JPH0218980A - ダイヤモンドレーザ素子の作製方法 - Google Patents
ダイヤモンドレーザ素子の作製方法Info
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- JPH0218980A JPH0218980A JP16922488A JP16922488A JPH0218980A JP H0218980 A JPH0218980 A JP H0218980A JP 16922488 A JP16922488 A JP 16922488A JP 16922488 A JP16922488 A JP 16922488A JP H0218980 A JPH0218980 A JP H0218980A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ダイヤモンドレーザ素子の作製方法、特に、
Ｎ３センターをレーザ活性物質に用いたダイヤモンドレ
ーザ素子の作製方法に関するものである。
Ｎ３センターをレーザ活性物質に用いたダイヤモンドレ
ーザ素子の作製方法に関するものである。
［従来の技術］
Ｎ３センターはダイヤモンド中に生成されるカラーセン
ターの一種であり、その構造は３つの窒素原子と１つの
空孔とが結合したものと推定されている。このカラーセ
ンターは波！約４００ ｎ ｒｎ（紫色）に吸収領域を
持ち、これによりＮ３センターを含むダイヤモンドは黄
色を呈する。また、このカラーセンターは波長４６０ｎ
ｍ付近に発光領域を持ち、青色のルミネッセンスを発す
る。このＮ３センターを利用した波長可変レーザの可能
性は、Ｒ，Ｃ，Ｒａｎｄ、 “Ｔｕｎａｂｌｅ ５
ｏ１ｉｄ ５ｔａｔｅ Ｌａ５ｅｒ 、Ｓｐｒｉ
ｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ、２７６頁、１９８４年および
特公昭６２−５０１２５１号に示されており、青色光を
発する固体レーザとして期待できる。
ターの一種であり、その構造は３つの窒素原子と１つの
空孔とが結合したものと推定されている。このカラーセ
ンターは波！約４００ ｎ ｒｎ（紫色）に吸収領域を
持ち、これによりＮ３センターを含むダイヤモンドは黄
色を呈する。また、このカラーセンターは波長４６０ｎ
ｍ付近に発光領域を持ち、青色のルミネッセンスを発す
る。このＮ３センターを利用した波長可変レーザの可能
性は、Ｒ，Ｃ，Ｒａｎｄ、 “Ｔｕｎａｂｌｅ ５
ｏ１ｉｄ ５ｔａｔｅ Ｌａ５ｅｒ 、Ｓｐｒｉ
ｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ、２７６頁、１９８４年および
特公昭６２−５０１２５１号に示されており、青色光を
発する固体レーザとして期待できる。
Ｎ３センターは、天然のＩａＢ型ダイヤモンドに含まれ
ていることが多く、人工合成で得られるＩｂ型ダイヤモ
ンド中には通常は存在しない。そのＩｂ型ダイヤモンド
中でＮ３センターを形成するには、高温高圧処理が必要
であることが知られている。Ｉｂ型ダイヤモンド中にＮ
３センターを形成させた例は、Ｒ，Ｍ、Ｃｈｒｅｎｋｏ
ｅｔａｌ、 Ｎａｔｕｒｅ ２７０，１４１
頁、１９７７年やＢ、Ｐ、Ａ１１ｅｎ ｅｔ ａｔ
、、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｒｏｙａ
ｌ Ｓ。
ていることが多く、人工合成で得られるＩｂ型ダイヤモ
ンド中には通常は存在しない。そのＩｂ型ダイヤモンド
中でＮ３センターを形成するには、高温高圧処理が必要
であることが知られている。Ｉｂ型ダイヤモンド中にＮ
３センターを形成させた例は、Ｒ，Ｍ、Ｃｈｒｅｎｋｏ
ｅｔａｌ、 Ｎａｔｕｒｅ ２７０，１４１
頁、１９７７年やＢ、Ｐ、Ａ１１ｅｎ ｅｔ ａｔ
、、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｒｏｙａ
ｌ Ｓ。
ｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｌｏｎｄｏｎ Ａ３７
５． １５９頁、１９８１年に記載されている。いずれ
の報告においても、ダイヤモンド中に拡散した窒素原子
を凝集させるために２０００℃以上の高温が必要となり
、しかもグラファイト化を抑制するために３〜８ＧＰａ
の圧力をダイヤモンドに加えている。
５． １５９頁、１９８１年に記載されている。いずれ
の報告においても、ダイヤモンド中に拡散した窒素原子
を凝集させるために２０００℃以上の高温が必要となり
、しかもグラファイト化を抑制するために３〜８ＧＰａ
の圧力をダイヤモンドに加えている。
［発明か解決しようとする課題〕
