JPH02200764A - 金属被覆処理におけるマスキング方法 - Google Patents

金属被覆処理におけるマスキング方法

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JPH02200764A
JPH02200764A JP2207389A JP2207389A JPH02200764A JP H02200764 A JPH02200764 A JP H02200764A JP 2207389 A JP2207389 A JP 2207389A JP 2207389 A JP2207389 A JP 2207389A JP H02200764 A JPH02200764 A JP H02200764A
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JP
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metal coating
molded product
film
molding
resist film
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JP2207389A
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Isao Yoshimura
功 吉村
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、無電解メツキ等の金属被覆処理におけるマス
キング方法に関する。
(従来の技術 及び発明が解決しようとする課題] 近年、プラスチ・ツク成型品に導電性付与、18レテ性
/Nj与等の[)的から無電解メツキ、金属溶射笠の各
種メツキ、真空蒸着、スパッタリング等の金属被覆処理
により金属を被覆させることが行われている。その中で
も最近、電子機器等の分野における金属被覆処理が注目
されている。
それは、フ!ジタルIcやLSI等が多量に使用されて
いるコンピューターなどの電子!!!器を装備し、た製
品におい”ζ問題となっている、いわゆる電磁波障害(
EMI)を防止するための電磁波シールド処理の一丁段
として金属被覆処理が採用されているからである。例え
ば、機器、装置等のプラスチック成型品(収納容器など
)に導電材料を無電解メツキ等によりメンキを施すこと
により電磁波シールド処理がなされる。
しかt7、通常の無電解メンキ等の金属被覆処理によれ
ば、金属被覆(メツキなと)は成型品の表裏全面になさ
れるが、電磁波シールド処理自体は必ずしも成型品の表
裏両面に施す必要はなく、少なくとも成型品の内面に施
すというよ)に成型品の最低必要となる一部分Cご施せ
ばよい。そこで成型品に金属被覆処理を部分的に施すた
め、従来は無電解メツキ等を行う前に成型品のメツキネ
要箇所に、例えばレジストインキをスクリーン印刷法や
刷毛塗り等により印刷又は塗工しζレジスト層を形成す
るごとによりマスキングを施し”ζおき、しかる後、無
電解メツキを行って、咳しジス[層のない成型品部分に
のみにメツキを施す手段が採られていた。
しかしながら、このような従来のマスキング手段は非効
率的であり、特に複雑な立体形状を有する成型品に対し
てはレジストインキの印刷や塗工が困難であり良好に行
うことが出来ず、溶剤の乾燥時間も必要であり、量産性
の点にも欠けるものであった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者は上記従来技術の問題点に鑑みζ研究を重ねた
結果、熱可塑性レジストフィルムを真空積層成形法にて
マスキングを行うことにより、複雑な立体形状の成型品
へのマスキングが容易となり、ひいては該成形品への部
分的な金属被覆処理が容易に且つ効率良くできることを
見出し2、本発明を完成するに至った。
即ち本発明は、 [(1)  立体形状を有するプラスチック成型品に金
属被覆処理により金属被覆を部分的に施すためのマスキ
ングであって、金属被覆処理を行うに先立って、上記成
型品の金属被覆不要箇所に熱可塑性レジストフィルムを
真空積層成形法によりラミネートし、金属被覆処理を行
った後、上記レジストフィルムを成型品から除去するこ
とを特徴とする金属被覆処理におけるマスキング方法。
(2)真空積層成形法が、真空吸引力と圧縮空気圧とに
よりレジストフィルムを成形品に密着させる構成からな
