JPH02202044A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPH02202044A
JPH02202044A JP2295189A JP2295189A JPH02202044A JP H02202044 A JPH02202044 A JP H02202044A JP 2295189 A JP2295189 A JP 2295189A JP 2295189 A JP2295189 A JP 2295189A JP H02202044 A JPH02202044 A JP H02202044A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
stress
lead frame
bending strength
Prior art date
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Pending
Application number
JP2295189A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuyoshi Nakao
中尾 泰芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2295189A priority Critical patent/JPH02202044A/ja
Publication of JPH02202044A publication Critical patent/JPH02202044A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、rM脂封止型半導体装置の構造に関し、特に
、半導体ベレ・ソ1−を載置する金属製の載置基板(以
下、リードフレームと呼ぶ)の形状に関する。
従来の技術 この種の半導体装置は、放熱板にねじ止めして、使用さ
れる場合が多いが固定用ねじ孔部は構造上曲げ強度が低
い。そこに曲げ応力が加わるために、樹脂クラ・ツク等
の半導体装置の破損を防止する構造をとる必要があった
従来、この種の構造としては、第3図(a>、(b)に
示すように、固定用ねじ孔部の全周にリードフレームを
配置することで強度を増す方法を用いることが多い。
又、池の例としては、第4図に示すように、半導体装置
の構造上、曲げ強度の低い部分にねじ止めの時の応力が
加わらないように、応力防止切り火きを設けるなど外形
上の対策をする方法ら用いられる。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上述した従来の樹脂封止型半導体装置に
は次のような欠点がある。
第3図に示した構造の場合には、固定用ねじ孔の全周を
取り囲むようリードフレームを配置する構造とするため
に、半導体装置の外形寸法を大きくしなければならず、
実使用上、実装高さ、面積の点で不利になるという欠点
がある。
又、第4図に示した構造では、放熱板8にねじ止めした
際に半導体装置と放熱板の密着不良を生じる場合があり
、十分な放熱効果を得られず動1ヤ上不具合を生じると
いう欠点がある(第4図(c)を参照)。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記諸欠
点を解消することを可能とした新規な樹脂封止型半導体
装置を提供することにある。
発明の従来技術に対する相違点 上述した従来の樹脂封止型半導体装置に対し、本発明は
、半導体装置の外形寸法、放熱性に影響を与えず、ねじ
止め時に半導体装置の受ける曲げ応力を構造上曲げ強度
の弱い点に集中することなく、曲部分に分散させるとい
う相違点を有する9課組を解決するための手段 前記目的を達成する為に1本発明に係る樹脂封止型半導
体装置は、固定用ねじ孔部等の構造上曲げ強度が弱い部
分の近傍のリードフレームに、意図的に曲げ強度が低く
なるような応力調整用の構造を有している。
実施例 次に本発明をその好ましい各実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
第1 UjJ(a)、(b)、(c)は本発明による第
1の実施例を示し、その内(a)は平面図、(b)は(
a)のA−A’線に沿った断面図、(c)はリードフレ
ームの平面図である。
第1図(a)〜(c)を参照するに、固定用ねじ孔1を
有する樹脂部5には、樹脂成形工程でリードフレーム4
を金型内に固定していたビンの抜けな孔(成形金型ビン
孔)2.2’が設けられており。
成形金型ビン孔2.2′の部分が曲げ強度が最も低くな
る。このために、半導体装置を放熱板に固定するために
固定用ねじを締めつけた際に半導体装置の樹脂部5に加
わる曲げ応力は、形成金型ビン化2,2′の箇所に集中
する。この結果、樹脂クラック等が発生し、不具合を生
じる。
そこで本発明では応力が集中する成形金型ピン孔2,2
′の近傍のリードフレーム4に応力調整用孔3,3′を
設けることで曲げ強度の低い領域を拡大し、ねじ止めに
よる曲げ応力の集中を防止する。
第2図(a)、(b)は本発明による第2の実施例を示
す断面図、リードフレームの平面図である。
第1図(a)、(b)を参照するに、この第2の実施例
は、上記第1の実施例と同様に、曲げ応力の集中する成
形金型ビン孔2.2′の近傍のリードフレーム4に、応
力調整用溝6,6′が設けられ、それにより応力が分散
させられる。
ここでは、2つの実施例について説明したが、応力調整
用の構造は、これらの実施例に限らず、曲げ強度を下げ
ることが出来るものであれば良い。
発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、樹脂封止型半導体
装置をねじ止めする時に加えられるストレスを機械的強
度が低い箇所に集中させずに分散することにより、半導
体装置としての破損限度を高めることが出来る効果が得
られる。
その理由としては、樹脂部が破壊に至る時の応力はほぼ
一定と考えられ、又一定のス1〜レスを加えたi4合に
は、広範囲にわたり、そのストシースを分散させること
で、ある部分に加わる応力は低く抑えられるためである
。 TO−220外形の樹脂絶縁型半導体装置をねじ止
めする実験によると1本発明を適用しなかった場合には
4〜5kgcmの締めつけトルクで樹脂クラックが発生
するのに対し1本発明を適用した場合には帆5〜1kg
c+*の締めつけトルクの耐量向上が実現できた。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(c)は本発明による第1の実施例を表
し、そのうち、第1図(a>は本発明によるtA脂封止
型半導体装置の平面図、第1図(11)は第1IJ(a
>のA−A’線に沿ッた断面図、第1図(c)は第1図
(a>の半導体装置に用いられるリードフレームの平面
図である。 第2図(a)、(b)は第1図(a)と同様の半導体装
置について本発明を適用した第2の実施例を表す断面図
及びリードフレーム平面図である。 第3図(a)、(b) 、第4図(a)、(1+)、(
c)はそれぞれ従来技術による樹脂封止型半導体装置を
示す図である。 1・・・固定用ねじ孔、2.2′・・・成形金型ビン孔
、3.3′・・・応力調整用孔、4.4′・・・リード
フレーム、5・・・樹脂部、6.6′・・・応力調整用
溝、7・・・応力防止切り欠き、8・・・放熱板、9・
・・固定用ねじ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ペレットを載置した金属製の載置基板と、前記載
    置基板を封止したエポキシ樹脂等の樹脂からなる半導体
    装置において、半導体装置の構造上、曲げ応力の集中し
    易い固定用ねじ孔部分の近傍の前記載置基板の形状を曲
    げ応力を分散する構造にしたことを特徴とする樹脂封止
    型半導体装置。
JP2295189A 1989-01-31 1989-01-31 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH02202044A (ja)

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JP2295189A JPH02202044A (ja) 1989-01-31 1989-01-31 樹脂封止型半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010103279A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59132155A (ja) * 1982-12-01 1984-07-30 エス・ジ−・エス−アテス・コンポネンチ・エレツトロニシ・ソシエタ・ペル・アチオニ 半導体装置用容器
JPS6180845A (ja) * 1984-09-28 1986-04-24 Hitachi Ltd 半導体装置

Patent Citations (2)

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