JPH04264531A - 案内された光に対する偏光ビームスプリッタ - Google Patents

案内された光に対する偏光ビームスプリッタ

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JPH04264531A
JPH04264531A JP3311833A JP31183391A JPH04264531A JP H04264531 A JPH04264531 A JP H04264531A JP 3311833 A JP3311833 A JP 3311833A JP 31183391 A JP31183391 A JP 31183391A JP H04264531 A JPH04264531 A JP H04264531A
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JP
Japan
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coupler
splitter
mode
axis
refractive index
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Withdrawn
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JP3311833A
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English (en)
Inventor
Luc Riviere
リュク  リビエール
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France Telecom R&D SA
Original Assignee
Centre National dEtudes des Telecommunications CNET
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Filing date
Publication date
Application filed by Centre National dEtudes des Telecommunications CNET filed Critical Centre National dEtudes des Telecommunications CNET
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    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3132Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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    • G02F1/0144TE-TM mode separation
    • GPHYSICS
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    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/125Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode delta-beta

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  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は案内された光に対する
偏光ビームスプリッタに関する。
【0002】
【従来の技術】偏光ビームスプリッタは光集積回路、例
えば光ファイバセンサの分野または単一モードの光ファ
イバによるコヒーレントな情報の伝送の分野に用いられ
ており、これらの分野においては使用される光波の偏光
状態が非常に重要なパラメータである。
【0003】これらの分野では偏光ビームスプリッタが
不可欠な装置であり、この装置により使用された光波に
ついてTEモードとTMモードの空間的な分離が行われ
る。
【0004】種々の案内された光の偏光スプリッタがす
