JPH02174411A - 水晶膜厚モニタ - Google Patents
水晶膜厚モニタInfo
- Publication number
- JPH02174411A JPH02174411A JP33024488A JP33024488A JPH02174411A JP H02174411 A JPH02174411 A JP H02174411A JP 33024488 A JP33024488 A JP 33024488A JP 33024488 A JP33024488 A JP 33024488A JP H02174411 A JPH02174411 A JP H02174411A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- film thickness
- frequency
- monitor
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005072 multiple resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は水晶を用いた膜厚モニタに関するものである。
（従来技術及び発明が解決しようとする課Ｍ）真空蒸着
装置等における蒸着膜厚のモニタ装置には、水晶発振器
が用いられており、蒸着物が水晶振動子の水晶板面に堆
積することによって生じる周波数変化を観測して膜厚を
モニタしてる。
装置等における蒸着膜厚のモニタ装置には、水晶発振器
が用いられており、蒸着物が水晶振動子の水晶板面に堆
積することによって生じる周波数変化を観測して膜厚を
モニタしてる。
蒸着は一般に数百°Ｃの高温中で行われるが、従来の膜
厚モニタに用いられている水晶振動子は、温度の上昇に
ともなって等価抵抗が急激に増加するため、水晶振動子
の温度が３００ ’Ｃ程度以上になると水晶発振器の発
振が困難となり、膜厚のモニタが不可能になる場合があ
った。そのため、般にモニタ素子を水冷することによっ
て、水晶振動子の等価抵抗の増加と共振周波数の温度変
化の防止を行っているため、水晶振動子のホルダ機構が
複雑となる欠点があった。また、前記理由により、きわ
めて高い温度にさらされる被蒸着基板近傍で膜厚をモニ
タすることが不可能であることから、被蒸着基板から遠
く離れた位置にモニタ素子を設置し、一定の換算係数を
乗じることによって膜厚を算出していたため、正確な膜
厚の観測が困難であった。
厚モニタに用いられている水晶振動子は、温度の上昇に
ともなって等価抵抗が急激に増加するため、水晶振動子
の温度が３００ ’Ｃ程度以上になると水晶発振器の発
振が困難となり、膜厚のモニタが不可能になる場合があ
った。そのため、般にモニタ素子を水冷することによっ
て、水晶振動子の等価抵抗の増加と共振周波数の温度変
化の防止を行っているため、水晶振動子のホルダ機構が
複雑となる欠点があった。また、前記理由により、きわ
めて高い温度にさらされる被蒸着基板近傍で膜厚をモニ
タすることが不可能であることから、被蒸着基板から遠
く離れた位置にモニタ素子を設置し、一定の換算係数を
乗じることによって膜厚を算出していたため、正確な膜
厚の観測が困難であった。
さらに、従来の膜厚モニタは、１つの水晶振動子から成
る水晶発振器の周波数を観測することにより、膜厚をモ
ニタしていた。しかしながら、蒸着は数十℃以上の温度
変動がある状態て行われるため、水晶振動子の共振周波
数温度特性によって、周波数変化と膜厚の関係に直線性
が成立しなくなり、モニタ素子を水冷しても水晶振動子
の温度変動のため、正確な膜厚をモニタすることが困難
であった。
る水晶発振器の周波数を観測することにより、膜厚をモ
ニタしていた。しかしながら、蒸着は数十℃以上の温度
変動がある状態て行われるため、水晶振動子の共振周波
数温度特性によって、周波数変化と膜厚の関係に直線性
が成立しなくなり、モニタ素子を水冷しても水晶振動子
の温度変動のため、正確な膜厚をモニタすることが困難
であった。
本発明は上記課題を解決するため、２５０℃から５００
°Ｃ以上の高温環境下でも動作し、正確な膜厚のモニタ
が可能な水晶膜厚モニタを提供することを目的とする。
°Ｃ以上の高温環境下でも動作し、正確な膜厚のモニタ
が可能な水晶膜厚モニタを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するため、水晶振動子の素板に
高温中で高電圧を印加してスイーピング処理を施した水
晶を用いることを特徴とする水晶膜厚モニタを第１の要
旨とし、 スイーピング処理を施した同一水晶素板上に弾性的に結
合されていない複数の水晶振動子を形成し、前記水晶振
動子から成る複数の水晶発振器間の差周波数を測定する
ことを特徴とする水晶膜厚モニタを第２の要旨とし、 スイーピング処理を施した同一水晶素板上に一対の弾性
的に結合された水晶振動子から成る結合振動系を形成し
、当該結合振動系における対称モード２斜め対称モード
の共振周波数の差周波数を測定することを特徴とする水
晶膜厚モニタを第３の要旨とする。
高温中で高電圧を印加してスイーピング処理を施した水
晶を用いることを特徴とする水晶膜厚モニタを第１の要
旨とし、 スイーピング処理を施した同一水晶素板上に弾性的に結
