JPH02181634A - 走査チップ - Google Patents
走査チップInfo
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- JPH02181634A JPH02181634A JP1287301A JP28730189A JPH02181634A JP H02181634 A JPH02181634 A JP H02181634A JP 1287301 A JP1287301 A JP 1287301A JP 28730189 A JP28730189 A JP 28730189A JP H02181634 A JPH02181634 A JP H02181634A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/18—SNOM [Scanning Near-Field Optical Microscopy] or apparatus therefor, e.g. SNOM probes
- G01Q60/22—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
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- H—ELECTRICITY
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- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明は、いわゆる光電磁輻射に対する走査チップ即
ち光学聴診器（ステンスコープ）に関するものである。
ち光学聴診器（ステンスコープ）に関するものである。
可視光による顕微鏡においては、最小空間解像度は、使
用される光の波長程度である。この限界は回才牛による
ものである。光学顕微鏡の原理を赤外からマイクロ波の
領域の波長に応用したとすると、可視光に比して大きな
波長のために、それに対応して小さな解像度が得られる
。ブレーナ集積回路の検査に必要とされるような約１ｇ
馬の解像度はもはや達成不可能である。一方、マイクロ
波から赤外の領域、即ち、約１ル■〜約３ｃｍの波長領
域、において光輻射を用いる顕微鏡測定技術は非常に興
味を引く、というのは、すべての物質はこの範囲に特定
共振領域を持っているからである。従って、原理的には
、各物質のタイプについて、最良の観察コントラストを
与える波長を見い出す、あるいは記述することは可能で
ある。
用される光の波長程度である。この限界は回才牛による
ものである。光学顕微鏡の原理を赤外からマイクロ波の
領域の波長に応用したとすると、可視光に比して大きな
波長のために、それに対応して小さな解像度が得られる
。ブレーナ集積回路の検査に必要とされるような約１ｇ
馬の解像度はもはや達成不可能である。一方、マイクロ
波から赤外の領域、即ち、約１ル■〜約３ｃｍの波長領
域、において光輻射を用いる顕微鏡測定技術は非常に興
味を引く、というのは、すべての物質はこの範囲に特定
共振領域を持っているからである。従って、原理的には
、各物質のタイプについて、最良の観察コントラストを
与える波長を見い出す、あるいは記述することは可能で
ある。
１９８４年４月１日付発行（７） ＡＰｐｌ、Ｐｈ７ｓ
、Ｌｅｔｔ、、４４（７）、６５１〜６５３頁のボール
（Ｐｏｈｌ）外による発表から、検査すべき構造を、使
用される輻射線の波長よりもかなり小さい実効開口を有
する光学走査チップ（ｒ光学聴診器」）で走査すること
が知られている。この走査チップは約３０ｎｍの曲率半
径を有する円錐形にテーパした尖端を有する石英ロッド
で構成されている０石英ロッドの側壁は金属層で被覆さ
れている。この尖端が硬い表面に押付けられると、その
尖端に使用される光輻射線の波長（４８８ｎｍ）に比し
て小さな直径の穴が形成される。
、Ｌｅｔｔ、、４４（７）、６５１〜６５３頁のボール
（Ｐｏｈｌ）外による発表から、検査すべき構造を、使
用される輻射線の波長よりもかなり小さい実効開口を有
する光学走査チップ（ｒ光学聴診器」）で走査すること
が知られている。この走査チップは約３０ｎｍの曲率半
径を有する円錐形にテーパした尖端を有する石英ロッド
