JPH02167387A - 硫化銅で被覆されたZnS:Mn系EL蛍光体 - Google Patents

硫化銅で被覆されたZnS:Mn系EL蛍光体

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JPH02167387A
JPH02167387A JP63320724A JP32072488A JPH02167387A JP H02167387 A JPH02167387 A JP H02167387A JP 63320724 A JP63320724 A JP 63320724A JP 32072488 A JP32072488 A JP 32072488A JP H02167387 A JPH02167387 A JP H02167387A
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copper sulfide
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洋一 坂井
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素彦 吉住
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は.硫化銅被覆を有するZnS:Mnn系上蛍光
体とその製造方法および該蛍光体を用いる分散型直流E
L素子に関する。
〔従来技術と問題点〕
硫fヒ銅で被覆されたZnS : Mn系蛍光体におい
て直流駆動により21発光が起こる事が、英国のA、V
echt等によって報告されて以来(Brit、J、A
ppl。
Phys、、 1.134(1968))、分散型直流
ピL素子の開発努力が続けられてきた。その場合硫化鋼
の被覆は、銅イオンを含む水溶液あるいは銅の有機金属
化合物を含む非水系溶液で処理し脱気して溶液を飛ばす
ことにより形成されていた(Brit、J、Appl、
Phys、 。
2.953(1969))。しかしこのような処理では
、処理前のZnS : Mn系蛍光体が乾燥状態である
ため多少なりとも凝集状態にあり、このため均一な硫化
鋼の被覆を形成し難い問題があった。またこの方法では
硫化鋼の被覆量を2%以下とした場合9体積抵抗が高過
ぎ、そのオーム損のために低電圧騒動ができない。加え
て、蛍光体の体積抵抗が高い為、塗料化した場合も、樹
脂量をかなり減じないと通電性が得られず、塗膜が脆く
、耐久性に乏しい問題がある。一方.硫化銅の被覆量を
増せば蛍光体の体積抵抗は減少するが、通電により透明
電極に接した蛍光体粒子上の硫化鋼を除去するフォーミ
ング処理を行う際、除去しなければならない硫化銅の量
が増加し、余分の電力を必要とし、それが熱となって素
子の劣化を早める。また、過剰の硫化鋼が存在すると、
EL発光をさせている間に、ZnS:Mn系蛍光体粒子
中への銅のマイグレーションが起こり劣化を促進すると
いう問題もある。〔問題点の解決に係る着眼点〕 本発明者らは最適な硫化銅被覆量の範囲と体積抵抗値を
見出し、またその被覆方法を見出した。
〔発明の構成〕
本発明は、硫化銅の被覆量がZnS:Mn系蛍光体の0
.2〜2.0wt%であって、体積抵抗値が1KΩ・0
以下であることを特徴とする硫化鋼で被覆されたZnS
:Mn系EL蛍光体を提供する。
本発明はまた、ZnS:Mn系蛍光体にあらかじめ硫化
水素を吸蔵させ、その扱銅イオンを含有する溶液、例え
ば銅イオン含有水溶液の存在下で湿式粉砕を行い、同時
に硫化鋼被覆を形成することを特徴とする前記の硫化鋼
被覆ZnS : Mn系EL蛍光体の製造方法を提供す
る。
さらに本発明は、前記した硫化銅被覆ZnS : Mn
系EL蛍光体を用いる分散型直流EL素子を提供する。
硫化銅被覆ZnS eMn系蛍光体は.硫化銅の被覆量
を必要最少限にとどめ、かつ蛍光体表面が均一に硫化銅
で被覆されていなければならない。本発明における分散
型直流EL素子に好適な硫化銅被覆量は蛍光体の0.2
〜2.fht%である。硫化鋼被覆量が0.2wt%以
下では、蛍光体の電気抵抗が大きくなって低電圧駆動が
できず、場合によっては該蛍光体を用いてELセルを組
立てるとき通電によるフォーミング処理も困難になる。
硫化鋼被覆量が2.0wt%以上では上記フォーミング
処理の際除去しなければならない硫化銅の量が多く、多
大の電力を必要としそのジュール熱によって素子の劣化
が早められる。また過剰の硫化鋼から蛍光体粒子へのC
uのマイグレーションによる素子の劣化も促進される。
本発明の硫化銅被覆ZnS : Mn系蛍光体において
は、その体積抵抗値は、100kg/ajで加圧成形し
た場合IKΩ・■以下である。体積抵抗値がIKΩ・0
以上では、蛍光体を塗料化してELセルを組立てる場合
、樹脂の量をかなり少なくしなければ通電性が得られず
、その結果塗膜が脆くいたみやすくなる。前記硫化鋼の
被覆量を有する蛍光体の体積抵抗値はIKΩ・国以下で
ある。
本発明の硫化銅で均一に被覆されたZnS:Mn系蛍光
