JPH02198427A - 液晶空間光変調器およびその駆動方法 - Google Patents

液晶空間光変調器およびその駆動方法

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JPH02198427A
JPH02198427A JP1913889A JP1913889A JPH02198427A JP H02198427 A JPH02198427 A JP H02198427A JP 1913889 A JP1913889 A JP 1913889A JP 1913889 A JP1913889 A JP 1913889A JP H02198427 A JPH02198427 A JP H02198427A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光情報処理に用いられる液晶空間光変調器とそ
の駆動方法に関する。
(従来の技術) 液晶空間光変調器は2次元の光情報を並列同時処理でき
ることから、並列光論理素子、あるいは画像演算素子に
応用することができ、将来光コンピュータを構築する上
で重要なキーデバイスとなる可能性を秘めている。
第6図(a)、(b)はそれぞれ従来の液晶空間光変調
器の構造と、等価回路を示す図である。従来の液晶空間
変調器は第6図(a)に示すように、透明電極A601
と、光導電体層602と、遮光膜603と、反射膜60
4とが形成されたガラス基板A605と、透明電極B6
06が形成されたガラス基板B607どの間にネマティ
ック液晶608を挟持し、交流電源609が図のように
接続された構造となっている。ネマティック液晶は、通
常ライスティド・ネマティック(以下TNと略記する)
モードが採用されておりツイスト配向が施される。第6
図(a)においてツイスト配向を得るための配向処理材
の層は省略されている。液晶空間光変調器の動作には直
接関与しないためである。
等価回路は第6図(b)に示すごとく、光導電体層の抵
抗612と、液晶層の抵抗613が交流電源で直列に接
続されたものとなる。光導電体層の抵抗は入力光の強度
により、その抵抗値が変化する為可変抵抗で示されてい
る。
以下に上記液晶空間光変調器の動作原理と駆動方法につ
いて説明する。
第6図において、入力光610が照射された時とされな
い時の光導電体層抵抗612をそれぞれ明抵抗Rph、
暗抵抗Rdとし、また液晶層の抵抗613をRLCとす
ると、Rph、 Rd、 RLCの間には次の関係が成
立するように選ばれている。
Rph<<  RLC<<  Rd   (1)従って
、入力光が照射されない時は交流電源609から供給さ
れる印加電圧の大部分は光導電体層に加わり、液晶層に
は電気光学効果は生じない。逆に入力光が照射された時
は光導電体層の抵抗が下がり印加電圧の大部分は液晶層
に加わり液晶はスイッチングされる。すなわち入力光の
0N10FFにより液晶を0N10FFさせることがで
き、光入出力システムが成立する。
第6図(a)に示すように入力光610はガラス基板A
側から入力され、出力光611は、ガラス基板B側がら
照射した光が反射膜によって反射された光で読み出され
る。この際液晶空間光変調器の両サイドに設置された偏
光板A614と偏光板B615は両者の偏光方向が一致
した平衡ニコルか、もしくは直交したクロスニフルに設
定されており、前者の場合において、入力光を照射した
時出力光が明るい状態を示すブライト・トウルー・ロジ
ック(Bright TrueLogic、以下BTL
と表す)となり、また後者の場合においては入力光を照
射した時出力光が暗い状態を示すダーク・トウルー・ロ
ジック(Dark True Logic、以下DTL
と表す)となる。
光コンピュータを構築する上で鍵を握る素子は光双安定
素子であると言われている。光双安定素子とは光入出力
系において、ある入力状態に対し出力光として安定状態
が2つ存在する素子のことを言う。そして光双安定素子
を発展させ、より具体的な光機能素子としたものの1つ
