JPH02189526A - 光スイッチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は光信号の伝送経路を制御するための光スイッ
チ、特に光マトリクススイ・ンチに関する。

（従来の技術） 従来より、電気光学効果を利用して光のスイッチングを
行なうようにした光スイッチが提案されている。このス
イッチ作成に用いられる基板例えばＬ　ｉ　Ｎ　ｂ　Ｏ
３基板では、基板に光を入力すると電気光学効果が強く
なる偏り方向（光の電界の撮動方向）の偏光と電気光学
効果が弱くなる偏り方向の偏光とが励起されることが知
られている。

一般の光スイッチでは電気光学効果が強くなる偏り方向
の偏光（以下、強い偏光と称す）のスイッチング制御を
行なうように光スイッチを作成する。しかしながらこの
場合、電気光学効果が弱くなる偏り方向の偏光（以下、
弱い偏光と称す）は実質的にスイッチング制御されず、
従って偏り方向１こよってスイッチング制御ができたり
できなかったりするという偏光依存性を生ずる。スイッ
チング制御されない弱い偏光はクロストーク光となって
光スイッチから出力され、従って光スイッチのクロスト
ーク特性を悪化させる。

そこでこのようなりロストーク特性の悪化をもたらす偏
光依存性をなくすようにした光スイッチの検討も進めら
れている。この偏光依存性をなくすように（）た光スイ
ッチとしで、例えば文献Ｉ「昭和６３年電子情報通信学
会春季全国大会講演論文集　分冊Ｃ−Ｉ　　Ｃ−４９０
昭和６３年３月２８日」（こ提案されているものがある
。

第６図は上述の文献Ｉに提案されている光スイッチの構
成を概略的に示す斜視図である。

図１こ示す光スイッチ１０は２カツトＬ　ｉ　Ｎ　ｂ　
Ｏ３基板１２に設けた方向性結合器型の２×２光スイツ
チエレメント１４及び１６から成る。２カツトし１Ｎｂ
０３基板１２を用いた場合ＴＭ波が強い偏光及びＴＥ波
が弱い偏光となる。

エレメント１４．１６は動作電圧ＯＶのときにＴＭ波及
びＴＥ波の双方に対して交差状態で動作するような結合
長／素子長で設計されており、このような設計上の工夫
によって、これらエレメント１４、＋６８ＴＭ波及びＴ
Ｅ波の双方に対して交差状態或は直進状態で選択的に動
作するように成し、よってエレメント１４．１６の偏光
依存性をなくしていた。ＴＭ波に対する電気光学効果は
ＴＥ波に対する電気光学効果よりも大となる（ＬｉＮｂ
０３基板１２を用いた場合、ＴＭ波の電気光学効果はＴ
Ｅ波の電気光学効果のほぼ３．５倍程度となる）ので、
ＴＥ波のスイッチング制御が可能な動作電圧でエレメン
ト１４．１６ヲ駆動することによって、ＴＭ波のスイ・
ｙチング制御も行なえる。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら上述の光スイッチでは、光スイツチエレメ
ントの駆動電圧を、弱い偏光のスイッチング制御を行な
えるような電圧として、偏光依存性のないスイッチング
制御を行なう。

弱い偏光に及ぶ電気光学効果は弱いがために弱い偏光の
スイ・ンチング制ｍｖ行なえるような動作電圧は高くな
り、これがため上述の偏光依存性をなくすようにした光
スイッチの動作電圧は、強い偏光のスイ・ンチング制御
のみを行なうよう１こ構成した偏光依存性を有する光ス
イッチの動作電圧の例えば３．５倍以上の動作電圧にな
るという問題点があった。

この発明の目的は、上述した従来の問題点を解決するた
め、より低い動作電圧で偏光依存性のない動作を行なう
構造の光スイッチを提供することにある。

（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の光スイッチは、 電気光学効果が強くなる偏り方向の光に対しては直進及
び交差状態のいずれかの状態で選択的に動作し、電気光
学効果が弱くなる偏り方向の光に対しては直進及び交差
状態のいずれか一方の状態でのみ動作する複数の制御ス
イッチから成るマトリクススイッチ部と、 マトリクススイッチ部に設けた入力ポート及び出力ポー
トと、 入力ポートからマトリクススイッチ部を介して入力した
光の偏り方向を回転させ、この回転させた光を出力ポー
トへ導くためマトリクススイッチ部に入力させる偏光回
転部とを備えて成ることを特徴とする。

