JPH02191332A - 電子部品 - Google Patents
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- JPH02191332A JPH02191332A JP1010927A JP1092789A JPH02191332A JP H02191332 A JPH02191332 A JP H02191332A JP 1010927 A JP1010927 A JP 1010927A JP 1092789 A JP1092789 A JP 1092789A JP H02191332 A JPH02191332 A JP H02191332A
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、LSIチップなどの半導体部品、液晶表示板
、感熱印字ヘッド基板、セラミック回路部品のような電
子部品に関する。
、感熱印字ヘッド基板、セラミック回路部品のような電
子部品に関する。
(従来の技術)
一般に半導体チップやこれを取付けるセラミックなどの
絶縁基板には、必ず配線のための導体回路が形成されて
いる。そしてこのような導体回路においては、高い導電
性の他にしてボンディング性、密着性、耐熱性が良好で
あることが要求され、特にLSIチップおよびこれとの
接続部分においては、高密度配線が可能であることが要
求されている。
絶縁基板には、必ず配線のための導体回路が形成されて
いる。そしてこのような導体回路においては、高い導電
性の他にしてボンディング性、密着性、耐熱性が良好で
あることが要求され、特にLSIチップおよびこれとの
接続部分においては、高密度配線が可能であることが要
求されている。
従来からこのような回路を形成する導体としては、アル
ミニウム等の蒸着膜や電解または無電解メツキによる金
属メツキ膜が使用されている。
ミニウム等の蒸着膜や電解または無電解メツキによる金
属メツキ膜が使用されている。
しかしこのような回路導体は、形成に高価な設備や多く
の工程を必要とするため、製造コストが高くつき工業的
に必ずしも経済的な材料とはいえなかった。
の工程を必要とするため、製造コストが高くつき工業的
に必ずしも経済的な材料とはいえなかった。
また近年配線などの高密度化の要請に伴い、半導体チッ
プ上にバンブと呼ばれる突起状の電極を設け、チップを
裏返してフェースダウンボンディング方式で外部回路へ
接続する方法も採られている。
プ上にバンブと呼ばれる突起状の電極を設け、チップを
裏返してフェースダウンボンディング方式で外部回路へ
接続する方法も採られている。
しかしこのようなバンブによる接続方式は、多数の電極
を一括して接続することができるので、量産性が高いと
いう利点を有する反面、従来はバンブの形成が、真空蒸
着法や電気メツキ法または化学メツキ法で行われていた
ため、製造コストが高いという問題があった。
を一括して接続することができるので、量産性が高いと
いう利点を有する反面、従来はバンブの形成が、真空蒸
着法や電気メツキ法または化学メツキ法で行われていた
ため、製造コストが高いという問題があった。
またバンブの形成については、例えば特願昭58−28
175号公報に開示されているように、半導体装置に導
電性ペーストの印刷によってノ1ンダバンブを形成する
方法も行われている。
175号公報に開示されているように、半導体装置に導
電性ペーストの印刷によってノ1ンダバンブを形成する
方法も行われている。
さらにこれと類似の方法で形成された半導体部品として
、第6図に示すように、シリコンチップ1のような半導
体チップの上に薄膜形成したアルミニウム電極2上に、
銀などの金属粒子3を含む樹脂バンブ4を、導電性ペー
ストを印刷することによって形成したものが開発されて
いる。
、第6図に示すように、シリコンチップ1のような半導
体チップの上に薄膜形成したアルミニウム電極2上に、
銀などの金属粒子3を含む樹脂バンブ4を、導電性ペー
ストを印刷することによって形成したものが開発されて
いる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながらこのような半導体部品においては、粒径が
1〜数10μ■と不均一な大きさの金属粒子を使用し、
かつ樹脂による固着を行っているため、樹脂バンブ4に
高さの不揃いやにじみ5などが生じやすかった。そのた
めこれを外部の回路基板などに実装した場合に、電気的
な接続不良や絶縁不良、あるいはマイグレーションなど
を起こすおそれがあった。
1〜数10μ■と不均一な大きさの金属粒子を使用し、
かつ樹脂による固着を行っているため、樹脂バンブ4に
高さの不揃いやにじみ5などが生じやすかった。そのた
めこれを外部の回路基板などに実装した場合に、電気的
な接続不良や絶縁不良、あるいはマイグレーションなど
を起こすおそれがあった。
本発明はこれらの問題を解決するためになされたもので