に光フリツプフロツプ素子が挙げられる。
液晶空間光変調器を用いて光フリツプフロツプ素子を作
ることができる。第7図は前記液晶空間光変調器を用い
たセット・リセット(S−R)光フリツプフロツプ素子
の従来の実現方法をを示したものである(APPLIE
D 0PTIC8vol、 2. No、 13(19
84)pp。
2163)。この方法では液晶空間光変調器A701と
、液晶空間光変調器B702の2つの液晶空間光変調器
を用いている。セット光信号114を液晶空間光変調器
Aに、リセット光信号113を液晶空間光変調器Bに入
力する。そして、液晶空間光変調器Aの出力光はグラン
トントンプソンプリズム703、ハーフミラ−704を
介して、一部は出力光Q711として取り出され、一部
は液晶空間光変調器Bの読み出し光として用いられる。
その読み出しによって読み出された液晶空間光変調器B
の出力光はミラー705、偏光板B709、ミラーC7
07の光学系を用いてフィードバック光としてセット光
信号に加えることにより、S−R光フリップフロップ素
子を実現している。この光フリップフロップ素子は、セ
ット光信号、リセット光信号をパルスで与えることで液
晶の状態を切り替えることができ、光記憶素子として直
接利用することができる。
(発明が解決しようとする課題) 以上説明した従来の液晶空間光変調器を用いたS−R光
フリップフロップ素子においては、液晶材料にネマティ
ック液晶が用いられている。ネマティック液晶の電気光
学応答時間は数十〜数百m5ecであり、前記液晶空間
光変調器の応答時間はネマティック液晶の応答時間に律
速される。すなわち従来型の液晶空間光変調器は応答時
間が数十〜数百m5ecと遅く、液晶空間光変調器を用
いて、より高速に光情報処理を実行する上で上記問題は
大きなネックとなっている。
また液晶空間光変調器を用いた光フリップフロップの従
来の実現方法においては、液晶空間光変調器を2個必要
とし、出力光Qをセット光信号にフィードバックさせる
方法を採用している。この方法では液晶空間光変調器を
2個必要とする他、さらに光フィードバックのために、
グラントンプソンプリズム1個、ハーフミラ−1個、ミ
ラー3個を要し、またそれらを設置するための空間と、
フィードバック光路確保のための空間を要する。これは
素子を大型にし、また製造コストを高くする要因となっ
ている。
強誘電性カイラルスメクテイツク液晶は、ネマティック
液晶に比べて電界に対し高速に応答する。すなわちネマ
ティック液晶が数十〜数百m5ecの応答時間を有する
のに対し、強誘電性液晶はそれよりも2〜3桁速い数十
〜数百psecという高速応答性を示す。従って液晶空
間光変調器の液晶材料として強誘電性液晶を採用すれば
、数十〜数百psecで応答する高速な液晶空間光変調
器を実現することが可能である。さらに強誘電性液晶は
高速性という特徴の外に電気光学双安定性という特徴も
合わせ持っており、その効果を利用すれば光フイードバ
ツクシステムを必要としないS−R光フリップフロップ
素子を実現することができる。
しかしなから、TN液晶が電界の0N10FFでスイッ
チングするのに対し、強誘電性液晶は反転でスイッチす
るため、従来の液晶空間光変調器の構造では強誘電性液
晶をスイッチングすることはできない。
本発明は従来技術の上記問題点を解消した高速応答が可
能で小型、低コストな液晶空間光変調器、及びその駆動
方法を提供することを目的としている。
(課題を解決するための手段) 本発明の液晶空間光変調器は、1つあるいは複数の画素
電極と、その画素電極の異なる端部にそれぞれ形成され
た第1、第2の光導電体層と、前記画素電極と接触する
ことなく前記第1、第2の光導電体層をそれぞれ覆うよ
うに形成された第1、第2の導電性遮光膜と、から成る
第1の透明絶縁基板と、対向電極が形成された第2の透
明絶縁基板と、の間に強誘電性液晶を挟持し、前記対向
電極に対し前記第1、第2の導電性遮光膜がそれぞれ逆
バイアスとなるように第1、第2の直流電源を接続した
ことを特徴とする。
また、1つあるいは複数の画素電極と、その画素電極の