で構成されている０石英ロッドの側壁は金属層で被覆さ
れている。この尖端が硬い表面に押付けられると、その
尖端に使用される光輻射線の波長（４８８ｎｍ）に比し
て小さな直径の穴が形成される。
石英ロッドは側壁で光を反射し、上記穴が形成された金
属層の先端が一種の開口を形成する。
属層の先端が一種の開口を形成する。
１９７２年６月３０日付Ｎａｔｕｒｅ、２３７．５１０
〜５１２頁のアッシュ（Ａ＋ｈ）外による発表から、約
１０ＧＨｚの周波数を持ったマイクロ波輻射線を、１つ
の壁に直径１．５ｍｓの穴を持つ空洞共振器中に結合す
る技術が示されている。検査されるべき対象はこの穴か
ら出る輻射線によって走査され、波長の約６０分の１の
空間解像度を得ることができる。この共振法の欠点は、
空洞共振器は帯域幅が非常に狭く、特定の波長のみにし
か実用できないことである。
〜５１２頁のアッシュ（Ａ＋ｈ）外による発表から、約
１０ＧＨｚの周波数を持ったマイクロ波輻射線を、１つ
の壁に直径１．５ｍｓの穴を持つ空洞共振器中に結合す
る技術が示されている。検査されるべき対象はこの穴か
ら出る輻射線によって走査され、波長の約６０分の１の
空間解像度を得ることができる。この共振法の欠点は、
空洞共振器は帯域幅が非常に狭く、特定の波長のみにし
か実用できないことである。
上述したテーパのついた石英ロッド導波管を用いる第１
の構成の欠点は輻射線の相当な部分が反射され、従って
、開口から出る有効な輻射線とならないことである。
の構成の欠点は輻射線の相当な部分が反射され、従って
、開口から出る有効な輻射線とならないことである。
この発明の目的は、実質的に制限を受けない光輻射線の
伝播を許容する断面の大きな領域と輻射線の波長に比較
して小さな先端開口との間の光輻射線の伝送が向上した
走査チップを提供することである。
伝播を許容する断面の大きな領域と輻射線の波長に比較
して小さな先端開口との間の光輻射線の伝送が向上した
走査チップを提供することである。
この発明の一実施例によれば、約３ｃｍ以下、例えば約
１■以下の波長の電磁輻射線用の走査チップは導電性材
料の壁を持ち、内部断面積がこの断面に垂直な方向に輻
射線が制限を受けることなく伝播することができる大き
さを持つ点から、輻射線の波長に比して小さな寸法（Ｓ
）を有する先端開口に向けて小さくなる導波管（Ｗｅｌ
ｌｅｎｌｅｉｔｅｒ）を含み、この導波管は、上記点と
上記先端開口との間の位置（ｚ＝０）における断面寸法
が、上記点に供給される輻射線の反射が起きる限界波長
に対応する値をとるような、高周波中空導波管と同様に
形成され、先端開口は上記位置から所定の距離（ｄ）に
配置されており、また、導波管の内部には、導電性表面
を有し、上記開口から少くとも上記位置（ｚ ＝ Ｏ）
まで延びるロッドが配置されている。
１■以下の波長の電磁輻射線用の走査チップは導電性材
料の壁を持ち、内部断面積がこの断面に垂直な方向に輻
射線が制限を受けることなく伝播することができる大き
さを持つ点から、輻射線の波長に比して小さな寸法（Ｓ
）を有する先端開口に向けて小さくなる導波管（Ｗｅｌ
ｌｅｎｌｅｉｔｅｒ）を含み、この導波管は、上記点と
上記先端開口との間の位置（ｚ＝０）における断面寸法
が、上記点に供給される輻射線の反射が起きる限界波長
に対応する値をとるような、高周波中空導波管と同様に
形成され、先端開口は上記位置から所定の距離（ｄ）に
配置されており、また、導波管の内部には、導電性表面
を有し、上記開口から少くとも上記位置（ｚ ＝ Ｏ）
まで延びるロッドが配置されている。
導波部分の壁に対して絶縁された導電性の表面を持ち、
輻射線が実質的に制限を受けることなく伝播することが
できる断面積の点まで導波部分中に進入して延びるロッ
ドを設けると、二の領域は、変化した電界分布のために
、それに沿って比較的長い波長の輻射線も伝播させるこ
とのできる一種の同軸線となる。
輻射線が実質的に制限を受けることなく伝播することが
できる断面積の点まで導波部分中に進入して延びるロッ
ドを設けると、二の領域は、変化した電界分布のために
、それに沿って比較的長い波長の輻射線も伝播させるこ
とのできる一種の同軸線となる。
この発明による走査チップでは、大きな断面の領域から
小さな先端開口の方向、または、その反対の方向におけ
る伝達効率は前述した公知の走査チップよりもかなり良