、導電性、表面の平滑性、密告性、膜厚の均一性などを
兼ね備えた厚膜導体で導体部の少なくとも一部が構成さ
れ、かつ製造コストの安い電子部品を提供することを目
的とする。
、導電性、表面の平滑性、密告性、膜厚の均一性などを
兼ね備えた厚膜導体で導体部の少なくとも一部が構成さ
れ、かつ製造コストの安い電子部品を提供することを目
的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明の電子部品は、半導体チップあるいは絶縁基板上
に導体部を形成してなる電子部品において、前記導体部
の少なくとも一部が、金、銀、パラジウム、白金、ロジ
ウム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン、タングス
テン、クロム、チタンから選ばれた1種または2種以上
の金属単体、またはこれらの炭化物、酸化物、窒化物で
粒径がほぼ0.1μ瓢以下の超微細粒子を、貴金属薄膜
によって固着してなる厚膜導体であることを特徴として
いる。
に導体部を形成してなる電子部品において、前記導体部
の少なくとも一部が、金、銀、パラジウム、白金、ロジ
ウム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン、タングス
テン、クロム、チタンから選ばれた1種または2種以上
の金属単体、またはこれらの炭化物、酸化物、窒化物で
粒径がほぼ0.1μ瓢以下の超微細粒子を、貴金属薄膜
によって固着してなる厚膜導体であることを特徴として
いる。
また本発明の電子部品においては、超微細粉体を固着す
る貴金属薄膜を、金、銀、パラジウム、白金、ロジウム
から選ばれた1種または2 P1以上の貴金属の有機化
合物を含む印刷ペーストから、加熱または加熱と紫外線
照射とを併用して焼成することによって析出形成するこ
とが望ましい。
る貴金属薄膜を、金、銀、パラジウム、白金、ロジウム
から選ばれた1種または2 P1以上の貴金属の有機化
合物を含む印刷ペーストから、加熱または加熱と紫外線
照射とを併用して焼成することによって析出形成するこ
とが望ましい。
(作用)
本発明の電子部品においては、金、銀、白金などの金属
単体、またはこれらの炭化物、酸化物、窒化物から選ば
れた1種または2種以上の粒径はぼ0.1μm以下の超
微細粒子を、樹脂を残さず、かつ貴金属有機化合物を含
む印刷ペーストに均一に分散するので、粒子径のばらつ
きの影響をほとんど受けず、膜厚の均一化が容易である
。
単体、またはこれらの炭化物、酸化物、窒化物から選ば
れた1種または2種以上の粒径はぼ0.1μm以下の超
微細粒子を、樹脂を残さず、かつ貴金属有機化合物を含
む印刷ペーストに均一に分散するので、粒子径のばらつ
きの影響をほとんど受けず、膜厚の均一化が容易である
。
また貴金属の有機化合物を含む印刷ペーストは、焼成に
よってほぼ0.1μ層以下の厚さの薄膜を形成すること
ができるので、前記超微細粒子の表面がこの薄膜によっ
て充分に濡らされ、結合性の良好な厚膜導体が形成され
る。
よってほぼ0.1μ層以下の厚さの薄膜を形成すること
ができるので、前記超微細粒子の表面がこの薄膜によっ
て充分に濡らされ、結合性の良好な厚膜導体が形成され
る。
さらに超微細粒子を構成する金属またはセラミックなど
金属化合物の種類を選択することによって、あるいはこ
れにさらに卑金属の有機化合物などを添加することによ
って、下地となる材料やオーバーコートされる材料に最
も適合し密着性の良好な厚膜導体を形成することができ
る。
金属化合物の種類を選択することによって、あるいはこ
れにさらに卑金属の有機化合物などを添加することによ
って、下地となる材料やオーバーコートされる材料に最
も適合し密着性の良好な厚膜導体を形成することができ
る。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面に基いて説明する。
第1図は本発明の電子部品の一実施例である、LSIチ
ップ等の半導体部品の要部の断面図である。
ップ等の半導体部品の要部の断面図である。
図において符号6はシリコンチップを示し、この上には
入出力電極であるアルミニウム電極7が蒸着などの方法
で形成されている。そしてこのアルミニウム電極7上に
は、粒径がほぼ0.1μm以下の超微細金属粒子8を印
刷ペーストから析出形成した貴金属薄膜9によって固着
してなる、約lOμ」の高さを有する厚膜バンブ10が
設けられている。
入出力電極であるアルミニウム電極7が蒸着などの方法
で形成されている。そしてこのアルミニウム電極7上に
は、粒径がほぼ0.1μm以下の超微細金属粒子8を印
刷ペーストから析出形成した貴金属薄膜9によって固着
してなる、約lOμ」の高さを有する厚膜バンブ10が
設けられている。
なお図中符号11は、シリコンチップ6表面の電気的特
性を安定化し、外部雰囲気の影響から保護するためのパ
ッシベーション膜を示す。
