JPH02181122A - Liquid crystal display element and production thereof - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N oxopalladium Chemical compound [Pd]=O HBEQXAKJSGXAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N oxoplatinum Chemical compound [Pt]=O MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- Liquid Crystal (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス製基板と、このガラス製基板上に設け
たンヨットキー型非線形スイッチング素子を備えてなる
液晶表示装置およびその製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a liquid crystal display device comprising a glass substrate and a Nyotsky type nonlinear switching element provided on the glass substrate, and a method for manufacturing the same.
液晶表示装置において、解像度が高く精細な画像を表示
するためには高密度のマトリクス構成が必要とされる。In a liquid crystal display device, a high-density matrix configuration is required in order to display fine images with high resolution.
このような要請に応える技術として、近年においては、
表示部の各画素をスイッチング素子によって直接的に駆
動する、いわゆるアクティブマトリクス表示が注目され
ている。In recent years, as a technology to meet these demands,
A so-called active matrix display, in which each pixel of a display section is directly driven by a switching element, is attracting attention.
斯かるスイッチング素子としては、従来、薄膜トランジ
スタ等の３端子素子、あるいは薄膜ダイオード、バリス
タ、ＭＩＭ（金属層と絶縁層と金属層との積層体）等の
２端子素子が知られている。As such switching elements, three-terminal elements such as thin-film transistors, or two-terminal elements such as thin-film diodes, varistors, and MIMs (laminated bodies of metal layers, insulating layers, and metal layers) are conventionally known.
しかし、薄膜トランジスタ等の３端子素子は、２端子素
子に比して構造が複雑であるた約製造に手間を要し製造
コストが上昇する難点があり、斯かる観点からは２端子
素子が好ましい。一方、ハリスフ、ＭＩＭよりなる２端
子素子は、しきい値電圧が相当に高いため大きな駆動電
圧を必要とし、その結果、消費電力が増大する問題点が
ある。However, three-terminal elements such as thin film transistors have a disadvantage that they have a more complicated structure than two-terminal elements and require more effort to manufacture, increasing manufacturing costs.From this point of view, two-terminal elements are preferable. On the other hand, a two-terminal element made of a Harisph or MIM has a considerably high threshold voltage and therefore requires a large drive voltage, resulting in a problem of increased power consumption.
これに対して、薄膜ダイオードよりなる２端子素子は、
構成が簡易で微細なマ） ｌ）クス構造を有する液晶表
示装置を高い歩留まりで製造することが可能であり、ま
た表示品質が良好であるという利点を有している。特に
、ンヨノトキー型非線形スインチング素子であるショッ
トキーダイオードの２個を直列かつ逆方向に接続してな
るハック・トウ・バンク・ショットキーダイオードが好
ましい。On the other hand, a two-terminal element made of a thin film diode is
It has the advantage that a liquid crystal display device having a simple structure and a fine matrix structure can be manufactured at a high yield, and the display quality is good. Particularly preferred is a hack-to-bank Schottky diode formed by connecting two Schottky diodes, which are nonlinear switching elements, in series and in opposite directions.
斯かるバンク・トウ・バンク・ショットキーダイオード
の一例においては、それぞれ互いに離間した状態で基板
上に設けたンヨットキーハリアを形成する２つの第１電
極層と、これらの２つの第１電極層上に積層して設けた
半導体層と、この半導体層上に一体的に積層して設けた
第２電極層とを有してなる。An example of such a bank-to-bank Schottky diode includes two first electrode layers forming a Schottky halia spaced apart from each other on a substrate, and these two first electrode layers. It has a semiconductor layer laminated thereon and a second electrode layer integrally laminated on this semiconductor layer.
しかし、」１記構成のハック・トウ・バンク・ンヨｙ）
キーダイオードにおいては、基板と第１電極層との接着
性が悪い問題がある。すなわち、基板としては透過率が
高くて平坦性の良いガラスが用いられ、第１電極層とし
ては上層の半導体層との間で良好なショットキーバリア
が形成される例えばパラジウム、白金、ニッケル等の金
属材料が選択されるが、これらの金属材料のガラス製基
板に対する接着性が悪いため、その上層に形成された半
導体層から受ける応力により第１電極層がガラス製基板
面から剥離しやすい問題があり、結局、高い歩留りで液
晶表示装置を製造することができない。However, the hack-to-bank configuration described in Section 1)
In the key diode, there is a problem of poor adhesion between the substrate and the first electrode layer. That is, the substrate is made of glass with high transmittance and good flatness, and the first electrode layer is made of a material such as palladium, platinum, or nickel that forms a good Schottky barrier with the upper semiconductor layer. Metal materials are selected, but since these metal materials have poor adhesion to the glass substrate, there is a problem that the first electrode layer is likely to peel off from the glass substrate surface due to the stress received from the semiconductor layer formed on the upper layer. As a result, it is not possible to manufacture liquid crystal display devices with a high yield.