い、さらに、この発明の走査チップは広い周波数帯域幅
を有し、従って、波長の全スペクトルについて最良の効
率で用いることができる。推奨使用領域は約３ｃｍより
下の波長範囲、特に、マイクロ波及び遠赤外範囲で、さ
らに、金属が輻射線案内媒体として働くことが出来る限
り、近赤外、可視光及び紫外線範囲でも使用可能である
。
小さな先端開口の方向、または、その反対の方向におけ
る伝達効率は前述した公知の走査チップよりもかなり良
い、さらに、この発明の走査チップは広い周波数帯域幅
を有し、従って、波長の全スペクトルについて最良の効
率で用いることができる。推奨使用領域は約３ｃｍより
下の波長範囲、特に、マイクロ波及び遠赤外範囲で、さ
らに、金属が輻射線案内媒体として働くことが出来る限
り、近赤外、可視光及び紫外線範囲でも使用可能である
。
この発明の走査チップは多くの目的に用いることができ
る。例えば、ラスク顕微鏡法、顕微鏡分光法などに用い
ることができるが、これらの２つにおいては１．伝送と
反射及び放出の両方に用いることができる。この外の使
用法には、非線形分光法、励起、半導体電子の励起、輻
射加熱、短時間分光などがあり、これらは全て高い空間
解像度で行うことができる。
る。例えば、ラスク顕微鏡法、顕微鏡分光法などに用い
ることができるが、これらの２つにおいては１．伝送と
反射及び放出の両方に用いることができる。この外の使
用法には、非線形分光法、励起、半導体電子の励起、輻
射加熱、短時間分光などがあり、これらは全て高い空間
解像度で行うことができる。
第１図は中空の導波部ｌＯの形の導波管を示す。
〜導液部ｌＯは少くともその内９１２が最大可能な導電
性を有する材料、例えば金属、例えばアルミニウムある
いは銀で構成されている。この中空導波部１０の内部断
面積は、軸方向、即ち、輻射伝播方向２に沿って、Ｚ＝
−ａの点からｚ＝＋ｄの先端開口１４まで連続的に減少
している。この減少の仕方は直線的であることが好まし
い、ｚく０の望城では、内部断面積は、高周波導体とし
て作用する中空導波部中を実質的に制限を受けることな
く輻射線が伝播することを可能とするに充分な大きさを
持っている。
性を有する材料、例えば金属、例えばアルミニウムある
いは銀で構成されている。この中空導波部１０の内部断
面積は、軸方向、即ち、輻射伝播方向２に沿って、Ｚ＝
−ａの点からｚ＝＋ｄの先端開口１４まで連続的に減少
している。この減少の仕方は直線的であることが好まし
い、ｚく０の望城では、内部断面積は、高周波導体とし
て作用する中空導波部中を実質的に制限を受けることな
く輻射線が伝播することを可能とするに充分な大きさを
持っている。
マイクロ波及び遠赤外範囲の電磁輻射線に対するテーバ
付き金属製中空導波管も既に公知である。このような導
波管は、例えば、輻射線を波長の約２分の１の寸法まで
集中、即ち、集束させるために用いられる。中空導波管
の内部断面積の可圭最小寸法は臨界波長または限界波長
に左右される。断面が正方形の場合、中空導波管断面、
即ち、集束された輻射線のための出口開口の最小可能な
一辺の長さは波長の２分の１である。なぜなと ら、断面それ以上小さくすると、阻止領域に達してしま
い、波は、もはや、そのより小さな断面の領域を伝播す
ることができず、従って、臨界点で完全に反射されてし
まうからである。しかし、輻射線の反射は、２＝０ （
但し、２は中空導波管における軸方向、即ち、輻射線伝
播方向）で表わされる中空導波管の臨界点で突然に起き
るのではない、なぜなら、輻射線の一部がｚ＞０の阻止
領域中に漏洩するからである。その強さは、ｚ＝０から
２の増大につれて指数関数的に増加する。漏洩輻射線の
効果は、開口１４の位置で漏洩輻射線出力が得られるよ
うにｄを選択すれば利用可能である。
付き金属製中空導波管も既に公知である。このような導
波管は、例えば、輻射線を波長の約２分の１の寸法まで
集中、即ち、集束させるために用いられる。中空導波管
の内部断面積の可圭最小寸法は臨界波長または限界波長
に左右される。断面が正方形の場合、中空導波管断面、
即ち、集束された輻射線のための出口開口の最小可能な
一辺の長さは波長の２分の１である。なぜなと ら、断面それ以上小さくすると、阻止領域に達してしま
い、波は、もはや、そのより小さな断面の領域を伝播す
ることができず、従って、臨界点で完全に反射されてし
