JPH02191365A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents
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- JPH02191365A JPH02191365A JP1048594A JP4859489A JPH02191365A JP H02191365 A JPH02191365 A JP H02191365A JP 1048594 A JP1048594 A JP 1048594A JP 4859489 A JP4859489 A JP 4859489A JP H02191365 A JPH02191365 A JP H02191365A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体素子が樹脂封止されてなる半導体装置
およびその製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor element is sealed with resin, and a method for manufacturing the same.
第７図はリードフレーム上に搭載された半導体素子を樹
脂封止する際の金型とリードフレームとの関係を示す平
面図である。この第７図において、リードフレーム（８
）のほぼ中央部に位置するグイパッド（３）上に長方形
状の半導体素子（１）が搭載されている。ダイパッド（
３）は、互いに平行に配設されるリードフレーム（８）
の外枠（２）にそれぞれ吊りリード（７）により連接さ
れ支持されている。FIG. 7 is a plan view showing the relationship between a mold and a lead frame when resin-sealing a semiconductor element mounted on the lead frame. In this Fig. 7, the lead frame (8
) A rectangular semiconductor element (1) is mounted on a guide pad (3) located approximately at the center of the board. Die pad (
3) are lead frames (8) arranged parallel to each other;
are connected and supported by hanging leads (7) to the outer frame (2) of each.
（４）は半導体素子（１）に対向配設されるリードであ
り、この場合、半導体素子（１）の長辺側の両側に複数
配設されており、それぞれ半導体素子（１）に対向する
インナーリード（４ａ）とその反対側に延伸するアウタ
ーリード（４ｂ）とからなる、（５）は各リード（４）
のほぼ中央部で、その直角方向に連接されてリード（４
）を支持するタイバー、（６）は半導体素子（１）の表
面上に形成された電極パッド（図示せず）と各リード（
４）のインナルリード（４ａ）とを電気的に接続させる
、例えば金よりなるワイヤである。(4) is a lead disposed facing the semiconductor element (1); in this case, a plurality of leads are disposed on both sides of the long side of the semiconductor element (1), each facing the semiconductor element (1); Consisting of an inner lead (4a) and an outer lead (4b) extending to the opposite side, (5) is each lead (4).
The lead (4
), and tie bars (6) support electrode pads (not shown) formed on the surface of the semiconductor element (1) and each lead (
It is a wire made of gold, for example, that electrically connects the inner lead (4a) of 4).
このようなリードフレーム（８）に搭載された半導体素
子（１）を樹脂封止するための金型（１ｏ）は第８図に
示すように上金型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）から
なっている、これら上金型（１０ａ）及び下金型（１０
ｂ）には、それぞれ半導体素子（１）を収容するための
矩形状のキャビティハーフ（ｌ１ｍ＞及び（ｌｌｂ＞が
形成されると共に、キャビティハーフ（ｌｌａ）及び（
１１１＋）に導通される溝形状のゲートハーフ（１２ａ
）及び（１２ｂ）が形成されている。これらゲートハー
フ（１２ａ）及び（１２ｂ）のキャビティハーフ（ｌｌ
ａ）及び（ｌｌｂ）への入り口となるゲート口（１３ａ
）及び（１３ｂ）はそれぞれ例えば断面矩形状を有して
いる。A mold (1o) for resin-sealing the semiconductor element (1) mounted on such a lead frame (8) includes an upper mold (10a) and a lower mold (10b) as shown in FIG. These upper mold (10a) and lower mold (10
In b), rectangular cavity halves (l1m> and (llb>) are formed for accommodating the semiconductor element (1), respectively, and cavity halves (lla) and (lla) are formed.
A groove-shaped gate half (12a
) and (12b) are formed. The cavity half (ll) of these gate halves (12a) and (12b)
Gate entrance (13a) which is the entrance to a) and (llb)
) and (13b) each have, for example, a rectangular cross section.
次に、樹脂封止の方法を説明する。まず、半導体素子（
１）がリードフレーム（８）のダイパッド（３）上に載
置された後、このリードフレーム（８）は開状態となっ
ている金型（１ｏ）の上金型（１０ａ）と下金型（１０
ｂ）との間に撮入され、第７図に示すように所定位置に
位置決めされる。その後、上金型（１０ａ）及び下金型
（１０ｂ）がそれぞれ下降及び上昇してきて、第８図の
ようにリードフレーム（８）を挟み込む、このとき、上
金型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）は、リードフレー
ム（８）の各外枠（２）、リード（４）、吊りリード（
７）の一部に当接した状態となる。また、金型（１ｏ）
内には互いに対向するキャビティハーフ（ｌｌａ）及び
（ｌｌｂ）によりキャビティ（１１）が形成され、この
キャビティ（１１）内に半導体素子（１）及びダイパッ
ド（３）が内在することとなる。さらに、一対のゲート
ハーフ（１２ａ）及び（１２ｂ）により管形状のゲート
（１２）が形成され、一対のゲート口（１３ａ）及び（
１３ｂ）よりなるゲート口（１３）を介してキャビティ
（１１）に導通する。Next, a resin sealing method will be explained. First, the semiconductor element (
1) is placed on the die pad (3) of the lead frame (8), this lead frame (8) is placed on the upper mold (10a) and lower mold of the mold (1o) which is in an open state. (10
b) and positioned at a predetermined position as shown in FIG. Thereafter, the upper mold (10a) and the lower mold (10b) descend and rise, respectively, and sandwich the lead frame (8) as shown in FIG. 8. At this time, the upper mold (10a) and the lower mold (10b) indicates each outer frame (2), lead (4), and hanging lead (
7) will come into contact with a part of. Also, mold (1o)
A cavity (11) is formed by cavity halves (lla) and (llb) facing each other, and a semiconductor element (1) and a die pad (3) are contained within this cavity (11). Furthermore, a tube-shaped gate (12) is formed by a pair of gate halves (12a) and (12b), and a pair of gate openings (13a) and (
The cavity (11) is electrically connected to the cavity (11) through the gate port (13) formed by the gate port (13b).
