JPH02190389A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カート技術に用いつる新規な光学的記録媒体に
関するものである。

［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カートは、基板の上に設け
たＢい記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約１ｐ）ピットをらせん状又は円形のトラック
形態にして高密度情報を記憶することができる。

この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層（
記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線が照射された表面のみにピットを形成し、このピッ
トをらせん状、円形または直線状トラックの形態で形成
する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出１ｉ（能なピットを形成できる
０例えば、ヒートモート記録方式では、レーザ感応層（
記録層）は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は
融解により小さな四部（ピット）を形成できる。また、
別のヒートモート記録方式では、照射されたレーザ・エ
ネルギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な
濃度差を有するピットを形成できる。

この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成された
部分とピットか形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される。例えば、レーザ光がト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。ピットが形成されている部分は、レーザ光の反射は低
くなりフォトディテクターの出力は低下する。

方、ピットか形成されていない部分は、レーザ光は充分
に反射されフォトディテクターの出力は大きくなる。

この様な光ディスクおよび光カートに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものか提案
されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８０Ｏｎ
ｍ付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対
する反射率が高いため、レーザ光の利用率が低い等の欠
点かある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば、７８０
ｎｍ以−Ｅ）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な
有機薄膜の研究がなされている。この様な有機薄膜は、
例えば発振波長が７８０ｎｓ又は８３００履付近の半導
体レーザによりピットを形成できる点で有効なものであ
る。

しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定な問題がある。

例えば、光学記録媒体の取扱いは必ずしも空調設備の整
ったオフィスでのみ使用されるわけてはなく、遊送倉庫
での保管、ドライブ装置の機内昇温等を考慮する必要か
あり高温における安定性により優れた媒体が望まれてい
る。特に、光学記録媒体が光カートである場合はカード
としての厚み及び強度の点で中空構造（エアーサンドイ
ッチ構造）を取ることは困難で、記録層上に直接接着剤
で対向基板を貼合せる貼合せ構造となる。その際に用い
る接着剤としては記録層の書き込み感度を落さず作業性
に優れるホットメルト系の接着剤か有効である。しかし
、ホットメルト系の接着剤では貼合わせ時に短時間では
あるが１００℃位になる為、記録層はより耐熱性に優れ
たものが望まれている。さらに、光カードは個人での持
ち運びによる取扱いとなる場合が多く、粗雑に扱われる
可能性が高い為、耐熱性を始めとする環境安定性に優れ
たものが望まれている。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、この様な現状に鑑みてなされたちのてあり、
その目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機Ｆｉｌｌから
なる記録層を有する光学記録媒体を提供することにある
。

本発明の別の目的は、高温高湿の環境条件下においても
より安定性の向上した色素薄膜からなる記録層を有する
光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の変
化を向上させた光学記録媒体を提供することにある。

本発明の別の目的は塗工法による製造が可能な光学記録
媒体を提供することにある。

［課題を解決するための手段］および［作用］即ち１本
発明は下記一般式［ＩＩ、　［ＩＩ］、［ｍｌ。

［１’Ｖ１または［Ｖｌで表わされるナフトラクタム系
化合物を一種または二種以上含有する記録層を有するこ
とを特徴とする光学記録媒体である。

一般式［ＩＩ 一般式［ＩＩ　］ Ｒ１゜ 一・般式［Ｖｌ Ｘθ 一般式ｔｍｌ ＩＧ Ｘθ 一般式［ＩＶ］ （但し、一般式［■コル［Ｖｌにおいて、Ｒ１は置換も
しくは未置換のアルキル基、シクロアルキル基、アルコ
キシ基、アリル基、アリール基またはアラルキル基を表
わし、Ｒ２およびＲ３は水素原子。

ハロゲン原子または１価の有機残基を表わし、Ｒ４−Ｒ
１ｆｆ１は水素原子、ハロゲン原子または１価の有機残
基を表わす、Ｒ１３およびＲ１４は置換もしくは未置換
のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換
もしくは未置換のスチリル基または置換もしくは未置換
の複素環基を表わす、Ｙは置換もしくは未置換の５員環
または６負環を形成する２価の炭化水素基を示す１ｍは
１．２または３、ｐは０．ｌまたは２．ｑはＯ，ｌまた
は２、「は１または２．βは１または２の整数を示す。

