JPH02200454A - ＳｉＯ↓２およびＳｉＣからなるサーマルヘッドの保護層製造方法 - Google Patents
ＳｉＯ↓２およびＳｉＣからなるサーマルヘッドの保護層製造方法Info
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- JPH02200454A JPH02200454A JP2060589A JP2060589A JPH02200454A JP H02200454 A JPH02200454 A JP H02200454A JP 2060589 A JP2060589 A JP 2060589A JP 2060589 A JP2060589 A JP 2060589A JP H02200454 A JPH02200454 A JP H02200454A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はファクシミリ等に用いられるサーマルヘッドの
酸化防止層５１０２と耐摩耗保護層ＳｔＣの製造方法に
関するものである。
酸化防止層５１０２と耐摩耗保護層ＳｔＣの製造方法に
関するものである。
従来、この種のサーマルヘッドは第４図に示すような構
成をとる。第４図において、例えばアルミナ等の基板４
１上に複数の発熱体４２が設けられている０発熱体４２
には給電するためにリード電ｆ！４３が形成されている
。また発熱体４２およびリード電極３３は酸化を防止す
るため、酸化防止層ＳｉＯ□４４が被着され、さらに感
熱記録紙の摺動から保護するため、耐摩耗保護層５ｉＣ
４５が被着形成されている。
成をとる。第４図において、例えばアルミナ等の基板４
１上に複数の発熱体４２が設けられている０発熱体４２
には給電するためにリード電ｆ！４３が形成されている
。また発熱体４２およびリード電極３３は酸化を防止す
るため、酸化防止層ＳｉＯ□４４が被着され、さらに感
熱記録紙の摺動から保護するため、耐摩耗保護層５ｉＣ
４５が被着形成されている。
上述した従来のサーマルヘッドにおいては、耐摩耗層Ｓ
ＩＣは基板との付着力が弱く、またスパッタ膜に大きな
引張応力があるために剥離しやすい欠点を有している。
ＩＣは基板との付着力が弱く、またスパッタ膜に大きな
引張応力があるために剥離しやすい欠点を有している。
本発明の目的は前記課題を解決した５ｉｎｓおよびＳＩ
Ｃからなるサーマルヘッドの保護層製造方法を提供する
ことにある。
Ｃからなるサーマルヘッドの保護層製造方法を提供する
ことにある。
前記目的を達成するため、本発明に係るＳ１０、および
ＳＩＣからなるサーマルヘッドの保護層製造方法におい
ては、ＳＩＣの原料物質を第１の０２ガス中でスパッタ
リングさせ、そのスパッタ生成物を基板上に導き、前記
第１の０２ガス遮断後、連続して第２のＡｒガスでスバ
・ｙり膜を付着させるものである。
ＳＩＣからなるサーマルヘッドの保護層製造方法におい
ては、ＳＩＣの原料物質を第１の０２ガス中でスパッタ
リングさせ、そのスパッタ生成物を基板上に導き、前記
第１の０２ガス遮断後、連続して第２のＡｒガスでスバ
・ｙり膜を付着させるものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明によるＳｉＯ２およびＳｉＣからなるサ
ーマルヘッドの保護層の製造方法の一実施例を示す縦断
面図である。
ーマルヘッドの保護層の製造方法の一実施例を示す縦断
面図である。
図中、１はアルミナ等の基板、２は発熱体、３は給電す
るためのリード電極、４は酸化防止するための酸化防止
層５ｌｏ２．５はＳ ｉ Ｏｘ→５ｌ−０−Ｃ組成勾配
層→ＳＩＣからなる耐摩耗層を構成している。
るためのリード電極、４は酸化防止するための酸化防止
層５ｌｏ２．５はＳ ｉ Ｏｘ→５ｌ−０−Ｃ組成勾配
層→ＳＩＣからなる耐摩耗層を構成している。
第２図は本発明のスパッタ膜を生成するスパッタ装置の
系統図である０図中、１０はスパッタ室で、スパッタ室
１０はリニアプルリークパルプ１２及び導入弁１３を通
して０２ガス、Ａｒガス導入系が設けられる。また、１
１はメインバルブ、１４は流量計、１５は減圧弁である
。第２図において スパッタ室１０の容積 ：Ｌ 配管内の容積 ：Ｑ スパッタ室１０内の圧力 ：Ｐ（Ａｒの圧力Ｐａ）配管
内の圧力 ：ｐ（Ａｒの圧力ｐａ＞スパッタ室
１０内のＡｒ量： Ｖａ （Ｖａ＝Ｐａ−Ｌ）配管内の
Ａｒ量 ： ｖ ａ （ｖａ＝ｐａ−Ｑ ）以上
の仮定（切り換えにより、各容積、全圧。
系統図である０図中、１０はスパッタ室で、スパッタ室
１０はリニアプルリークパルプ１２及び導入弁１３を通
して０２ガス、Ａｒガス導入系が設けられる。また、１
１はメインバルブ、１４は流量計、１５は減圧弁である
。第２図において スパッタ室１０の容積 ：Ｌ 配管内の容積 ：Ｑ スパッタ室１０内の圧力 ：Ｐ（Ａｒの圧力Ｐａ）配管
内の圧力 ：ｐ（Ａｒの圧力ｐａ＞スパッタ室
１０内のＡｒ量： Ｖａ （Ｖａ＝Ｐａ−Ｌ）配管内の