次いで、金型（１０）に形成されたゲート（１２）から
キャビティ（１１）内に向けて熱硬化性の樹脂（１４）
が溶融状悪で所定圧で注入される。この樹脂（１４）は
、ゲー１−（１２）内の一部を上下に分離するように配
置されているリードフレーム（８）の外枠（２）によっ
て、その上側と下側とから、ゲート口（１３）に向けて
進行する。キャビティ（１１）内の空間の多くの領域は
、半導体素子（１）が載置されるダイパッド（３）によ
って上下に分離された空間となっているが、ゲート口（
１３）近傍では。Next, a thermosetting resin (14) is poured into the cavity (11) from the gate (12) formed in the mold (10).
is injected at a predetermined pressure in a bad state. This resin (14) is protected from the upper and lower sides of the gate by the outer frame (2) of the lead frame (8), which is arranged to vertically separate a part of the inside of the gate 1-(12). Proceed towards the mouth (13). Most of the space inside the cavity (11) is vertically separated by the die pad (3) on which the semiconductor element (1) is placed, but the gate opening (
13) In the vicinity.
外枠（２）がないために外枠（２）の上下をそれぞれ進
行してきた樹脂（１４）はここで再び合流する。Since there is no outer frame (2), the resin (14) that has traveled above and below the outer frame (2) joins together again here.
そして、第９図に示す矢印のように樹脂（１４）が注入
され、キャビティ〈１１）は完全に樹脂（１４）で充満
される。Then, the resin (14) is injected as indicated by the arrow shown in FIG. 9, and the cavity <11> is completely filled with the resin (14).
この状態で、キャビティ（１１）内の熱硬化性樹脂（１
４）は所定温度に加熱され、硬化される。その後、上金
型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）がそれぞれ上昇及び
下降し、リードフレーム（８）が金型（１０）内より搬
出される。さらに、次工程でタイバー（５）の切断及び
リード（４）の曲げ等の処理が施され、半導体装置が完
成する。In this state, the thermosetting resin (1
4) is heated to a predetermined temperature and hardened. Thereafter, the upper mold (10a) and the lower mold (10b) are raised and lowered, respectively, and the lead frame (8) is carried out from inside the mold (10). Furthermore, in the next step, the tie bars (5) are cut, the leads (4) are bent, etc., and the semiconductor device is completed.
しかしながら、上述したように、キャビティく１１）内
に注入される樹脂（１４）はゲート（１２）内では外枠
（２）によって上下に分離された状態となっているが、
ゲート口（１３）の近傍では合流してしまう、従って、
ゲート口（１３）の上部と下部とを通過する樹脂（１４
）が、それぞれキャビティ（１１）内の半導体素子（１
）及びグイパッド（３）の上部と下部とに均等に注入さ
れるように制御することは困難であった。このため、リ
ードフレーム（８）の吊りリード（７）の支持強度が小
さかったり、樹脂（１４）の粘度が大きい場合には、第
９図に示すように樹脂（１４）の注入圧によるグイパッ
ド（３）の変形や、半導体素子（１）の位置ずれが生ず
ることがあった。この場合、樹脂封止が完了した段階で
は、半導体素子（１）の電極部とインナーリード（４ａ
）とを接続するワイヤ（６）が断線してしまったり、あ
るいは半導体素子（１）の上部側と下部側とで封止厚に
大きな差を生じて耐湿性の劣化を招いてしまい、半導体
装置の信頼性が低下するという問題点があった。However, as mentioned above, the resin (14) injected into the cavity 11) is separated vertically by the outer frame (2) inside the gate (12);
They merge near the gate entrance (13), therefore,
The resin (14) passes through the upper and lower parts of the gate opening (13).
) are the semiconductor elements (1) in the cavity (11), respectively.
), and it was difficult to control the injection so that it was evenly injected into the upper and lower parts of the Gui pad (3). For this reason, if the support strength of the suspension lead (7) of the lead frame (8) is low or the viscosity of the resin (14) is high, the Gui pad ( 3) deformation or misalignment of the semiconductor element (1) may occur. In this case, when the resin sealing is completed, the electrode part of the semiconductor element (1) and the inner lead (4a
) may break, or there may be a large difference in sealing thickness between the upper and lower sides of the semiconductor element (1), resulting in deterioration of moisture resistance, and the semiconductor device There was a problem in that the reliability of the system decreased.