でに知られており、これらは電気光学1軸材料、とりわ
けLiNbO3:Tiの上に形成されている。
【0005】LiNbO3:Tiの材料の上では結晶軸
が従来の通りX,Y,Zに定められており、X軸とY軸
の双方は材料の常屈折率に対応しており、一方Z軸は異
常屈折率に対応しているが、次のものから製造されてい
る:X軸またはY軸に沿った伝搬形態の方向性結合器(
他の引例と同じくこの明細書の後に記載している引例(
1)を参照)、バイモード干渉法(bimodal i
nterference methods)(引例(2
)を参照)を用いた装置、Y結合部を有した構造体(引
例(3)を参照)、イオン交換導波管部を有するスプリ
ッタ(引例(4)を参照)。
【0006】引例(5)には交番デルタベータ電極構造
を有した方向性結合器が開示されているが、この構造は
複屈折カットのリチウムニオブ酸塩基板上に形成されて
おり、偏光スプリッタとして使用することができる。
【0007】図1に概形を示す方向性結合器には、幅が
一定の2つの光の案内部2,4と、互いに長さがL/2
である2つの隣接部があり、Lは結合器が相互に作用し
合う長さを示している。光の案内部2(または4)には
2つの隣接部の一方に制御電極6(または8)が、他の
隣接部には制御電極10(または12)がある。
【0008】図1の結合器に対する制御図の一部分を図
2に示す。
【0009】方向性結合器の制御図は基準フレーム内に
プロットされており、その横軸には次のパラメータが取
られているデルタベータ.L/pi
【0010】ここにpiは周知の数で値はほぼ3.14
16であり、Lは結合器が相互に作用し合う長さであり
、デルタベータ(図ではギリシャ文字を用いて示してい
る)は結合器の対称および非対称伝搬モードにおける伝
搬定数間の差である。
【0011】基準フレームの縦軸には、量L/lcが取
られているが、ここにlcは結合器の結合長を示してい
る。
【0012】図2の制御図には多数の曲線があり、縦軸
が対称軸となっている。曲線I、IIIおよびVは結合
器の交差状態に対応しており基準フレームの軸上に記号
Xで示している。曲線IIとIV(半円)は結合器の平
行状態に対応しており、基準フレームの軸上に記号=で
示している。
【0013】リチウムニオブ酸塩の電気光学係数rij
のマトリクスを調べると、結晶軸Yの方向に加えられた
所定の電界と、軸Xに平行に伝搬する横波に対し、基本
TEモードおよびTMモードへの電気光学効果により生
ずるデルタベータの位相変化は比が3に近いことが知ら
れている。
【0014】このように、リチウムニオブ酸塩の基板上
の交番デルタベータ構造体に形成された図1の結合器を
検討すると、その表面は結晶軸Yに直角であり、案内さ
れた波は軸Xに平行に伝搬し、更にHは印加電圧が無い
場合の結合点の代表点である(図2参照)。
【0015】この代表点Hは制御図の縦軸の上にある(
デルタベータ=0)。軸Yに平行に電界が加えられると
、結合点には2つの代表点A,Bが生じ、それぞれ案内
モードTEとTMに関係している。
【0016】以上のことから次のことが言える:HB=
3HA
【0017】代表点Aが曲線Iの一部で代表点Bが曲線
IIの一部であり、それぞれの曲線が結合器の交差状態
および平行状態と関連するように代表点Hと印加電圧の
値を選ぶと、偏光した波のTEとTMが分離する。光波
が案内部2の出力14において注入されるので(図1)
、偏光した波TMは前記の案内部2の端16において得
られ、偏光した波TEは案内部4の端18(端16の側
面にある)において得られる。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】これにより次の2つの
重大な不都合が生ずる:適正に取扱う場合点Hの選択、
それ故結合器の比L/lcの精度が非常に必要となり、
製造上の余裕が非常に少なくなる;前述の議論は制御図
の曲線I,II,−−− ,VがTE偏光とTM偏光に
対して同一であることを前提としているが、これは一般
的な場合でなく、結合の長さlcは案内された波のTE
とTMに対して異なっている。
【0019】引例(6)には図3に概形を示す偏光スプ
リッタが開示されている。このスプリッタには位相シフ
タ20があり、2つの3dB方向性結合器22,24と
連結されている。この周知のスプリッタにより適当に偏
光を行うと、結合器24の2つの出力26と28におい