本発明は、以上の如き事情に基づいてなされたものであ
って、その目的は、良好なンヨノトキーハリアを有しな
がら第１電極層の接着性を十分にすることができる液晶
表示装置およびその製造方法を提供することにある。The present invention has been made based on the above-mentioned circumstances, and its object is to provide a liquid crystal display device which can have sufficient adhesiveness of the first electrode layer while having good adhesiveness. The object of the present invention is to provide a manufacturing method thereof.
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、ガ
ラス製基板と、このガラス製基板上に設けたショットキ
ー型非線形スイッチング素子とを備えてなる液晶表示装
置において、前記ンヨノトキー型非線形スイッチンク素
子は、ガラス製基板上に設けた絶縁層と、この絶縁層の
上面に設けたンヨノトキーハリアを形成する第１電極層
と、この第１電極層上に設けた半導体層と、この半導体
層上に設けた第２電極層とを有してなり、前記絶縁層は
、前記第１電極層を構成する金属の化合物よりなること
を特徴とする。In order to achieve the above object, the liquid crystal display device of the present invention includes a glass substrate and a Schottky type nonlinear switching element provided on the glass substrate. The device consists of an insulating layer provided on a glass substrate, a first electrode layer forming a non-contact key layer provided on the top surface of this insulating layer, a semiconductor layer provided on this first electrode layer, and this semiconductor layer. and a second electrode layer provided on the first electrode layer, and the insulating layer is made of a compound of the metal constituting the first electrode layer.
本発明の製造方法は、第１電極層を構成する金属の薄膜
をガラス製基板上に形成し、この金属の薄膜を絶縁化す
るた約の元素の存在下において加熱処理することにより
、当該金属の化合物よりなる絶縁層を形成する工程を含
むことを特徴とする。In the manufacturing method of the present invention, a thin metal film constituting the first electrode layer is formed on a glass substrate, and the metal thin film is heat-treated in the presence of an insulating element. The method is characterized in that it includes a step of forming an insulating layer made of a compound of.
本発明の液晶表示装置によれば、ガラス製基板上に第１
電極層を構成する金属の化合物よりなる絶縁層を設けて
この絶縁層上に第１電極層を設けたので、当該絶縁層は
ガラス製基板および第１電極層の両者との接着性が高く
、その結果、製造工程において上層の半導体層から応力
を受けるときにも当該第１電極層が剥離せず安定な層構
造が維持され、信頼性の高いンヨントキー型非線形スイ
ッチンク素子を構成することができる。According to the liquid crystal display device of the present invention, the first
Since an insulating layer made of a metal compound constituting the electrode layer is provided and a first electrode layer is provided on this insulating layer, the insulating layer has high adhesiveness to both the glass substrate and the first electrode layer. As a result, even when stress is applied from the upper semiconductor layer during the manufacturing process, the first electrode layer does not peel off and maintains a stable layer structure, making it possible to construct a highly reliable non-key type nonlinear switching element. .
また、本発明の製造方法によれば、ガラス製基板上に設
けた第１電極層を構成する金属の薄膜を、絶縁化するた
必の元素の存在下において加熱処理することにより、当
該金属の化合物よりなる絶縁層を形成するので、簡単な
製造工程により第１電極層の接着性の向上を図ることが
できる。Further, according to the manufacturing method of the present invention, the metal thin film constituting the first electrode layer provided on the glass substrate is heat-treated in the presence of an element necessary for insulating the metal. Since the insulating layer made of a compound is formed, the adhesiveness of the first electrode layer can be improved through a simple manufacturing process.
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be specifically explained based on Examples.