Ｘθはアニオン残基を示す、） 以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記一
般式［１１，［１１］、［ｍｌ、　［ｆｆｌまたは　［
Ｖ］で表わされるナフトラクタム系化合物を一種または
二種以上含有する薄膜からなる記録層を有することに特
徴がある。

前記一般式［Ｉ］、［Ｒ１，［ｍｌ、　［ＩＶ］または
［Ｖ］において、式中のＲ８は、Ｃ１〜Ｃ２゜−アルキ
ル基（これは、フェニル基、ハロゲン原子、Ｃ３〜Ｃ４
−アルカノイル基、カルボキシル基、ＣＩ〜Ｃ４−アル
カノイルアミノ基、ＣＩ”’−Ｃ４−アルコキシカルボ
ニルｎ、　ｃ、〜Ｃ４−アルコキシカルボニルアミノ基
又はＣ１〜Ｃ４−アルキルアニリノ基により置換され及
び／又は酸素原子により中断されていてもよい）、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基
、ブチル基、イソブチル基。

三級ブチル基、ペンチル基、２−メチルブチル基、ヘキ
シル基、２−メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル
基、２−エチルヘキシル基、インオクチル基、ノニル基
、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ドデシル基
、　３，５，５．７−チトラメチルノニル基、イソトリ
デシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデ
シル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基
（イソオクチル、イソノニル、イソデシル及びイントリ
デシルの名称は俗称であって、オキソ合成により得られ
るアルコールに由来する。これに関しては、「ウルマン
ス・エンチクロベデイ・デル・テヒニツシエン・ヘミ−
」４版、７巻、２１６〜２１７頁及びＩｎ、４３５〜４
３６頁参照）、ベンジル基。

２−フェニルエチル基、トリフルオルメチル基。

トリクロルメチル基、１，１．１−　トリフルオルエチ
ル基、ヘプタフルオルプロピル基、２−メトキシエチル
基、２−エトキシプロピル基、３−エトキシプロピル基
、３．６−シクロヘプチル基、３．６−シオキサオクチ
ル基、　３，６．９−　トリオキサデシル基、プロパン
−２−オン−１−イル基、ブタン−３−オン−１−イル
基、２−エチルペンタン−３−オン−１−イル基、カル
ボキシメチル基、２−カルボキシエチル基、３−カルボ
キシプロピル基、４−カルボキシブチル基、５−カルボ
キシペンチル基、４−カルボキシ−３−才キサブチル基
、アセチルアミノメチル基、２−（アセチルアミノ）−
エチル基、２−（ブチリルアミノ）−エチル基、エトキ
シカルボニルメチル基、２−（エトキシカルボニル）−
エチル基、３−（メトキシカルボニル）−プロピル基、
エトキシカルボニルアミノメチル基、２−（エトキシカ
ルボニルアミノ）−エチル基、４−メチルアニリノメチ
ル基、２−（４−イソプロとルアニリノ）−エチル基が
挙げられ、ＣＳ−Ｃ７−シクロアルキル基（これはＣ１
〜Ｃ４−アルキル基又はハロゲン原子により置換されて
いてもよい）、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘプチル基、３−メチルシクロペンチル基
、４−エチルシクロヘキシル基、２．３−ジクロルシク
ロヘキシル基が挙げられ、アリール基類（これはＣ１〜
Ｃ４−アルキル基。

ＣＩ−Ｃ４−アルコキシ基、ハロゲン原子又はＣ，−Ｃ
。

−ジアルキルアミノ基により置換されていてもよい）１
例えばフェニル基、ナフチル基、トリル基、４−メチル
フェニル基、４−イソプロピルフ・エニル基、４−メト
キシフェニル基、２．４−ジメトキシフェニル基、２−
クロルフェニル基、４−プロムフエニル基又は４−ジメ
チルアミノフェニル基などが挙げられ、アルコキシ基１
例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などが挙げられ、アリル基（Ｃ１ｂ＝ｌＪｌ−ＣＩ
Ｌ２−）　、アラルキル基、例えばベンジル基、フェネ
チル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基
。

カルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシ
ベンジル基などが挙げられるが、上記の６基を表わす。