る圧縮空気圧併用型真空ラミネート法である請求項1記
載の金属被覆処理におけるマスキング方法。
(3)真空積層成形法が、真空吸引力により変形する押
圧用部材を介してレジストフィルムを成形品に密着させ
る構成からなる真空プレスラミネート法である請求項1
記載の金属被覆処理におけるマスキング方法。」 を要旨とするものである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
本発明のマスキング方法は、立体形状を有するプラスチ
ック成型品に金属被覆処理により金属被覆を部分的に施
すため、金属被覆処理に際して行われるマスキング方法
である。
本発明方法では、まず、第1図(a)に示すように立体
形状を有するプラスチック成型品lの金属被覆不要箇所
に、熱可塑性レンジストフィルム2を真空積層成形法に
よりラミネートする。
プラスチック成型品1としては、金属被覆を施す対象と
するものであれば特に限定されず、例えば、電磁波シー
ルド処理に関する分野では電子部品等を収容するための
ハウジング、ケースなどの成型品が挙げられる。これら
の成型品lを構成するプラスチック材質も特に限定され
るものごはなく、例えば、ポリスチレン、アクリルステ
1/ン、ABS等のスチレン系樹脂、ポリメタクリル酸
メチル等のアクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、変性ポリフ
ェニレンオキシド、ポリアクリレート、ポリアセタール
等の材質が挙げられる。
熱可塑性レジストフィルム2は、真空積層成形に供され
るため成形性が良好であり、しかも金属被覆処理に耐え
得るものであればよい、その具体例としては、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン5ポリ酢酸ビニルー塩化ビ
ニル共重合体、ポリフン化ビニル、ポリビニルブチラー
ル、ポリフッ化ビニリデン等のビニル重合体、ポリメタ
クリル酸エチル、ポリメタクリル酸メチル、ポリアクリ
+3= トリル等のアクリル樹脂、ボリエ千しン、ポリ
プロピレン ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、
酢酸セルロース、ニトロセルロース等のセルロースH’
A 導体、ポリスチレン、アクリルス・J−レン、A、
BS等のスチレン系樹脂、ナイロン6゜ナノロン66等
のポリアミド樹脂、ビニロン、ポリビニルアルコール等
のポリビニルアルコール系樹脂、ポリエチレンテlノフ
タレート、ポリエチL、=ンテレソタレー[・−イソフ
タレート共重合体、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
アクリレート等のポリエステル樹脂、ブタジェン、タロ
ロプレンゴム、シリコンゴム等のゴム系樹脂2.ポリカ
ーボネート等が挙げられる。レジストフィルム2の厚さ
は20〜200μ程度であるが、特に成形適性、剥離適
性等の点から50〜100μmが望ましい。
本発明における真空積層成形法は、公知の真空成形法の
真空吸引力によりフィルム又はシートを型に吸着させる
という基本原理を応用してレジストフィルムを成型品の
特定箇所にラミネートさせる方法であり、例えば圧縮空
気圧併用型真空ラミネート法、真空ブL/スラミネート
法などが挙げられる。
上記圧縮空気圧併用型真空ラミネート法は、レジストフ
ィルムを真空吸引力と圧縮空気圧とにより変形させて成
型品に接着ゼしぬる方法である。
このラミネート法によるレジストフィルムのラミネート
工程を説明するに、第2図(a)に示す如く成型品Iを
治具3等により金属被覆不要箇所のみを露出さセで固定
し、その成型品のL方位置にレジストフィルム2を取付
は枠等にて取りつけ、該フィルム2の上刃及び下方から
吸排気孔4を通して空気を排出させてフィルム2が弛ま
ないよう保持し7、この状態においでヒータ5により]
/シストフィルム2を加熱軟化させる6次いで、フィル
ム2の1一方の吸排気孔4からの空気vト出を止めて逆
に圧縮空気を吹き込み、この空気圧と下方からの真空吸
引力との作用によりレジストフィルム2が成型品lに密
着する(第2図(b))、その結果、第1図(a)に示
す如き金属被覆不要箇所のみにし・シストフィルム2が
ラミネートされた成型品1が得られる。
また真空プレスラミネート法は、レジストフィルムを真
空吸引力で変形する押圧用部材を介して成型品に接着せ
しめる方法である。この方法によるラミネート工程を説