性を安定化し、外部雰囲気の影響から保護するためのパ
ッシベーション膜を示す。
厚膜バンブ10の形成は、以下に示すようなスクリーン
印刷の方法で行われる。
印刷の方法で行われる。
すなわち第2図に示すように、シリコンチップ6のアル
ミニウム電極7上に、これよりもひとまわり小さい印刷
孔12を有する厚さ約lOμmの金属スクリーンマスク
13を密着して配置し、この孔から超微細金属粒子8を
混合した貴金属の有機化合物を含む印刷ペーストを印刷
塗布した後、約150℃の温度で印刷ペーストの溶剤を
乾燥し、次いで強力な紫外線を照射しながら約300℃
の温度で加熱することによって、厚膜バンブ10が形成
される。
ミニウム電極7上に、これよりもひとまわり小さい印刷
孔12を有する厚さ約lOμmの金属スクリーンマスク
13を密着して配置し、この孔から超微細金属粒子8を
混合した貴金属の有機化合物を含む印刷ペーストを印刷
塗布した後、約150℃の温度で印刷ペーストの溶剤を
乾燥し、次いで強力な紫外線を照射しながら約300℃
の温度で加熱することによって、厚膜バンブ10が形成
される。
ここで粒径がほぼ0.1μ回以下の超微細金属粒子8と
しては、金、銀、銅、パラジウムのような導電性の高い
金属の超微細粒子を使用することが望ましいが、これら
に窒化チタンやアルミナなどの金属酸化物や窒化物ある
いはカーボンなどの超微細粒子を混合し、硬度の調節を
行うこともできる。
しては、金、銀、銅、パラジウムのような導電性の高い
金属の超微細粒子を使用することが望ましいが、これら
に窒化チタンやアルミナなどの金属酸化物や窒化物ある
いはカーボンなどの超微細粒子を混合し、硬度の調節を
行うこともできる。
また印刷ペースト中に配合し貴金属薄膜を形成する有機
金属化合物としては、金、銀、白金、パラジウム、ロジ
ウム等の貴金属を主体とする有機化合物を使用するが、
下地との付着力向上のために、これにアルミニウム、イ
ンジウム、クロム、ニッケル、ケイ素、チタンなど卑金
属の有機化合物を例えばレジネートペーストとして微量
添加することもできる。
金属化合物としては、金、銀、白金、パラジウム、ロジ
ウム等の貴金属を主体とする有機化合物を使用するが、
下地との付着力向上のために、これにアルミニウム、イ
ンジウム、クロム、ニッケル、ケイ素、チタンなど卑金
属の有機化合物を例えばレジネートペーストとして微量
添加することもできる。
このようにして製造された半導体部品は、第3図に示す
ように、裏返して外部の回路基板14上に搭載する(フ
ェースダウン)とともに、厚膜バンブ10を回路基板1
4の外部電極15に当接し加圧状態で同時に絶縁性樹脂
16で接着することによって、アルミニウム電極7と外
部電極15との信頼性の高い接続が得られる。
ように、裏返して外部の回路基板14上に搭載する(フ
ェースダウン)とともに、厚膜バンブ10を回路基板1
4の外部電極15に当接し加圧状態で同時に絶縁性樹脂
16で接着することによって、アルミニウム電極7と外
部電極15との信頼性の高い接続が得られる。
次に本発明の他の実施例である液晶表示板を第4図に示
す。
す。
この実施例において液晶表示板の表示部本体は、内側対
向面にそれぞれ常法によって透明導電膜(電極)17が
形成された2枚のガラス基板18を対向配置し、これら
の間に液晶19を挟持して構成されている。
向面にそれぞれ常法によって透明導電膜(電極)17が
形成された2枚のガラス基板18を対向配置し、これら
の間に液晶19を挟持して構成されている。
またこの透明導電膜17上の所定の位置には、前記実施
例と同様にスクリーン印刷の方法によって、金属を主体
とする超微細粒子を貴金属の薄膜によって固着してなる
厚膜導体の回路導体20が形成されている。
例と同様にスクリーン印刷の方法によって、金属を主体
とする超微細粒子を貴金属の薄膜によって固着してなる
厚膜導体の回路導体20が形成されている。
さらにこのような回路導体20の上には、表面にバンブ
21が設けられた駆動用のICチップ22がフェースダ
ウンで搭載され、バンブ21を介して接続され接着剤2
3によって接着固定されている。
21が設けられた駆動用のICチップ22がフェースダ
ウンで搭載され、バンブ21を介して接続され接着剤2
3によって接着固定されている。
なお図中符号24は偏光板を示し、符号25は反射板を
示す。
示す。
このように構成された実施例の液晶表示板においては、
駆動用のICチップ22回りの配線である回路導体20
が導電性の高い厚膜導体で構成されているので、配線の
抵抗値を減少することができ、これによってICチップ
22の入出力電圧を正常に保つことができる。
駆動用のICチップ22回りの配線である回路導体20
が導電性の高い厚膜導体で構成されているので、配線の
抵抗値を減少することができ、これによってICチップ
22の入出力電圧を正常に保つことができる。
またこの厚膜導体が、金属などの超微細粒子を混合した
貴金属の有機化合物を含む印刷ペーストの印刷によって