て、結合器22の2つの入力の一方30に到達する入力
光波のTEモードとTMモードをそれぞれ得ることがで
きる。
【0020】しかし、この周知のスプリッタには小型化
できない欠点があり、その長さはほぼ2cm以上である
【0021】
【課題を解決するための手段】この発明の目的は、形状
が非常に簡単な電極(例えばストリップ状の電極)で作
られ、更に長さが5mm未満の超小型に製造できる偏光
スプリッタを提案することにより前記の欠点を除去する
ことである。
【0022】より詳細には、この発明は案内された光に
対する偏光ビームスプリッタに関しており、このスプリ
ッタには交番デルタベータ電極構造を有する方向性結合
器があるが、前記結合器には互いに隣接した2つの隣接
部と2つの光の案内部とがあり、2つの案内部の一方の
端は入力の光波を受ける役目をしているが、この入力の
光波は2つの光学的な案内モード、すなわちTEモード
とTMモードの組合せであり、更に結合器がTEモード
に関係した屈折率とTMモードに関係した屈折率を有す
る材料で作られた基板の上に形成されており、この結合
器により屈折率がそれぞれ反対方向に変化を生ずること
を特徴としており、更に結合器は電極間に電圧がない場
合は結合器の対称伝搬モードおよび非対称伝搬モードに
それぞれ対応した伝搬定数の間にデルタベータの変化を
生ずることができることを特徴としているが、このデル
タベータの変化は一方ではスプリッタにより案内される
光波の偏光状態には無関係であり他方では制御図上の結
合器の代表点が図にプロットした基準フレームの横軸に
平行な線分の中心にあるようになっており、更にこの変
化は結合器の交差状態に対応した曲線と前記結合器の平
行状態に対応した曲線にそれぞれ属する2つの点により
定まるが、後者の電気偏光を適当にするため入力の光波
の2つのTEおよびTMモードの一方が案内部の他の端
で得られており、しかもこのモードは前記入力光波を受
け他のモードは他の案内部の対応した端で受けている。
【0023】この発明によるスプリッタの特別な実施例
によれば、案内部のそれぞれの幅が結合器の2つの隣接
部の一方で増加および減少しており、それぞれ減少は従
来のものと同じであり、増加は他の隣接部において従来
のものと同じであるが、この増加および減少は結合器の
前記代表点を得るように選ばれている。
【0024】この発明によるスプリッタには制御装置を
与えることができるが、この装置により結合器の対応し
た端でそれぞれ得られるTMモードとTEモードを切替
えることができる。
【0025】TEモードとTMモードにそれぞれ関係の
ある屈折率は電気光学効果により変化する。
【0026】この発明によるスプリッタの特別な実施例
によれば、基板の材料が3m対称3方晶グループに属す
る材料から選ばれており、このような基板の材料は互い
に直角な3結晶軸X,Y,Zを有する単軸電気光学材料
であるが、X軸とY軸は材料の常屈折率Noに対応して
おり、Z軸は前記材料の異常屈折率Neに対応しており
、スプリッタが形成されている基板の表面はX軸とY軸
の面に直角であり、更にスプリッタは案内された光が前
記スプリッタ内のZ軸に平行に伝搬するように形成され
ている。
【0027】LiNbO3は前述のグループから選ぶこ
とができる。このようにX−カットまたはY−カットで
Z方向へ伝搬するLiNbO3スプリッタは引例(7)
を参照することにより得られる。
【0028】このような形態によりモード(modal
) 複屈折をかなり減少させることができ、X方向への
伝搬またはY方向への伝搬の形態と比較するとスプリッ
タの電極の設計が容易になる。
【0029】この場合、結合器はTiの局部拡散、イオ
ン交換またはLiNbO3への打込みにより作られてい
る。結合器の結合長lcに対する相互作用を及ぼす長さ
Lの比は1以上かつ3以下である。
【0030】
【実施例】以下図面に基づきこの発明を更に詳しく説明
するが、この発明はこの実施例により制限されるもので
はない。
【0031】図4は単軸電気光学材料で作られた基板3
2の断面図であり、この材料の上にこの発明によるスプ
リッタを作ることができる。この材料には3つの結晶軸
X,Y,Zがある。これらの軸のそれぞれは他の2つに
直角である。
【0032】更に、軸XとYはそれぞれ材料の常屈折率
Noに対応しており、Z軸は前記材料の異常屈折率Ne
に対応している。
【0033】スプリッタが形成されている基板32の表