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法
を得ることを目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and aims to provide a highly reliable semiconductor device and a method for manufacturing the same.
この発明に係る半導体装置は、電極部を有する半導体素
子と、この半導体素子の電極部に電気的に接続されるリ
ードと、金型内に注入された樹脂からなると共に半導体
素子及びリードの一部を封止するパッケージ本体と、こ
のパッケージ本体内に埋設されると共に樹脂封止が行わ
れる際に金型内の半導体素子の上面側及び下面側にそれ
ぞれ樹脂を案内導入させるための樹脂案内部とを備えた
ものである。A semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor element having an electrode part, a lead electrically connected to the electrode part of the semiconductor element, a resin injected into a mold, and a part of the semiconductor element and the lead. a package body for sealing the semiconductor element, and a resin guide part embedded in the package body and for guiding resin to the upper and lower surfaces of the semiconductor element in the mold when resin sealing is performed. It is equipped with the following.
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂封
止時に半導体素子の上面側及び下面側にそれぞれ樹脂を
案内導入させるための樹脂案内部が連接されると共にリ
ードを備えた基体の上に、電極部を有する前記半導体素
子を搭載し、基体のリードと半導体素子の電極部とを電
気的に接続し、基体上に搭載された半導体素子を、半導
体素子が金型のキャビティハーフに対応し且つ基体の樹
脂案内部が金型のゲートハーフに対応するように、一対
の金型の間に位置合わせし、基体の樹脂案内部が金型の
ゲートハーフ間にはさまれてこれらゲートハーフにより
形成されるゲートを上部及び下部に分離すると共に樹脂
案内部の先端部が金型のキャビティハーフにより形成さ
れるキャビティ内に突き出るように、金型を閉じて基体
を金型のパーティング面の間にはさみ、ゲートの上部及
び下部を通して金型内に樹脂を注入する方法である。Further, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, resin guide portions for guiding and introducing resin to the upper surface side and the lower surface side of the semiconductor element are connected to each other at the time of resin sealing, and a resin guide portion is connected to the base body having leads. , the semiconductor element having an electrode part is mounted, the leads of the base body and the electrode part of the semiconductor element are electrically connected, and the semiconductor element mounted on the base body is placed so that the semiconductor element corresponds to the cavity half of the mold. In addition, it is aligned between a pair of molds so that the resin guide part of the base corresponds to the gate half of the mold, and the resin guide part of the base is sandwiched between the gate halves of the mold and The mold is closed and the substrate is inserted between the parting surfaces of the mold so that the gate to be formed is separated into upper and lower parts and the tip of the resin guide protrudes into the cavity formed by the cavity half of the mold. In this method, resin is injected into the mold through the upper and lower parts of the gate using scissors.
この発明においては、樹脂封止時に、基体に設けられた
樹脂案内部が金型のゲートからキャビティ内にわたって
挿設され、これによりゲート及びキャビティの入り口付
近の空間が上下に分離される。In this invention, during resin sealing, a resin guide provided on the base is inserted from the gate of the mold into the cavity, thereby separating the space near the gate and the entrance of the cavity into upper and lower parts.
このため、樹脂は上下に二分された状態でキャビティ内
に入り、そのまま半導体素子の上面側及び下面側に導入
される。Therefore, the resin enters the cavity in a state where it is divided into upper and lower halves, and is directly introduced into the upper and lower surfaces of the semiconductor element.
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
第１図〜第３図によりこの発明の第１の実施例を説明す
る。第１図はこの発明の第１の実施例に係る半導体装置
の樹脂封止の際の金型とリードフレームとの間係を示す
平面図である。リードフレーム（８）のほぼ中央部に位
置するグイパッド（３）上に長方形状の半導体素子（１
）が搭載されている。A first embodiment of the present invention will be explained with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. 1 is a plan view showing the relationship between a mold and a lead frame when resin-sealing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. A rectangular semiconductor element (1) is placed on the Gui pad (3) located approximately in the center of the lead frame (8)
) is installed.
グイパッド（３）は、互いに平行に配設されるリードフ
レーム（８）の外枠（２）にそれぞれ吊りリード〈７）
により連接され支持されている。半導体素子（１）の長
辺側の両側には複数のリード（４）が配設されており、
それぞれ半導体素子（１）に対向するインナーリード（
４＆）とその反対側に延伸するアウターリード（４ｂ）
とからなる、各リード（４）はそのほぼ中央部でタイバ
ー（５）により互いに連接され支持されている。半導体
素子（１）の表面上に形成された電極パッド（図示せず
）と各リード（４）のインナーリード（４ａ）とは例え
ば金よりなるワイヤ（６）によって電気的に接続されて
いる。また、このリードフレーム（８）の外枠（２）の
一部はダイパッド（３）に向かって突出しており、この
突出部が樹脂案内部（１５）を形成している。The Guipad (3) has hanging leads (7) attached to the outer frame (2) of the lead frame (8) which are arranged parallel to each other.
connected and supported by. A plurality of leads (4) are arranged on both sides of the long side of the semiconductor element (1).