形成されているので、従来の真空蒸着や無電解メツキに
よって回路導体20を形成したものに比べて、成膜工程
が単純で製造コストがかからない。
貴金属の有機化合物を含む印刷ペーストの印刷によって
形成されているので、従来の真空蒸着や無電解メツキに
よって回路導体20を形成したものに比べて、成膜工程
が単純で製造コストがかからない。
さらに本発明のもう一つの他の実施例である感熱印字ヘ
ッド基板を第5図に示す。
ッド基板を第5図に示す。
この実施例においては、アルミナ基板26の上にブレー
ス層27の表面に複数の発熱抵抗体28が形成されてお
り、これらの発熱抵抗体28にはアルミニウムリード2
9が接続されている。そしてアルミニウムリード29上
の所定の位置には、金属を主体とする超微細粒子を貴金
属の薄膜によって固着してなる厚さ5〜lOμ■の厚膜
が印刷によって形成され、共通電極30が形成されてい
る。
ス層27の表面に複数の発熱抵抗体28が形成されてお
り、これらの発熱抵抗体28にはアルミニウムリード2
9が接続されている。そしてアルミニウムリード29上
の所定の位置には、金属を主体とする超微細粒子を貴金
属の薄膜によって固着してなる厚さ5〜lOμ■の厚膜
が印刷によって形成され、共通電極30が形成されてい
る。
またこの共通電極30の上には保護膜31が形成されて
いる。さらにアルミナ基板26上には、ブレース層27
の表面に、駆動用のICチップ32が搭載され、このI
Cチップ32は金線33によって、アルミニウムリード
29に接続されている。
いる。さらにアルミナ基板26上には、ブレース層27
の表面に、駆動用のICチップ32が搭載され、このI
Cチップ32は金線33によって、アルミニウムリード
29に接続されている。
このように構成された実施例の感熱印字ヘッド基板にお
いては、共通電極30を少ない工程数で経済的に成膜す
ることができる。
いては、共通電極30を少ない工程数で経済的に成膜す
ることができる。
すなわち、一般に感熱印字ヘッド基板における共通電極
30は、発熱抵抗体28の片側全てに電気的に接続され
共通の導体となるものであり、電流容量ができるだけ大
きいことが望ましいが、小形化のために導体幅を広くせ
ず厚さを厚くすることが要求されている。
30は、発熱抵抗体28の片側全てに電気的に接続され
共通の導体となるものであり、電流容量ができるだけ大
きいことが望ましいが、小形化のために導体幅を広くせ
ず厚さを厚くすることが要求されている。
したがってこのような要求を満たす共通電極30の形成
には、従来のアルミニウムの蒸着などによる薄膜法によ
っては難しく、実施例の印刷ペーストを用いた印刷によ
る厚膜形成法によってはじめて可能である。
には、従来のアルミニウムの蒸着などによる薄膜法によ
っては難しく、実施例の印刷ペーストを用いた印刷によ
る厚膜形成法によってはじめて可能である。
さらに実施例の共通電極30は、表面に超微細粒子によ
る均一で微細な凹凸ができているので、上層の保護膜3
1との密着性に優れている。
る均一で微細な凹凸ができているので、上層の保護膜3
1との密着性に優れている。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の電子部品においては、厚さ
が均一で高密度性、表面平滑性、密着性等の高い導体部
が形成されており、半導体部品をはじめとする各種の装
置および部品に適用することができる。
が均一で高密度性、表面平滑性、密着性等の高い導体部
が形成されており、半導体部品をはじめとする各種の装
置および部品に適用することができる。
また厚膜導体の形成を簡単な工程で行うことができ、製
造コストがかからない。
造コストがかからない。
第1図は本発明の一実施例である半導体部品を示す断面
図、第2図はこの実施例の半導体部品における厚膜バン
ブの形成工程を説明するための断面図、第3図は実施例
の半導体部品の実装状態を示す断面図、第4図は本発明
の別の実施例である液晶表示板の断面図、第5図はもう
一つの実施例である感熱印字ヘッド基板の断面図、第6
図は従来の半導体部品の断面図である。 6・・・・・・・・・シリコンチップ 7・・・・・・・・・アルミニウム電極8・・・・・・
・・・金属を主体とする粒径がほぼ0.1μm以下の超
微細粒子 9・・・・・・・・・貴金属薄膜 10・・・・・・・・・厚膜バンブ
図、第2図はこの実施例の半導体部品における厚膜バン
ブの形成工程を説明するための断面図、第3図は実施例
の半導体部品の実装状態を示す断面図、第4図は本発明
の別の実施例である液晶表示板の断面図、第5図はもう
一つの実施例である感熱印字ヘッド基板の断面図、第6
図は従来の半導体部品の断面図である。 6・・・・・・・・・シリコンチップ 7・・・・・・・・・アルミニウム電極8・・・・・・
・・・金属を主体とする粒径がほぼ0.1μm以下の超
微細粒子 9・・・・・・・・・貴金属薄膜 10・・・・・・・・・厚膜バンブ
