JPH02180021A - 半導体ウエハの製造方法 - Google Patents
半導体ウエハの製造方法Info
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- JPH02180021A JPH02180021A JP14389A JP14389A JPH02180021A JP H02180021 A JPH02180021 A JP H02180021A JP 14389 A JP14389 A JP 14389A JP 14389 A JP14389 A JP 14389A JP H02180021 A JPH02180021 A JP H02180021A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は各種半導体装置に用いられる単結晶シフコンウ
ェハの製造方法に関するものである。
ェハの製造方法に関するものである。
〔従来の技術］
単結晶シリコンウェハ（以下羊にウェハと記す）上に形
成された集積回路、大規模集積回路の素子においては、
近時、回路の集積度が飛躍的に高まり、そのため回路の
幅およびその間隙が狭くなり、パーティクル（飛塵）の
付着が素子の歩留低下におよぼす影響が大きな問題とな
っており、例えば、直径的１５０ｍｍ（６インチ）のウ
ェハにおいては、直径０．３μｍのパーティクルがウェ
ハ表面全面に３０個以上存在した場合はウェハとして製
品とはならず、パーティクルの付着の少いウェハの製造
方法の開発が望まれている。
成された集積回路、大規模集積回路の素子においては、
近時、回路の集積度が飛躍的に高まり、そのため回路の
幅およびその間隙が狭くなり、パーティクル（飛塵）の
付着が素子の歩留低下におよぼす影響が大きな問題とな
っており、例えば、直径的１５０ｍｍ（６インチ）のウ
ェハにおいては、直径０．３μｍのパーティクルがウェ
ハ表面全面に３０個以上存在した場合はウェハとして製
品とはならず、パーティクルの付着の少いウェハの製造
方法の開発が望まれている。
従来のウェハ製造方法、例えば特開昭５５−１５０２３
７号公報に開示された方法においては、インゴットを切
断したウェハの表面は切断歪を除去するためにエッチン
グを行っているが、裏面は切断歪を除去するところまで
はエッチングを行っておらず、このため裏面は切断時に
はいったクラックが残留するためパーティクルが付着し
易く、裏面に付着して持込まれたパーティクルがウェハ
の取扱中に表面に付着する問題点がある。
７号公報に開示された方法においては、インゴットを切
断したウェハの表面は切断歪を除去するためにエッチン
グを行っているが、裏面は切断歪を除去するところまで
はエッチングを行っておらず、このため裏面は切断時に
はいったクラックが残留するためパーティクルが付着し
易く、裏面に付着して持込まれたパーティクルがウェハ
の取扱中に表面に付着する問題点がある。
〔発明が解決しようとする課題］
本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、裏面にもパ
ーティクルの付着が少く、かつゲッタリング（重金属不
純物のウェハ表面からの除去）効果が得られるウェハを
製造しようとするものである。
ーティクルの付着が少く、かつゲッタリング（重金属不
純物のウェハ表面からの除去）効果が得られるウェハを
製造しようとするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記課題を解決するために、
シリコン単結晶インゴットを切断して得たウェハを：
電子回路が形成される表面のみをエッチングして表面の
切断歪層を除去し： 次に熱処理して裏面の切断歪層から内部に格子欠陥を発
生させ： さらに格子欠陥が残留する範囲で裏面をエッチングする
ことを特徴とする半導体ウェハの製造方法： を提供するものである。
切断歪層を除去し： 次に熱処理して裏面の切断歪層から内部に格子欠陥を発
生させ： さらに格子欠陥が残留する範囲で裏面をエッチングする
ことを特徴とする半導体ウェハの製造方法： を提供するものである。
〔作用］
インゴットを切断して得たウェハは、表面および裏面と
も切断歪が存在し、クラックが伴うためパーティクルが
付着し易いだけでな（、重金属不純物が不均一に分布し
ているので、特性の劣化を起こさせるばかりでなく、特
性のばらつきを生しさせるので、通常、研摩、化学エッ
チング等の方法でウェハ表裏の歪はほぼ完全に除去して
いる。
も切断歪が存在し、クラックが伴うためパーティクルが
付着し易いだけでな（、重金属不純物が不均一に分布し
ているので、特性の劣化を起こさせるばかりでなく、特
性のばらつきを生しさせるので、通常、研摩、化学エッ
チング等の方法でウェハ表裏の歪はほぼ完全に除去して
いる。
しかし、研摩、エッチング等の加工工程でも重金属不純
物がしばしばウェハに混入し、素子の特性を劣化させる
。同様の不純物の混入は半導体プロセスにおいてもしば
しば発生する。ウェハ内の不純物を除くために、ゲラク
リングプロセスを施す必要がある。
物がしばしばウェハに混入し、素子の特性を劣化させる
。同様の不純物の混入は半導体プロセスにおいてもしば
しば発生する。ウェハ内の不純物を除くために、ゲラク
リングプロセスを施す必要がある。
本発明においては、表面のみをエッチングして切断歪層
を除去してパーティクルの付着を減少させるとともに後
工程の加熱により格子欠陥を生ずる切断歪を除去した後
に、ウェハを熱処理して裏面にのみ切断歪層から内部に
向けてゲッタリング効果を有する格子欠陥を生成させ、
さらに、生成した格子欠陥が残留する範囲で裏面をエッ
チングし、パーティクルの付着をさらに減少させると共
にゲッタリング効果を有する格子欠陥を裏面に存在させ
るものである。
を除去してパーティクルの付着を減少させるとともに後
工程の加熱により格子欠陥を生ずる切断歪を除去した後
に、ウェハを熱処理して裏面にのみ切断歪層から内部に
向けてゲッタリング効果を有する格子欠陥を生成させ、
さらに、生成した格子欠陥が残留する範囲で裏面をエッ
チングし、パーティクルの付着をさらに減少させると共
にゲッタリング効果を有する格子欠陥を裏面に存在させ