面34はX軸かY軸の一方に直角である。図4の場合、
スプリッタはX軸に直角な面の上に形成されている。
【0034】図4にはスプリッタに含まれた導波管の一
部分36を示してあり、その部分は適当な材料の局部拡
散、イオン交換または基板32への打込みにより作られ
ている。
【0035】スプリッタ内に到達する光波の電界Eは互
いに直角であり、しかもこの場合はZ軸に平行である光
波の伝搬方向に直角である2つのモードTEとTMの和
であると従来から考えられている。
【0036】更に、TEモードは基板の表面34に平行
であり、TMモードは前記表面34に直角であることが
知られている。このように、表面34が軸Xに直角であ
る場合は(図4)、TEモードはY軸の上にありTMモ
ードはX軸の上にある。
【0037】明らかに、スプリッタが形成されている基
板の表面がY軸に直角である場合には、TEモードはX
軸の上にありTMモードはY軸の上にある。
【0038】図5はこの発明によるスプリッタの実施例
の平面図を図示している。この実施例は図5に示されて
おり、X−カットでZ方向に伝搬するLiNbO3の基
板38から形成され、更に交番デルタベータ構造の方向
性結合器を有している。
【0039】従来の方法により、この結合器には2つの
隣接部40,42と、2つのほぼ平行な光の案内部44
,46があるが、後者は連続的に2つの隣接部を横切り
更に十分接近し光の相互結合をなしている。
【0040】図5による結合器には電極があり、その偏
光により各隣接部内の2つの案内部に電界が加えられる
が、この電界は互いに反対方向であり、しかも各案内部
に対し2つの隣接部内に加えられたそれぞれの電界が互
いに反対方向となるようになっている。
【0041】図5に示す実施例では、隣接部40(また
は42)には案内部44,46と、2つの案内部のアセ
ンブリの両側の上の2つの電極52,54(または56
,58)との間に電極48(または50)がある。
【0042】平面図において、電極52と56は簡単に
配列されたストリップを形成しているが、これは電極4
8,50および電極54,58についても同様である。
【0043】制御装置60,62が与えられ、電極48
,50はそれぞれ反対の電位+Vと−Vに設定されてい
るが、他の電極52,54,56,58は大地に接続す
なわち接地されている。
【0044】図示していないが、これの変形として制御
装置が与えられ電極52,54は電位−Vに、電極56
,58は反対の電位+Vに設定され、電極48と50が
接地されている場合がある。
【0045】更に、接地する必要がある配列された2つ
の電極は単一の接地された電極と置き替えることができ
、更に2つの電極間の空間と同じく、これら2つの電極
により占有された表面を覆うことができるようにするこ
とは明らかである。
【0046】図6は図5の結合器の制御図であり、結合
器の交差状態により対称軸が縦軸であるIのような多数
の閉曲線が得られる。結合器の平行状態によりIIのよ
うな半円が得られる。
【0047】図5の交番デルタベータ結合器は、案内部
44と46が一定の幅Wを有していないということによ
り周知の交番デルタベータ結合器と異なっている。案内
部の1つに対し前記の幅は1番目の隣接部では増加し2
番目の隣接部では減少するが、その他の案内部の幅は1
番目の隣接部では減少し2番目の隣接部では増加してお
り、減少量は等しく更に増加量も等しい。
【0048】このように、図5から案内部44(または
46)の幅は隣接部40においてはWより大きな値W1
を取り(またはWより小さな値W2)、隣接部42にお
いては値W2(またはW1)を取ることが判る。
【0049】結合器を製造する間に適当なマスクにより
得られるこれらの幅の変化は、図5の結合器に“パッシ
ブプリポラリゼーション(passive prepo
larization) ”があることを示している。 電極間に加えられる電圧が無い時は、図6の結合器の代
表点は、案内部44と46が一定の幅Wを取った時生ず
る状態とは逆に縦軸(この時デルタベータはゼロ)の上
に位置していない。
【0050】この代表点は横軸に平行であり、しかも曲
線I(交差状態)と曲線II(平行状態)にそれぞれ属
する点A1とB1により定まる線分上で、図6の基準フ
レームの1番目の四分円の中にあるM1に位置している
と考えられる。
【0051】前述の電圧+Vと−Vを結合器に加えると