（実施例１）
本実施例においては、第１図および第２図に示すように
、ガラス製基板１０と、このガラス製基板１０上に設け
たンヨソトキー型非線形スイッチング素子２０を備えて
なる液晶表示装置において、ンヨノトキー型非線形スイ
ノチンク゛素子２０を、ガラス製基板１０」−に積層し
て設けた、第１電極層を構成する金属の化合物よりなる
絶縁層８０と、この絶縁層８０上にそれぞれ互いに離間
した状態で積層して設けたショットキーバリアを形成す
る２つの第１電極１３１．３２と、これらの第１電極層
３１３２上に一体的に積層して設けた半導体層４０と、
この半導体層４０−ヒに積層して設けた第２電極層５０
とにより構成する。(Example 1) In this example, as shown in FIGS. 1 and 2, a liquid crystal display comprising a glass substrate 10 and a nonlinear switching element 20 of the nonlinear switching element provided on the glass substrate 10. In the device, a non-linear switch element 20 of the non-linear type is laminated on a glass substrate 10'', and an insulating layer 80 made of a metal compound constituting the first electrode layer is placed on the insulating layer 80, spaced apart from each other. two first electrodes 131 and 32 forming a Schottky barrier that are stacked in a stacked state, and a semiconductor layer 40 that is stacked integrally on these first electrode layers 3132;
A second electrode layer 50 provided in a laminated manner on this semiconductor layer 40-A
It consists of:
６０はＩＴ○膜よりなる画素電極であり、ガラス製基板
１０上に直接積層して設けている。７０は走査電極であ
り、一方の第１電極層３２に一体的に連続して伸びてい
る。60 is a pixel electrode made of an IT◯ film, which is directly laminated on the glass substrate 10. 70 is a scanning electrode, which extends continuously and integrally with one first electrode layer 32.
この例のンヨントキー型非線形スイッチング素子２０は
、直列かつ逆方向に接続された一対の薄膜ダイオードよ
りなるハック・トウ・ハック・ンヨソトキーダイオード
よりなる。The cross-key type nonlinear switching element 20 of this example is composed of a hack-to-hack type nonlinear switching element 20 consisting of a pair of thin film diodes connected in series and in opposite directions.
カラス製基板１０としては、溶融石英、ホウケイ酸カラ
ス、ｒ７０５９ガラス」 （コーニンク社製）、「テン
パックスガラス」 （イエナー社製）等を用いることが
できる。As the glass substrate 10, fused silica, borosilicate glass, R7059 glass (manufactured by Konink), Tempax glass (manufactured by Jenner), etc. can be used.
第１電極層３１．３２を構成する金属としては、その上
層の半導体層４０との間に有効なショットキーバリアが
形成される金属から選択されるが、具体的には、パラジ
ウム（Ｐｄ）、白金（ｐｔ）、ニッケル（Ｎ１）等を好
ましく用いることができる。この第１電極層３１．３２
の厚さは５０人〜５０００人程度である。The metal constituting the first electrode layer 31, 32 is selected from metals that form an effective Schottky barrier between the first electrode layer 31 and the semiconductor layer 40 above it, and specifically, palladium (Pd), palladium (Pd), Platinum (PT), nickel (N1), etc. can be preferably used. This first electrode layer 31.32
The thickness is about 50 to 5,000 people.
絶縁層８０は、上記第１電極層を構成する金属の化合物
よりなるが、具体的には、酸素、ハロゲン元素、窒素等
との化合物が好適である。特に、接着性および絶縁性の
観点から酸化パラジウム、酸化白金、酸化ニッケノペ塩
化パラジウム、塩化白金、塩化ニッケルが好ましい。The insulating layer 80 is made of a compound of the metal constituting the first electrode layer, and specifically, a compound with oxygen, a halogen element, nitrogen, etc. is suitable. Particularly preferred are palladium oxide, platinum oxide, palladium chloride, platinum chloride, and nickel chloride from the viewpoint of adhesiveness and insulation.
半導体層４０は、メイン層４１と、上層の高ドープ層４
２との２層構成であり、メイン層４１はｎ型半導体層に
より構成され、上層の高ドープ層４２はｎ゛型半導体層
により構成されている。なお、高ドープ層４２は、第２
電極層５０とのオーミック接触を形成するだめのもので
ある。The semiconductor layer 40 includes a main layer 41 and an upper highly doped layer 4.