１１、、　Ｒ３が結合しているナフタレン環は非置換（
水素原子）でもよく、次の基により置換されていてもよ
く、あるいはベンゾ縮合していてもよい。

Ｒ２，Ｒ３は、水素原子、ハロゲン原子（塩素原子、フ
ッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子）または１価の有機残
基を表わす、１価の有機残基としては、Ｃ１〜Ｃ４−ア
ルキル基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ基、Ｃ
，−Ｃ，。アルキルチオ基、ヒドロキシ基、アミノ基、
アシルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１〜Ｃ４−千
ノーもしくはジアルキルアミノ基、Ｃ８〜Ｃ４アルキル
スルホニル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシスルホニル基、フ
ェニルスルホニル基、Ｃ１〜Ｃ４アルキルフエニルスル
ホニル基、ヒドロキシスルホニル基、アニリノ基、Ｃ１
〜Ｃ４アルキルアニリノ基、Ｃ１〜Ｃ４アルカノイル基
、Ｃ，−Ｃ，アルカノイルアミノ基、Ｃ８〜Ｃ４アルコ
キシカルボニル基、０１〜Ｃ４アルコキシカルボニルア
ミノ基、カルバモイル基、Ｃ，〜Ｃ，−Ｎ−モノ−もし
くはＮ、Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、スルファモイ
ル基、Ｃ１〜Ｃ，−Ｎ−モノ−もしくはＮ、Ｎ−ジアル
キルスルファモイル基、ウレイド基、Ｃ０〜Ｃ４−アル
キル基により置換されたウレイド基、フニノキシ基、フ
ェニルチオ基又は次式で示される基な挙また。Ｒ４−Ｌ
ａは水素原子、ハロゲン原子（塩素原子、フッ素原子、
臭素原子、ヨウ素原子）又は１価の有機残基を表わす。

１価の有機残基としては、広範なものから選択すること
ができるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−
アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキ
シル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もしくは
未置換のアリール基（フェニル、トリル、キシリル、エ
チルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、
クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェ
ニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換もしく
は未置換の複素環基（ピリジル、キノリル、カルバゾリ
ル、フリル、チエニル、ピラゾリルなど）置換もしくは
未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニルエチル
、２−フェニル−１−メチルエチル、フロモベンジル、
２−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシ
ベンジル、ニトロベンジルなど）、アシル基（アセチル
、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、ト
リオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど）、
置換もしくは未は換アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ
、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ
、ベンゾイルアミノなど）、置換もしくは未置換スチリ
ル基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルア
ミノスチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシス
チリル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど）、ニ
トロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−エーテル
基、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カルボン酸
アミド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ
基（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルア
ゾ、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ
、ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリル
アゾなど）を挙げることができる。

また、Ｒ１３およびＲ１４は、アルキル基（例えば、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓ。

−プロピル基、ｎ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基。

１ｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−
アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基ｔ−オクチ
ル基など）を示し、さらに他のアルキル基１例えば置換
アルキル基（例えば、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒ
ドロキシプロピル基、４−ヒドロキシエチル基、２−ア
セトキシエチル基、カルボキシメチル基、２−カルボキ
シエチル基、３−カルボキシプロピル基、２−スルホエ
チル基、３−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、
３−スルフェートプロピル基、４−スルフェートブチル
基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カルバミルメチル基、
３−（アセチルスルファミル）プロピルＭ、４−（アセ
チルスルファミル）ブチル基など）、環式アルキル基（
例えば、シクロヘキシル基など）、アリル基（ＣＬ＝　
ＣＨＣｌｌ２−）　、アラルキル基（例えば、ベンジル
基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基など）、置換アラルキル２Ｊｉ（例えば、カ
ルボキシベンジル基、スルホベンジル基、ヒトロキシベ
フリル基など）を包含する。さらに、　ＲＩ３およびＲ
Ｉ４は置換もしくは未置換のアリール基（例えば、フェ
ニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メトキシ
フェニル基、ジメトキシフェニル基、トリメトキシフェ
ニル基、エトキシフェニル基、ジメチルアミノフェニル
基、ジエチルアミノフェニル基、ジプロピルアミノフェ
ニル基、ジベンジルアミノフェニル基、ジフェニルアミ
ノフェニル基など）、置換もしくは未置換の複素環基（
例えば、ピリジル基、キノリル基、レピジル基、メチル
ピリジル基、フリル基、チエニル基、インドリル基、ビ
ロール基、カルバゾリル基、Ｎ−エチルカルバゾリル基
など）又は置換もしくは未置換のスチリル基（例えば、
スチリル基、メトキシスチリル基、ジメトキシスチリル
基、トリメトキシスチリル基、エトキシスチリル基、ジ
メチルアミノスチリル基、ジエチルアミノスチリル基、
ジプロピルアミノスチリル基、ジベンジルアミノスチリ
ル基、ジフェニルアミノスチリル基、２．２−ジフェニ
ルビニル基、２−フェニル−２−メチルビニル基、２−
（ジメチルアミノフェニル）−２−フェニルビニル基、
２−（ジエチルアミノフェニル）−２−フェニルビニル
基、２−（ジベンジルアミノフェニル）−２−フェニル
ビニル３，２．２−ジ（ジエチルアミノフェニル）ビニ
ル基、２．２−ジ（メトキシフェニル）ビニル基、２．
２−　（エトキシフェニル）ビニル基、２−（ジメチル
アミノフェニル）−２−メチルビニル基、２−（ジエチ
ルアミノフェニル）−２−エチルビニル基など）を示す
。