Ａｒ量 ： ｖ ａ （ｖａ＝ｐａ−Ｑ ）以上
の仮定（切り換えにより、各容積、全圧。
フロー量に変化がない、）より、ＳＩＣの原料物質を第
１の０２ガス中でスパッタリングせしめ、そのスパッタ
膜生成物を基板上に導き、前記第１のＯ，ガス遮断後連
続して第２のＡｒガスを導入すると、下記式から ｄＶａ＝−又旦・Ｆ十−・Ｆ ｄｔ Ｖ ｖこれにより、
Ｐａの切り換え後の時間変化はＰａ＝Ｐ−Ｐ Ｑ−ｐＶ で、本発明の使用装！および標準作成条件では、各定数
は次の通り、 Ｐ ＝ ２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ ｐ −７６０Ｔｏｒｒ Ｌ＝７．５ Ｑ Ｑ ＝０．００８ Ｑ Ｆ ＝ ０．０ＩＴｏｒｒ Ｑ ／ ｓｅｃであり、第
３図にアルゴンガス雰囲気電対時間の前記計算結果を示
し、３０分後には、Ａｒ９５％−０２０，５％のスパッ
タガスとなる。
１の０２ガス中でスパッタリングせしめ、そのスパッタ
膜生成物を基板上に導き、前記第１のＯ，ガス遮断後連
続して第２のＡｒガスを導入すると、下記式から ｄＶａ＝−又旦・Ｆ十−・Ｆ ｄｔ Ｖ ｖこれにより、
Ｐａの切り換え後の時間変化はＰａ＝Ｐ−Ｐ Ｑ−ｐＶ で、本発明の使用装！および標準作成条件では、各定数
は次の通り、 Ｐ ＝ ２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ ｐ −７６０Ｔｏｒｒ Ｌ＝７．５ Ｑ Ｑ ＝０．００８ Ｑ Ｆ ＝ ０．０ＩＴｏｒｒ Ｑ ／ ｓｅｃであり、第
３図にアルゴンガス雰囲気電対時間の前記計算結果を示
し、３０分後には、Ａｒ９５％−０２０，５％のスパッ
タガスとなる。
標準作成法において、切り換え後、３０〜４０分で放電
色がアルゴンの色になっており、前記計算と一致する。
色がアルゴンの色になっており、前記計算と一致する。
このとき、５ｉｎｓ→ｓ ｉ −ｏ−ｃ組成勾配層の厚
さは約０．４μｍの層を形成できる。
さは約０．４μｍの層を形成できる。
以上説明したように本発明は、ＳＩＣの原料物質を第１
の０２ガス中でスパッタリングせしめ、そのスパッタリ
ング生成物を基板上に導°き、前記第１の０２ガス遮断
後、連続して第２のＡｒガスでスパッタリングすること
により、スパッタ中のアルゴン雰囲気ガスが連続的に０
．ガスからＡｒガスに置換することにより、スパッタ生
成膜がＳ ｉ Ｏ＊→Ｓ １−０−Ｃ組成勾配層→Ｓｉ
Ｃと生成されるため、５ｔＯ２により基板との付着力が
強くなるとともに、引張応力も組成勾配層により少々に
緩和され、剥離しにくい膜を構成でき、最終的には摩耗
性の強いＳｉＣ膜を得ることができ、サーマルヘッドの
保護膜として絶大な効果がある。
の０２ガス中でスパッタリングせしめ、そのスパッタリ
ング生成物を基板上に導°き、前記第１の０２ガス遮断
後、連続して第２のＡｒガスでスパッタリングすること
により、スパッタ中のアルゴン雰囲気ガスが連続的に０
．ガスからＡｒガスに置換することにより、スパッタ生
成膜がＳ ｉ Ｏ＊→Ｓ １−０−Ｃ組成勾配層→Ｓｉ
Ｃと生成されるため、５ｔＯ２により基板との付着力が
強くなるとともに、引張応力も組成勾配層により少々に
緩和され、剥離しにくい膜を構成でき、最終的には摩耗
性の強いＳｉＣ膜を得ることができ、サーマルヘッドの
保護膜として絶大な効果がある。
第１図は本発明によるＳｉ、０２およびＳｉＣからなる
サーマルヘッドの保護膜の縦断面図、第２図は本発明の
スパッタ膜を生成するスパッタ装置の系統図、第３図は
置換時間対アルゴン雰囲気量を示す図、第４図は従来の
５ＩＯ２，ＳｉＣ二層構造のサーマルヘッドの縦断面図
である。 １．４１・・・基板 ２．４２・・・発熱体３
．４３・・・リード電極 ４．４４・・・５１０２酸化防止層 ５・・・Ｓ １０ ｘ→５ｉ−０−Ｃ組成勾配層→ＳＩ
Ｃ耐摩耗層 ４５・・・ＳＩＣ耐摩耗層 １０・・・スパッタ室１
１・・・メインバルブ １２・・・リニアプルリークバルブ １３・・・導入弁 １４・・・流量計 １５・・・減圧弁 第１図 第２図
サーマルヘッドの保護膜の縦断面図、第２図は本発明の
スパッタ膜を生成するスパッタ装置の系統図、第３図は
置換時間対アルゴン雰囲気量を示す図、第４図は従来の
５ＩＯ２，ＳｉＣ二層構造のサーマルヘッドの縦断面図
である。 １．４１・・・基板 ２．４２・・・発熱体３
．４３・・・リード電極 ４．４４・・・５１０２酸化防止層 ５・・・Ｓ １０ ｘ→５ｉ−０−Ｃ組成勾配層→ＳＩ
Ｃ耐摩耗層 ４５・・・ＳＩＣ耐摩耗層 １０・・・スパッタ室１
１・・・メインバルブ １２・・・リニアプルリークバルブ １３・・・導入弁 １４・・・流量計 １５・・・減圧弁 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）ＳｉＣの原料物質を第１のＯ＿２ガス中でスパッ
タリングさせ、そのスパッタ生成物を基板上に導き、前
記第１のＯ＿２ガス遮断後、連続して第２のＡｒガスで