The main layer 41 is composed of an n-type semiconductor layer, and the upper highly doped layer 42 is composed of an n-type semiconductor layer. Note that the highly doped layer 42
This serves to form ohmic contact with the electrode layer 50.
半導体層４０のメイン層４１および高ドープ層４２を構
成する材料としては、各層の目的に応じて選択される。The materials constituting the main layer 41 and the highly doped layer 42 of the semiconductor layer 40 are selected depending on the purpose of each layer.
具体的には、例えば不純物を含まない水素化アモルファ
スシリコン（ａ −３ｉ ： Ｈ） 、”）ン（Ｐ）あ
るいはヒ素（Ａｓ）等を不純物として含む水素化アモル
ファスシリコン（ａ−３ｉＰ ： Ｈ，ａＳｉ Ａｓ
： Ｈ）、フッ素化水素化アモルファスシリコン（ａ−
８ＩＦ：Ｈ）、ポリンリコン、水素化アモルファスンリ
コンカーハイト（ａ−８ｉＣ： Ｈ）、水素化アモルフ
ァス窒化シリコン（ａ−３ｉＮ ： Ｈ）、水ｆｆｉ化
アモルファスンリコンゲルマニウム（ａＳｉＧｅ：Ｈ）
、テルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）等を用いることがで
きる。半導体層４０の厚さは１０００人〜３μｍ程度で
ある。Specifically, for example, hydrogenated amorphous silicon (a-3i: H) containing no impurities, hydrogenated amorphous silicon (a-3iP: H, aSi) containing impurities such as arsenic (As), etc. As
: H), fluorinated hydrogenated amorphous silicon (a-
8IF:H), Polyrin Recon, Hydrogenated Amorphous Recon Carheite (a-8iC: H), Hydrogenated Amorphous Silicon Nitride (a-3iN: H), Hydrogenated Amorphous Recon Germanium (aSiGe:H)
, tellurium (Te), selenium (Se), etc. can be used. The thickness of the semiconductor layer 40 is about 1000 to 3 μm.
第２電極層５０は、上記半導体層４０の上面に一体的に
ずなわぢ一対の薄膜ダイオードに共通となるように積層
されている。第２電極層５０の構成材料は、半導体層４
０の上面に積層されて当該半導体層４０との間にオーミ
ンク接触を形成できる材料、あるいは当該半導体層４０
とこれに積層された第２電極層５０との間に形成される
ショットキーバリアの大きさが、第１電極層３１．３２
と半導体層４０との間に形成されるンヨットキーバリア
の大きさより低い材料であればよい。具体的には、クロ
ム（Ｃ「）、ニッケル（Ｎ１）、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ
）、アルミニウム（Δ１）、モリブデン（Ｍｏ） 、マ
グネシウム（Ｍｇ）等の金属材料を用いることができる
。第２電極層５０の厚さは５０人〜５０００人程度であ
る。The second electrode layer 50 is integrally stacked on the upper surface of the semiconductor layer 40 so as to be common to the pair of thin film diodes. The constituent material of the second electrode layer 50 is the semiconductor layer 4
A material that can be laminated on the top surface of 0 and form an ohmink contact with the semiconductor layer 40, or the semiconductor layer 40
The size of the Schottky barrier formed between the first electrode layer 31 and the second electrode layer 50 laminated thereon is the same as that of the first electrode layer 31.32.
Any material may be used as long as it has a size smaller than that of the Nyottky barrier formed between the semiconductor layer 40 and the semiconductor layer 40 . Specifically, chromium (C''), nickel (N1), nichrome (Ni-Cr
), aluminum (Δ1), molybdenum (Mo), magnesium (Mg), and other metal materials can be used. The thickness of the second electrode layer 50 is about 50 to 5,000.
斯かる構成の液晶表示装置によれば、ガラス製基板１０
上に第１電極層を構成する金属の化合物よりなる絶縁層
８０を設けて、この絶縁層８０上に第１電極層３１．３
２を設けたので、当該絶縁層８０のガラス製基板１０に
対する接着性が十分であり、しかも第１電極層３１．３
２の絶縁層８０に対する接着性が十分となり、その結果
、製造工程において上層の半導体層４０から応力を受け
るときにも第１電極層３１．３２が剥離せず安定な層構
造が維持され、信頼性の高いンヨットキー型非線形スイ
ッチンク素子２０を構成することができる。According to the liquid crystal display device having such a configuration, the glass substrate 10
An insulating layer 80 made of a metal compound constituting the first electrode layer is provided thereon, and the first electrode layer 31.3 is provided on this insulating layer 80.
