＧａＡｓとして説明したか本実施例に
限ることなく、基板は例えばＳｔ基板でもよく、この基
板の上に形成された活性層抵抗であっても良い。
板、活性層をｎ＝ＧａＡｓとして説明したか本実施例に
限ることなく、基板は例えばＳｔ基板でもよく、この基
板の上に形成された活性層抵抗であっても良い。
〈発明の効果〉
以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によれ
ば、■ドーパントの種類とドーピング量■Ｈ十の注入エ
ネルギーおよび注入量、■アニルの温度と時間を適当に
組合せる事により所望の抵抗値を得ることが出来る。
ば、■ドーパントの種類とドーピング量■Ｈ十の注入エ
ネルギーおよび注入量、■アニルの温度と時間を適当に
組合せる事により所望の抵抗値を得ることが出来る。
図は本発明の一実施例を示す平面図（ａ）および（ａ）
図のＡ−Ａ断面図（−ｂ ）である。 １・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・活性層
、３・・・電極。 （θ） （ｂ） 手続ネ甫正書ｃ方式）
図のＡ−Ａ断面図（−ｂ ）である。 １・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・活性層
、３・・・電極。 （θ） （ｂ） 手続ネ甫正書ｃ方式）
Claims (1)
- 半導体の活性層領域に陽子（Ｈ＾＋）を注入してその活
性層領域の抵抗を増加させ、前記注入領域をアニールす
ることにより抵抗を減少させることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2696289A JPH02206158A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2696289A JPH02206158A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02206158A true JPH02206158A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12207783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2696289A Pending JPH02206158A (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02206158A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013038121A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
-
1989
- 1989-02-06 JP JP2696289A patent/JPH02206158A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013038121A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
| US9203357B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-12-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Power amplifier |
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