Ｙは置換もしくは未置換の５員環又は６員環を形成する
２価の炭化水素基（−Ｃ１１２−Ｃ１１２−ＣＨ３ＣＨ
。

と）を示し、これらの５員環又は６員環はベンゼン環、
ナフタレン環などと縮合されてもよい。

ｍは１．２または３．ｐはＯ，ｌまたは２、ｑは０．１
または２、ｒは１または２、βは１または２の整数を示
す。

また、ｘｏは、１訂素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオ
ン、過塩素耐塩イオン、硝酸塩イオン、ベンゼンスルホ
ン酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチ
ル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩
イオン、テトラフルオロホウ酸塩イオン、テトラフェニ
ルホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリン酸塩イオン、ベ
ンゼンスルホン酸塩イオン、酪酸塩イオン、トリフルオ
ロ酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩イオン、安息香酸塩
イオン、シュウ醜塩イオン、コハク酸塩イオン、マロン
耐塩イオン、オレイン酸塩イオン、ステアリン酸塩イオ
ン、クエン酸塩イオン、−木素二リン酸塩イオン、二水
素−リン酸塩イオン、ペンタクロロスズ酸塩イオン、ク
ロロスルホン耐塩イオン、フルオロスルホン酸塩イオン
、トリフルオロメタンスルホン酸塩イオン、ヘキサフル
オロヒ酸塩イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸塩イオ
ン、モリブデン酸塩イオン、タングステン酸塩イオン、
チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イオンなどの陰イオン
を示す。

以下、本発明で用いられるナフトラクタム系化合物の具
体例を下記に列挙するが、これらに制限されるものでは
ない。

前記一般式 ［Ｉ］ で表わされる化合物の例 Ｒ０４８ ｃｅｏ、。

Ｒ０４ｅ 荊記一般式 ［］ で表わされる化合物の例 ＣＩ！０４゜ Ｃ１）０．。

ＣＲＯ４゜ ←■） ■０ ＣＩ＋　、（’ト５０３０ 前記一般式 ［ で表わされる化合物の例 ＣＲＯ，θ ＣＲＯ４゜ Ｃ量１３ ＣＲＯ，ｅ し！ 前記一般式 ［］ で表わされる化合物の例 前記一般式 ［Ｖ］ で表わされる化合物の例 （コ５） 前記一般式［Ｉ］、ｔｌｌｌおよび　［ｍｌで表わされ
る化合物は米国特許第２７：１４９００号明細書に開示
されているシアニンの合成方法と同様に、下記−般式［
ＶＩ］で示される化合物と。

一般式【■１ （式中、　Ｒ，、Ｒ２，Ｒ，、およびｘｅは前記定義と
同じものを意味する） 活性エチレン基を有する化合物とを、中間銅を形成する
１例えばマロンジアルデヒド類、またはグルタコンジア
ルデヒド類、２−クロロ−１−ホルミルヒドロキシエチ
レンシクロヘキサン、イソホロンの様なヒドロキシ化合
物、ジヒドロキシ化合物、カルボニル化合物、ジアミノ
化合物あるいはトリメトキシ化合物等と反応させること
によりて合成することができる。