Since the first electrode layer 31.3 is provided, the adhesion of the insulating layer 80 to the glass substrate 10 is sufficient.
As a result, even when stress is applied from the upper semiconductor layer 40 in the manufacturing process, the first electrode layers 31 and 32 do not peel off and a stable layer structure is maintained, resulting in reliability. Therefore, it is possible to configure a nonlinear switching element 20 having high performance.
（実施例２）
本実施例においては、第３図および第４図に示すように
、画素電極６０を直接ガラス製基板１０上に積層せずに
、ガラス製基板１０の一面上に絶縁層８０を延長して設
け、この延長された絶縁層８０上に画素電極６０を積層
して設けたほかは、既述の実施例１と同様にしてンヨッ
トキー型非線形スイッチング素子２０を構成する。(Example 2) In this example, as shown in FIG. 3 and FIG. The nonlinear switching element 20 is constructed in the same manner as in the first embodiment described above, except that the insulating layer 80 is extended and the pixel electrode 60 is laminated on the extended insulating layer 80.
斯かる構成の液晶表示装置によれば、絶縁層８０の存在
により第１電極層３１．３２の層構造を安定に維持でき
るうえ、画素電極６０をも絶縁層８０上に設けたので、
画素電極６０の層構造をも安定に維持てきるうえ、絶縁
層８０のパターニングが不要となり、製造工程の簡略化
を図ることができる。According to the liquid crystal display device having such a configuration, the layer structure of the first electrode layers 31 and 32 can be stably maintained due to the presence of the insulating layer 80, and since the pixel electrode 60 is also provided on the insulating layer 80,
The layer structure of the pixel electrode 60 can be maintained stably, and patterning of the insulating layer 80 is not required, so that the manufacturing process can be simplified.
（実施例３）
本実施例においては、第３図および第４図に示した構成
の液晶表示装置を製造するに際して、下記の工程を経由
してショントキー型非線形スイノチンク素子を製造する
。(Example 3) In this example, when manufacturing a liquid crystal display device having the configuration shown in FIGS. 3 and 4, a Shontokey type nonlinear Sino-Tink element is manufactured through the following steps.
（１）第１電極層を構成する金属としてパラジウムを用
い、ガラス製基板１０の一面上に、スパッタリング法に
より厚さ５０人程度のパラジウム膜を形成する。(1) Palladium is used as the metal constituting the first electrode layer, and a palladium film with a thickness of about 50 layers is formed on one surface of the glass substrate 10 by sputtering.
（２）加熱容器内において、上記パラジウム膜を絶縁化
するための元素である酸素ガスを含むガスを供給しなが
ら、上記パラジウム膜を温度４００℃で６０分にわたり
加熱処理して、パラジウムの酸化物からなる絶縁層８０
を形成する。(2) In a heating container, the palladium film is heat-treated at a temperature of 400°C for 60 minutes while supplying a gas containing oxygen gas, which is an element for insulating the palladium film, to form a palladium oxide. An insulating layer 80 consisting of
form.
ここで、絶縁層８０を形成する手段としてはこれに限定
されない。すなわち、第１Ｎ極層を構成する金属の薄膜
を絶縁化するた必の元素としては、酸素、ハロゲン元素
、窒素等を用いることができ、これらの元素を含むガス
の存在下において加熱処理する手段、これらの元素を含
む物質を第１電極層を構成する金属の薄膜に接触させた
状態で加熱処理する手段等を採用することができる。Here, the means for forming the insulating layer 80 is not limited to this. That is, oxygen, a halogen element, nitrogen, etc. can be used as the necessary elements for insulating the metal thin film constituting the first N-pole layer, and means for heat treatment in the presence of a gas containing these elements can be used. It is possible to adopt a method of heat-treating a substance containing these elements while it is in contact with a metal thin film constituting the first electrode layer.
（３）この絶縁層８０の上面に、スパッタリング法によ
り厚さ５００人程次のＩＴ○膜を形成し、これをパター
ニングしてＩＴＯ膜よりなる画素電極６０を形成する。(3) On the upper surface of this insulating layer 80, an IT○ film with a thickness of about 500 layers is formed by sputtering, and this is patterned to form a pixel electrode 60 made of an ITO film.
