JPH021906A

JPH021906A - 電子ビーム描画制御装置

Info

Publication number: JPH021906A
Application number: JP14434188A
Authority: JP
Inventors: Takashi Futatsugame; 二ツ亀　孝志
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1988-06-10
Filing date: 1988-06-10
Publication date: 1990-01-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コこの発明は、例えば電子ビームによって基板に描画を行
う電子ビーム描画制御装置に関するものである。

［従来の技術］第５図は例えば特開昭５４−９５９０８号公報に示され
た従来の電子ビーム描画制御装置の構成を示す図であり
、第６図はその電子ビームによって描画パターンを描画
される基板等の被加工物（９）を示す平面図である。両
図において、被加工物（９）に描画するためのビーム照
射位置座標は座標演算部（ｌａ）によって決定される。

決定された座標は次に、フィールド座標演算部（２）に
よって被加工物（９）上の各区画ごとの描画パターンの
各座標及び最終座標を求められる。この各区画とは第６
図の破線によって、区切°られた区画（例えば（２３）
〜（２６）、以下フィールドと言う）であり、例えば縦
６００＋ｎ＋ａｔ黄５００ｍｍ程度の大きさである。ビ
ーム照射制御部（７）はこのようにして求められたフィ
ールドごとの各座標値に従って電子ビーム偏向部（８）
を制御し、所定の描画パターンを被加工物（９）上に描
画する。

第７図は、第６図に示す描画パターン（１６）を、電子
ビームの照射の集合によって描画した図であり、第６図
のフィールド（２３〜２６）の交点（１０〜１５）内の
被加工領域を示している。電子ビームは図のＸ方向にお
いて一定間隔ごとにビーム発射する。

すなわち、等測的に、一定間隔のメツシーＬ　（１７ａ
〜１７１）及び（１８ａ−１８＋）上にそれぞれビーム
スポット（１９ｃ＝１９＋）及び（２０ａ〜２０ｇ＞と
して順次照射され、それらの集合として描画パターン（
１６）を形成する。

なお、これらのビームスポット（１９ｃ＝　１９＋、　
２０ａ　〜２０ｇ）は、図面を見やすくするためメツシ
ュ（１７ａ−１７ｉ、　１８ａ＝　１８ｉ）の間隔との
対比において実際の大きさより小さく表示している。す
なわち、実際のメツシュの間隔は約２５μｍ１　ビーム
スポット径は５０μｍ程度である。

次に上記の従来例の動作について説明する。この電子ビ
ーム描画制御装置によって被加工物（９）上の全領域に
わたって一気に描画することは機能上行えず、フィール
ド（２３〜２６）ごとに描画パターン（１６）を分割し
て描画する。例えば第６図の左上隅のフィールドから順
に右へ、次に下段のフィールド（２３）からフィールド
（２６）へというように描画し、最終的に右下隅のフィ
ールドを描画して終了する。但し、第６図の描画パター
ン（１６）では実際に描画されるのはフィールド（２４
）及び（２５）のみである。描画パターン（１６）の座
標は座標演算部（ｌａ）によって演算され、さらにフィ
ールド座標演算部（２）によってフィールドごとの座標
となり、この座標は各フィールドごとのメツシュ上に照
射されるべきビームスポット（１９ｃ　−１９ｉ、　２
０ａ　〜２０ｇ）として設定される。メツシュはフィー
ルドが変るたびに再設定されるようになっている。

［発明が解決しようとする課題］上記のような従来の電子ビーム描画制御装置では、フィ
ールド座標演算部（２）によって行われるフィールド内
の座標演算において、例えばＡ／Ｄ変換による誤差等の
ために１つのフィールド内で±１／２メツシュ相当（こ
の実施例では±１２．５μｍ）以内の誤差が生じること
がある。第８図及び第９図は描画パターン（１６）がビ
ームスポット（１９ｄ〜１’Ｈ）の軌跡によって描かれ
る様子を示す詳細図である。

但し、説明上ビームスポット（１９ｄ〜１９１）は第７
図のＸ軸と平行に移動した状態を示している。第８図に
おいては、第６図のフィールド（２４）及び（２５）の
交点（１１）及び（１４）を結ぶ境界線（１１−１４）
が最終のメツシュ（１？ｉ）よりも手前にきた状！♂、
第９図は境界線（１１−１４）が最終のメツシュ（１７
＋）よりも後にきた状態をそれぞれ示している。第９図
の状態においては最終のビームスポット（１９ｉ）が正
常に照射されるが、第８図の場合は、１つ手前のビーム
スボッ）　（１９ｈ）までが正常に照射され、最終ビー
ムスポット（１９ｉ）はメツシュ（１７ｉ）が境界線（
ｌｌ−１４）を越えているため電子ビーム銃の照射範囲
外となって照射できずに終ってしまう。