異なる端部にそれぞれ形成された第1、第2の光導電体
層と、前記画素電極と接触することなく前記第1、第2
の光導電体層をそれぞれ覆うように形成された第1、第
2の導電性遮光膜と、から成る第1の透明絶縁基板と、
対向電極が形成された第2の透明絶縁基板と、の間に強
誘電性液晶を挟持し、前記対向電極に対し前記第1、第
2の導電性遮光膜がそれぞれ逆バイアスとなるように第
1、第2の直流電源を接続した液晶空間光変調器の駆動
方法において、前記第1、第2の光導電体層の一方に、
前記第2の透明絶縁基板側からセット光パルス信号を入
力し、前記第1、第2の光導電体層の他方に、前記第2
の透明絶縁体基板側からリセット光パルス信号を入力し
、読み出し光として前記第1の透明絶縁基板側から照射
することを特徴とする液晶空間光変調器の駆動方法であ
る。
(作用) 本発明の液晶空間光変調器、対向電極を基準とした場合
、セット光信号を入力した時と、リセット光信号を入力
した時とで、画素電極の電位が反転する構造になってお
り、強誘電性液晶のスイッチングをセット光信号とリセ
ット光信号で制御することができる。また、セット光信
号、リセット光信号が共に入力されていない時は画素電
極の電位はOvであり、強誘電性液晶は電気光学双安定
性を有しているので、セット光信号、リセット光信号を
入力した時の状態を保持することができる。
故に液晶空間光変調器を用いた高速なS−R光フリップ
フロップ素子を実現することができ、より高速に光情報
を処理することができる。さらにそのS−R光フリップ
フロップ素子は液晶空間光変調器1個のみで実現するこ
とができるだけでなく、光フイードバツクシステムを必
要としない為、液晶空間光変調器を用いたなS−R光フ
リップフロップ素子の小型化、低コスト化も図ることが
できる。
(実施例) 以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
(実施例1) 第1図は本発明の液晶空間光変調器の一実施例を示す図
である。第1図(a)はその液晶空間光変調器の断面構
造を示している。本実施例においては画素数は1である
。画素電極101と、その画素電極の端部を覆うように
形成した光導電体層AlO2と、前記画素点と接触する
ことなく前記光導電体層Aを覆うように形成した導電性
遮光膜AlO3と、前記画素電極の端部と異なる端部を
覆うように形成した光導電体層B104と、前記画素電
極と接触することなく前記光導電体層Bを覆うように導
電性遮光膜B105となら成るガラス基板A106と、
対向電極107を形成したガラス基板B108との間に
強誘電性液晶109を挾んだ構造になっている。外部電
源は対向電極に対し、導電性遮光膜A、 Bがそれぞれ
負バイアス、正バイアスになるように直流電源A110
と直流電源B111が接続されている。
強誘電性液晶に電気光学双安定性を持たせるために、セ
ルギャブはスペーサ112によって、1.5pm程度に
制御されている。
ここで本発明の液晶空間光変調器の心臓部とも言える光
導電体層が形成されたガラス基板Aの平面図と断面図を
それぞれ第2図(a)、(b)に示しておく。
本実施例においては、光導電体層AlO2、及び光導電
体層B104は、画素電極101の一辺を共有する角の
部分に形成されており、導電性遮光膜AlO3、及び導
電性遮光膜B105はそれぞれ光導電体層A及び光導電
体層Bを覆うように形成されている。なお、光導電体層
AlO2、及び光導電体層B104は対角部分に形成し
てもよく、2つの層が重ならなければよい。
線分ABによりガラス基板A106を切断した時の断面
図を同図(b)に示す。前記光導電体材料としてa−8
i: Hを採用した。a−8i: Hを採用した理由は
前記a−8i: H材料が光導電体材料としては高速応
答性を示すことと、可視光領域で高感度を持つからであ
る。可視光領域で高感度を示すということはつまり、可
視画像を処理できる液晶空間光変調器につながる。前記
光導電体層として硫化亜鉛(ZnS)、酸化亜鉛(Zn