この発明の実施に当り、偏光回転部を光の偏り方向を回
転させる偏光回転素子と、この回転させた光を反射によ
ってマトリクススイッチ部に入力させる反射部とから構
成するのが好適である。

（作用） このような構成の光スイッチによれば、光は入力ポート
からマトリクススイッチ部を経て偏光回転部に入力し、
そして偏光回転部からマトリクススイッチ部を経て出力
ポートから出力する。光の伝搬経路をマトリクススイッ
チ部によって制御することによって、所望の入力ポート
から所望の出力ポートに至る光の伝搬経路を形成できる
。

ここで、電気光学効果が強く或は弱くなる偏り方向を強
い或は弱い偏りと表現し、入力ポートからマトリクスス
イッチ部を経て偏光回転部に至る光の伝搬経路を伝搬経
路工及び偏光回転部からマトリクススイッチ部を経で出
力ポートに至る光の伝搬経路を伝搬経路■と表現すると
、伝搬経路１上を強い偏りで伝搬した光は、偏光回転部
に入力すると偏光回転部Ｉこよって弱い偏りｌこ変更さ
れて偏光回転部から出力し、伝搬経路ＩＩ上を弱い偏り
で伝搬する。また伝搬経路Ｉ上を弱い偏りで伝搬した光
は、偏光回転部に入力すると偏光回転部によって強い偏
りに変更されて偏光回転部から出力し、伝搬経路■上を
強い偏りで伝搬する。

またマトリクススイッチ部の制御スイッチは、強い偏り
の光に対しては直進及び交差状態のいずれかの状態で選
択的に動作し弱い偏りの光に対しては直進及び交差状態
のいずれか一方の状態でのみ動作する。このような制御
光スイッチは、強い偏りの光に対して選択的に動作させ
ても、弱い偏りの光に対しては直進状態及び交差状態の
いずれか一方の状態で固定的に動作する。

これがため伝搬！！路路上上強い偏り及び伝搬経路ＩＮ
上で弱い偏りとなる光を、偏り方向が強い偏りとなる伝
搬経路１上でスイッチング制御することによって、所望
の入力ポートから所望の出力ポートに導き出力ポートか
ら出力させることができる。同様に伝ｍ経路工上で弱い
偏り及び伝搬経路ＩＩ上で強い偏りとなる光を、偏り方
向が強い偏りとなる伝搬経路■上でスイッチング制御す
ることによって、所望の入力ポートから所望の出力ポー
トに導き出力ポートから出力させることができる。従っ
て偏光依存性をなくすことができる。

しかも偏り方向が強い偏りの光のスイッチング制御を行
なうので、動作電圧は従来の偏光依存性のない光スイッ
チの動作電圧よりも低くてよい。

（実施例） 以下、図面を参照しこの発明の実施例につき説明する。

尚、図面はこの発明が理解できる程度に概略的に示され
ているにすぎず、従って各構成成分の形状、寸法及び配
設位１、接続関係を図示例に限定するものではない。

箪二ｊｃｉ例 第１図はこの発明の第一実施例の構成を概略的に示す平
面図である。

第一実施例の光スイッチ２０は、複数の制御スイッチ２
２かう成るマトリクススイッチ部２４と、マトリクスス
イッチ部２４に設けた入力ポート２６及び出力ポート２
８と、偏光回転部３０とを備えて成る。

制御スイッチ２２は電気光学効果が強くなる偏り方向の
光に対しては直進及び交差状態のいずれかの状態で選択
的に動作し、電気光学効果が弱くなる偏り方向の光に対
しては直進及び交差状態のいずれか一方の状態でのみ動
作し、また偏光回転部３０は入力ポート２６からマトリ
クススイッチ部２４ヲ介して入力した光の偏り方向を回
転させ、この回転させた光を出力ポート２８へ導くため
マトリクススイッチ部２４に入力させる。