前記一般式［ＩＶＩおよび［Ｖ］で表わされる化合物は
、前記一般式［ＶＩ］で示される化合物と活性エチレン
基を有する化合物とを、中間類を形成するスクワリック
酸またはクロコン酸と適当な溶媒中で反応させることに
よって容易に得ることができる。

本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に、基板ｌの
上に前記一般式［Ｉ］〜　［Ｖｌで示されるナフトラク
タム系化合物を含有する記録層２を設けることにより形
成することができる。

基板ｌとしては、ポリカーボネート、ポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることができる。

記録層２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］〜　［Ｖ
Ｊて示されるナフトラクタム系化合物を一種または二種
以上組合せて用いることができ、さらに他の染料、例え
ば、前記一般式［Ｉ］〜［ＶＪの化合物以外のナフトラ
クタム系、ポリメチン系、アズレン系、ピリリウム系、
スクアリウム系、クロコニウム系、トリフェニルメタン
系。

キサンチン系、アントラキノン系、シアニン系、フタロ
シアニン系、ジオキサジン系、テトラヒドロコリン系、
トリフエッチアジン系、フェナンスレン系、アミニウム
塩・ジイモニウム塩基、金属キレート錯体系染料など、
あるいは金属および金属化合物など１例えばＡＩ！、　
Ｔｅ、　Ｂｉ、　Ｓｎ、　Ｉｎ、　Ｓｅ。

ＳｎＯ，Ｔｅａ、、　Ａｓ、　Ｃｄなと、あるいは紫外
線吸収剤などと混合分散あるいは槍層してもよい。

記録層２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法により
基板ｌ上に形成される。塗布法を用いる場合には、ナフ
トラクタム系化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散し
た溶液を基板１上に塗布することによって形成すること
ができる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性を
考慮してバインダーを記録層中に混合して成ＩＩ！する
こともてきる。

塗布の際に使用できる有機溶媒は、前述のナフトラクタ
ム系化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とする
かによって異なるが、−・般にはアルコール系、ケトン
系、アミド系、エーテル系、エステル系、脂肪族ハロゲ
ン化炭化水素系、芳香族系、脂肪族炭化水素系などの溶
媒を用いることができる。

また、バインダーとしては１例えばニトロセルロース、
エチルセルロース、ポリスチレン、ポリビニルピロリド
ン、ポリメチルメタクリレート。

ポリアミドなどが挙げられる。また、必要により、ワッ
クス、高級脂肋醜、アミド類（例えば、オレイルアミド
）を添加剤として用いる。

以りのバインダーにジオクチルフタレート、ジツチルフ
タレート、トリクレジルフォスフェート等の可塑剤、鉱
油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン酸
ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記Ｑ層の
成膜性、塗膜安定性を高めることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーディング法、ブレードコーティング法
、カーテンコーティング法、ローラーコーティング法、
グラビアコーティング法などのコーティング法を用いて
行うことができる。

記録層２中のナフトラクタム系化合物の含有量は通常４
０〜１００　ｆｆｉ省％、好ましくは５０〜１００重掖
％が望ま液い、４０重量％未満では記録層の十分な光吸
収性と再生レーザー光に対して十分な光反射率を得るこ
とができない。

また、記録層２の膜厚は１００人〜２０鉢■、好ましく
は２００人〜ｌｐｍが適当である。なお、記録レーザー
光に対して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成で
き得るならば可使な限り薄いほうがよい さらに１本発明の光学記録媒体は、第２図に示すように
、記録層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護＠３を設けることができる。

該保護層３は、基板ｌ側から光を照射する場合は不透明
でも差支えない。

また、第３図に示すように、基板ｌと記録層２の間に下
引層４を設けても良い。

また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共に
用いることも可能である。

下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（Ｃ）溶剤からの基板の保護および（
ｆ）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。

（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラ
ンカップリング剤などの種々の物質を用いることができ
。

（ｂ）、（Ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以外に
無機化合物、例えば５ｉ０２．　ＭｇＦ２．　Ｓｉｎ、
　Ｔｉ１ｔ、　ＺｎＯ、ＴｉＮ、　ＳｉＮなど、金属ま
たは半金属、例えば２ｎ。

