JPH0219703Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0219703Y2 JPH0219703Y2 JP1531382U JP1531382U JPH0219703Y2 JP H0219703 Y2 JPH0219703 Y2 JP H0219703Y2 JP 1531382 U JP1531382 U JP 1531382U JP 1531382 U JP1531382 U JP 1531382U JP H0219703 Y2 JPH0219703 Y2 JP H0219703Y2
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- compensation
- emitting element
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- Expired
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は特に微弱な光の光量を高精度で測定す
る装置に関するものである。
る装置に関するものである。
第１図ａはPNPN接合形発光素子を用いた光
パルス発生回路路の構成図である。PNPN接合
形発光素子（以下、PNPN発光素子という）は、
負性抵抗特性を持つているので、第１図ａに示す
ように外部に抵抗Ｒ、コンデンサＣと電源Ｅを接
続して回路を構成し、前記PNPN発光素子に光
を照射すると光パルスを発生し、該光パルスのく
り返し周波数は、照射光量の強弱に対応して変化
する。
パルス発生回路路の構成図である。PNPN接合
形発光素子（以下、PNPN発光素子という）は、
負性抵抗特性を持つているので、第１図ａに示す
ように外部に抵抗Ｒ、コンデンサＣと電源Ｅを接
続して回路を構成し、前記PNPN発光素子に光
を照射すると光パルスを発生し、該光パルスのく
り返し周波数は、照射光量の強弱に対応して変化
する。
第１図ａにおいて１はPNPN発光素子、２は
入射光を伝送する光フアイバ、３は光パルスを取
出す光フアイバである。PNPN発光素子１へ光
フアイバ２を介して光量がPiの入射光を照射する
とPNPN発光素子１は光パルスを発生するので、
これを光フアイバ３によつて外部に取出す。この
光パルスのくり返し周波数νは、入射光量Piによ
つて変化するがその特性は第１図ｂに示すように
非線形であるため、光パルスくり返し周波数νか
ら光量Piを求めるためには複雑な検出回路を必要
とするとともに光量の測定精度が低い等の問題点
があつた。
入射光を伝送する光フアイバ、３は光パルスを取
出す光フアイバである。PNPN発光素子１へ光
フアイバ２を介して光量がPiの入射光を照射する
とPNPN発光素子１は光パルスを発生するので、
これを光フアイバ３によつて外部に取出す。この
光パルスのくり返し周波数νは、入射光量Piによ
つて変化するがその特性は第１図ｂに示すように
非線形であるため、光パルスくり返し周波数νか
ら光量Piを求めるためには複雑な検出回路を必要
とするとともに光量の測定精度が低い等の問題点
があつた。
本考案は前記のような問題点を解決するため、
被測定光の光量に、光量が既知の補償光の光量を
加算して前記PNPN発光素子へ照射し、発生す
る光パルスのくり返し周波数が所定の値になるよ
うに補償光の光量を調整して、被測定光の光量を
高精度で測定することができるようにしたもので
ある。
被測定光の光量に、光量が既知の補償光の光量を
加算して前記PNPN発光素子へ照射し、発生す
る光パルスのくり返し周波数が所定の値になるよ
うに補償光の光量を調整して、被測定光の光量を
高精度で測定することができるようにしたもので
ある。
第２図ａは本考案の一実施例の構成図、第２図
ｂは第２図ａの実施例の動作説明図である。第２
図ａにおいて、第１図ａの構成図と同一部分につ
いては同一の参照符号を付し、以下、４は補償光
用光フアイバ、５は発光素子、６は受光素子、
Pxは被測定光の光量、Pcは補償光の光量、ν0は
所定の光パルスくり返し周波数である。また第２
図ｂにおいてPoは前記ν0が得られるときの入射
光量である。
ｂは第２図ａの実施例の動作説明図である。第２
図ａにおいて、第１図ａの構成図と同一部分につ
いては同一の参照符号を付し、以下、４は補償光
用光フアイバ、５は発光素子、６は受光素子、
Pxは被測定光の光量、Pcは補償光の光量、ν0は
所定の光パルスくり返し周波数である。また第２
図ｂにおいてPoは前記ν0が得られるときの入射
光量である。
第２図ａ，ｂにおいて被測定光と補償光をそれ
ぞれ、光フアイバ２及び光フアイバ４を介して、
PNPN発光素子１へ照射し光パルスを発生させ
る。このときPNPN発光素子１へ照射される光
量は被測定光の光量Pxと補償光の光量Pcの和で
あるので、所定の光パルスくり返し周波数ν0に対
応する入射光量Poが得られるように補償光の光
量Pcを、該補償光の光源である発光素子５によ
つて調整し、このときの補償光の光量Pcを入射
光量Poから減算して、被測定光の光量Pxを求め
ることができる。
ぞれ、光フアイバ２及び光フアイバ４を介して、
PNPN発光素子１へ照射し光パルスを発生させ
る。このときPNPN発光素子１へ照射される光
量は被測定光の光量Pxと補償光の光量Pcの和で
あるので、所定の光パルスくり返し周波数ν0に対
応する入射光量Poが得られるように補償光の光
量Pcを、該補償光の光源である発光素子５によ
つて調整し、このときの補償光の光量Pcを入射
光量Poから減算して、被測定光の光量Pxを求め
ることができる。
なお、光パルスくり返し周波数ν0の値は光フア
イバ３を通して受光素子６により検出し、監視す
るが、該受光素子６の検出出力をｆ／Ｖ変換し、
発光素子５にフイードバツクする手段を付加し
て、被測定光の光量Pxの時間的変動を自動的に
測定することもできる。
イバ３を通して受光素子６により検出し、監視す
るが、該受光素子６の検出出力をｆ／Ｖ変換し、
発光素子５にフイードバツクする手段を付加し
て、被測定光の光量Pxの時間的変動を自動的に
測定することもできる。
第３図は本考案の他の実施例の構成図で前記の
フイードバツク手段を付加したものである。第３
図においては５′は半導体レーザ或は発光ダイオ
ード等の発光素子、６は受光素子、７は周波数・