Ｎ３センターをレーザ活性物質としたレーザ素子を作製
しようとすると、天然ダイヤモンドを用いた場合には以
下の問題が存在する。
しようとすると、天然ダイヤモンドを用いた場合には以
下の問題が存在する。
イ） 結晶に含まれているＮ３センターの量が原石によ
って大きくばらつき、しかも慨して低濃度である。
って大きくばらつき、しかも慨して低濃度である。
口） 結晶の大きさが１つ１つの原石で異なる。
ハ） 結晶中に転位や欠陥が多い。
ところが、Ｎ３センターは、レーザ利得係数があまり高
くない。したがって、Ｎ３センターによリレーザ発振を
行なうためには、Ｎ３センターのｌｆ４度を高くし、結
晶を大型にし、結晶中の転位や欠陥を少なくし、散乱に
よる損失を抑えることによりレーザ利得を高める必要が
ある。これらの点で、天然ダイヤモンドを用いることは
不利である。
くない。したがって、Ｎ３センターによリレーザ発振を
行なうためには、Ｎ３センターのｌｆ４度を高くし、結
晶を大型にし、結晶中の転位や欠陥を少なくし、散乱に
よる損失を抑えることによりレーザ利得を高める必要が
ある。これらの点で、天然ダイヤモンドを用いることは
不利である。
一方、Ｉｂ型合成ダイヤモンドは、前記口）およびハ）
の点で天然ダイヤモンドに優っている。
の点で天然ダイヤモンドに優っている。
ところが、従来法によりＩｂ型ダイヤモンド中にＮ３セ
ンターを形成した場合には、その濃度が低く、レーザ素
子として使用するのには適さない。
ンターを形成した場合には、その濃度が低く、レーザ素
子として使用するのには適さない。
本発明の目的は、レーザ素子として使用されるに十分な
濃度を持ったＮ３センターをＩｂ型合成ダイヤモンド中
に形成する方法を提供することにある。
濃度を持ったＮ３センターをＩｂ型合成ダイヤモンド中
に形成する方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段コ
本発明に係るダイヤモンドレーザ素子の製造方法は、６
０体積％以上の（１００）面セクターの領域を含み、か
つ含有窒素濃度が２０ｐｐｍ〜５００ ｐ ｐ ｒｒ＋
の範囲にあるＩｂ型合成ダイヤモンド単結晶を用意する
工程と、前記ダイヤモンド単結晶を、３ＧＰａ以上の圧
力、２０００℃以上の温度で５時間以上保持することに
より、ダイヤモンド中にＮ３センターを形成させる工程
とを含んでいる。
０体積％以上の（１００）面セクターの領域を含み、か
つ含有窒素濃度が２０ｐｐｍ〜５００ ｐ ｐ ｒｒ＋
の範囲にあるＩｂ型合成ダイヤモンド単結晶を用意する
工程と、前記ダイヤモンド単結晶を、３ＧＰａ以上の圧
力、２０００℃以上の温度で５時間以上保持することに
より、ダイヤモンド中にＮ３センターを形成させる工程
とを含んでいる。
［手段の説明］
概要：
本発明に係るダイヤモンドレーザ素子の作製方法では、
以下の点が重要である。
以下の点が重要である。
■ Ｉｂ型合成ダイヤモンド中の（１００）面セクター
を用いる。
を用いる。
■ ３ＧＰａ以上の圧力、２０００℃以上の温度で５時
間以上保持する。
間以上保持する。
この■および■の手段により、Ｉｂ型合成ダイヤモンド
を用いた高濃度のＮ３センターを含むダイヤモンドレー
ザ素子の作製が可能となる。
を用いた高濃度のＮ３センターを含むダイヤモンドレー
ザ素子の作製が可能となる。
さらに、前記■および■に基づいて作製したＮ３センタ
ーでレーザ作用を起こすには、次の条件が必要となる。
ーでレーザ作用を起こすには、次の条件が必要となる。
■ 含有Ｉｂ型窒素濃度が２０〜５００ｐｐｍの範囲に
あるダイヤモンドを用い、かつダイヤモンド中の（１０
０）面セクターの領域が体積比で６０％以上である。
あるダイヤモンドを用い、かつダイヤモンド中の（１０
０）面セクターの領域が体積比で６０％以上である。
■について：
Ｎ３センターがＩｂ型ダイヤモンド中に生じる過程には
、次の過程が含まれている。
、次の過程が含まれている。
（Ａ） 不純物であるＩｂ型窒素（孤立窒素）か凝集
し、ＩａＡ型窒素（窒素原子対）を形Ｊ戊する。
し、ＩａＡ型窒素（窒素原子対）を形Ｊ戊する。
（Ｂ） さらに、ＩａＡ型窒素が凝集し、Ｎ３センタ
ーおよび副次物を形成する。
ーおよび副次物を形成する。
いずれの反応も、高温下で窒素原子が格子中を拡散して
いくことによって生しる。発明者らは、前記（Ａ）およ
び（Ｂ）の反応の進み方が、ダイヤモンドの成長面セク
ターにより大きく左右されることを見出した。
いくことによって生しる。発明者らは、前記（Ａ）およ
び（Ｂ）の反応の進み方が、ダイヤモンドの成長面セク
ターにより大きく左右されることを見出した。
ダイヤモンド結晶の成長は、主として（１００）面およ