以下、より詳細にこの実施例の構成ｆ口つき説明する。

この実施例では、基板３２として２カツトＬｉＮｂＯ３
基板を用意し、制御スイッチ２２及び偏光回転部３０を
同一基板３２（こ設ける０Ｍ板３２を２カツトＬｉＮｂ
Ｏ３基板とした場合、電気光学効果が強くなる偏り方向
の光はＴＭ波及び電気光学効果が弱くなる偏り方向の光
はＴＥ波となり、これら電気光学効果が強い及び弱い光
の偏り方向（偏波面）は、互いに直交する。

尚、基板３２としてはＬ　ｉ　Ｎ　ｂ　Ｏ３基板のほか
、例えばＬｉＴａＯ３基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板
等の電気光学効果を呈する基板を用いることができる。

ざらにこの実施例のマトリクススイッチｇＢ２４は、相
交差させて設けた入力導波路３４及び出力導波路３６と
、これら導波路３４．３６の交差部分に設けた制御スイ
ッチ２２とを備え、格子型の光マトリクススイッチを構
成する。

そして制御スイッチ２２を、例えば反転Δβ電極型の光
スイツチエレメントとする。この光スイツチエレメント
は方向性結合器型及び全反射型のいずれの構成でもよい
が、基板３２としでＬｉＮｂＯ３基板を用いる場合には
方向性結合器型のものとするのがよい。

文献■ｒ　ＥＬＥＣＴ口０ＮＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲ３（
エレクトロニクス　レクーズ）　　２１ｓｔ　Ｊｕｌｙ
　１９８８．　Ｖｏｌ、２４Ｎｏ、　１５ρρ、９５９
−９８１」にも開示されているよう１こ、２カツトＬｉ
ＮｂＯ５基板に形成した反転へ〇電極型の方向性結合器
型光スイッチエレメントにおいて、例えばＴＥ波に対す
る結合長／素子長をほぼ１とし又はほぼ３とし、かつＴ
Ｍ波に対する結合長／素子長をほぼ１以上３以下の範囲
の値となるようにすれば、この光スイッチエレメントｔ
ＴＥ波に対しては交差状態で固定的に動作させ及びＴＭ
波ｆこ対しては交差状態及び直進状態のいずれか一方の
状態で選択的に動作させることができる。同様に、例え
ば弱い偏りのＴＥ波に対する結合長／素子長をほぼ４と
し、かつ強い偏りのＴＭ波に対する結合長／素子長をほ
ぼ１以上３以下の範囲の値となるようにすれば、光スイ
ツチエレメントをＴＥ波に対して直進状態で固定的に動
作させ及びＴＭ波に対しては選択的に動作させることが
できる。尚、このように動作する光スイツチエレメント
についてのより詳細な説明が特願昭６２−２７７９３９
に成されでいる。

さらにこの実施例では偏光回転部３０１Ｆｒ光の偏り方
向を回転させる偏光回転素子３０ａと、この回転させた
光を反射によってマトリクススイッチ部２４に入力させ
る反射部３０ｂとから構成する。

そしてこの実施例では、各入力導波路３４の一方の端部
に入力ポート２６を及び他方の端部に偏光回転素子３０
ａ　％設け、偏光回転素子３０ａの入力導波路３４と結
合する側とは反対側の端部に反射部３０ｂを設ける。同
様に各出力導波路３６の一方の端部に出力ポート２８を
及び他方の端部に偏光回転素子３０ａを設け、偏光回転
素子３０ａに反射部３０ｂを設ける。偏光回転素子３０
ａとしては例えばＴＭ−ＴＥ変換器を、また反射部３０
ｂとしては例えば偏光回転子３０ａの端部に金属膜又は
誘電体ｍを設けることによって形成した反射ミラーを用
いる。

このほか偏光回転素子３０ａをファラデー回転子とする
ようにしていもよい、この場合には、マトリクススイッ
チ部２４及びファラデー回転素子を別々の基板に形成し
、この実施例と同様にして光学的に結合することとなる
。＠は反射部３０ｂとしてグレーティング反射器を用い
るようにしてもよい。