（４）パラジウムを用い、絶縁層８０および画素電極６
０が設けられたガラス製基板１０の一面上に、電子ビー
ム蒸着法により厚さ５００人程次のパラジウム膜を形成
し、これをパターニングして、パラジウムよりなる第１
電極層３１．３２とともに、他方の第１電極層３２と一
体的に伸びる走査電極７０を形成する。(4) Using palladium, the insulating layer 80 and the pixel electrode 6
A palladium film with a thickness of about 500 mm is formed by electron beam evaporation on one surface of the glass substrate 10 provided with 0, and this is patterned to form a first
Together with the electrode layers 31 and 32, a scanning electrode 70 is formed which extends integrally with the other first electrode layer 32.
（５）第１電極層３１．３２および走査電極７０が設け
られたガラス製基板１０の一面上に、プラズマＣＶＤ法
により厚さ０．９μｍ程度のｎ型のａ −３ｉ ： Ｈ
膜を形成する。(5) On one surface of the glass substrate 10 on which the first electrode layer 31, 32 and the scanning electrode 70 are provided, an n-type a-3i:H film having a thickness of about 0.9 μm is formed by plasma CVD.
Forms a film.
（６）さらにこのｎ型のａ −３ｉ ： Ｈ膜の上面に
厚さ１０００人程度０ｎ゛型のａ−３ｉ：Ｈ膜を形成す
る。(6) Furthermore, a 0n type a-3i:H film with a thickness of about 1000 nm is formed on the upper surface of this n-type a-3i:H film.
（７）上記ｎ゛型のａ−３ｉ：Ｈ膜の上面に、スパッタ
リング法により厚さ１０００人程度０ｎロム膜を形成す
る。(7) On the upper surface of the n'-type a-3i:H film, a 0n ROM film with a thickness of about 1000 nm is formed by sputtering.
（８）このクロム膜をパターニングして第２電極層５０
を形成する。(8) Patterning this chromium film to form a second electrode layer 50
form.
（９）次いて、ｎ”型のａ −３ｉ ： Ｈ膜、ｎ型の
ａＳＩ Ｈ膜をパターニングして、半導体層４０形成す
る。(9) Next, the n'' type a-3i:H film and the n type aSI H film are patterned to form the semiconductor layer 40.
以上の製造方法によれば、ガラス製基板１０上に第１電
極層を構成する金属であるパラジウム膜を形成し、これ
を酸素雰囲気下において加熱処理することによりパラジ
ウムの酸化物よりなる絶縁層８０を形成するので、ガラ
ス製基板１０との接着性の優れた絶縁層８０を簡単に形
成することができ、そしてこの絶縁層８０の上にパラジ
ウムよりなる第１電極層３１．３２を形成するので、第
１電極層３１．３２を絶縁層８０に十分な強度で固定す
ることができ、その結果、剥離を生ずることなく第１電
極層３１゜３２の層構造を安定に維持することができ、
信頼性の高いンヨットキー型非線形スイッチング素子２
０を製造することができる。According to the above manufacturing method, a palladium film, which is a metal constituting the first electrode layer, is formed on the glass substrate 10 and is heat-treated in an oxygen atmosphere to form an insulating layer 80 made of palladium oxide. , the insulating layer 80 having excellent adhesion to the glass substrate 10 can be easily formed, and the first electrode layers 31 and 32 made of palladium are formed on this insulating layer 80. , the first electrode layers 31 and 32 can be fixed to the insulating layer 80 with sufficient strength, and as a result, the layer structure of the first electrode layers 31 and 32 can be stably maintained without peeling,
Highly reliable non-linear switching element 2
0 can be manufactured.
以上説明したように、本発明の液晶表示装置によれば、
ガラス製基板上に第１電極層を構成する金属の化合物よ
りなる絶縁層を設けて、この絶縁層上に第１電極層を設
けたので、当該絶縁層が存在することにより、製造工程
において上層の半導体層から応力を受けるときにも当該
第１電極層が剥離せず安定な層構造が維持され、信頼性
の高いンヨ７１−キー型非線形スインチング素子を有す
る液晶表示装置を構成することができる。As explained above, according to the liquid crystal display device of the present invention,
An insulating layer made of a metal compound constituting the first electrode layer was provided on the glass substrate, and the first electrode layer was provided on this insulating layer. Even when subjected to stress from the semiconductor layer, the first electrode layer does not peel off and maintains a stable layer structure, making it possible to configure a liquid crystal display device having a highly reliable 71-key type nonlinear switching element. .