合されていない複数の水晶振動子を形成し、前記水晶振
動子から成る複数の水晶発振器間の差周波数を測定する
ことを特徴とする水晶膜厚モニタを第２の要旨とし、 スイーピング処理を施した同一水晶素板上に一対の弾性
的に結合された水晶振動子から成る結合振動系を形成し
、当該結合振動系における対称モード２斜め対称モード
の共振周波数の差周波数を測定することを特徴とする水
晶膜厚モニタを第３の要旨とする。
これにより、水晶振動子の水晶として、等価抵抗の温度
依存性が小さいスイーピング処理を施した水晶を使用す
ること、ならびに一つの水晶板上に複数の電極を設けて
二つ以上の水晶発振器を構成し、相互の差周波数をモニ
タすることを主要な特徴とする。したがって、従来のよ
うに高温において発振が停止することなく、また、温度
変動に伴う膜厚測定誤差の少ない膜厚モニタを実現でき
る。
依存性が小さいスイーピング処理を施した水晶を使用す
ること、ならびに一つの水晶板上に複数の電極を設けて
二つ以上の水晶発振器を構成し、相互の差周波数をモニ
タすることを主要な特徴とする。したがって、従来のよ
うに高温において発振が停止することなく、また、温度
変動に伴う膜厚測定誤差の少ない膜厚モニタを実現でき
る。
（実施例）
以下、図面に沿って本発明の実施例について説明する。
なお、実施例は一つの例示であうで、本発明の精神を逸
脱しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いうること
は言うまでもない。
脱しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いうること
は言うまでもない。
高温（約５００℃）中で水晶に高電界（約１ｋＶ／ｃｍ
）を印加し、水晶中の不純物を除去する処理（スイーピ
ング処理）を行うと、弾性的な損失に寄与する欠陥が除
去される。この水晶を水晶振動子に適用すると、等価抵
抗の温度依存性を極めて小さくすることができる。
）を印加し、水晶中の不純物を除去する処理（スイーピ
ング処理）を行うと、弾性的な損失に寄与する欠陥が除
去される。この水晶を水晶振動子に適用すると、等価抵
抗の温度依存性を極めて小さくすることができる。
まずはじめに、スイーピング処理した水晶の特性につい
て説明する。
て説明する。
第５図はスイーピング処理を施した水晶（スウエブト水
晶）と従来の未処理の水晶（アンスウニブト水晶）から
作製した水晶振動子に対する等価抵抗の温度特性例であ
る。従来の水晶では温度が２５０℃を超えて３００℃以
上になると等価抵抗が急激に増加するため、水晶振動子
の性能指数Ｍｙが２より小となり、水晶発振器の発振が
不可能になる。
晶）と従来の未処理の水晶（アンスウニブト水晶）から
作製した水晶振動子に対する等価抵抗の温度特性例であ
る。従来の水晶では温度が２５０℃を超えて３００℃以
上になると等価抵抗が急激に増加するため、水晶振動子
の性能指数Ｍｙが２より小となり、水晶発振器の発振が
不可能になる。
しかしながら、スイーピング処理を施した水晶の等価抵
抗はほとんど変化せず、本水晶を用いれば水晶の相転移
点である５７３℃付近でもＭ、は十分に大きな値を有し
、安定な水晶発振器を実現できる。
抗はほとんど変化せず、本水晶を用いれば水晶の相転移
点である５７３℃付近でもＭ、は十分に大きな値を有し
、安定な水晶発振器を実現できる。
（実施例１）
第１図は本発明の第１の実施例を示す図であり、ｌはス
イーピング処理を施した水晶素板、２Ａ。
イーピング処理を施した水晶素板、２Ａ。
２Ｂ、及び２Ｃは電極、３および４は１個の水晶素板ｌ
の上に電極２Ａと２Ｂ及び２Ａと２０で形成された第１
及び第２の水晶振動子、５は第１及び第２の水晶振動子
３．４のホルダ、６．７はそれぞれ水晶振動子３、水晶
振動子４で水晶発振器を構成している発振器の能動回路
であり、各々の発振周波数をｆｉ、ｆ＊とする。さらに
、８はミキサであり、入力は能動回路６．７からの信号
ｆｌ＋ｍ出力周波数はｌｆ＋ ｆｇｌである。
の上に電極２Ａと２Ｂ及び２Ａと２０で形成された第１
及び第２の水晶振動子、５は第１及び第２の水晶振動子
３．４のホルダ、６．７はそれぞれ水晶振動子３、水晶
振動子４で水晶発振器を構成している発振器の能動回路
であり、各々の発振周波数をｆｉ、ｆ＊とする。さらに
、８はミキサであり、入力は能動回路６．７からの信号
ｆｌ＋ｍ出力周波数はｌｆ＋ ｆｇｌである。
９はホルダ５の開口部であり、第２の水晶振動子４に対
してのみ蒸着源方向に開口している。二二で、第１及び
第２の水晶振動子３．４は互いに弾性的な結合がないよ
うに十分に離れて配置されている０以上の構成において
、蒸着源からの蒸着物は開口部９を通して第２水晶振動
子４め電極上に堆積し、堆積量に対応して発振器の能動
回路７の出力周波数が変化する。一方、発振器の能動回
路６に接続されている第１の水晶振動子３は、ホルダ５
で覆われているため蒸着物が飛来せず、その周波数ｆ、
は蒸＠量に依存しない、ここで、第１の水晶振動子３お
よび第２の水晶振動子４とも、その周波数は蒸着温度等
の温度に依存するが、同一の水晶素＋ｉ ｔを用いてい
るため、各々の第１及び第２の振動子３．４は同じ温度
特性を持つことになる。したがって、能動回路６と能動