まうからである。しかし、輻射線の反射は、２＝０ （
但し、２は中空導波管における軸方向、即ち、輻射線伝
播方向）で表わされる中空導波管の臨界点で突然に起き
るのではない、なぜなら、輻射線の一部がｚ＞０の阻止
領域中に漏洩するからである。その強さは、ｚ＝０から
２の増大につれて指数関数的に増加する。漏洩輻射線の
効果は、開口１４の位置で漏洩輻射線出力が得られるよ
うにｄを選択すれば利用可能である。
距＃Ｉｄが数波長しかない場合でも、第１図に示す走査
チー２ブでは、開口１４で得られる輻射線出力は、あく
まで漏洩輻射線にすぎないので、２＝−ａの点における
輻射線出力よりも相当に小さい、この欠点は第２図に示
す実施例で解決できる。第２図の実施例は、先端に向っ
て小さくなる円形内部断面を有する中空導波部１０を含
んでいる。しかし、この場合は、同軸のロッド２０が設
けられており、この同軸ロッド２０は開口１４の中心か
ら２００の阻止領域を通って、輻射線の伝播が妨げられ
ないｚくＯの領域内へ延びて・いる、ロッド２０は円形
断面を有し、高導電性の表面を持っており、例えば、金
属、例えば銀、アルミニウム等で形成することができる
。このロッド２０は、例えば、低損失誘電体のダブルコ
ーン形（たる形）部材により内壁１２から電気的に絶縁
されて保持されている。これに適した誘電体材料には、
赤外及びマイクロ波範囲において僅かしか吸収せず、は
ぼ一定の屈折率を持つ、例えば、ポリエチレンがある。
チー２ブでは、開口１４で得られる輻射線出力は、あく
まで漏洩輻射線にすぎないので、２＝−ａの点における
輻射線出力よりも相当に小さい、この欠点は第２図に示
す実施例で解決できる。第２図の実施例は、先端に向っ
て小さくなる円形内部断面を有する中空導波部１０を含
んでいる。しかし、この場合は、同軸のロッド２０が設
けられており、この同軸ロッド２０は開口１４の中心か
ら２００の阻止領域を通って、輻射線の伝播が妨げられ
ないｚくＯの領域内へ延びて・いる、ロッド２０は円形
断面を有し、高導電性の表面を持っており、例えば、金
属、例えば銀、アルミニウム等で形成することができる
。このロッド２０は、例えば、低損失誘電体のダブルコ
ーン形（たる形）部材により内壁１２から電気的に絶縁
されて保持されている。これに適した誘電体材料には、
赤外及びマイクロ波範囲において僅かしか吸収せず、は
ぼ一定の屈折率を持つ、例えば、ポリエチレンがある。
ロッド２０の保持は、短い栓を開口に詰め、ざらに／ま
たは中空導波部に円板を挿入して行うこともできる。
たは中空導波部に円板を挿入して行うこともできる。
ロッド２０を含む領域は、電界分布が新しく変更された
ことにより、長波長の輻射線も伝播できる同軸ラインを
示す、少くとも阻止領域にテーバ付き金属製高周波数同
軸線を用いることにより、原則として、輻射されたパワ
ー１６を損失なしに開口１４に伝送する集束走査チップ
が得られる。
ことにより、長波長の輻射線も伝播できる同軸ラインを
示す、少くとも阻止領域にテーバ付き金属製高周波数同
軸線を用いることにより、原則として、輻射されたパワ
ー１６を損失なしに開口１４に伝送する集束走査チップ
が得られる。
実用的には、同軸線部分は反射がないようにすることが
好ましい、これはマイクロ波技術で公知の手段により行
うことができる。特に、開口１４に向かう方向に、２に
沿った同軸線の外径に対する内径の比が一定となるよう
な形で、円錐状にテーパを付けた（図示せず）ロッド２
０を用いることもできる。中空導波管中でかなりの体積
を占める誘電性保持部材２２を使用する場合には、通常
行われる通り、誘電体について考慮を払わねばならない
。
好ましい、これはマイクロ波技術で公知の手段により行
うことができる。特に、開口１４に向かう方向に、２に
沿った同軸線の外径に対する内径の比が一定となるよう
な形で、円錐状にテーパを付けた（図示せず）ロッド２
０を用いることもできる。中空導波管中でかなりの体積
を占める誘電性保持部材２２を使用する場合には、通常
行われる通り、誘電体について考慮を払わねばならない
。
ロッド２０はｚく０の領域にある程度進入し、そこでア
ンテナとして働くことが望ましい、ロッド２０はその領
域で電界の方向に沿って曲げることができる。同軸線は
このアンテナに対して広帯域の動作を行うことが出来る
。