O)、硫化カドミウム(CdS)、セレン(Se)を用
いることも可能である。
光導電体層A、及びBは画素電極及び導電性遮光膜A、
 Bとオーミック接触させるために、n+層2o1−R
202−n+層203の3層構造とし、また導電性遮光
膜はCr2O4を用いたが、A1を適用することも可能
である。また前記ガラス基板A上に形成された光導電体
層A1及びBは第2図(b)に於ける中心線205に対
し対称に作製されており、両者とも全く同じ光導電特性
を示す。
第1図(b)は本発明の液晶空間光変調器の等価回路を
示す図である。光導電体層Aの抵抗119、及び光導電
体層Bの抵抗120は、それぞれリセット光信号113
、及びセット光信号114の0N10FFにより、その
抵抗値が変化するため、可変抵抗で示されている。また
、液晶層は抵抗121と容量122の並列接続で示され
ることがわかっており、第1図(b)に示すように接点
A、 Bの間に接続されている。
以下に本発明の液晶空間光変調器の動作原理を第1図(
b)の等価回路を用いて説明する。
液晶層の抵抗をRLC−リセット光信号を光導電体層A
に照射した時の光導電体層Aの抵抗をRpha、照射し
ない時の光導電体層Aの抵抗をRda、セット光信号抵
抗層を光導電体層Bに照射した時の光導電体層Bの抵抗
をRphb、照射しない時の光導電体層Bの抵抗をRd
bとすると、次の関係が成立するように各層の膜厚、及
び不純物濃度が選定されていることを前提とする。
Rpha:Rphb<<RLC<<Rda:Rdb(2
)また直流電源A、及び直流電源Bの電圧は等しくvB
とする。
以下、前記条件のもとで、セット光信号が照射された時
、リセット信号が照射された時、セット光信号、リセッ
ト光信号共に照射されていない時の3つの状態において
、強誘電性液晶層に加わる電圧を求める。
(a)セット光信号が照射された時 セット光信号が光導電体層Bに照射されると、液晶層に
印加される電圧はAを基準とすると、前記等価回路と(
2)式より+■Bvとなる。
(b)リセット光信号が照射された時 リセット光信号が光導電体層Aに照射されると、液晶層
に印加される電圧はA点を基準とすると、前記等価回路
と(2)式より、−vBvとなる。
(C)セット光信号、リセット光信号共に照射されてい
ない時 セット光信号、リセット光信号が共に照射されていない
時、液晶層に印加される電圧は前記等価回路と(2)式
より、OVとなる。
従って、セット光信号、リセット光信号によって液晶層
に加わる電界を正負に切り替えることができ、電界の反
転でスイッチングを起こす強誘電性液晶を駆動すること
ができる。
以上の動作原理より、第1図(a)において、リセット
光信号113をガラス基板A側から光導電体層Aに照射
し、セット光信号114をガラス基板A側から光導電体
層Bに照射し、読み出し光115を偏光板A117、液
晶空間光変調器、偏光板B118の順に透過させ、それ
を出力光とすればセット光信号、リセット光信号によっ
て制御される光出力を得ることができる。この際液晶空
間光変調器の両サイドに設置された偏光板Aと偏光板B
はクロスニコルに設定されている。
次に本実施例の液晶空間光変調器の駆動方法を第3、第
4図を用いて以下に説明する。
第3図(a)〜(d)は本実施例液晶空間光変調器の光
入出力特性を図解解法した図である。(a)、(b)図
、及び(C)、(d)図はそれぞれ前記したBTI、及
びDTLの場合を示しており、これはクロスニコルに設
定されている前記偏光板A、及び偏光板Bを強誘電性液
晶のティルト角、45度だけ回転することにより相互に
変換することができる。
第3図(a)において、x−y平面、及びx−y平面は
同一平面上にあり、液晶印加電圧のセットリセット光強
度依存性示し、またy−z平面は出力光強度の液晶印加
電圧依存性を示している。
x−y平面において、セット光信号強度の増加に対し、
液晶印加電圧はOvから+■Bvまではほぼ直線的に変
化する。また、f−y平面において、リセット光信号強
度の増加に対し、液晶印加電圧は0■から−vBvまで