回路７の出力周波数をミキサ８で混合し、その出力を計
測すれば、各々の第１及び第２の水晶振動子３．４の温
度特性が相殺され、温度による計測誤差の小さい膜厚モ
ニタが実現できる。さらに、水晶素板１としてスウエプ
ト水晶を使用しているため、蒸着中の温度が２５０ ’
Ｃを超えて５００℃以上の高温になっても発振が停止す
ることなく、計Ｆｆｌ！ｆＪ域を飛躍的に拡大できる。
してのみ蒸着源方向に開口している。二二で、第１及び
第２の水晶振動子３．４は互いに弾性的な結合がないよ
うに十分に離れて配置されている０以上の構成において
、蒸着源からの蒸着物は開口部９を通して第２水晶振動
子４め電極上に堆積し、堆積量に対応して発振器の能動
回路７の出力周波数が変化する。一方、発振器の能動回
路６に接続されている第１の水晶振動子３は、ホルダ５
で覆われているため蒸着物が飛来せず、その周波数ｆ、
は蒸＠量に依存しない、ここで、第１の水晶振動子３お
よび第２の水晶振動子４とも、その周波数は蒸着温度等
の温度に依存するが、同一の水晶素＋ｉ ｔを用いてい
るため、各々の第１及び第２の振動子３．４は同じ温度
特性を持つことになる。したがって、能動回路６と能動
回路７の出力周波数をミキサ８で混合し、その出力を計
測すれば、各々の第１及び第２の水晶振動子３．４の温
度特性が相殺され、温度による計測誤差の小さい膜厚モ
ニタが実現できる。さらに、水晶素板１としてスウエプ
ト水晶を使用しているため、蒸着中の温度が２５０ ’
Ｃを超えて５００℃以上の高温になっても発振が停止す
ることなく、計Ｆｆｌ！ｆＪ域を飛躍的に拡大できる。
（実施例２）
第２図は本発明の第２の実施例を示す図であり、１０は
モニタ素子、１１は被蒸着基板、１２は基板ホルダ、１
３は蒸着源、１４は被蒸着基ｉｌｌを加熱するためのヒ
ータである０本発明によるモニタ素子１０は数百℃の高
温状態の下でも動作可能であるため、基板ホルダ１２に
被蒸着基板１１と同一面上で設置することができる。し
たがって、蒸着源１３に対して、被蒸着基板１１とモニ
タ素子１０までの距離が等しくなるため、被蒸着基板１
３に蒸着される膜厚を正確にモニタすることができる。
モニタ素子、１１は被蒸着基板、１２は基板ホルダ、１
３は蒸着源、１４は被蒸着基ｉｌｌを加熱するためのヒ
ータである０本発明によるモニタ素子１０は数百℃の高
温状態の下でも動作可能であるため、基板ホルダ１２に
被蒸着基板１１と同一面上で設置することができる。し
たがって、蒸着源１３に対して、被蒸着基板１１とモニ
タ素子１０までの距離が等しくなるため、被蒸着基板１
３に蒸着される膜厚を正確にモニタすることができる。
（実施例３）
第３図は本発明の第３の実施例を示す図であり、１５は
スイーピング処理を施した水晶基板、１６Ａ。
スイーピング処理を施した水晶基板、１６Ａ。
１６Ｂ及び１６Ｃは電極、１７．１８は水晶素板１５の
上に電極１６＾と１６Ｂ及び１６Ａと１６Ｂで形成され
た第３及び第４の水晶振動子、１９．２０は出力端子で
ある。ここで、第３及び第４の水晶振動子１８と１９は
弾性的に結合された、いわゆる結合振動系を形成してい
る。
上に電極１６＾と１６Ｂ及び１６Ａと１６Ｂで形成され
た第３及び第４の水晶振動子、１９．２０は出力端子で
ある。ここで、第３及び第４の水晶振動子１８と１９は
弾性的に結合された、いわゆる結合振動系を形成してい
る。
結合振動系では、複数の共振スペクトラムが存在するこ
とが知られている。第４図は２個の共振子による結合振
動系の共振周波数スペクトルを示しており、ｆｓは対称
モードの共振周波数、ｆａは斜め対称モードの共振周波
数である。横軸のΔはプレートバック量であり、Δ−ρ
′ｈ′／ρｈで定義される。ここで、ρ、ｈはそれぞれ
第３図における水晶基板１５の密度および厚さであり、
ρ′、ｈ′は第３図の電極１６＾に付加される薄着物の
密度および厚さである。すなわち、蒸着によって膜厚が
増加するにしたがって、Δも増加する。
とが知られている。第４図は２個の共振子による結合振
動系の共振周波数スペクトルを示しており、ｆｓは対称
モードの共振周波数、ｆａは斜め対称モードの共振周波
数である。横軸のΔはプレートバック量であり、Δ−ρ
′ｈ′／ρｈで定義される。ここで、ρ、ｈはそれぞれ
第３図における水晶基板１５の密度および厚さであり、
ρ′、ｈ′は第３図の電極１６＾に付加される薄着物の
密度および厚さである。すなわち、蒸着によって膜厚が
増加するにしたがって、Δも増加する。
第３図において端子２０を短絡すれば、端子１９から対
称モードと斜め対称モードの共振周波数ｆｓＳ ｆａが
観測できる。ここで、蒸着源からの蒸着物が電極１６Ａ
に堆積すると第４図にしたがってプレートバック量Δが
増加し、対称モードと斜め対称モードの共振周波数ｒｓ
ｓｆａとも低下する。しかしながら、ｆｓとｆａの間隔
は例えば堆積量が少ない時はＡとなるが、堆積量が増加
するにしたがってＢのようになり、ｆｓとｆａの間隔が
狭（なる、したがって、端子１９で対称モードと斜め対
称モードの共振周波数の差をＩＩ測することにより、蒸
着膜厚をモニタすることができる。
称モードと斜め対称モードの共振周波数ｆｓＳ ｆａが
観測できる。ここで、蒸着源からの蒸着物が電極１６Ａ