Inner leads (
4&) and the outer lead (4b) extending to the opposite side
The leads (4) are connected and supported by a tie bar (5) at approximately the center thereof. Electrode pads (not shown) formed on the surface of the semiconductor element (1) and inner leads (4a) of each lead (4) are electrically connected by wires (6) made of, for example, gold. Moreover, a part of the outer frame (2) of this lead frame (8) protrudes toward the die pad (3), and this protrusion forms a resin guide part (15).
このようなリードフレーム（８）に搭載された半導体素
子（１）を樹脂封止するための金型（１０）は第７図〜
第９図に示した従来のものと同様の上金型（１０ｍ）及
び下金型（１０ｂ）からなっている、すなわち、上金型
（１０ｍ）及び下金型（１０ｂ）には、それぞれ半導体
素子（１）を収容するための矩形状のキャビティハーフ
（ｌ１ｍ）及び（ｌｌｂ）が形成されると共に、キャビ
ティハーフ（ｌ１ｍ＞及び（ｌｌｂ）に導通される溝形
状のゲートハーフ（１２ａ）及び（１２ｂ）が形成され
ている。これらゲートハーフ（１２ａ）及び（１２ｂ）
のキャビティハーフ（ｌｌａ）及び（ｌｌｂ＞への入り
口となるゲート口（１３ｍ）及び（１３ｂ）はそれぞれ
例えば断面矩形状を有している。The mold (10) for resin-sealing the semiconductor element (1) mounted on such a lead frame (8) is shown in FIGS.
It consists of an upper mold (10 m) and a lower mold (10b) similar to the conventional one shown in FIG. Rectangular cavity halves (l1m) and (llb) for accommodating the element (1) are formed, and groove-shaped gate halves (12a) and (12a) which are electrically connected to the cavity halves (l1m> and (llb)) are formed. 12b) are formed.These gate halves (12a) and (12b)
The gate openings (13m) and (13b), which are the entrances to the cavity halves (lla) and (llb>), each have a rectangular cross-section, for example.
次に、樹脂封止の方法を説明する。まず、半導体素子（
１）がリードフレーム（８）のグイパッド（３）上に載
置された後、このリードフレーム（８）は開状態となっ
ている金型（１０）の上金型（１０ａ）と下金型（１０
ｂ）との間に搬入され、第１図に示すように所定位置に
位置決めされる。このとき、リードフレーム（８）の樹
脂案内部（１５）は、下金型（１０ｂ）のゲートハーフ
（１２ｂ）及びゲート口（１３ｂ）の上に位置してこれ
らを覆うと共に樹脂案内部（１５）の先端部は下金型（
１０ｂ）のキャビティハーフ（ｌｌｂ）の上にまで延出
する。Next, a resin sealing method will be explained. First, the semiconductor element (
1) is placed on the Gui pad (3) of the lead frame (8), this lead frame (8) is placed on the upper mold (10a) and lower mold of the mold (10) which is in an open state. (10
b) and positioned at a predetermined position as shown in FIG. At this time, the resin guide part (15) of the lead frame (8) is positioned above and covers the gate half (12b) and gate opening (13b) of the lower mold (10b), and the resin guide part (15) ) is the tip of the lower mold (
10b) above the cavity half (llb).
その後、上金型（１０ｍ）及び下金型（１０ｂ）がそれ
ぞれ下降及び上昇してきて、第２図のようにリードフレ
ーム（８）を挟み込む、このとき、上金型（１０ｍ）及
び下金型（１０ｂ）は、リードフレーム（８）の各外枠
（２）、リード（４）、吊りリード（７）の一部に当接
した状態となる。また、金型（１０）内には互いに対向
するキャビティハーフ（ｌｌａ）及び（ｌｌｂ）により
キャビティ（１１）が形成され、このキャビティ（１１
）内に半導体素子（１）及びグイパッド（３）が内在す
ることとなる。さらに、−対のゲートハーフ（１２ａ）
及び（１２ｂ）により管形状のゲート（１２）が形成さ
れ、一対のゲート口（１３ｍ＞及び（１３ｂ）よりなる
ゲート口（１３）を介してキャビティ（１１）に導通す
る。さらに、キャビティ（１１）の一部にリードフレー
ムく８）の樹脂案内部（１５）の先端部が挿入され、こ
の樹脂案内部（１５）がゲート口（１３）を介してゲー
ト（１２）の一部にわたって配設される状態となる。こ
れにより、ゲート口（１３）の近傍の空間が上下に分離
される状態となる。After that, the upper mold (10 m) and the lower mold (10b) descend and rise, respectively, and sandwich the lead frame (8) as shown in Fig. 2. At this time, the upper mold (10 m) and the lower mold (10b) is in contact with a portion of each outer frame (2), lead (4), and hanging lead (7) of the lead frame (8). Further, a cavity (11) is formed in the mold (10) by cavity halves (lla) and (llb) facing each other, and this cavity (11)
) the semiconductor element (1) and the guide pad (3) are present within the space. Furthermore, -pair of gate halves (12a)
and (12b) form a tube-shaped gate (12), which is electrically connected to the cavity (11) through a gate port (13) consisting of a pair of gate ports (13m> and (13b)).Furthermore, the cavity (11 ) The tip of the resin guide part (15) of the lead frame 8) is inserted into a part of the lead frame (8), and this resin guide part (15) is arranged over a part of the gate (12) via the gate opening (13). It will be in a state where it is As a result, the space near the gate opening (13) is separated into upper and lower sections.