ンテナとして働くことが望ましい、ロッド２０はその領
域で電界の方向に沿って曲げることができる。同軸線は
このアンテナに対して広帯域の動作を行うことが出来る
。
輻射線をレンズを用いて走査チップの広い方の端部に集
束させることができる。ｄの値はテーパの角度γによっ
である程度決まり、このテーパの角度が３０°の時は、
約１波長、また、テーパ角が１０°の時は、約３波長と
なる。
束させることができる。ｄの値はテーパの角度γによっ
である程度決まり、このテーパの角度が３０°の時は、
約１波長、また、テーパ角が１０°の時は、約３波長と
なる。
これまでは、同軸線は約３０ＧＨ２以上の周波数範囲に
は用いられたことがないが、これは明らかに、誘電体で
の吸収とケーブル接続器における反射とによる高損失の
ためである。この発明の走査チップを用いた場合は、線
の長さが非常に短い、即ち、数波長程度、ので、吸収に
よる損失は許容できる程度である。
は用いられたことがないが、これは明らかに、誘電体で
の吸収とケーブル接続器における反射とによる高損失の
ためである。この発明の走査チップを用いた場合は、線
の長さが非常に短い、即ち、数波長程度、ので、吸収に
よる損失は許容できる程度である。
現在のマイクロメカニカル製造技術を用いれば、ｓ＝ｌ
＃Ｌｍのチップを作ることが出来るので、ｌｃ＋ｓの波
長のマイクロ波については、波長の中空導波管１０の断
面は長方形、正方形あるいは長円形にすることもできる
。製造上からは、円形の断面が好ましい、ここで中空導
波管の断面寸法１例えば、点Ｚ＝−ａにおける寸法りと
か開口１４の寸法Ｓなどに言及する場合、これは円形断
面の中空導波管では直径であり、円形以外の断面の中空
導波管では最大断面寸法のことである。ロッドの断面形
状は導波管と同様であることが好ましいが、必ずしも、
そうする必要はない。
＃Ｌｍのチップを作ることが出来るので、ｌｃ＋ｓの波
長のマイクロ波については、波長の中空導波管１０の断
面は長方形、正方形あるいは長円形にすることもできる
。製造上からは、円形の断面が好ましい、ここで中空導
波管の断面寸法１例えば、点Ｚ＝−ａにおける寸法りと
か開口１４の寸法Ｓなどに言及する場合、これは円形断
面の中空導波管では直径であり、円形以外の断面の中空
導波管では最大断面寸法のことである。ロッドの断面形
状は導波管と同様であることが好ましいが、必ずしも、
そうする必要はない。
走査顕微鏡法（前述のポール外の論文参照）にこの中空
導波部１０を用いる場合は、最良の邂像度（はぼＳに等
しい）を得るために、検査対象を開口の前、約ｓ ／
２以下の距離に配置することが必要である。
導波部１０を用いる場合は、最良の邂像度（はぼＳに等
しい）を得るために、検査対象を開口の前、約ｓ ／
２以下の距離に配置することが必要である。
５００ ＩＬｔｇの波長の輻射線用のある実施例では、
Ｓは５ｇｍに等しくした。中空導波管と同軸線部分とは
回転対称（ｋｒｅｉｓｓｙｍｍｅｔｒｉｓｃｈ）であっ
た・
Ｓは５ｇｍに等しくした。中空導波管と同軸線部分とは
回転対称（ｋｒｅｉｓｓｙｍｍｅｔｒｉｓｃｈ）であっ
た・
第１図は、この発明が解決すべき問題を説明するために
用いる走査チップの断面図、 第２図は、この発明の推奨実施例に従う走査チップの断
面図である。 １０・・・・中空導波管、１２・・・・内壁、１４・・
・・開口、２０・・・・ロッド、２２・・・・誘電体部
材。 〜・１ ツール フエールデルンク デア ビ ラセンシャツテン ニー ファウ 代 理 人 清 水 哲 はか２名
〜・２ 手続補正書印発） 平成１年１１月父日 １ 事件の表示 特願平１−２８７３０１号 ２ 発明の名称 走査チップ ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 マックス・ブランク・ゲゼルシャフト ツール
フエールデルンク デア ビラセンシャツテンニー フ
ァウ ４代理人 郵便番号６５１ 住所 神戸市中央区雲井通７丁目１番１号５ 補正の対
象 明細書の「特許請求の範囲」の欄。 ６ 補正の内容 特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 添付書類 特許請求の範囲 以 と 特許請求の範囲 （＋）約３０ｒｎ以下の波長のＴＬ磁輻射線用の走査チ