び（１１１）面に平行に進む。（１００）面に平行に成
長したダイヤモンド結晶領域は（１００）面セクターと
、（１１１）而に十行に成長した領域は（１１１）面セ
クターと呼ばれる。第１図に、工業的に量産されている
Ｉｂ型ダイヤモンドのセクターの分布の一例を示す。図
中、１１は（１００）面セクター、１２は（１１１）面
セクター、１４は高次の面セクターである。また、１３
は種結晶、ｌｌａは（１００）面、１２ａは（１１１）
面である。
び（１１１）面に平行に進む。（１００）面に平行に成
長したダイヤモンド結晶領域は（１００）面セクターと
、（１１１）而に十行に成長した領域は（１１１）面セ
クターと呼ばれる。第１図に、工業的に量産されている
Ｉｂ型ダイヤモンドのセクターの分布の一例を示す。図
中、１１は（１００）面セクター、１２は（１１１）面
セクター、１４は高次の面セクターである。また、１３
は種結晶、ｌｌａは（１００）面、１２ａは（１１１）
面である。
ここで、第１図のような（１００）面セクターおよび（
１１１，）面セクターからなるほぼＩｂ型窒素濃度の等
しい２つのダイヤモンドを用意し、高温高圧処理を施し
た後、各々の試料の紫外可視吸光スペクトルを測定した
結果を一例として第２図に示す。第２図中、２１は（１
００）面セクターのスペクトル、２２は（１１１）面セ
クターのスペクトルである。処理条件および処理前のＩ
ｂ型窒素濃度は後述する実施例１と同じである。第２図
から明らかなように、Ｎ３センターの吸収係数に関して
は、（１００）面セクターからなるダイヤモンドの方が
大きい。すなわち、（１１１）面セクターからなるダイ
ヤモンドではほとんどＮ３センターは形成されておらず
、（１００）面セクターの方かＮ３センター形成能力に
優れていることがわかる。
１１１，）面セクターからなるほぼＩｂ型窒素濃度の等
しい２つのダイヤモンドを用意し、高温高圧処理を施し
た後、各々の試料の紫外可視吸光スペクトルを測定した
結果を一例として第２図に示す。第２図中、２１は（１
００）面セクターのスペクトル、２２は（１１１）面セ
クターのスペクトルである。処理条件および処理前のＩ
ｂ型窒素濃度は後述する実施例１と同じである。第２図
から明らかなように、Ｎ３センターの吸収係数に関して
は、（１００）面セクターからなるダイヤモンドの方が
大きい。すなわち、（１１１）面セクターからなるダイ
ヤモンドではほとんどＮ３センターは形成されておらず
、（１００）面セクターの方かＮ３センター形成能力に
優れていることがわかる。
このようなセクター間での差異を積極的に利用し、ダイ
ヤモンドの（１００）面セクターを使用することにより
、高いＮ３センター濃度を持つダイヤモンドの作製が可
能となる。
ヤモンドの（１００）面セクターを使用することにより
、高いＮ３センター濃度を持つダイヤモンドの作製が可
能となる。
■について：
従来法では、セクター間の窒素凝集の差異に対し全く考
慮がなされていないため、いずれのセクターを用いたの
かがわからない。しかし、少なくとも、従来法において
形成されるＮ３センターの濃度が低いのは、高温高圧処
理に費す時間が旨々１時間と短いためであることがわか
る。すなわち、処理時間が短いと、ダイヤモンド中の窒
素の凝集は前記（Ａ）の段階に留まり、Ｎ３センターの
形成量はごくわずかとなる。したがって、高温高圧処理
時間を十分長くとれば、反応は前記（Ｂ）まで進み、Ｎ
３センターの形成量が増大する。発明者らは、必要な処
理時間が５時間以上であることを見出した。
慮がなされていないため、いずれのセクターを用いたの
かがわからない。しかし、少なくとも、従来法において
形成されるＮ３センターの濃度が低いのは、高温高圧処
理に費す時間が旨々１時間と短いためであることがわか
る。すなわち、処理時間が短いと、ダイヤモンド中の窒
素の凝集は前記（Ａ）の段階に留まり、Ｎ３センターの
形成量はごくわずかとなる。したがって、高温高圧処理
時間を十分長くとれば、反応は前記（Ｂ）まで進み、Ｎ
３センターの形成量が増大する。発明者らは、必要な処
理時間が５時間以上であることを見出した。
■について：
前述の■および■により、Ｎ３センターの形成のための
最適条件が得られる。しかし、ダイヤモンド中の窒素が
すべてＮ３センターに変換されるのではなく、処理後も
依然としてＩｂ型窒素のまま残る窒素原子もある。この
Ｉｂ型窒素原子は、第２図に示した吸収スペクトルにお
いて、波長約６５０ｎｍから短波長側に向かって緩やか
に増加している吸収の原因となる。Ｉｂ型窒素による吸
収は、Ｎ３センターの発光領域に重なっている。
最適条件が得られる。しかし、ダイヤモンド中の窒素が
すべてＮ３センターに変換されるのではなく、処理後も
依然としてＩｂ型窒素のまま残る窒素原子もある。この