電圧変換回路、８は発光素子駆動回路、９はホト
ダイオード、１０は増幅器である。
フイードバツク手段を付加したものである。第３
図においては５′は半導体レーザ或は発光ダイオ
ード等の発光素子、６は受光素子、７は周波数・
電圧変換回路、８は発光素子駆動回路、９はホト
ダイオード、１０は増幅器である。
本実施例においては、測定用光フアイバからの
光パルスを受光素子６に入力し、光パルスくり返
し周波数を検出し、該検出出力を周波数・電圧変
換回路７へ印加し、光パルスのくり返し周波数の
変化を直流電圧変化に変換し、その出力を発光素
子駆動回路８を介して発光素子５′にフイードバ
ツクし、光パルス発生回路が所定のくり返し周波
数で光パルスを発生するように発光素子５′の光
出力を自動調整するとともに、該発光素子５′の
光出力の一部をホトダイオード９により検出する
ようにすれば、被測定光の光量の時間的変動を自
動的に測定することができる。
光パルスを受光素子６に入力し、光パルスくり返
し周波数を検出し、該検出出力を周波数・電圧変
換回路７へ印加し、光パルスのくり返し周波数の
変化を直流電圧変化に変換し、その出力を発光素
子駆動回路８を介して発光素子５′にフイードバ
ツクし、光パルス発生回路が所定のくり返し周波
数で光パルスを発生するように発光素子５′の光
出力を自動調整するとともに、該発光素子５′の
光出力の一部をホトダイオード９により検出する
ようにすれば、被測定光の光量の時間的変動を自
動的に測定することができる。
以上詳細に説明したように、本考案によれば、
光パルス発生回路に被測定光とともに補償光を照
射し、該光パルス発生回路からの光パルスのくり
返し周波数が所定の値ν0になるような補償光の光
量Pcを求めれば、被測定光の光量Pxを簡単に求
めることができるので、光パルス発生回路の入射
光量対光パルスくり返し周波数特性の非直線性に
関係なく高精度の測定ができるという効果があ
る。さらに、被測定発光素子と測定点との信号の
やりとりは光フアイバのみであり、電気的な制御
は不必要になる等の効果もある。
光パルス発生回路に被測定光とともに補償光を照
射し、該光パルス発生回路からの光パルスのくり
返し周波数が所定の値ν0になるような補償光の光
量Pcを求めれば、被測定光の光量Pxを簡単に求
めることができるので、光パルス発生回路の入射
光量対光パルスくり返し周波数特性の非直線性に
関係なく高精度の測定ができるという効果があ
る。さらに、被測定発光素子と測定点との信号の
やりとりは光フアイバのみであり、電気的な制御
は不必要になる等の効果もある。
第１図ａはPNPN接合形発光素子を用いた光
パルス発生回路の構成図、第１図ｂは第１図ａの
回路の特性図、第２図ａは本考案の一実施例の構
成図、第２図ｂは第２図ａの実施例の動作説明
図、第３図は本考案の他の実施例の構成図であ
る。 １……PNPN接合形発光素子、２……被測定
光用光フアイバ、３……測定用光フアイバ、４…
…補償光用光フアイバ、５，５′……発光素子、
６……受光素子、７……周波数・電圧変換回路、
８……発光素子駆動回路、９……ホトダイオー
ド、１０……増幅器。
パルス発生回路の構成図、第１図ｂは第１図ａの
回路の特性図、第２図ａは本考案の一実施例の構
成図、第２図ｂは第２図ａの実施例の動作説明
図、第３図は本考案の他の実施例の構成図であ
る。 １……PNPN接合形発光素子、２……被測定
光用光フアイバ、３……測定用光フアイバ、４…
…補償光用光フアイバ、５，５′……発光素子、
６……受光素子、７……周波数・電圧変換回路、
８……発光素子駆動回路、９……ホトダイオー
ド、１０……増幅器。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 入射する光量に対応して発生する光パルスのく
り返し周波数が変化する光パルス発生回路を用
い、被測定光の光量を測定する光量測定装置にお
いて、 前記光パルスのくり返し周波数が所定の値にな
るよう前記被測定光の光量に、光量が既知の補償
光の光量を加算して照射し、前記光パルスを発生
させる光パルス発生回路と、前記被測定光を伝送
させる被測定光用光フアイバと、前記補償光を発
生させる発光素子と、該補償光を伝送させる補償
光用光フアイバと、前記光パルスを伝送する測定
用光フアイバと、該測定用光フアイバを介して、
伝送される光パルスを受光検出する受光素子とに
より構成したことを特徴とする光量測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1531382U JPS58119736U (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 光量測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1531382U JPS58119736U (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 光量測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119736U JPS58119736U (ja) | 1983-08-15 |
| JPH0219703Y2 true JPH0219703Y2 (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=30027752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1531382U Granted JPS58119736U (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 光量測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119736U (ja) |
-
1982
- 1982-02-08 JP JP1531382U patent/JPS58119736U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58119736U (ja) | 1983-08-15 |
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