第２図は第一実施例の光スイッチの動作説明に供する図
である。以下の説明では、電気光学効果が強く或は弱く
なる偏り方向を強い或は弱い偏りと表現し、また入力ポ
ートからマトリクススイッチ部を経て偏光回転部１こ至
る光の伝搬経路を伝搬経路■及び偏光回転部からマトリ
クススイッチ部を経て出力ポートに至る光の伝搬経路を
伝搬経路■と表現する。

第２図（Ａ）は伝搬経路Ｉ上を弱い偏りで伝搬する光（
この実施例ではＴＥ波）に対する光スイッチ２０の動作
の一例、及び第２図（Ｂ）は伝搬経路Ｉ上を強い偏りで
伝搬する光（この実施例ではＴＭ波）に対する光スイッ
チ２０の動作の一例を示す。

ここで制御スイッチ２２か弱い偏りの光に対しては交差
状態でのみ動作し及び強い偏りの光に対しては直進及び
交差状態のいずれか一方で選択的に動作する場合を考え
る。

基板３２として２カ・ントＬ　ｉＮｂ○３基板を用いた
場合、入力ポート２６からマトリクススイッチ部２４に
信号光を入力すると導波路２６において偏り方向（偏波
面）が互いに直交する２つの偏光すなわちＴＥ波及びＴ
Ｍ波が励起され、これらＴＥ波及びＴＭ波が光スイツチ
２０内を伝搬する。

従って例えば入力ポート２６３から入力した光を出力ポ
ート２８３から出力させる場合には、第２図（Ａ）〜（
Ｂ）にも示すよう１こ図中黒丸印で示す制御スイッチ２
２３□を強い偏りのＴＭ波に対して直進状態で動作する
ようにし残りの白丸印で示した制御スイッチ２２ヲ弱い
偏りのＴＥ波に対して交差状態で動作するようにすれば
よい。

この場合入力ポート２６３から入力し入力導波路３４を
弱い偏りで伝搬するＴＥ波は、第２図（Ａ）中に実線矢
印で示すように、入力導波路３４上の全ての制御スイ・
フチ２２ヲ交差状態で通過して、偏光回転素子３０７ａ
に入力する。ＴＥ波は偏光回転素子３０７ａによってＴ
Ｍ波ｌこ変換され、変換されたＴＭ波は反射部３０７ｂ
で反射されて偏光回転素子３０７ａがらマトリクススイ
ッチ部２４へ出力される。変換されたＴＭ波は、第２図
（Ａ）中に破線矢印で示すように、まず入力導波路３４
の制御スイッチ２２を交差状態で通過し、次いで制御ス
イッチ２２３２を直進状態で通過し、従って変換された
ＴＭ波の伝搬経路が入力導波３４から出力導波路３６に
変更される。

変換されたＴＭ波は出力導波路３６上の制御スイッチ２
２を交差状態で通過し、よって出力ポート２８３に至る
。

また入力ポート２６３から入力し入力導波路３４ヲ強い
偏りで伝搬するＴＭ波は、第２図（８）中に破線矢印で
示すように、まず入力導波路３４上の制御スイッチ２２
を交差状態で通過し、次いで制御スイッチ２２３□を直
進状態で通過し、従ってＴＭ波の伝搬経路が入力導波路
３４から出力導波路３６に変更される。１Ｍ波は出力導
波路３６上の制御スイッチ２２ヲ交差状態で通過し、よ
って偏光回転素子３０３ａに入力する。ＴＭ波は偏光回
転素子３０３ａ（こよっでＴＥ波１こ変換され、変換さ
れたＴＥ波は反射部３０３ｂで反射されて偏光回転素子
３０３ａからマトリクススイッチ部２４へ出力される。