次いで、金型（１０）に形成されたゲート（１２）から
キャビティ（１１）内に向けて熱硬化性の樹脂（１４）
が溶融状態で所定圧で注入される。この樹脂（１４）は
、ゲート（１２）の途中からリードフレーム（８）の外
枠（２）及び樹脂案内部（１５）によって上下に分離さ
れつつゲート口（１３）に向けて進行する。ゲート口（
１３）からキャビティ（１１）内に注入された樹脂（１
４）はさらに樹脂案内部（１５）によって上下に分離し
つつ進行し、第３図に示す矢印方向の流れのように、上
金型（１０ｍ）のゲートハーフ（１２ｍ）及びゲート口
（１３ｍ）を通過した樹脂（１４）はキャビティ（１１
）内の半導体素子（１）の上部に導入され、一方下金型
（１０ｂ）のゲートハーフ（１２ｂ）及びゲート口（１
３ｂ）を通過した樹脂（１４）はキャビティ（１１）内
の半導体素子（１）の下部へと導入される。このように
樹脂案内部（１５）はキャビティ（１１）内への樹脂（
１４）の流れを制御するよう働き、樹脂（１４）は半導
体素子（１）の上部及び下部にほぼ均等に配分されて注
入される。Next, a thermosetting resin (14) is poured into the cavity (11) from the gate (12) formed in the mold (10).
is injected in a molten state at a predetermined pressure. This resin (14) is separated into upper and lower parts from the middle of the gate (12) by the outer frame (2) of the lead frame (8) and the resin guide part (15) and advances toward the gate opening (13). Gate entrance (
The resin (1) injected into the cavity (11) from
4) further advances while being separated into upper and lower parts by the resin guide part (15), and as shown in the flow in the direction of the arrow shown in Fig. 3, the gate half (12 m) and the gate opening (13 m) of the upper mold (10 m) The resin (14) that has passed through the cavity (11
) and the gate half (12b) and gate opening (1) of the lower mold (10b).
The resin (14) that has passed through 3b) is introduced into the lower part of the semiconductor element (1) within the cavity (11). In this way, the resin guide part (15) guides the resin (
14), the resin (14) is injected into the upper and lower parts of the semiconductor element (1) in a substantially evenly distributed manner.
そして、キャビティく１１）内が完全に樹脂（１４）で
充満されると、キャビティ（１１）内の熱硬化性樹脂（
１４）は所定温度に加熱されて硬化される。その後、上
金型（１０ａ）及び下金型（１０ｂ）がそれぞれ上昇及
び下降し、リードフレーム（８）が金型（１０）内より
搬出される。さらに、次工程でタイバー（５）の切断、
樹脂案内部（１５）の切断及びリード（４）の曲げ等の
処理が施され、半導体装置が完成する。When the inside of the cavity (11) is completely filled with the resin (14), the thermosetting resin (14) inside the cavity (11)
14) is heated to a predetermined temperature and hardened. Thereafter, the upper mold (10a) and the lower mold (10b) are raised and lowered, respectively, and the lead frame (8) is carried out from inside the mold (10). Furthermore, in the next process, the tie bar (5) is cut,
Processes such as cutting the resin guide portion (15) and bending the leads (4) are performed to complete the semiconductor device.
このようにして形成された半導体装置は、樹脂（１４）
が半導体素子（１）の上側と下側とに均等に注入される
ため、この樹脂封止時に半導体素子（１）の位置ずれや
リードフレーム（８）の変形が生することがない、その
ため、半導体素子（１）の上側と下側とで封止用樹脂（
１４）の厚みに差を生じたり、ワイヤ（６）が断線した
りすることが抑制され、好適な封止が行われることにな
る。従って、信頼性の高い半導体装置が得られる効果が
ある。The semiconductor device thus formed is made of resin (14).
is evenly injected into the upper and lower sides of the semiconductor element (1), so there is no misalignment of the semiconductor element (1) or deformation of the lead frame (8) during this resin sealing. The sealing resin (
14) and breakage of the wire (6) are suppressed, and suitable sealing is achieved. Therefore, there is an effect that a highly reliable semiconductor device can be obtained.
尚、金型（１０）のゲート（１２）及びゲート口（１３
）を上下に分離させるためにリードフレーム（８）の樹
脂案内部（１５）はゲート（１２）の平面寸法より大き
な寸法に形成されるが、その形状は第１図に示した矩形
に限るものではない。In addition, the gate (12) and gate opening (13) of the mold (10)
) The resin guide part (15) of the lead frame (8) is formed to have a dimension larger than the planar dimension of the gate (12) in order to separate the gate (12) into upper and lower parts, but its shape is limited to the rectangular shape shown in Fig. 1. isn't it.