Ｃｕ、　Ｓ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｃｄ
、　Ａｇ、　Ａｊ！などを用いることができる。（ｄ）
の目的に対しては金属、例えばＡｊ）、　Ａｇなと、ま
たは金属光沢を有する有機薄膜、例えばシアニン染料、
メチン染料などを用いることができる。そして（ｅ）、
　（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。下引き層
の膜厚は５０Ａ　−１００μｍ　、好ましくは２００Ａ
〜３０ＩＬｍが適当である。

また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保ｗ１
および記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を
目的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ
材料を使用することができる。保護層の膜厚は１００Å
以上、好ましくは１０００Å以上が適当である。

この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
一般式［Ｉ］〜［Ｖ］のナフトラクタム系化合物が含有
′されていてもよい、また、下引き層または保護層には
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤などが含有されていてもよい。

さらに１本発明による光学記録媒体の別の一構成として
は、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒
体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録
層２を内側に配置して密１４シたいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着した
いわゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学記録媒体は、ヘリウム−ネオンレーザ（発
振波長６：ｌ：ｌｎ＋ｓ）などのガスレーザの照射によ
って記録することも可能であるが、好ましくは７５０ｎ
−以上の波長を有するレーザ、特にガリウムーアルミニ
ウムーヒ素半導体レーザ（発振波長８３０ｎｓ）などの
近赤外あるいは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線
の照射によって記録する方法か適している。また、読み
出しのためには、前述のレーザ光線を用いることができ
る。この際、書込みと読み出しを同一波長のレーザで行
なうことができ、また異なる波長のレーザで行なうこと
もできる。

［実施例］ 以下１本発明を実施例に従って詳細に説明するか、これ
らに限定されるものではない。

実施例１ 直径１３０−φ、厚さ１．２ｍ−のインジェクション成
形によりプレグルーブを設けたポリカーボネート（以下
、ＰＣと略記する）基板上に、前記ナフトラクタム系化
合物Ｎｏ、（１）のナフトラクタム系化合物３重量部を
ジアセトンアルコール９７ｆｆｉ１部に溶解させた液を
スピナーコーティング法により塗布した後、乾燥して８
００　Ａの有機薄膜記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで１８００ｒｐ
−に回転させて、発振波長８：ｌＯｎｍの半導体レーザ
な用いて、基板側より記録層にスポットサイズ１．５μ
ｍφ、記録パワー８■Ｗ、記録周波数３　ＭＨｚて情報
を書き込み、読み出しパワー０．８■Ｗで再生し、その
再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィルター、
バンド幅３０Ｋｌｌｚ　）　Ｌ／てＣ／Ｎ比を測定した
。

次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、繰り返し１０５回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体な６５℃、
８５％ＲＨの条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（８３０ｎ＋ｓ測定）
およびＣ／Ｎ比を測定した。その結果を表１に示す。

表　　　１ 実施例２〜９ 実施例１で用いたナフトラクタム系化合物ＮＯ，（＋）
の化合物をＮｏ、（４）、　（１１）、　（１４）、　
（１８）。

（２２）、　（２７）、　（３０）、　（コア）にかえ
て、実施例１と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞ
れ実施例２〜９の光学記録媒体を作製した。

上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の方
法で測定した。その結果を表２に示す。

実施例１０および１１ 下記化合物Ｎｏ、（４１）および（４２）と前記ナフト
ラクタム系化合物Ｎｏ、（２）とをそれぞれｌ：２の重
量比でジアセトンアルコールに混合し、実施例１と同様
の方法で塗布し、乾燥膜厚８５０Ａの有ａ！薄膜記録層
を設け、それぞれ実施例１０．１１の光学記録媒体を作
製した。

この様にして作成した実施例１０．　Ｉｆの光学記録媒
体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表３
に示す。

化合物Ｎｏ、（４１） 化合物 Ｎｏ、（４２） ＣｌＯ２゜ 比較例１ 実施例ＩＯで用いた化合物Ｎｏ、（２）を除１．ｓた以
外は、実施例１Ｏと同様の方法で光学記録媒体を作製し
、同様に測定した。その結果を表３に併示する。