に堆積すると第４図にしたがってプレートバック量Δが
増加し、対称モードと斜め対称モードの共振周波数ｒｓ
ｓｆａとも低下する。しかしながら、ｆｓとｆａの間隔
は例えば堆積量が少ない時はＡとなるが、堆積量が増加
するにしたがってＢのようになり、ｆｓとｆａの間隔が
狭（なる、したがって、端子１９で対称モードと斜め対
称モードの共振周波数の差をＩＩ測することにより、蒸
着膜厚をモニタすることができる。
ここで、水晶振動子の水晶素板１５としてスウエプト水
晶を用いているため、ｓ ｏ ｏ ’ｃ以上の高温にな
っても等価抵抗の増大がな（、共振周波数を精度良く測
定できるばかりでな（２，同一水晶素板上に複数の電極
を設けてその共振周波数を観測しているため、各々の水
晶振動子の温度特性が相殺され、温度による測定誤差を
著しく低減できる。
晶を用いているため、ｓ ｏ ｏ ’ｃ以上の高温にな
っても等価抵抗の増大がな（、共振周波数を精度良く測
定できるばかりでな（２，同一水晶素板上に複数の電極
を設けてその共振周波数を観測しているため、各々の水
晶振動子の温度特性が相殺され、温度による測定誤差を
著しく低減できる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば水晶振動子の素板
に高温中で高電圧を印加してスイーピング処理を施した
水晶を用いることにより、水晶膜厚モニタは、水晶素板
としてスイーピング処理を施した水晶を使用するため、
２５０℃を超えて５００℃以上の高温条件下でも動作可
能であり、計測領域を飛躍的に拡大できる利点がある。
に高温中で高電圧を印加してスイーピング処理を施した
水晶を用いることにより、水晶膜厚モニタは、水晶素板
としてスイーピング処理を施した水晶を使用するため、
２５０℃を超えて５００℃以上の高温条件下でも動作可
能であり、計測領域を飛躍的に拡大できる利点がある。
また、スイーピング処理を施した同一水晶素板上に弾性
的に結合されていない複数の水晶振動子を形成し、前記
水晶振動子から成る複数の水晶発振器間の差周波数を測
定することにより、モニタ素子を被蒸着基板と同一面上
に設置できるため、正確な膜厚をモニタすることができ
る。さらに、スイーピング処理を施した同一水晶素板上
に一対の弾性的に結合された水晶振動子から成る結合振
動系を形成し、当該結合振動系における対称モードと斜
め対称モードの共振周波数の差周波数を測定することに
より同一水晶素板上に複数の水晶振動子を形成し、その
差周波数を取り扱うために個々の水晶振動子の温度依存
性を相殺することができ、温度変動に伴う計測誤差を低
減できる利点がある。
的に結合されていない複数の水晶振動子を形成し、前記
水晶振動子から成る複数の水晶発振器間の差周波数を測
定することにより、モニタ素子を被蒸着基板と同一面上
に設置できるため、正確な膜厚をモニタすることができ
る。さらに、スイーピング処理を施した同一水晶素板上
に一対の弾性的に結合された水晶振動子から成る結合振
動系を形成し、当該結合振動系における対称モードと斜
め対称モードの共振周波数の差周波数を測定することに
より同一水晶素板上に複数の水晶振動子を形成し、その
差周波数を取り扱うために個々の水晶振動子の温度依存
性を相殺することができ、温度変動に伴う計測誤差を低
減できる利点がある。
第１図は本発明による水晶膜厚モニタの第１の実施例を
示す図、第２図は第２の実施例を示す図、第３図は第３
の実施例を示す図、第４図は、２個の共振子による結合
振動系の周波数スペクトルを示す図、第５図はスイーピ
ング処理を施したスウエブト水晶と未処理のアンスウニ
ブト水晶から製作した水晶振動子に対する等価抵抗の温
度依存性の例である。 ｌ・・・スイーピング処理を施した水晶素板、２Ａ。 ２Ｂ、２Ｃ・・・電極、３．４・・・第１及び第２水晶
振動子、５・・・ホルダ、６．７・・・発振器の能動回
路、８・・・ミキサ、９・・・ホルダの開口部、ｌＯ・
・・モニタ素子、１．１・・・被蒸着基板、１２・・・
基板ホルダ、１３・・・蒸着源、１４・・・基板加熱ヒ
ータ、Ｉ５・・・スイーピング処理を施した水晶素板、
１６Ａ 、 １６８ 、１６ｃ・・・電極、１７．１８
・・・第３及び第４水晶振動子、１９．２０・・・出力
端子。 ほか１名 第１図 第３図 １ら 第４図 一トゝ１３ 石ｒ
示す図、第２図は第２の実施例を示す図、第３図は第３
の実施例を示す図、第４図は、２個の共振子による結合
振動系の周波数スペクトルを示す図、第５図はスイーピ
ング処理を施したスウエブト水晶と未処理のアンスウニ
ブト水晶から製作した水晶振動子に対する等価抵抗の温
度依存性の例である。 ｌ・・・スイーピング処理を施した水晶素板、２Ａ。 ２Ｂ、２Ｃ・・・電極、３．４・・・第１及び第２水晶
振動子、５・・・ホルダ、６．７・・・発振器の能動回
路、８・・・ミキサ、９・・・ホルダの開口部、ｌＯ・
・・モニタ素子、１．１・・・被蒸着基板、１２・・・
基板ホルダ、１３・・・蒸着源、１４・・・基板加熱ヒ
ータ、Ｉ５・・・スイーピング処理を施した水晶素板、
１６Ａ 、 １６８ 、１６ｃ・・・電極、１７．１８
・・・第３及び第４水晶振動子、１９．２０・・・出力
端子。 ほか１名 第１図 第３図 １ら 第４図 一トゝ１３ 石ｒ
Claims (3)