さらに、第４図に示すように、下金型（１０ｂ）のゲー
トハーフ（１２ｂ）の上に位置するリードフレーム（８
）の外枠（２）の幅をグイパッド（３）側に広くして下
金型（１０ｂ）のキャビティハーフ（１１１Ｉ）の上に
まで延出させ、この外枠（２）の部分を樹脂案内部（１
５ａ）とすることもできる、このようにすれば、金型（
１０）のキャビティ（１１）のより大きな部分が樹脂案
内部（１５ｍ）によって上下に分層されることとなるの
で、樹脂封止時における樹脂（１４）の流れの制御がさ
らに正確に行なわれる。Furthermore, as shown in FIG. 4, the lead frame (8) located above the gate half (12b) of the lower mold (10b)
), the width of the outer frame (2) is widened toward the Guipad (3) side so that it extends above the cavity half (111I) of the lower mold (10b), and this outer frame (2) part is used as a resin guide. Part (1
5a). If you do this, the mold (
Since the larger portion of the cavity (11) of 10) is divided into upper and lower layers by the resin guide portion (15m), the flow of the resin (14) during resin sealing can be more accurately controlled.
第５図はこの発明の他の実施例による樹脂封止の状態を
示す断面図である。この半導体装置では、半導体素子（
１）の電極がバンプ電極で形成されており、その電極が
例えばポリイミド等よりなり可撓性を有する絶縁フィル
ム（１７）上に形成されるリード（４）のインナーリー
ド部（４ａ）に直接、電気的に接続されるようになされ
ている。フィルム（１７）の中央部に半導体素子（１）
を収容するための矩形状の開口部（１８）が設けられ、
この開口部（１８）の外周部に複数のアウターリードホ
ール（１９）が設けられている。各リード（４）は開口
部（１８）とアウターリードホール（１９）との間のサ
ポート部（２０）により支持されている。また、サポー
ト部（２０）は互いに隣接するアウターリードホール〈
１９）の間に位置するブリッジング部（２１）によりこ
のフィルム（１７）に支持されている。FIG. 5 is a sectional view showing a state of resin sealing according to another embodiment of the present invention. In this semiconductor device, the semiconductor element (
The electrode of 1) is formed of a bump electrode, and the electrode is made of polyimide or the like and is directly applied to the inner lead portion (4a) of the lead (4) formed on the flexible insulating film (17). It is designed to be electrically connected. Semiconductor element (1) in the center of the film (17)
A rectangular opening (18) is provided for accommodating the
A plurality of outer lead holes (19) are provided on the outer periphery of this opening (18). Each lead (4) is supported by a support part (20) between the opening (18) and the outer lead hole (19). Further, the support portion (20) has outer lead holes adjacent to each other.
This film (17) is supported by a bridging portion (21) located between the film (19).
このようなフィルム（１７）が載置される下金型（１０
ｂ）のゲートハーフ（１２ｂ）はフィルム（１７）のブ
リッジング部（２１）のうちの一つの下に位置するよう
に形成されている。そして、このゲートハーフ（１２ｂ
）の上に位置するブリッジング部（２１）はゲートハー
フ（１２ｂ）を覆うように他のブリッジング部（２１）
より幅広く形成され、この幅広いブリッジング部（２１
）とこれに接続されるサポート部（２０）とによりこの
実施例の樹脂案内部（１５ｂ）を構成している。A lower mold (10) on which such a film (17) is placed
The gate half (12b) of b) is formed so as to be located below one of the bridging parts (21) of the film (17). And this gate half (12b
) The bridging part (21) located above the other bridging part (21) covers the gate half (12b).
This wide bridging part (21
) and the support part (20) connected thereto constitute the resin guide part (15b) of this embodiment.
樹脂封止時には、第６図に示すように、半導体素子（１
）が装着されたフィルム（１７）が金型（１０）の上金
型（１０ｍ）と下金型（１０ｂ）との間に設置され、上
金型（１０ｍ）のゲートハーフ（１２ａ）及び下金型（
１０ｂ）のゲートハーフ（１２ｂ）により形成されるゲ
ート（１２）からキャビティ（１１）内に樹脂（１４）
が注入される。At the time of resin sealing, as shown in FIG.
) is installed between the upper mold (10 m) and the lower mold (10b) of the mold (10), and the film (17) is installed between the upper mold (10 m) and the lower mold (10 b) of the upper mold (10 m). Mold(
10b) into the cavity (11) from the gate (12) formed by the gate half (12b).
is injected.
この場合、樹脂〈１４）は樹脂案内部（１５ｂ）により
金型（１０）のゲー）（１２）内を上下に分離されつつ
キャビティ（１１）内に導入される。従って、半導体素
子（１）の上側と下側とに均等に樹脂（１４）が注入さ
れ、信頼性の高い半導体装置が得られることになる。In this case, the resin (14) is introduced into the cavity (11) while being separated into upper and lower parts of the gage (12) of the mold (10) by the resin guide part (15b). Therefore, the resin (14) is evenly injected into the upper and lower sides of the semiconductor element (1), resulting in a highly reliable semiconductor device.