Ｉｂ型窒素原子は、第２図に示した吸収スペクトルにお
いて、波長約６５０ｎｍから短波長側に向かって緩やか
に増加している吸収の原因となる。Ｉｂ型窒素による吸
収は、Ｎ３センターの発光領域に重なっている。
したがって、Ｉｂ型合成ダイヤモンド中のＮ３センター
を使ってレーザ作用を起こす場合、残留しているＩｂ型
窒素によってＮ３センターからの発光が再吸収され、レ
ーザ利得が著しく損われる。
を使ってレーザ作用を起こす場合、残留しているＩｂ型
窒素によってＮ３センターからの発光が再吸収され、レ
ーザ利得が著しく損われる。
Ｉｂ型窒素濃度がある程度以上になると、ついにはレー
ザ作用が停止する。以上述べた理由により、Ｎ３センタ
ーを利用したレーザ素子をＩｂ型ダイヤモンドから作製
するときの、Ｉｂ型窒素濃度と、結晶中の（１００）面
セクタ一部分の体積比とが規定される。
ザ作用が停止する。以上述べた理由により、Ｎ３センタ
ーを利用したレーザ素子をＩｂ型ダイヤモンドから作製
するときの、Ｉｂ型窒素濃度と、結晶中の（１００）面
セクタ一部分の体積比とが規定される。
処理前のＩｂ型窒素濃度は、２０〜５００ｐｐｍの範囲
内にあることか必要である。処理前のＩｂ型窒素濃度か
５００ｐｐｍを越えると、形成されるＮ３センター濃度
は増すが、同時に残留するＩｂ型窒素濃度も高くなるた
めにレーザ発振しない。２０ｐｐｍ未満の場合には、Ｎ
３センター濃度か低いためにレーザ発振しない。
内にあることか必要である。処理前のＩｂ型窒素濃度か
５００ｐｐｍを越えると、形成されるＮ３センター濃度
は増すが、同時に残留するＩｂ型窒素濃度も高くなるた
めにレーザ発振しない。２０ｐｐｍ未満の場合には、Ｎ
３センター濃度か低いためにレーザ発振しない。
一方、結晶中に占める（１００）面セクタ一部分の割合
が低いとレーザ発振が起こりにくくなる。
が低いとレーザ発振が起こりにくくなる。
■の説明において述べたように、（１１１）面セクター
中には、Ｎ３センターはほとんど生成されず、Ｉｂ型窒
素が多い。したがって、（１１１）面セクターの領域を
増やせば、結晶全体のＮ３センターの量が減り、残留Ｉ
ｂ型窒素による吸収が生じる。すなわち、（１００）面
セクターの割合が６０体積％以下であると、残留Ｉｂ型
窒素による光の再吸収により、レーザ発振は起こらない
。
中には、Ｎ３センターはほとんど生成されず、Ｉｂ型窒
素が多い。したがって、（１１１）面セクターの領域を
増やせば、結晶全体のＮ３センターの量が減り、残留Ｉ
ｂ型窒素による吸収が生じる。すなわち、（１００）面
セクターの割合が６０体積％以下であると、残留Ｉｂ型
窒素による光の再吸収により、レーザ発振は起こらない
。
［実施例］
実施例１
温度差法により合成したｒｂ型ダイヤモンドに、高温高
圧処理を施した。この高温高圧処理は、圧力が５０Ｐａ
、温度が２３００℃、保持時間が２０時間であった。
圧処理を施した。この高温高圧処理は、圧力が５０Ｐａ
、温度が２３００℃、保持時間が２０時間であった。
得られたダイヤモンドにおいて、（１００）面セクター
と（１１１）面セクターとの間でＮ３センターの形成量
にどのような差が現われるかを調べ、第１表の結果を得
た。表中の窒素濃度は、赤外領域の波数１１３０ｃｍ−
’における吸収係数から算定した。生成されたＮ３セン
ターの量は、Ｎ３センターのフォノンサイドバンドの吸
収が最大となる波長約３９０ｎｍでの吸収係数で評価し
た。但し、Ｎ３センターの吸収帯では、残留した未反応
のＩｂ型窒素による吸収が重なっているので、表中のＮ
３センターの吸収係数は、このＩｂ型窒素による吸収を
分離して求めた。なお、両試料の紫外可視吸収スペクト
ルは、第２図に示したとおりである。
と（１１１）面セクターとの間でＮ３センターの形成量
にどのような差が現われるかを調べ、第１表の結果を得
た。表中の窒素濃度は、赤外領域の波数１１３０ｃｍ−
’における吸収係数から算定した。生成されたＮ３セン
ターの量は、Ｎ３センターのフォノンサイドバンドの吸
収が最大となる波長約３９０ｎｍでの吸収係数で評価し
た。但し、Ｎ３センターの吸収帯では、残留した未反応
のＩｂ型窒素による吸収が重なっているので、表中のＮ
３センターの吸収係数は、このＩｂ型窒素による吸収を
分離して求めた。なお、両試料の紫外可視吸収スペクト
ルは、第２図に示したとおりである。
第１表
実施例２
（１，００）面セクターからなるＩｂ型合成ダイヤモン
ドに、時間を変えて高温高圧処理を施した。
ドに、時間を変えて高温高圧処理を施した。
その高温高圧処理の条件は、温度か２３００’Ｃ。
圧力が５０Ｐａであった。
得られた結果を第２表に示す。なお、Ｎ３センターの量
を、実施例１と同様にＮ３センターの吸収係数から評価