明するに、第3図(a)に示すように、まず前記のラミ
ネート法と同様に成型品1を固定し、該成型品1とその
上方位置に設置されたシリコンラバー等からなる押圧用
部材6との間にレジストフィルム2を介在させる。この
状態において下部の吸排気孔4を通して空気を排出させ
、その真空吸引力の作用により押圧用部材6が成形品I
に吸着されるように変形し始め、この部材6に押される
ようにしてフィルム2が成形品l側に押し7つけられ、
最終的に成型品1に密着する(第3図(b))、その結
果、金属被覆不要箇所のみにレジストフィルム2がラミ
ネートされた成型品1が得られる(第1図(a))。
上記の各真空積層成形法において、成型品1とレジスト
フィルム2とを接着剤又は粘着剤を介して接着廿L2め
てもよい。その場合、該接着剤又は粘着剤は飽くまでも
金属被覆処理が終γする時点まで、レジストフィルム2
が自然に剥離しないよう保持することのみが目的であり
、金属被覆処庁終r後は容易に手等で剥離することがで
き、且つ成型品1表面には接着剤又は粘着剤の残留がな
く、2また接着剤・粘着剤中の成分による成型品lの表
面の溶解、膨潤、変退色1.変形等はないことが不可欠
である。このような条件を満たすように接着剤又は粘着
剤、及び必要に応じて添加される溶剤、充填剤、安定剤
等の添加剤を選定する。接着剤又は粘着剤は成型品側又
はフィルム側のいずれか一方に塗布しておくか、或いは
両方に塗布しておく。
l−配接着剤としてはウレタン樹脂、塩化ビニル酢酸ビ
ニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、セルロ
ース誘導体、ゴム系樹脂、ポリエステル、ポリスチレン
、澱粉のり、アクリル樹脂等が挙げられ、一方、粘着剤
としては公知の粘着テープやシール類に使用されている
粘着剤の中から、例えば、ポリイソプレンゴム、ポリイ
ソブチルゴム、スチレンブタジェンゴム、ブタジエンア
クリロニl、リルゴム等のゴム系樹脂、(メタ)アクリ
ル酸エステル系樹脂、ポリビニルブチール系樹脂、ポリ
酢酸ビニル系樹脂、塩化ビール酢酸ビニル共重合体系樹
脂、ボ1.Iスチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ボ
11アミド系樹脂、+Sり塩紫化オレノイン系樹脂、ポ
リビニルブチラール系樹脂等の(1愈の接着剤に、適当
な粘着剤付与剤、例えバ、1コシン、ダン“フル、重合
ロジン、部分水添ロジン、エノ、アルロジン、ポリテル
ペン系W脂、テjl、ペン変性体、石油系樹脂、シクロ
ペンタジェン系樹脂、フェノール系樹脂、スチレン系樹
脂、キシレン系樹脂、クロマン−インデン系樹脂等を適
当量添加したものであり、更に必要に応じ゛ζ軟化剤、
充填剤、老化防止剤等も添加rることかできる。このよ
うな粘着剤はいずれも市場から人ゴ=し容易に使用でき
るものである。又このような粘着剤に必要に応じて有機
溶剤を添加して粘度を調整する1以上の接着剤、粘着剤
をレジストフィルム上にコーティングづるには、例えば
、コンマコーティング、ロールコーティング、グイコー
ティング、ナイフコーティング、グラビアコーティング
等の慣用のコーティング方法が通用できる。このよ・)
に形成づる接着剤、粘着剤層はいずれの厚みでもよいが
、−船釣には約1〜50 /7 mの厚みに形成−jる
のが好ましい。
1−記の真空積層成形法稈を経た後、通常の金属被覆処
理を施す。ここでいう金属被覆処理とは、従来公知の無
電解メツキ、溶射メツキ等のメツキや、真空蒸着、スパ
ンタリング等であり、この処理により第1図[有1)に
示すように成型品1に金属被覆が施される3図中7は金
属被覆層を示す。使用Vる金属は、金属被覆の用途、性
能、価格、生産性等により適宜選定rるが、その−例と
してはアルミニウム、クロム、ニッケル、金、銀、胴、
チタニウム、鉄、或いハ黄銅、ステンレス、コバルト、
ニッケル等の合金属が挙げられる。尚、金属被覆処理は
1、ジストフづルム2部分には少なめに施されるよう調
節することか望ましく、これにより被覆のための金属使
用用をI1食滅することができる。
次いで、金属被覆処理を施した後、レジストフィルム2
を成型品lから除去する。以上の構成から11る本発明
マスキング方法により、レジストフィルノア2上の金属
被覆層は最終的に除去され、成型品1には所望の箇所の
み金属被覆7aが施される結果となる(第1図(C))
、フィルノ22の除去は、成型品面から剥離して除去す