以上のようにこの発明によれば、樹脂が金型のゲートに
注入されると、樹脂案内部で上下に分離され、キャビテ
ィ内で半導体素子の上側と下側とに均等に注入されるこ
とになる。従って、半導体素子及びリードフレームやフ
ィルムが不均等な力を受けることがない。As described above, according to the present invention, when resin is injected into the gate of the mold, it is separated into upper and lower parts by the resin guide part, and is evenly injected into the upper and lower sides of the semiconductor element within the cavity. Become. Therefore, the semiconductor element, lead frame, and film are not subjected to uneven forces.
なお、上記の各実施例においては、上金型（１０８）の
ゲート口（１３ａ）及び下金型（１０ｂ）のゲート口（
１３ｂ）が互いに断面矩形状を呈して対向し、これらが
樹脂案内部（１５）、（１５ａ）あるいは（１５ｂ）に
より上下に分離されるような構成の金型（１０）を用い
たが、これに限定されるものではなく、キャビティ（１
１）の上部及び下部に均等に樹脂（１４）が導入されれ
ば、金型（１０）におけるゲート口（１３）の断面、平
面形状及び寸法等は適宜設定することができる。In each of the above embodiments, the gate opening (13a) of the upper mold (108) and the gate opening (13a) of the lower mold (10b) are
13b) are opposed to each other with a rectangular cross section, and are vertically separated by the resin guide portion (15), (15a) or (15b). The cavity (1
1), the cross section, planar shape, dimensions, etc. of the gate opening (13) in the mold (10) can be appropriately set.
以上説明したようにこの発明に係る半導体装置は、電極
部を有する半導体素子と、この半導体素子の電極部に電
気的に接続されるリードと、金型内に注入された樹脂か
らなると共に半導体素子及びリードの一部を封止するパ
ッケージ本体と、このバラゲージ本体内に埋設されると
共に樹脂封止が行われる際に金型内の半導体素子の上面
側及び下面側にそれぞれ樹脂を案内導入させるための樹
脂案内部とを備えているので、金型内における樹脂封止
時に樹脂が半導体素子の上面側と下面側とに均等に注入
され、半導体装置としての信頼性の向上が図られている
。As explained above, the semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor element having an electrode part, a lead electrically connected to the electrode part of this semiconductor element, and a resin injected into a mold. and a package body for sealing a part of the leads, and a package body that is embedded in the package body and for guiding resin to the upper and lower surfaces of the semiconductor element in the mold when resin sealing is performed. Since the semiconductor device is equipped with a resin guide portion, the resin is evenly injected into the upper surface side and the lower surface side of the semiconductor element during resin sealing in the mold, thereby improving the reliability of the semiconductor device.
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂封
止時に半導体素子の上面側及び下面側にそれぞれ樹脂を
案内導入させるための樹脂案内部が連接されると共にリ
ードを備えた基体の上に、電極部を有する前記半導体素
子を搭載し、基体のリードと半導体素子の電極部とを電
気的に接続し、基体上に搭載された半導体素子を、半導
体素子が金型のキャビティハーフに対応し且つ基体の樹
脂案内部が金型のゲートハーフに対応するように、一対
の金型の間に位置合わせし、基体の樹脂案内部が金型の
ゲートハーフ間にはさまれてこれらゲートハーフにより
形成されるゲートを上部及び下部に分離すると共に樹脂
案内部の先端部が金型のキャビティハーフにより形成さ
れるキャビティ内に突き出るように、金型を関して基体
を金型のパーティング面の間にはさみ、ゲートの上部及
び下部を通して金型内に樹脂を注入する方法であるので
、樹脂封止時に金型内に注入された樹脂によって半導体
素子が悪影響を受けることが防止され、信頼性の高い半
導体装置を製造することが可能となる。Further, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, resin guide portions for guiding and introducing resin to the upper surface side and the lower surface side of the semiconductor element are connected to each other at the time of resin sealing, and a resin guide portion is connected to the base body having leads. , the semiconductor element having an electrode part is mounted, the leads of the base body and the electrode part of the semiconductor element are electrically connected, and the semiconductor element mounted on the base body is placed so that the semiconductor element corresponds to the cavity half of the mold. In addition, it is aligned between a pair of molds so that the resin guide part of the base corresponds to the gate half of the mold, and the resin guide part of the base is sandwiched between the gate halves of the mold and The substrate is placed between the parting surfaces of the mold so that the gate to be formed is separated into upper and lower parts and the tip of the resin guide protrudes into the cavity formed by the cavity half of the mold. This method injects resin into the mold through the upper and lower parts of the gate, which prevents the semiconductor element from being adversely affected by the resin injected into the mold during resin sealing, resulting in high reliability. It becomes possible to manufacture semiconductor devices.