変換されたＴＥ波は、第２図（Ｂ）中に実線矢印で示す
ように、出力導波路３６上の全ての制御スイッチ２２ヲ
交差状態で通過し、よって出力ポート２８３に至る。

第二」し１例 第３図はこの発明の第二実施例の構成を概略的に示す平
面図である。尚、第一実施例の構成成分と対応する構成
成分についでは同一の符号を付して示す。

第二実施例の光スイッチ３８は、制御スイッチ２２及び
導波路３４．３６の接続関係とマトリクススイッチ部２
４及び偏光回転部３０＠別々の基板に設けている点とが
第一実施例と異なるほかは、第一実施例と同様の構成と
なっている。以下、主として第一実施例と相違する点に
つき説明し、第一実施例と同様の点については詳細な説
明を省略する。

第二実施例では、制御スイッチ２２！　ｎ行ｍ列（ｎ、
ｍは自然数）に配列し、第１行のｗ４Ｗｉするスイッチ
２２同志を導波路３４又は３６によって接続し、第０行
の制御スイッチ２２同志を導波路３４又は３６によって
接続し、第ｉ行第ｊ列のスイッチ２２と第１＋１行第ｊ
＋１列のスイッチ２２とを導波路３４又は３６によって
接続しく但し、ｉは１≦ｉ≦ｎ−１である自然数、ｊは
１≦ｊ≦ｍ−１である自然数）、さらに第ｊ行第ｊ列の
スイッチ２２と第ｉ−１行第ｊ＋１列のスイッチ２２と
を導波路３４又は３６によって接続する（但し、ｉは２
≦ｉ≦ｎである自然数、ｊは２≦ｊ≦ｍ−１である自然
数）。

光スイツチ３８ヲ例えば第３図にも示すように４人力４
出力の光スイッチとする場合には、入力導波路３４を図
中実線で示す導波路とし及び出力導波路３６を図中点線
で示す導波路とする。

第４図は偏光回転部の一構成例を示す斜視図であり、偏
光回転部の要部を示す。

第二実施例の光スイッチ４０の偏光回転部４０は、第４
図にも示すように、基板３２とは別の基板４２に設けた
導波路４４及び基板４２面上１こ設けた電極４６ａ２４
６ｂから成る回転偏光素子３０ａと、導波路４４のマト
リクススイッチ部２４と結合する側とは反対の側の導波
路４４端部に設けた反射部３０ｂ例えば全反射面とから
成る。尚、電極４６ａ、４６ｂを図中ハツチングを付し
て示した。

そして例えば、基板４２としてＬｉＮｂ○３基板の２板
、Ｘ板或はｙ板を用い、この基板４２のＣ軸（光軸）を
基板４２面に対しで４５°傾くように成す、ざらに電極
４６ａ　＠導波路４２の一方の側縁がら導波路４４の外
側領域まで延在させで設け、電極４６ｂを導波路４４の
内側領域から導波路４４の外側領域まで延在させて設け
る。

このような構成の偏光回転素子３０ａの導波路４４にＴ
Ｍ波又はＴＥ波を入力すると、ＴＭ波又はＴＥ波はＣ軸
に平行な偏り方向の光とＣ軸に垂直な偏り方向の光とに
分離して導波路４４１Ｆ！、伝搬するので、電極４６ａ
、　４６ｂに印加する電圧を調整することによってＴＭ
波￥！ＴＥ波に又はＴＥ波をＴＭ波に変換できる。

第５図は第二実施例の光スイッチの動作説明に供する図
である。

第５図（Ａ）は伝搬経路１上を弱い偏りで伝搬する光（
この実施例ではＴＥ波）に対する光スイッチ３８の動作
の一例、及び第５図（Ｂ）は伝搬経路Ｉ上を強い偏りで
伝搬する光（この実施例ではＴＭ波）に対する光スイッ
チ３８の動作の一例を示す。

ここで第２図の動作例の説明の場合と同様に制御スイッ
チ２２が動作するものとする。

例えば入力ポート２６２から入力した光を出力ポート２
８３から出力させる場合には、第５図（Ａ）〜（Ｂ）に
も示すように図中黒丸印で示す制御スイッチ２２．３を
強い偏りのＴＭ波に対して直進状態で動作するよう１こ
し残りの白丸印で示した制御スイッチ２２ヲ弱い偏りの
ＴＥ波に対して交差状態で動作するようにする。