従って、従来の電子ビーム描画制御装置では、フィール
ドの境界線近傍において描画パターンの変形や途切れが
生じていた。そのため、正確な描画パターンが得られず
、その商品価値を下げるだけでなく、不正確に描かれた
パターンを修復することは困難であり、多大な修復時間
を要するという問題点があった。

本発明は、上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、フィールド境界部の描画パターンの変形、途
切れを補正し最小の歪みでおさえることのできる電子ビ
ーム描画制御装置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］この発明に係る電子ビーム描画制御装置は、被加工物上
に描画すべき描画パターンの座標位置を演算する座標演
算部と、上記座標演算部の出力を、上記被加工物の加工面上の所
定の描画区画における座標位置に変換するフィールド座
標演算部と、上記座標演算部の出力を受け、上記描画区画内の所定の
間隔ごとに表わされる所定数の描画座標位置とその最終
描画座標位置から上記間隔の１７２手前の座標位置とを
有効とし、その他の描画座標位置を無効とする最終座標
演算スキップ部と、上記フィールド座標演算部の出力と
上記最終座標演算スキップ部の出力との論理積をとり、
上記描画パターンの座標情報を出力する座標補正アンド
部と、上記座標補正アンド部の出力を受け、この出力にもとづ
いて電子ビームを制御する手段とを備えたものである。

［作用］この発明においては、被加工面上の描画区画内に所定の
間隔で描画された座標位置の最終座標位置から前記間隔
のｌ／２手前の座標位置を有効にし、描画区画間の境界
線近傍を補間して描画する。

［実施例］第１図はこの発明の一実施例を示す構成図である。図に
おいて、メツシュ間隔を１／２に縮小し、従来の２倍の
メツシュを作り出す座標演算部（１）の出力は、フィー
ルド座標演算部（２）及び最終座標演算スキップ部（４
）へそれぞれ入力される。フィールド座標演算部（２）
は各フィールド内の座標データのみをとりこんで出力し
、最終座標演算スキップ部（４）は、フィールド座標演
算部（２）の不要座標骨を除き、最終座標の１つ前の座
標を求めることにより後述の補間を行う。座標補正アン
ド部（５）はフィールド座標演算部（２）の座標出力と
、最終座標演算スキップ部（４）の座標出力との論理積
を作り、ビーム照射制御部（７）に座標位置データを出
力する。ビーム照射制御部（７）は電子ビーム偏向部（
８）を制御し、ビームを所定の位置に照射させる。

第２図は、従来技術の第７図に対応する図面であり、第
６図の被加工物（９）上の被加工領域の一部を示す。こ
の実施例は従来と同一のメツシュ（１７ａ＝１７ｉ）の
間にざらにメツシ、　（２１ｂ　〜２１ｉ）を設けたも
のである。メツシュ（１８ａ〜１８１）についても同様
に破線にて示すメツシュ（符号省略）によって補間させ
ている。

次にこの実施例の動作について説明する。第６図に示し
た描画パターン（１６）を描（場合、座標演算部（１）
によって被加工物（９）上の描画パターン（１６）の座
標位置を求める。これらの座標位置は例えば前述のメツ
シｘ　（１７ａ−１７ｉ）とメツシ：Ｌ（２１ｂ　〜２
１１）とによって定められる。この座標演算部（１）の
出力にもとづき、フィールド座標演算部（２）によって
描画パターン（１６）の位置するフィールド（２４゜２
５）のそれぞれにおける座標位置を、従来の倍のメツシ
ュによって求める。第３図及び第４図は従来の第８図及
び第９図にそれぞれ対応するビームスポットの軌跡を表
わす図である。従来と同様のメツシーＬ（１７ｄ　−１
７ｉ＋または１７ｉ２）を補間するメツシ、　（２１ｄ
〜２１ｉ１または２１４２）は短い線分によって示して
いる。第３図において、ビームスボッｌ−＜１９ｄ〜１
９ｈ）はメツシュ（１７ｄ〜１７ｈ）上に順に照射され
る。前記の最終座標演算スキップ部（４）では、例えば
、第３図のフィールドの境界線（１１−１４）近傍にお
いて、フィールド（２４）　（第６図）内のメツシュ（
１７１１）が最終メツシュとなるが、この最終メツシュ
より１つ前のメツシュ（２１ｉ　＋）を有効座標とし、
残りの（２１ｄ）〜（２１ｈ）はスキップ（無効とする
）させる出力を行う。従来ならば、第３図の場合は、最
終メツシュ（１７ｊＩ）はフィールド（２４）外のため
、電子ビームによる描画パターンは描くことができず、
最悪の描画パターンとなるが、この実施例においては、
補間メツシュ（２１ｉ＋）上に照射することにより、補
正することができる。第４図の場合は、最終メツシュ（
１７ｉ２）はフィールド（２４）内に存在するため、ビ
ームスポット（１９ｉ）は照射され最良の描画パターン
となるが、この場合においても、最終メツシュ（１７＋
２）の１つ前のメツシュ（２１ｉ２）を有効座標として
、ビームスポット（１９ｉ２）を照射シ、それ以外のメ
ツシュ（２１ｄ〜２１ｈ）はスキップさせる。