、点A1とB1を通る直線dの上で、基準フレームの横
軸に平行な結合器の代表点が移動する。それ故案内部の
1つの中に、すなわちその一方の端を通り入る光波のT
EモードとTMモードの一方が平行状態または交差状態
を取ることが可能となる。例えば、交差状態(点A1)
はTEモードに対して取ることができる。
【0052】図5のZ方向に伝搬するスプリッタに電界
を加えると、TEモードとTMモードに対してデルタベ
ータの変化(TE)とそれに反対のデルタベータの変化
(TM)が生ずる。
【0053】上述の例では、TMモードの代表点B1は
従って点M1に対し点A1と対称な点となる。
【0054】点A1が曲線I(交差状態)の上にあれば
、偏光された波TEとTMの空間的な分離を得るために
は、B1が曲線II(平行状態)の上にある必要がある
。これが得られるのは点M1が線分A1B1の中心にあ
る場合のみである。このようにTEモードとTMモード
が分離する。
【0055】例えば、光波(TE+TM)が隣接部40
の側面にある端64から案内部44に入ると、結合器の
適当な電気的偏光により案内部44の他方の端ではTE
モードを、また隣接部42の側面にある案内部46の端
ではTMモードを得ることができる。
【0056】この連結において、光波は図示していない
光ファイバから出て、適当な光路を通り案内部44の端
64の中に注入される、すなわち図示していない導波管
から出て、スプリッタと同じ基板の上に生じ案内部44
により拡大されることを指摘できる。
【0057】図6に戻り、曲線IとIIの距離の中間に
あり、
【数1】 の条件を満たす全ての点は縦軸に間して互いに対称な2
つの閉曲線G1とG2により形成されていることを指摘
できる。
【0058】これらの曲線G1,G2の各点はパッシブ
プリポラリゼーションポイントである。
【0059】条件(1)を満たす所定の比L/lcに対
して、結合器には一般に4つのプリポラリゼーションポ
イントがあり、このプリポラリゼーションによりスプリ
ットモード(すなわち偏光スプリット)を生じさせるこ
とができる。
【0060】例えば、ラインdに対応した比L/lcに
対しては図6で判るように4つの点M1,M2,M3,
M4があり次の様に書くことができる:M1A1=M1
B1、  M2A2=M2B1M3A1=M3B2、 
 M4A2=M4B2
【0061】点M1とM4の一方
はプリポラリゼーションポイントに選ぶことが好ましい
が、これは前記点M1とM4がデルタベータから離れ更
にこの点に対し結合器に加えられる電圧が必要になるか
らであり、この電圧は点M1とM3に必要な絶対値より
低い。
【0062】更に他のプリポラリゼーションポイントが
可能であることを指摘できるが、図6に一方では平行状
態に対応し他方では交差状態に対応しているが図示して
いない他の曲線があることによる(図2参照)。
【0063】一般項として、プリポラリゼーションポイ
ントは次の条件により定められる範囲にある:
【数2】
【0064】しかし、L/lc比を高くして動作させる
利点は一般にはない。それ故、プリポラリゼーションに
対する基準はk=0に対する範囲で与えられる。
【0065】図5に関して記載したタイプの偏光スプリ
ッタを形成するため制御図が使用されるが、この制御図
からG1およびG2のようなプリポラリゼーション曲線
をプロットすることが可能である。
【0066】比L/lcはプリポラリゼーションポイン
ト例えばM1を与えると選択され、これからLを選んだ
後にデルタベータパッシブプリポラリゼーションが得ら
れる。このパッシブプリポラリゼーションは経験的にま
たはモデル化することにより案内部の幅W1とW2、お
よびそれぞれの屈折率に関連が生ずる。
【0067】このように、スプリッタの種々のパラメー
タを決めることが可能となる。
【0068】この発明によるスプリッタは偏光スイッチ
ング装置として動作することに注意する必要がある。
【0069】例として図5のスプリッタを考えると、こ
の目的のためには電圧を反転できる装置60と62を与
える必要があり、これらの装置はそれぞれ電極48と5
0に接続されているが、更にこのスプリッタにより図5
の結合器の2つの出力端の間でTE偏光およびTM偏光
を切替えることができる。
【0070】LiNbO3 以外の材料、例えばX−カ
ットでZ方向に伝搬するLiTaO3 もこの発明に使
用することができる。
【0071】更にこの発明では、X−カットでZ方向に