るものである。
ウェハ表面をエッチングする深さは切断歪が除去され得
るものであればよく、数値的に限定し得るものではない
が、一般に行われている切断方法においては３０μｍ程
度エッチングすればよい。
るものであればよく、数値的に限定し得るものではない
が、一般に行われている切断方法においては３０μｍ程
度エッチングすればよい。
エッチング剤としては弗酸、硝酸、酢酸の混合液等が用
いられ、混合比は弗酸：硝酸：酢酸＝２：ｌ：１．処理
温度は２０〜６０℃、処理時間は１〜２ｍ１ｎ程度でよ
い。
いられ、混合比は弗酸：硝酸：酢酸＝２：ｌ：１．処理
温度は２０〜６０℃、処理時間は１〜２ｍ１ｎ程度でよ
い。
熱処理における処理温度は１０００〜１１００℃、処理
時間は１〜２ｈｒ程度で、ゲッタリング効果を発揮する
格子欠陥がウェハ内の深い領域まで発達し、後工程にお
ける加熱により十分なゲッタリング効果を発揮する。
時間は１〜２ｈｒ程度で、ゲッタリング効果を発揮する
格子欠陥がウェハ内の深い領域まで発達し、後工程にお
ける加熱により十分なゲッタリング効果を発揮する。
裏面は上記により生成させた格子欠陥が残留する範囲で
エッチングし、エッチング深さは１５〜２０μｍ程度で
、エッチング方法は表面のエッチングと同様である。
エッチングし、エッチング深さは１５〜２０μｍ程度で
、エッチング方法は表面のエッチングと同様である。
以上詳細に説明したように、本発明方法により製造され
たウェハは、表面のみならず裏面もパーティクルの付着
が減少すると共に、ウェハの裏面から深い領域まで格子
欠陥が生成し、後工程の加熱によりゲッタリング効果を
発揮することができる。
たウェハは、表面のみならず裏面もパーティクルの付着
が減少すると共に、ウェハの裏面から深い領域まで格子
欠陥が生成し、後工程の加熱によりゲッタリング効果を
発揮することができる。
［実施例］
シリコン単結晶のインゴットより切断した直径１５０ｍ
ｍ厚さ７００μｍのウェハの表面を、弗酸：硝酸：酢酸
＝２：１：１の割合で混合した液で３０℃Ｘ１ｍ１ｎ処
理し、５０μｍエッチングして表面の切断歪層を除去し
、次に乾燥酸素雰囲気中にて１１００℃Ｘ１ｈｒの熱処
理を行い、さらに裏面を上記混合液を用′Ｉ７）で３０
°Ｃ×３０ｓｅｃ処理して２０μｍエッチングした。
ｍ厚さ７００μｍのウェハの表面を、弗酸：硝酸：酢酸
＝２：１：１の割合で混合した液で３０℃Ｘ１ｍ１ｎ処
理し、５０μｍエッチングして表面の切断歪層を除去し
、次に乾燥酸素雰囲気中にて１１００℃Ｘ１ｈｒの熱処
理を行い、さらに裏面を上記混合液を用′Ｉ７）で３０
°Ｃ×３０ｓｅｃ処理して２０μｍエッチングした。
得られたウェハの表面をポリッシングしたのち洗浄し、
レーザー光散乱を用いたパーティクル計数装置でウェハ
表面全面のパーティクル数を測定した結果、作製したウ
ェハ１００枚の平均値は２５個／ウェハとなった。
レーザー光散乱を用いたパーティクル計数装置でウェハ
表面全面のパーティクル数を測定した結果、作製したウ
ェハ１００枚の平均値は２５個／ウェハとなった。
裏面のエッチングを行わない他は実施例と同様とした比
較例では、ウェハ表面全面のパーティクル数はｉ ｏｏ
ｏ個／ウェハとなった。
較例では、ウェハ表面全面のパーティクル数はｉ ｏｏ
ｏ個／ウェハとなった。
〔発明の効果ｊ
本発明により、パーティクルが付着しにくく清浄度の高
いウェハを提供することができる。
いウェハを提供することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコン単結晶インゴットを切断して得たウェハを
： 電子回路が形成される表面のみをエッチン グして表面の切断歪層を除去し： 次に熱処理して裏面の切断歪層から内部に 格子欠陥を発生させ： さらに格子欠陥が残留する範囲で裏面を エッチングすることを特徴とする半導体ウェハの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14389A JPH02180021A (ja) | 1989-01-05 | 1989-01-05 | 半導体ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14389A JPH02180021A (ja) | 1989-01-05 | 1989-01-05 | 半導体ウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02180021A true JPH02180021A (ja) | 1990-07-12 |
Family
ID=11465802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14389A Pending JPH02180021A (ja) | 1989-01-05 | 1989-01-05 | 半導体ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02180021A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG99869A1 (en) * | 2000-03-21 | 2003-11-27 | Hewlett Packard Co | Semiconductor substrate having increased facture strength and method of forming the same |
-
1989
- 1989-01-05 JP JP14389A patent/JPH02180021A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG99869A1 (en) * | 2000-03-21 | 2003-11-27 | Hewlett Packard Co | Semiconductor substrate having increased facture strength and method of forming the same |
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