このスキップは、フィールド座標演算部（２）の座標出
力に対して、メツシ：Ｌ（１７ｄ）〜（１７ｈ）、（１
７ｉ２）を出力し、゛メツシュ（２１ｄ）〜（２１ｈ）
をスキップさせ、且つメツシュ（２１ｉ１）またはメツ
シュ（２１ｉ２＞を出力させるための最終座標演算スキ
ップ部（４）の制御出力を、座標補正アンド部（５）に
おいてフィールド座標演算部の出力と論理積をとって出
力させることにより行う。

なお、上記実施例では、最終座標演算スキップ部（４）
をフィールド座標演算部（２）とは別々に分離して、座
標補正アンド部（５）にて合成する形をとったが、フィ
ールド座標演算部（２）の中に最終座標演算スキップ部
（４）の機能を併合しても同様の効果を奏する。

また、上記実施例では電子ビームによる描画の場合につ
いて説明したが、電子ビームによる切断、加工等の場合
であっても良く、上記実施例と同様の効果を奏する。

［発明の効果コ以上のように、この発明によれば座標演算部の出力をフ
ィールド座標演算部と最終座標演算スキップ部とによっ
て受け、それらの出力の論理積をとってビーム照射を制
御することによって被加工面上の描画区画内に所定の間
隔で描画された座標位置の最終座標位置から前記間隔の
１７２手前の座標位置を有効にし、描画区画間の境界線
近傍を補間して描画するようにしたので、境界線近傍の
描画パターンを精度良く描ける商品価値の高い電子ビー
ム描画制御装置が得られるという効果がある。

また、これによって従来のような描画精度の不良による
修正作業を削減することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による電子ビーム描画制御
装置を示す構成図、第２図はこの電子ビーム描画制御装
置による描画パターンとメツシュの関係を示す図、第３
図及び第４図は第２図の描画パターンの描画の軌跡を示
す詳細図、第５図は従来の電子ビーム描画制御装置を示
す構成図、第６図はこの発明及び従来例に共通の被加工
物の平面図、第７図は従来の電子ビーム描画制御装置に
よる描画パターンとメツシュの関係を示す図、第８図及
び第９図は第７図の描画パターンの描画の軌跡を示す詳
細図である。図において、（１）は座標演算部、（２）はフィールド
座標演算部゛、（４）は最終座標演算スキップ部、（５
）は座標補正アンド部、（７）はビーム照射制御部、（
８）は電子ビーム偏向部、（９）は被加工物、（１６）
は描画パターン、（１７ａ〜１７＋、　２１ｉ）はメツ
シュ、（２３〜２６）はフィールドである。なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）被加工物上の描画すべき描画パターンの座標位置
を演算する座標演算部と、上記座標演算部の出力を、上記被加工物の加工面上の所
定の描画区画における座標位置に変換するフィールド座
標演算部と、上記座標演算部の出力を受け、上記描画区画内の所定の
間隔ごとに表わされる所定数の描画座標位置と、その最
終描画座標位置から上記間隔の１／２手前の座標位置と
を有効とし、その他の描画座標位置を無効とする最終座
標演算スキップ部と、上記フィールド座標演算部の出力
と上記最終座標演算スキップ部の出力との論理積をとり
、上記描画パターンの座標情報を出力する座標補正アン
ド部と、上記座標補正アンド部の出力を受け、この出力にもとづ
いて電子ビームを制御する手段とを備えた電子ビーム描画制御装置。