ップであって、 導電性材料の内壁を有し、内部断面が、この断面に垂直
に上記輻射線か制限を受けることなく伝播することが可
能な大きさの点から、上記輻射線の波長に比較して小さ
な寸法を持つ先端開口に向けて次第に小さくなる導波管
を含み、 この導波管は、上記点と上記先端開口の点とのをとる高
潤波中空導波管と同様に形成されたものであり、 上記先端開口は上記位置から所定の距離に配置されてお
り、 上記導波管には、導電性表面を持ち、上記開口から少く
とも上記位置まて延びるロッドか配置されている、 走査チップ。 （２）上記ロットの表面か上記導電性内壁に対して電気
的に絶縁されている、特許請求の範囲ｌに記載の走査チ
ップ。 （３）上記ロッドか上記位置を超えて、中空導波管の、
その断面が輻射線の実質的に制限を受けない伝播を許容
する領域中へ伸延している、特許請求の範囲ｌに記載の
走査チップ。 （４）上記位置を超えて延びるロット部分がアンテナと
して形成されている、特許請求の範囲３に記載の走査チ
ップ。 （５）ロッドか少くとも１つの誘電体部材によって保持
されている、特許請求の範囲１に記載の走査チップ。 （６）ロットの断面か開口に向う方向へ減少している、
特許請求の範囲ｌに記載の走査チップ。 （７）ロットが中空導波管中に輻射線によって生成され
る電界の方向に曲げられている、請求の範囲ｌに記載の
走査チップ。 （８）中空導波管か円形断面を有するものである、請求
の範囲１に記載の走査チップ。
用いる走査チップの断面図、 第２図は、この発明の推奨実施例に従う走査チップの断
面図である。 １０・・・・中空導波管、１２・・・・内壁、１４・・
・・開口、２０・・・・ロッド、２２・・・・誘電体部
材。 〜・１ ツール フエールデルンク デア ビ ラセンシャツテン ニー ファウ 代 理 人 清 水 哲 はか２名
〜・２ 手続補正書印発） 平成１年１１月父日 １ 事件の表示 特願平１−２８７３０１号 ２ 発明の名称 走査チップ ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 マックス・ブランク・ゲゼルシャフト ツール
フエールデルンク デア ビラセンシャツテンニー フ
ァウ ４代理人 郵便番号６５１ 住所 神戸市中央区雲井通７丁目１番１号５ 補正の対
象 明細書の「特許請求の範囲」の欄。 ６ 補正の内容 特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 添付書類 特許請求の範囲 以 と 特許請求の範囲 （＋）約３０ｒｎ以下の波長のＴＬ磁輻射線用の走査チ
ップであって、 導電性材料の内壁を有し、内部断面が、この断面に垂直
に上記輻射線か制限を受けることなく伝播することが可
能な大きさの点から、上記輻射線の波長に比較して小さ
な寸法を持つ先端開口に向けて次第に小さくなる導波管
を含み、 この導波管は、上記点と上記先端開口の点とのをとる高
潤波中空導波管と同様に形成されたものであり、 上記先端開口は上記位置から所定の距離に配置されてお
り、 上記導波管には、導電性表面を持ち、上記開口から少く
とも上記位置まて延びるロッドか配置されている、 走査チップ。 （２）上記ロットの表面か上記導電性内壁に対して電気
的に絶縁されている、特許請求の範囲ｌに記載の走査チ
ップ。 （３）上記ロッドか上記位置を超えて、中空導波管の、
その断面が輻射線の実質的に制限を受けない伝播を許容
する領域中へ伸延している、特許請求の範囲ｌに記載の
走査チップ。 （４）上記位置を超えて延びるロット部分がアンテナと
して形成されている、特許請求の範囲３に記載の走査チ
ップ。 （５）ロッドか少くとも１つの誘電体部材によって保持
されている、特許請求の範囲１に記載の走査チップ。 （６）ロットの断面か開口に向う方向へ減少している、
特許請求の範囲ｌに記載の走査チップ。 （７）ロットが中空導波管中に輻射線によって生成され
る電界の方向に曲げられている、請求の範囲ｌに記載の
走査チップ。 （８）中空導波管か円形断面を有するものである、請求
の範囲１に記載の走査チップ。
Claims (8)
- （１）約３ｃｍ以下の波長の電磁輻射線用の走査チップ
であって、 導電性材料の内壁を有し、内部断面が、この断面に垂直
に上記輻射線が制限を受けることなく伝播することが可
能な大きさの点から、上記輻射線の波長に比較して小さ