- （１）水晶振動子の素板に高温中で高電圧を印加してス
イーピング処理を施した水晶を用いることを特徴とする
水晶膜厚モニタ。 - （２）スイーピング処理を施した同一水晶素板上に弾性
的に結合されていない複数の水晶振動子を形成し、前記
水晶振動子から成る複数の水晶発振器間の差周波数を測
定することを特徴とする水晶膜厚モニタ。 - （３）スイーピング処理を施した同一水晶素板上に一対
の弾性的に結合された水晶振動子から成る結合振動系を
形成し、当該結合振動系における対称モードと斜め対称
モードの共振周波数の差周波数を測定することを特徴と
する水晶膜厚モニタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33024488A JPH02174411A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 水晶膜厚モニタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33024488A JPH02174411A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 水晶膜厚モニタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02174411A true JPH02174411A (ja) | 1990-07-05 |
| JPH0548304B2 JPH0548304B2 (ja) | 1993-07-21 |
Family
ID=18230472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33024488A Granted JPH02174411A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 水晶膜厚モニタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02174411A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3144411B1 (en) * | 2014-05-13 | 2020-03-11 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Measurement apparatus and coating device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914997A (ja) * | 1972-05-23 | 1974-02-08 | ||
| JPS4936878A (ja) * | 1972-08-19 | 1974-04-05 | ||
| JPS5469799A (en) * | 1977-11-15 | 1979-06-05 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Crystal oscillator for clock |
| JPS57153208A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | Chemical vapor growth device |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP33024488A patent/JPH02174411A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914997A (ja) * | 1972-05-23 | 1974-02-08 | ||
| JPS4936878A (ja) * | 1972-08-19 | 1974-04-05 | ||
| JPS5469799A (en) * | 1977-11-15 | 1979-06-05 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Crystal oscillator for clock |
| JPS57153208A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | Chemical vapor growth device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3144411B1 (en) * | 2014-05-13 | 2020-03-11 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Measurement apparatus and coating device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0548304B2 (ja) | 1993-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cho et al. | Scanning nonlinear dielectric microscope | |