ほぼ直線的に変化する。一方、本実施例の液晶空間光変
調器においては、強誘電性液晶は電気光学双安定性を示
す為、液晶の電気光学特性はy−z平面に示すごとくな
る。
以上第3図(a)の3次元座標から、x−z平面、及び
x−z平面を同一平面上に表し、セット・リセット光入
出力特性を求めると、第3図(b)に示すように、セッ
ト光信号、リセット光信号が共に照射されていない時、
出力光が2つの安定状態を持っている、一種の光双安定
状態が実現される。
またDTLの場合は第3図(e)の3次元座標から同様
にして第3図(d)の光入出力特性が得られる。
第4図は第3図(b)、(d)に示すセット・リセット
光入出力特性を示す本実施例の液晶空間変調器の光応答
特性を示す図である。
本実施例では、セット時間外、及びセット時間外におい
ては、セット光信号、リセット光信号共に遮断されてお
り、その間液晶印加電圧は0■であり、電気光学双安定
性を有する強誘電性液晶は前の状態を保持している。セ
ット時間においては、第4図(a)に示すようなセット
光信号を第1図(a)のガラス基板A側から光導電体層
Bに入力する。セット光パルスがOFFになった後も出
力光は第4図(C)に示す様次にリセット光パルスが入
力されるまでのT1の期間、セット時の状態保持する。
リセット時間においては、第4図(b)に示すようなリ
セット光信号を第1図(a)のガラス基板A側から光導
電体層Aに入力する。リセット光パルスがOFFになっ
た後も出力光は第4図(C)に示す様に次にセット光パ
ルスが入力されるまでのT2期間、リセット時の状態を
保持する。
一方、DTLの場合、第4図(a)、(b)のセット・
リセット光信号を入力すると第4図(d)に示すごとく
第4図(C)の出力光が反転した光応答が得られる。
以上のように本実施例の液晶空間光変調器においては、
セット・リセット光入出力特性が光双安定性を示し、前
記駆動方法によりセット光パルス、リセット光パルスで
出力光の状態を切り替えることができる。また光パルス
幅は200psecで十分強誘電性液晶をスイッチング
することができ、高速動作も得られる。なお、BTL、
 DTLが2枚の偏光板を45度回転するだけで容易に
得られることは本液晶空間光変調器を光論理素子に適用
する場合非常に有利な点である。
(実施例2) 第5図(a)、(b)は本発明の液晶空間光変調器の一
実施例を示す図である。前記実施例1においては画素数
は1であるが、本実施例は画素数を16(4X4)画素
にした場合の例を示す。
第5図(a)は画素電極101と、光導電体層AlO2
と光導電体層B104と、導電性遮光膜AlO3、及び
導電性遮光膜B105が形成されたガラス基板A106
を画素電極側から見た平面図である。また第5図(b)
は画素電極周辺の拡大図であり、導電性遮光膜A、及び
Bの下にそれぞれ形成されている光導電体層A、及び光
導電体層Bも示している。
第5図(a)において、画素電極の左上の角に光導電体
層Aを覆うように形成された導電性遮光膜Aは接続端子
A301に接続され、また画素電極の左下の角に光導電
体層Bを覆うように形成された導電性遮光膜Bは接続端
子B502に接続されている。さらに接続端子A、及び
接続端子Bはそれぞれ対向電極と直流電源A110、及
び直流電源B111を介して第5図(a)に示すバイア
ス方向で接続されている。
また第5図(B)において線分ABでガラス基板Aを切
断した際の断面図は実施例1に於ける第2図(b)と同
様である。
本実施例においては個々の画素がそれぞれ独立して第1
図(b)に示す等価回路で表され、故に個々の画素を独
立して駆動することができる。すなわち本実施例は実施
例1に比べ、並列処理能力に優れている。
(発明の効果) 以上説明したように本発明の液晶空間光変調器を適用す
れば、光フィードバックを必要としない、ただ1個の液
晶空間光変調器で構成されるS−R光フリップフロップ
を実現することができる。これは従来光フイードバツク
システムで必要としたグラントンプソンプリズム、ミラ
ー等の光学部品を必要とせず、またフィードバック光路