伝搬するLiNbO3 とLiTaO3 を使用する代
り、Y−カットでZ方向に伝搬する前記材料を使用する
こともできる。
【0072】両方の場合とも、例えば前記材料上に形成
されたスプリッタの案内部g1,g2(図7,8)に加
えられる電界はY軸に沿って方向が決められる必要があ
る。
【0073】X−カットの場合、電極e1,e2,e3
(図7)のようなスプリッタの電極により、それ故スプ
リッタが形成される材料の表面に平行な電界が生ずる。
【0074】図7に示す電極e1,e2,e3は案内部
g1とg2の両側の上の材料の表面に置かれている。
【0075】Y−カットの場合、e’1,e’2,e’
3のようなスプリッタの電極(図8)により、スプリッ
タが形成される材料の表面に直角な電界Egが生ずる。
【0076】図8に示す電極e’1,e’2,e’3は
材料の表面に置かれるが、電極e’1とe’3は案内部
g1とg2の上にあり、電極e’2はこれらの案内部の
間にある。
【0077】更にこの発明の範囲内でLiNbO3 族
に属する以外の材料を使用することができる。
【0078】この発明によるスプリッタは、反対方向の
変化DNと−DNを生ずるあらゆる材料で作られた基板
の上に形成することができ、DNと−DNはそれぞれT
Eモードに関係した屈折率と、TMモードに関係した屈
折率に対して生じている(これらのTEモードとTMモ
ードはスプリッタ入力に到達する光波に対応している)
【0079】このようにすると、ガリウムヒ素(GaA
s)を使用することができ、このGaAsは43m対称
立方結晶グループの一部を形成する半導体に等しい。
【0080】例えば、GaAsの基板66(図9)を使
用すると、スプリッタを形成しその一部70が図9に示
される前記基板の面68は次の結晶軸
【数3】 に直角であり、スプリッタを動作させるのに必要な電界
E1は次の軸
【数4】 に従って加えられ、しかもそれ故基板に直角となるが、
案内された光の伝搬方向は次の軸
【数5】 に平行になっている。
【0081】これらの条件のもとで、TMモードは次の
【数6】 に従って、またTEモードは次の軸
【数7】 に従って偏光される。
【0082】この例として、TEモードとTMモードに
それぞれ関係のある屈折率NTEとNTMは次の様に表
わされる
【数8】 ここに次の値
【数9】 はE1の母数を示しており、r41はGaAsの電気光
学的テンソルの非ゼロ単一係数を示しており、更にn0
 は電界E1が無い時のNTEとNTMに対する共通の
値を示している。
【0083】電気光学効果により生ずるNTEとNTM
の変化は反対であることに注意する必要がある。
【0084】[引例] (1)  GRANESTRAND 、THYLEN、
STOLTZ、Electron.Lett.,24、
No.18、1142(1988)、“デルタベータお
よびデルタカッパ変調を用いた独立偏光スイッチと偏光
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ted Optics,ECIO’89、“光集積回路
における偏光スプリッタ”
【図面の簡単な説明】
【図1】周知の偏光スプリッタの概観図を示しており、
交番デルタベータ方向性結合器を用いており内容は既述
の通りである。
【図2】既述の結合器の制御図の一部分を示す。
【図3】他の周知のしかも既述の偏光スプリッタの概観
図を示す。
【図4】この発明で使用する材料で作られた基板の断面
の概観図を示す。
【図5】この発明による偏光スプリッタの実施例に対す
る平面図の概観であり、交番デルタベータ方向性結合器
を有している。
【図6】前記結合器の制御図の一部を示す。
【図7】X−カットでZ方向に伝搬するLiNbO3 
タイプの材料に対しこの発明によるスプリッタを製造す
る可能性を図的に示す。
【図8】Y−カットでZ方向に伝搬するLiNbO3 
タイプの材料に対しこの発明によるスプリッタを製造す
る可能性を図的に示す。
【図9】この発明の範囲内で使用可能な他の材料で作ら
れる基板の断面の概観を示す。
【符号の説明】
2、4、44、46  光の案内部 6、8、10、12  制御電極 14、26、28  出力 16、18、64  端 20  位相シフタ 22、24、39  方向性結合器 30  入力の一方 32、38、66  基板 34、68  基板の表面 36  導波管の一部分 40、42  隣接部 48、50、52、54、56、58  電極60、6