第１図はこの発明の第１の実施例に係る半導体装置の樹
脂封止の際の金型どリードフレームとの関係を示す平面
図、
第２図及び第３図はそれぞれ樹脂封止工程時における第
１図の１−１線断面図、
第４図はこの発明の第２の実施例に係る半導体装置の樹
脂封止の際の金型とリードフレームとの関係を示す平面
図、
第５図はこの発明の第３の実施例に係る半導体装置の樹
脂封止の際の金型とフィルムとの関係を示す平面図、
第６図は樹脂封止工程時における第５図のｎ−■線断面
図、
第７図は従来の半導体装置における樹脂封止時の金型と
リードフレームとの関係を示す平面図、第８図及び第９
図はそれぞれ樹脂封止工程時における第７図のト］線断
面図である。
図において、（１）は半導体素子、（２）は外枠、（３
）はダイパッド、（４）はリード、（６）はワイヤ、（
８）はリードフレーム、（１０）は金型、（１１）はキ
ャビティ、（１２）はゲート、（１４）は樹脂、（１５
）、（１５ａ）及び（１５ｂ）は樹脂案内部、（１７）
はフィルムである。
なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
第１図
１゛牛聯休宗子
４ リード
６ ワイヤ
８、リードフレーム
ｒ５ ａ１脂’Ｘ’ｎｉFIG. 1 is a plan view showing the relationship between the mold and the lead frame during resin encapsulation of a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are respectively during the resin encapsulation process. FIG. 4 is a plan view showing the relationship between a mold and a lead frame when resin-sealing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention; The figure is a plan view showing the relationship between the mold and the film when resin-sealing a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a line sectional view, FIG. 7 is a plan view showing the relationship between a mold and a lead frame during resin sealing in a conventional semiconductor device, and FIGS. 8 and 9 are
Each figure is a sectional view taken along the line T] in FIG. 7 during the resin sealing process. In the figure, (1) is the semiconductor element, (2) is the outer frame, and (3) is the semiconductor element.
) is the die pad, (4) is the lead, (6) is the wire, (
8) is a lead frame, (10) is a mold, (11) is a cavity, (12) is a gate, (14) is a resin, (15)
), (15a) and (15b) are resin guide parts, (17)
is a film. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts. Figure 1 1゛Ulian Xiu Zongzi 4 Lead 6 Wire 8, Lead frame r5 A1 fat 'X'ni
Claims (2)
、 金型内に注入された樹脂からなると共に前記半導体素子
及び前記リードの一部を封止するパッケージ本体と、 前記パッケージ本体内に埋設されると共に樹脂封止が行
われる際に前記金型内の前記半導体素子の上面側及び下
面側にそれぞれ前記樹脂を案内導入させるための樹脂案
内部と を備えたことを特徴とする半導体装置。(1) Consisting of a semiconductor element having an electrode part, a lead electrically connected to the electrode part of the semiconductor element, and a resin injected into a mold, the semiconductor element and part of the lead are sealed. a resin guide part embedded in the package body and for guiding the resin to the upper surface side and the lower surface side of the semiconductor element in the mold when resin sealing is performed; A semiconductor device characterized by comprising:
ティハーフとこのキャビティハーフに接続されたゲート
ハーフとが形成された一対の金型を用いて半導体装置を
製造する方法であって、樹脂封止時に半導体素子の上面
側及び下面側にそれぞれ樹脂を案内導入させるための樹
脂案内部が連接されると共にリードを備えた基体の上に
、電極部を有する前記半導体素子を搭載し、 前記基体のリードと前記半導体素子の電極部とを電気的
に接続し、 前記基体上に搭載された前記半導体素子を、前記半導体
素子が前記金型のキャビティハーフに対応し且つ前記基
体の樹脂案内部が前記金型のゲートハーフに対応するよ
うに、前記一対の金型の間に位置合わせし、 前記基体の前記樹脂案内部が前記金型のゲートハーフ間
にはさまれてこれらゲートハーフにより形成されるゲー
トを上部及び下部に分離すると共に前記樹脂案内部の先
端部が前記金型のキャビティハーフにより形成されるキ
ャビティ内に突き出るように、前記金型を閉じて前記基
体を前記金型のパーティング面の間にはさみ、 前記ゲートの上部及び下部を通して前記金型内に樹脂を
注入する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。(2) A method for manufacturing a semiconductor device using a pair of molds in which a cavity half and a gate half connected to the cavity half are formed on mutually opposing parting surfaces. The semiconductor element having an electrode part is mounted on a base body which is connected to a resin guide part for guiding and introducing resin to the upper surface side and the lower face side of the element and is provided with leads, The semiconductor element mounted on the base is electrically connected to the electrode part of the semiconductor element, and the semiconductor element is connected to the cavity half of the mold, and the resin guide part of the base is connected to the cavity half of the mold. Align between the pair of molds so as to correspond to the gate halves, and the resin guide portion of the base body is sandwiched between the gate halves of the mold so that the gate formed by these gate halves is placed in the upper part. and the mold is closed, and the base body is placed between the parting surfaces of the mold, so that the resin guide part protrudes into the cavity formed by the cavity half of the mold. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: injecting resin into the mold through the upper and lower parts of the gate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048594A JP2505569B2 (en) | 1988-10-20 | 1989-03-02 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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| JP63-265473 | 1988-10-20 | ||
| JP26547388 | 1988-10-20 | ||
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02191365A true JPH02191365A (en) | 1990-07-27 |
| JP2505569B2 JP2505569B2 (en) | 1996-06-12 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2505569B2 (en) |
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