な寸法を持つ先端開口に向けて次第に小さくなる導波管
を含み、 この導波管は、上記点と上記先端開口の点との間の位置
における断面寸法が上記点に供給される輻射線の反射が
生じる限界波長に対応する値をとる高周波中空導波管と
同様に形成されたものであり、 上記先端開口は上記位置から所定の距離に配置されてお
り、 上記導波管には、導電性表面を持ち、上記開口から少く
とも上記位置まで延びるロッドが配置されている、 走査チップ。 - （２）上記ロッドの表面が上記導電性内壁に対して電気
的に絶縁されている、特許請求の範囲１に記載の走査チ
ップ。 - （３）上記ロッドが上記位置を超えて、中空導波管の、
その断面が輻射線の実質的に制限を受けない伝播を許容
する領域中へ伸延している、特許請求の範囲１に記載の
走査チップ。 - （４）上記位置を超えて延びるロッド部分がアンテナと
して形成されている、特許請求の範囲３に記載の走査チ
ップ。 - （５）ロッドが少くとも１つの誘電体部材によって保持
されている、特許請求の範囲１に記載の走査チップ。 - （６）ロッドの断面が開口に向う方向へ減少している、
特許請求の範囲１に記載の走査チップ。 - （７）ロッドが中空導波管中に輻射線によって生成され
る電界の方向に曲げられている、請求の範囲１に記載の
走査チップ。 - （８）中空導波管が円形断面を有するものである、請求
の範囲１に記載の走査チップ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3837389A DE3837389C1 (ja) | 1988-11-03 | 1988-11-03 | |
| DE3837389.0 | 1988-11-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02181634A true JPH02181634A (ja) | 1990-07-16 |
Family
ID=6366445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1287301A Pending JPH02181634A (ja) | 1988-11-03 | 1989-11-02 | 走査チップ |
Country Status (4)
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|---|---|
| US (1) | US4994818A (ja) |
| EP (1) | EP0367267B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02181634A (ja) |
| DE (1) | DE3837389C1 (ja) |
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| JP2008123689A (ja) * | 2003-10-10 | 2008-05-29 | Seagate Technology Llc | 熱支援された磁気および光データ記憶のための近視野光トランスジューサ |
| JP2009099255A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Seagate Technology Llc | 熱アシスト磁気記録用トランスデューサ |
| JP2009216687A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Nabu Corporation:Kk | 混入金属検出器 |
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|---|---|
| US4994818A (en) | 1991-02-19 |
| DE3837389C1 (ja) | 1990-04-05 |
| EP0367267B1 (de) | 1996-01-31 |
| EP0367267A2 (de) | 1990-05-09 |
| EP0367267A3 (de) | 1992-04-15 |
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