| EP1018173A1 (en) | Method and system for detecting material using piezoelectric resonators | |
| US4472656A (en) | Temperature sensor and method using a single rotated quartz crystal | |
| US4817430A (en) | System for determining the thickness of varying material coatings | |
| US6370955B1 (en) | High-temperature balance | |
| US4199990A (en) | Elastic surface wave accelerometer | |
| JP2004093574A (ja) | 原子間力顕微鏡用力方位センサ付カンチレバー | |
| JPH02174411A (ja) | 水晶膜厚モニタ | |
| RU180725U1 (ru) | Высокотемпературный масс-чувствительный элемент для пьезорезонансных датчиков | |
| Warner et al. | Mass and thermal measurement with resonating crystalline quartz | |
| Pulker et al. | Factors influencing the accuracy of a quartz-crystal oscillator as a thickness monitor for thin-film deposition | |
| Courjon et al. | High overtone bulk acoustic resonators for high temperature sensing applications | |
| JP3522022B2 (ja) | 原子間力顕微鏡用力変位センサ付カンチレバー | |
| US20230336137A1 (en) | A piezoelectric resonator, a piezoelectric material for a piezoelectric resonator, and a method for manufacturing a piezoelectric resonator | |
| CN116429281B (zh) | 基于阵列结构的谐振器以及测温方法 | |
| Torgash et al. | Investigation of Temperature Effect on Electrical Characteristics of Solidly Mounted Resonator | |
| Sandeep et al. | Large scale changes in overtone resonances and resonant peak burning of HBAR with mass loading and its potential for applications | |
| Bilobran et al. | Thermally tunable surface acoustic wave cavities | |
| CN115558891B (zh) | 传感器装置 | |
| JPH10327038A (ja) | 圧電振動子 | |
| Loschonsky et al. | Mass sensitive thin film bulk acoustic wave resonators | |
| JP3401112B2 (ja) | 圧電結晶発振式膜厚計用発振回路 | |
| Zhang et al. | Experimental measurement of the electroelastic effect in thickness-mode langasite resonators | |
| Bunea et al. | Investigation of technological dispersion of GaN on silicon SAW resonators for bandpass filter applications | |
| JPS6093303A (ja) | 水晶式膜厚モニタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070721 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080721 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080721 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090721 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090721 Year of fee payment: 16 |