実施例１２ 前記化合物Ｎｏ、（７）の化合物２重量部とニトロセル
ロース樹脂（オーバレスラッカー　ダイセル化学■製）
１重量部をジアセトンアルコール９７重量部に混合させ
た液をスピナー塗布法により、インジェクション成形に
よりプレグルーブを設けた直径　１３０ｍｍφ、厚さ１
．２ａｍのＰＣ基板上に塗布し、乾燥膜厚１０００Ａの
有機薄膜記録層を得た。

この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果な麦４に示す。

実施例！３〜１５ 実施例１２で用いた化合物Ｎｏ、（７）を前記化合物Ｎ
ｏ、（１０）、　（２１）、　（：１２）にかえて、実
施例１２と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実
施例１３〜１５の光学記録媒体を作製した。

上記実施例１３〜１５の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。

実施例１６ つオーレットサイズの厚さ０．４ａｓＰＣ基板上に、熱
プレス法によりプレグルーブを設け、その上に前記ナフ
トラクタム系化合物Ｎｏ、（８）の化合物３重量部をジ
アセトンアルコール９７重量部に混合させた液をバーコ
ード法により塗布した後、乾燥して１００ＯＡの有機薄
膜記録層を得た。さらに、その上にエチレン−酢ビトラ
イフィルムを介してウォーレッドサイズの厚さ０．３論
１のＰＣ基板と、熱ロール法により密着し、密着構造の
光学記録媒体を作製した。

この様にして作製した光学記録媒体なＸ−Ｙ方向に駆動
するステージ上に取り付け、発振波長８３０ｎ−の半導
体レーザな用いて、厚さ０．４ｍ−のＰＣ基板側より、
有機薄膜記録層にスポットサイズ３．０終思φ、記録パ
ワー３．５ｍ％で記録パルス５［ＩＨｅｃてＹ軸方向に
情報を書き込み、読み出しパワー０、：１ｍ％で再生し
、そのコントラスト比−Ｂ （：Ａ＝＝記録部の信号強度、Ｂ＝記記録 部の信号強度）を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表５
に示す。

表　　５ 実施例１７〜２０ ２種の前記ナフトラクタム系化合物を表６に小す組合わ
せでそれぞれｌ：ｌの重量比でジアセトンアルコールに
混合し、実施例１と同様の方法で塗布し、乾燥膜厚８５
０Ａの有機薄膜記録層を設け、それぞれ実施例１７〜ｚ
Ｏの光学記録媒体を作製した。

この様にして作成した実施例１７〜２０の光学記録媒体
を実施例１と同様の方法て測定した。その結果を表６に
示す。

［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明の光学記録媒体によれば、長
波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レー
ザーを用いても高感度に記録が可能であり、良好なビッ
ト形状の形成により、高いＣ／Ｎ比が得られる。

また、塗工法による製造が可能で、熱に対する安定性の
良い、保存性に優れた再生劣化の少ない光学記録媒体を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。 ｌ・・・基板 ２・・・記録層 ３・・・保護層 ４・・・下引層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式［ I ］、［II］、［III］、［IV］または［
   Ｖ］で表わされるナフトラクタム系化合物を一種または
   二種以上含有する記録層を有することを特徴とする光学
   記録媒体。一般式［ I ］▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ 一般式［II］▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［III］▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［IV］▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［Ｖ］▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］〜［Ｖ］において、Ｒ＿１は置
   換もしくは未置換のアルキル基、シクロアルキル基、ア
   ルコキシ基、アリル基、アリール基またはアラルキル基
   を表わし、Ｒ＿２およびＲ＿３は水素原子、ハロゲン原
   子または１価の有機残基を表わし、Ｒ＿４〜Ｒ＿１＿２
   は水素原子、ハロゲン原子または１価の有機残基を表わ
   す。Ｒ＿１＿３およびＲ＿１＿４は置換もしくは未置換
   のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換
   もしくは未置換のスチリル基または置換もしくは未置換
   の複素環基を表わす。Ｙは置換もしくは未置換の５員環
   または６員環を形成する２価の炭化水素基を示す。ｍは
   １、２または３、ｐは０、１または２、ｑは０、１また
   は２、ｒは１または２、ｌは１または２の整数を示す。 Ｘ＾■はアニオン残基を示す。）