この場合入力ポート２６２かう入力し入力導波路３４を
弱い偏りで伝搬するＴＥ波は、第５図（Ａ）中に実線矢
印で示すように、入力導波路３４上の全ての制御スイッ
チ２２８交差状態で通過しで、偏光回転素子３０４ａに
入力する。ＴＥｆｉは偏光回転素子３０４ａによってＴ
Ｍ波に変換され、変換されたＴＭ波は反射部３０４ｂで
反射されて偏光回転素子３０４ａから出力される。変換
されたＴＭ波は、第５図（Ａ）中に破線矢印で示すよう
に、まず入力導波路３４の制御スイッチ２２を交差状態
で通過し、次いで制御スイッチ２２．３を直進状態で通
過し、従って変換されたＴＭ波の伝搬経路が入力導波３
４から出力導波路３６に変更される。変換されたＴＭ波
は出力導波路３６上の制御スイッチ２２を交差状態で通
過し、よって出力ポート２８３に至る。

また入力ポート２６２かう入力し入力導波路３４ヲ強い
偏りで伝搬するＴＭ波は、第５図（Ｂ）中１こ破線矢印
で示すように、まず入力導波路３４上の制御スイッチ２
２を交差状態で通過し、次いで制御スイッチ２２．３を
直進状態で通過し、従ってＴＭ波の伝搬経路が入力導波
路３４から出力導波路３６に変更される。ＴＭ波は出力
導波路３６上の制御スイッチ２２を交差状態で通過し、
よって偏光回転素子３０４ａに入力する。ＴＭ波は偏光
回転素子３０４ａによってＴＥ波に変換され、変換され
たＴＥ波は反射部３０４ｂで反射されて偏光口、転素子
３０４ａから出力される。変換されたＴＥ波は、第５図
（８）中に実線矢印で示すように、出力導波路３６上の
全ての制御スイッチ２２ヲ交差状態で通過し、よって出
力ポート２８３に至る。

この発明は上述した実施例ｆこのみ限定されるものでは
なく、従って各構成成分の形状、寸法、配設位置、構成
、接続関係、形成材料、配設個数を任意好適に変更する
ことができる。

例えばマトリクススイッチ部の構成を上述した実施例と
は異なる構成とするようにしてもよく、従って制御スイ
ッチの配設個数や、制御スイ・フチ間の接続関係や、ま
た入力及び出力ポートの配設個数及び配設位置を任意好
適に変更できる。

また偏光回転部を上述した実施例のほか種々の構成とす
ることができる０例えば偏光回転部を偏光回転素子と光
ファイバとから構成し、偏光回転素子の入力ｌこ光学的
に結合するマトリクススイッチ部の導波路と、偏光回転
素子の出力とを光ファイバを介して光学的に結合するよ
うにしてもよい、また偏光回転部を偏光回転素子と反射
部とから構成する場合において、偏光回転素子を偏波保
存ファイバを用いて構成するようにしてもよい、この場
合、偏波保存ファイバの一方の端部をマトリクススイッ
チ部の導波路と光学的に結合し、ざらに偏波保存ファイ
バの他方の端部に反射部例えば誘電体膜や金属膜からな
る反射膜を設けるようｆこする０例えば、偏波保存ファ
イバをマトリクススイッチ部の導波路と結合させたとき
に偏波保存ファイバの主軸がマトリクススイッチ部の形
成に用いる基板の基板面と成す角度θや、偏波保存ファ
イバの一方及び他方の端部の間の長さヲ任意好適に設定
することによって、偏波保存ファイバを偏光回転素子と
しで機能させることができる。角度θを例えば４５′″
とするようにすればよい。

また上述した実施例では電気光学効果がより強くなる偏
り方向の光をＴＭ波とし、及び電気光学効果がより弱く
なる偏り方向の光！ＴＥ波としたが、電気光学効果が強
く及び弱くなる光の偏り方向（偏波面）をこれらＴＭ波
及びＴＥ波に限定するものではない。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の光スイ
ッチによれば、光は入力ポートからマトリクススイッチ
部を経て偏光回転部に入力し、そして偏光回転部からマ
トリクススイッチ部を経て出力ポートから出力する。