スパッタ膜を付着させることを特徴とするＳｉＯ＿２お
よびＳｉＣからなるサーマルヘッドの保護層製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2060589A JPH02200454A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | ＳｉＯ↓２およびＳｉＣからなるサーマルヘッドの保護層製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2060589A JPH02200454A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | ＳｉＯ↓２およびＳｉＣからなるサーマルヘッドの保護層製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02200454A true JPH02200454A (ja) | 1990-08-08 |
Family
ID=12031899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2060589A Pending JPH02200454A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | ＳｉＯ↓２およびＳｉＣからなるサーマルヘッドの保護層製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02200454A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0720223A1 (en) * | 1994-12-30 | 1996-07-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for the production of a semiconductor device having better interface adhesion between dielectric layers |
| EP1195255A1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-04-10 | Rohm Co., Ltd. | Thermal print head and method of manufacture thereof |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP2060589A patent/JPH02200454A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0720223A1 (en) * | 1994-12-30 | 1996-07-03 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for the production of a semiconductor device having better interface adhesion between dielectric layers |
| US6153537A (en) * | 1994-12-30 | 2000-11-28 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Process for the production of a semiconductor device having better interface adhesion between dielectric layers |
| US6531714B1 (en) | 1994-12-30 | 2003-03-11 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Process for the production of a semiconductor device having better interface adhesion between dielectric layers |
| EP1195255A1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-04-10 | Rohm Co., Ltd. | Thermal print head and method of manufacture thereof |
| EP1195255A4 (en) * | 1999-06-15 | 2007-07-18 | Rohm Co Ltd | THERMAL PRESSURE HEAD AND MANUFACTURING METHOD |
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