の空間を排除することができ、さらに液晶空間光変調器
を1個分削除することができることから、液晶空間光変
調器を用いたS−R光フリップフロップ素子の小型化、
低コスト化をはかることができる。
また本発明の液晶空間光変調器においては自由らいの液
晶空間光変調器に比べて、2〜3桁速い応答速度が得ら
れ、より高速な光情報処理を実行することが可能となる
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)、第2図(a)、(b)は本発明
の実施例1の液晶空間光変調器の概略図、第3図(a)
〜(d)、4図(a)〜(d)は本発明の実施例1の駆
動方法を示す図、第5図(a)、(b)は本発明の実施
例2の液晶空間光変調器の概略図、第6図(a)、(b
)は従来型の液晶空間光変調器の概略図、第7図は従来
型の液晶空間光変調器を用いたS−R光フリップフロッ
プ素子の概略図である。 図において、101・・・画素電極、102・・・光導
電体層A、103・・・導電性遮光膜A、 104・・
・光導電体層B、105・・・導電性遮光膜B、 10
6・・・ガラス基板A、 107・・・対向電極、10
8・・・ガラス基板B、109・・・強誘電性液晶、1
10・・・直流電源A、111・・・直流電源B、11
3・・・リセット光信号、114・・・セット光信号、
115・・・読み出し光、116・・・出力光、117
・・・偏光板A、118・・・偏光板B、601・・・
透明電極A、602・・・光導電体層、603・・・遮
光膜、604・・・反射膜、605・・・ガラス基板A
、606・・・透明電極B、607・・・ガラス基板B
、 608・・・ネマティック液晶、609・・・交流
電源、610・・・入力光、611・・・出力光、61
4・・・偏光板A、615・・・偏光板B、701・・
・液晶空間光変調器A、702・・・液晶空間変調器B
、 703・・・グラントンプソンプリズム、704・
・・ハーフミラ−1705・・・ミラーA、 706・
・・ミラーB、707・・・ミラーC,708・・・偏
光板A、 709・・・偏光板B、710・・・出力光
Q、711・・・出力光Q、である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)1つあるいは複数の画素電極と、その画素電極の
    異なる端部にそれぞれ形成された第1、第2の光導電体
    層と、前記画素電極と接触することなく前記第1、第2
    の光導電体層をそれぞれ覆うように形成された第1、第
    2の導電性遮光膜と、から成る第1の透明絶縁基板と、
    対向電極が形成された第2の透明絶縁基板と、の間に強
    誘電性液晶を挟持し、前記対向電極に対し前記第1、第
    2の導電性遮光膜がそれぞれ逆バイアスとなるように第
    1、第2の直流電源を接続したことを特徴とする液晶空
    間光変調器。
  2. (2)1つあるいは複数の画素電極と、その画素電極の
    異なる端部にそれぞれ形成された第1、第2の光導電体
    層と、前記画素電極と接触することなく前記第1、第2
    の光導電体層をそれぞれ覆うように形成された第1、第
    2の導電性遮光膜と、から成る第1の透明絶縁基板と、
    対向電極が形成された第2の透明絶縁基板と、の間に強
    誘電性挟持し、前記対向電極に対し前記第1、第2の導
    電性遮光膜がそれぞれ逆バイアスとなるように第1、第
    2の直流電源を接続した液晶空間光変調器の駆動方法に
    おいて、前記第1、第2の光導電体層の一方に、前記第
    2の透明絶縁基板側からセット光パルス信号を入力し、
    前記第1、第2の光導電体層の他方に、前記第2の透明
    絶縁基板側からリセット光パルス信号を入力し、読み出
    し光として前記第1の透明絶縁基板側から照射すること
    を特徴とする液晶空間光変調器の駆動方法。
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