るJJ法などが採られる。
次に、具体的実施例を挙げて本発明を史に訂細に説明づ
る。
夫流伝 成型品として第1図に図示の成型品1の形状と同形状の
A I3S製成型体を用意し、次にレジストフィル!・
どして厚さ1(〕0μmの可塑剤部数23部のポリ塩化
ビニルシートを用い、該レジストフィルJ、の片面に1
!す?クリル酸メチル樹脂系の接着剤をl?ii厚さが
30μmとなるようコートし、次にレジストフィルムの
コー・]・面と成型体とが対峙する位置間係にで第2図
に図示の如き圧縮空気(Jt用型真空ラミネート装置に
て、該レジストフィルムと該成型体とを接着させた。
次いで成型体にアルカリ脱脂処理、タンニン酸水溶液処
理、塩化第一錫水溶液処理を順次施した後、アンモニア
性硝酸銀を用いてi!鏡反応により銀メンキを施し、次
に該レジスト・フィルノ、を剥離することにより、該成
型体の片面のみに銀メツキを施すことがごさた。
(発明の効果) 以り説明したJ、うに、本発明によれば真空積層成形法
により成型品の金属被覆不要箇所に熱可塑性レジストフ
ィルムをラミネートさせるものであるため、成型品が各
種の立体形状を有するものであっても、上記フィルムを
容易に且つ効率良く積層させることができ、しかも周知
の金属被覆処理を行った後、レジストフィルムを除去す
ることにより、簡便に金属被覆処理を成型品の所定の一
部分に施すことができる。
従っ゛ζ本発明の°?スキングカ法を適用[れば、立体
形状の成型品への部分的な金属被覆処理の作業効率を向
にさ−することができ、ひいては量産性にも優れた部分
被覆処理がi”l能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(C)は本発明方法の各工程を示1説明
図であり2第2図は圧縮空気圧併用型真空うミネート注
によるレジストフィルムの積層工程を示す説明図、第3
図は真空プレスラミネー[法によるレジストフィルムの
積層工程を示す説明図である。 l・・プラスチック成型品 2・・熱可塑性レジストフィルム 第 (a) 第 (a) 1・・・プラスチック成型品 2・・熱可塑性レジスト“フィルム (b) (b)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)立体形状を有するプラスチック成型品に金属被覆
    処理により金属被覆を部分的に施すためのマスキングで
    あって、金属被覆処理を行うに先立って、上記成型品の
    金属被覆不要箇所に熱可塑性レジストフィルムを真空積
    層成形法によりラミネートし、金属被覆処理を行った後
    、上記レジストフィルムを成型品から除去することを特
    徴とする金属被覆処理におけるマスキング方法。
  2. (2)真空積層成形法が、真空吸引力と圧縮空気圧とに
    よりレジストフィルムを成形品に密着させる構成からな
    る圧縮空気圧併用型真空ラミネート法である請求項1記
    載の金属被覆処理におけるマスキング方法。
  3. (3)真空積層成形法が、真空吸引力により変形する押
    圧用部材を介してレジストフィルムを成形品に密着させ
    る構成からなる真空プレスラミネート法である請求項1
    記載の金属被覆処理におけるマスキング方法。
JP2207389A 1989-01-31 1989-01-31 金属被覆処理におけるマスキング方法 Pending JPH02200764A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5500560A (en) * 1991-11-12 1996-03-19 Nec Corporation Semiconductor device having low resistance values at connection points of conductor layers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5500560A (en) * 1991-11-12 1996-03-19 Nec Corporation Semiconductor device having low resistance values at connection points of conductor layers

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