入力ポートから制御スイッチを経て偏光回転部に至る光
の伝搬経路１上を強い偏りで伝搬した光は、偏光回転部
に入力すると偏光回転部によって弱い偏りに変更されて
偏光回転部から出力し、偏光回転部から制御スイッチを
経て出力ポートに至る光の伝搬経路ＩＩ上を弱い偏りで
伝搬する。また伝搬経路Ｉ上を弱い偏りで伝搬した光は
、偏光回転部に入力すると偏光回転部によって強い偏り
に変更されて偏光回転部から出力し、伝搬経路ＩＩ上を
強い偏りで伝搬する。

そしてマトリクススイッチ部の制御スイッチは、強い偏
りの光（こ対しては直進及び交差状態のいずれかの状態
で選択的に動作し弱い偏りの光に対しては直進及び交差
状態のいずれか一方の状態でのみ動作する。このような
制御光スイッチは、強い偏りの光に対して選択的１こ動
作させても、弱い偏りの光に対しては直進状態及び交差
状態のいずれか一方の状態で固定的に動作する。

これがため伝搬経路Ｉ上で強い偏り及び伝搬経路ＩＩ上
で弱い偏りとなる光を、偏り方向が強い偏りとなる伝搬
経路■上でスイッチング制御することによって、所望の
入カポ−・トから所望の出力ポートに導き出力ポートか
ら出力させることができる。同様に伝搬経路Ｉ上で弱い
偏り及び伝搬経路ＩＩ上で強い偏りとなる光を、偏り方
向が強い偏りとなる伝速経路ＩＩ上でスイッチング制御
すること（こよって、所望の入力ポートから所望の出力
ポート（こ導き出力ポートから出力させることができる
。従って偏光依存性をなくすことができる。

しがも偏り方向が強い偏りの光のスイッチング制御を行
なうので、動作電圧は従来の偏光依存性のない光スイッ
チの動作電圧よりも低くてよい。

これがため、従来よりも低い動作電圧で偏光依存性のな
い動作を行なうことのできる光スイッチを提供できる。

基板として例えばＬ　ｊ、　Ｎ　ｂ○３基板を用いた場
合には、従来のほぼ１／３．５程度の動作電圧で偏光依
存性のない動作を行なえる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第一実施例の構成を概略的に示す平
面図、 第２図（Ａ）及び（Ｂ）は第一実施例の動作の説明に供
する図、 第３図はこの発明の第二実施例の構成を概略的に示す平
面図、 第４図は偏光回転部の一構成例を示す斜視図、第５図（
Ａ）及び（Ｂ）は第二実施例の動作の説明に供する図、 第６図は従来の光スイッチの説明ｌこ供する図である。 ２０．３８・・・光スイッチ ２２．２２３□、２２１３・・・制御スイッチ２４・・
・マトリクススイッチ部 ２６．２６２．２６３−・・入力ポート２８．２８３−
・・出力ポート ３０．４０・・・偏光回転部 ３０ａ、３０２ａ、３０４ａ、３０７ａ・・・偏光回転
素子３０ｂ、３０２ｂ、３０４ｂ、３０７ｂ・・・反射
部。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）電気光学効果が強くなる偏り方向の光に対しては
   直進及び交差状態のいずれかの状態で選択的に動作し、
   電気光学効果が弱くなる偏り方向の光に対しては直進及
   び交差状態のいずれか一方の状態でのみ動作する複数の
   制御スイッチから成るマトリクススイッチ部と、 該マトリクススイッチ部に設けた入力ポート及び出力ポ
   ートと、 前記入力ポートから前記マトリクススイッチ部を介して
   入力した光の偏り方向を回転させ、この回転させた光を
   前記出力ポートへ導くため前記マトリクススイッチ部に
   入力させる偏光回転部とを備えて成ることを特徴とする
   光スイッチ。
2. （２）前記偏光回転部を光の偏り方向を回転させる偏光
   回転素子と、この回転させた光を反射によって前記マト
   リクススイッチ部に入力させる反射部とから構成するこ
   とを特徴とする請求項１に記載の光スイッチ。