2  制御装置 70  一部

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  案内された光に対するスプリッタで、
    このスプリッタには交番デルタベータ電極構造を有する
    方向性結合器(39)があるが、前記結合器には互いに
    隣接した2つの隣接部(40,42)と2つの光の案内
    部(44,46)とがあり、2つの案内部の一方(44
    )の端(64)は入力の光波を受ける役目をしているが
    、この入力の光波は2つの光学的な案内モード、すなわ
    ちTEモードとTMモードの組合せであり、更に結合器
    がTEモードに関係した屈折率とTMモードに関した屈
    折率を有する材料で作られた基板(38)の上に形成さ
    れており、この結合器により屈折率がそれぞれ反対方向
    に変化を生ずることを特徴としており、更に結合器は電
    極間に電圧がない場合は結合器の対称伝搬モードおよび
    非対称伝搬モードにそれぞれ対応した伝搬定数の間にデ
    ルタベータの変化を生ずることができることを特徴とし
    ているが、このデルタベータの変化は一方ではスプリッ
    タにより案内される光波の偏光状態には無関係であり他
    方では制御図上の結合器の代表点(M1,M2,M3,
    M4)が図にプロットした基準フレームの横軸に平行な
    線分の中心にあるようになっており、更にこの変化は結
    合器の交差状態に対応した曲線(I)と前記結合器の平
    行状態に対応した曲線(II)にそれぞれ属する2つの
    点(A1,B1;A2,B1;A1,B2;A2,B2
    )により定まるが、後者の電気偏光を適当にするため入
    力の光波の2つのTEおよびTMモードの一方が案内部
    (44)の他の端で得られており、しかもこのモードは
    前記入力光波を受け他のモードは他の案内部の対応した
    端で受けている偏光ビームスプリッタ。
  2. 【請求項2】  案内部(44,46)のそれぞれの幅
    が結合器の2つの隣接部の一方(40)で増加および減
    少しており、それぞれ減少は従来のものと同じであり、
    増加は他の隣接部(42)において従来のものと同じで
    あるが、この増加および減少は結合器の前記代表点を得
    るように選ばれていることを特徴とする請求項1に記載
    のスプリッタ。
  3. 【請求項3】  制御装置(60,62)が与えられて
    おり、これらの装置により結合器の対応した端でそれぞ
    れ得られるTMモードとTEモードを切替えることがで
    きることを特徴とする請求項1に記載のスプリッタ。
  4. 【請求項4】  屈折率が電気光学効果により変化する
    ことを特徴とする請求項1に記載のスプリッタ。
  5. 【請求項5】  基板(38)の材料が3m対称3方晶
    グループに属する材料から選ばれており、このような基
    板の材料は互いに直角な3結晶軸X,Y,Zを有する単
    軸電気光学材料であるが、X軸とY軸は材料の常屈折率
    Noに対応しZ軸は前記材料の異常屈折率Neに対応し
    ており、スプリッタが形成されている基板の表面はX軸
    とY軸の面に直角であり、更にスプリッタは案内された
    光が前記スプリッタ内のZ軸に平行に伝搬するように形
    成されていることを特徴とする請求項4に記載のスプリ
    ッタ。
  6. 【請求項6】  基板(38)の材料がLiNbO3で
    あることを特徴とする請求項5に記載のスプリッタ。
  7. 【請求項7】  結合器(39)がTiの局部拡散、イ
    オン交換またはLiNbO3への打込みにより作られて
    いることを特徴とする請求項6に記載のスプリッタ。
  8. 【請求項8】  結合器(39)の結合長lcに対する
    相互作用を及ぼす長さLの比が1以上かつ3以下である
    ことを特徴とする請求項7に記載のスプリッタ。
JP3311833A 1990-10-31 1991-10-30 案内された光に対する偏光ビームスプリッタ Withdrawn JPH04264531A (ja)

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