また、本発明の製造方法によれば、第１電極層を構成す
る金属の薄膜をガラス製基板上に形成し、この金属の薄
膜を絶縁化するだめの元素の存在下において加熱処理す
ることにより、当該金属の化合物よりなる絶縁層を形成
するので、簡単な製造工程によりガラス製基板および第
１電極層との接着強度が十分に得られる絶縁層を形成す
ることができ、信頼性の高いンヨットキー型非線形スイ
ンチンク素子を有する液晶表示装置を高い歩留りで製造
することができる。Further, according to the manufacturing method of the present invention, a thin metal film constituting the first electrode layer is formed on a glass substrate, and the thin metal film is heat-treated in the presence of an insulating element. Since the insulating layer is formed from a compound of the metal, it is possible to form an insulating layer with sufficient adhesion strength to the glass substrate and the first electrode layer through a simple manufacturing process, resulting in a highly reliable Nyoyoto key. A liquid crystal display device having a type nonlinear spin-tinck element can be manufactured with high yield.
第１図および第２図は液晶表示装置を示す説明用平面図
および断面図、第３図および第４図は液晶表示装置の他
の例を示す説明用平面図および断面図である。
１０・−・カラス製基板
２０・・・ンヨットキー型非線形スイノチンク素子３１
．３２・・・第１電極層 ４０・・・半導体層４ドメ
イン層 ４２・・高ドープ層５０・・・第２電
極層 ６０・・・画素電極７０・・走査電極
８０・・・絶縁層くｔ1 and 2 are an explanatory plan view and a sectional view showing a liquid crystal display device, and FIGS. 3 and 4 are an explanatory plan view and a sectional view showing other examples of the liquid crystal display device. 10.--Crow substrate 20...Nyotsky type nonlinear Sino-chink element 31
．． 32... First electrode layer 40... Semiconductor layer 4 domain layer 42... Highly doped layer 50... Second electrode layer 60... Pixel electrode 70... Scanning electrode
80...Insulating layer
Claims (2)
ョットキー型非線形スイッチング素子とを備えてなる液
晶表示装置において、 前記ショットキー型非線形スイッチング素子は、ガラス
製基板上に設けた絶縁層と、この絶縁層の上面に設けた
ショットキーバリアを形成する第１電極層と、この第１
電極層上に設けた半導体層と、この半導体層上に設けた
第２電極層とを有してなり、 前記絶縁層は、前記第１電極層を構成する金属の化合物
よりなることを特徴とする液晶表示装置。(1) In a liquid crystal display device comprising a glass substrate and a Schottky nonlinear switching element provided on the glass substrate, the Schottky nonlinear switching element includes an insulating layer provided on the glass substrate. a first electrode layer forming a Schottky barrier provided on the upper surface of this insulating layer;
It has a semiconductor layer provided on an electrode layer and a second electrode layer provided on this semiconductor layer, and the insulating layer is made of a compound of the metal constituting the first electrode layer. LCD display device.
上に形成し、この金属の薄膜を絶縁化するための元素の
存在下において加熱処理することにより、当該金属の化
合物よりなる絶縁層を形成する工程を含むことを特徴と
する請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。(2) By forming a thin film of metal constituting the first electrode layer on a glass substrate and heat-treating this thin film of metal in the presence of an element for insulating it, an insulator made of a compound of the metal is formed. 2. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, further comprising the step of forming a layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP64000071A JPH02181122A (en) | 1989-01-05 | 1989-01-05 | Liquid crystal display element and production thereof |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP64000071A JPH02181122A (en) | 1989-01-05 | 1989-01-05 | Liquid crystal display element and production thereof |
Publications (1)
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| JPH02181122A true JPH02181122A (en) | 1990-07-13 |
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|---|---|---|---|
| JP64000071A Pending JPH02181122A (en) | 1989-01-05 | 1989-01-05 | Liquid crystal display element and production thereof |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPH02181122A (en) |
-
1989
- 1989-01-05 JP JP64000071A patent/JPH02181122A/en active Pending
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