した。Ｉｂ型窒素の算定も実施例１と同様に行なった。
を、実施例１と同様にＮ３センターの吸収係数から評価
した。Ｉｂ型窒素の算定も実施例１と同様に行なった。
実施例３
処理前のＩｂ型窒素およびセクターの割合か種々穴なる
Ｉｂ型合成ダイヤモンドを用いた。係るＩｂ型合成ダイ
ヤモンドに高温高圧処理を施したた後、４Ｘ４Ｘ３ｍｍ
直方体に加工した。なお、高温高圧処理の条件は、すべ
ての試料について、温度が２３００℃、圧力が５ＧＰａ
、保持時間が２０時間であった。
Ｉｂ型合成ダイヤモンドを用いた。係るＩｂ型合成ダイ
ヤモンドに高温高圧処理を施したた後、４Ｘ４Ｘ３ｍｍ
直方体に加工した。なお、高温高圧処理の条件は、すべ
ての試料について、温度が２３００℃、圧力が５ＧＰａ
、保持時間が２０時間であった。
得られたダイヤモンドを用いて、レーザの発振テストを
行なった。励起光源としては、波長が３８０ｎｍ、パル
ス幅が約３０ｍ５ｅｃのレーザを用いた。外部共振器を
用いず、ダイヤモンド結晶の端面のフレネル反射を利用
した共振させた。励起光の強度は最大１５０ ＭＷ／
ｃ ｍ２であり、この強度でレーザ発振しないものをレ
ーザ発振なしと判断した。Ｉｂ型窒素濃度は実施例１と
同様に算定し、セクターの割合はＸ線トポグラフによっ
て算出した。
行なった。励起光源としては、波長が３８０ｎｍ、パル
ス幅が約３０ｍ５ｅｃのレーザを用いた。外部共振器を
用いず、ダイヤモンド結晶の端面のフレネル反射を利用
した共振させた。励起光の強度は最大１５０ ＭＷ／
ｃ ｍ２であり、この強度でレーザ発振しないものをレ
ーザ発振なしと判断した。Ｉｂ型窒素濃度は実施例１と
同様に算定し、セクターの割合はＸ線トポグラフによっ
て算出した。
得られた結果を第３表に示す。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明に係るダイヤモンドレーザ
素子の作製方法によれば、高濃度のＮ３センターを含む
ダイヤモンドレーザ素子が得られる。得られたダイヤモ
ンドレーザ素子は、Ｎ３センターをレーザ活性物質とし
、４００〜５０００ｍの範囲において波長が可変なカラ
ーセンターレーザ素子として利用すると効果的である。
素子の作製方法によれば、高濃度のＮ３センターを含む
ダイヤモンドレーザ素子が得られる。得られたダイヤモ
ンドレーザ素子は、Ｎ３センターをレーザ活性物質とし
、４００〜５０００ｍの範囲において波長が可変なカラ
ーセンターレーザ素子として利用すると効果的である。
第１図は（１１０）面方向から見た合成ダイヤモンドの
セクターの様子を示す側面図、第２図は高温高圧処理後
の紫外可視吸収スペクトルを示すグラフである。 第Ｚ図
セクターの様子を示す側面図、第２図は高温高圧処理後
の紫外可視吸収スペクトルを示すグラフである。 第Ｚ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ６０体積％以上の（１００）面セクターの領域を含み、
かつ含有窒素濃度が２０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲に
あるＩｂ型合成ダイヤモンド単結晶を用意する工程と、 前記ダイヤモンド単結晶を、３ＧＰａ以上の圧力、２０
００℃以上の温度で５時間以上保持することにより、ダ
イヤモンド中にＮ３センターを形成させる工程と、 を含むダイヤモンドレーザ素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16922488A JPH0218980A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | ダイヤモンドレーザ素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16922488A JPH0218980A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | ダイヤモンドレーザ素子の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218980A true JPH0218980A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15882523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16922488A Pending JPH0218980A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | ダイヤモンドレーザ素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0218980A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6692714B2 (en) | 1997-10-17 | 2004-02-17 | Suresh Shankarappa Vagarali | High pressure/high temperature production of colorless and fancy-colored diamonds |