Claims (2)
- (1)半導体チップあるいは絶縁基板上に導体部を形成
してなる電子部品において、前記導体部の少なくとも一
部が、金、銀、パラジウム、白金、ロジウム、ニッケル
、アルミニウム、モリブデン、タングステン、クロム、
チタンから選ばれた1種または2種以上の金属単体、ま
たはこれらの炭化物、酸化物、窒化物で粒径がほぼ0.
1μm以下の超微細粒子を、貴金属薄膜によって固着し
てなる厚膜導体であることを特徴とする電子部品。 - (2)貴金属薄膜が、金、銀、パラジウム、白金、ロジ
ウムから選ばれた1種または2種以上の貴金属の有機化
合物を含む印刷ペーストを、焼成することによって形成
されたものである特許請求項1記載の電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1010927A JPH02191332A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1010927A JPH02191332A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02191332A true JPH02191332A (ja) | 1990-07-27 |
Family
ID=11763873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1010927A Pending JPH02191332A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02191332A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120229A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Rohm Co Ltd | 半導体部品におけるバンプ電極の形成方法及びバンプ電極付き半導体部品 |
WO2007122925A1 (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品、それを用いた電子部品装置およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-01-19 JP JP1010927A patent/JPH02191332A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120229A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Rohm Co Ltd | 半導体部品におけるバンプ電極の形成方法及びバンプ電極付き半導体部品 |
WO2007122925A1 (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品、それを用いた電子部品装置およびその製造方法 |
EP2012352A1 (en) * | 2006-04-24 | 2009-01-07 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Electronic component, electronic component device using same, and method for manufacturing same |
US7960834B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic element that includes multilayered bonding interface between first electrode having aluminum-containing surface and second electrode composed of metal nanoparticle sintered body |
EP2012352A4 (en) * | 2006-04-24 | 2012-07-25 | Murata Manufacturing Co | ELECTRONIC COMPONENT, ELECTRONIC COMPONENT DEVICE THEREFOR AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
JP5305148B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2013-10-02 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、それを用いた電子部品装置およびその製造方法 |
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