| JP4886677B2 (ja) * | 2004-05-04 | 2012-02-29 | エスエーヴェー−オイロドライブ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コムパニー コマンディトゲゼルシャフト | 電気的接続のための接触スリーブを有するコイル |
| US8961920B1 (en) | 2011-04-26 | 2015-02-24 | Us Synthetic Corporation | Methods of altering the color of a diamond by irradiation and high-pressure/high-temperature processing |
| WO2022004150A1 (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 住友電気工業株式会社 | 合成単結晶ダイヤモンド及びその製造方法 |
| WO2022004149A1 (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 住友電気工業株式会社 | 合成単結晶ダイヤモンド及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP16922488A patent/JPH0218980A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6692714B2 (en) | 1997-10-17 | 2004-02-17 | Suresh Shankarappa Vagarali | High pressure/high temperature production of colorless and fancy-colored diamonds |
| US7323156B2 (en) | 1997-10-17 | 2008-01-29 | Bellataire International, Llc | High pressure/high temperature production of colorless and fancy-colored diamonds |
| JP4886677B2 (ja) * | 2004-05-04 | 2012-02-29 | エスエーヴェー−オイロドライブ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コムパニー コマンディトゲゼルシャフト | 電気的接続のための接触スリーブを有するコイル |
| US8961920B1 (en) | 2011-04-26 | 2015-02-24 | Us Synthetic Corporation | Methods of altering the color of a diamond by irradiation and high-pressure/high-temperature processing |
| US10370252B1 (en) | 2011-04-26 | 2019-08-06 | Us Synthetic Corporation | Methods of altering the color of a diamond by irradiation and high-pressure/high-temperature processing |
| WO2022004150A1 (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 住友電気工業株式会社 | 合成単結晶ダイヤモンド及びその製造方法 |
| WO2022004149A1 (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 住友電気工業株式会社 | 合成単結晶ダイヤモンド及びその製造方法 |
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