体を得るには、粒径が1μm前後のZnS:Mn系蛍光
体にあらかじめ硫化水素を吸蔵させた後、銅イオンを含
有する溶媒の存在下で、湿式粉砕を行うことにより同時
に硫化鋼被覆を形成するのが良い。
蛍光体に硫化水素を吸蔵させるには、上記蛍光粉体を硫
化水素気流で流動化して行なってもよく、また石英管状
炉を用いて800℃以下の温度で硫化水素を通じた後徐
冷する方法でもよい。硫化銅の被覆は、銅イオンを含有
する溶;突を加えて湿式粉砕することにより好適に行な
われる。湿式粉砕はボールミルまたはサンドミル等が好
適に用いられる。Cuイオンを含有する溶媒としては、
酢酸銅、塩化銅など水溶液またはアルコール溶液が好適
に用いられる。−例として、硫化水素を吸蔵させた蛍光
体と酢酸銅などの水溶液をボールミルまたはサンドミル
の中に入れ、室温で15〜25時間湿式粉砕する。銅イ
オンの存在下で湿式粉砕を行なうと。
硫化水素を吸蔵したZnS : Mn系蛍光体が湿式粉
砕により一次粒子に解砕されると同時に液中のCuイオ
ンがその新たな表面の硫化水素と直ちに反応して硫化鋼
となり1粒子の一つ一つを均一に覆うと考えられる。ま
た、硫化銅の被覆量を0.2〜2.0すt%とするには
1例えばZnSeMn系蛍光体100gに対して酢酸銅
0.02モルを含む水溶液300ccを用いればよい。
銅イオンの被覆量は通常のICP等を用いた化学分析に
よって確認できる。
本発明に係る硫化銅被覆ZnS:Mn系EL蛍光体を用
いた分散型直流EL素子は該硫化鋼被覆ZnS:Mn系
のEL蛍光体が樹脂材料の誘電体中に均一に分散されて
いることを特徴とする。該EL蛍光体を透明電極とアル
ミ電極の間に設置し定電力でフォーミング処理を行なっ
た後、常法によりセルを組み立てることにより、従来の
EL素子を用いる場合より低電圧で発光する発光体を得
ることができる。
〔発明の効果〕
本発明の硫化銅被[ZnS:Mn系EL蛍光体を用いる
ことにより、発光が20〜30Vから立ち上る低電圧型
動が可能で、かつ寿命の長いEL素子を得ることができ
る。
実施例 平均粒径1.0μでMnの含有量0 、5wt%、増感
材としてのCuを0.05wt%含有するZnSSMn
系蛍光体100gを石英ボートに入れ、これを石英管の
入った管状炉にセットし、H,SをIQ/minで流し
ながら500℃で1時間処理する。放冷後、これを取り
出し、1.0Qのボールミルポットに入れる。アルミナ
ボールと酢酸銅0.02モルを含む水溶液300ccを
加え湿式粉枠を20時間行う。このスラリーを1反応に
より生じた酢酸及び過剰のCuイオンを除去する為に上
澄液の導電率が0.1ms以下になるまでデカンテーシ
ョンにより洗浄しp別し真空乾燥する。得られた蛍光体
粉末は101.0gで約1 、0wt%の硫化銅で被覆
されており、100kg/aJで圧粉した場合の体積抵
抗値は8Ω0であった。一方比較例として平均粒径1.
0 μ・Mn含有量0.5tat%・Cu含有量0.0
5wt%のZnS :Mn系蛍光体100gを酢酸鋼0
.02モル水溶液300ccに浸漬しそのまま105℃
で減圧乾燥し、従来法による硫化銅被覆ZnS:Mn系
蛍光体を作成した。この粉の収量は101.5gであり
、100kg/an?で圧粉した場合の体積抵抗値は、
65にΩ■であった。以上のようにして得られた2種類
の蛍光体について、以下に述べるような手順で評価用の
セルを組み立て特性の評価を行った。まず、蛍光体95
に対してニトロセルロース5となるように、ニトロセル
ロースクリアーに蛍光体を分散させ、ネサガラス(R米
PP(4を製、表面に透明電極を形成したガラス)に2
0μmの厚みで塗布、乾燥させ、これにアルミ電極を蒸
着によって形成させ、窒素雰囲気中で、ネサガラスを半
極アルミ電極を一極として、1.OW/aIの定電力に
よりフォーミング処理を行い、冷後モレキラシブをゲッ
ターとしてシールしセルを組み立てた。この2種のセル
について電圧−輝度の関係を測定した結果を第1図に示
す。図において(A)は従来法のセル、(B)が本発明
のEL蛍光体を用いたセルについての曲線である。(B
)の方が(A)よりも低電圧駆動が可能であることが明
らかである。
次にこの2種のセルについて初期輝度B。=100cd
/ rr?どなるようにして直流パルス反動(500H
z)させ、そのときの輝度BのB。に対する比を測定し
て寿命特性の比較を行なった結果を第2図に示す。
(A)、(B)は第1図と同じである。明らかに(B)
は(A)に較べて寿命が長い。
【図面の簡単な説明】
第1図はEL素子の電圧−輝度の関係、第2図は直流パ
ルス型動(500Hz)させたときの輝度BのB。に対
する比−駆動時間の関係を示す図である。図において(
A)・・・従来法素子、(B)・・・本発明の素子。 第1図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 1. 硫化銅の被覆量がZnS:Mn系蛍光体の0.2
    〜2.0wt%であって、体積抵抗値が1KΩ・cm以
    下であることを特徴とする硫化銅で被覆されたZnS:
    Mn系EL蛍光体。
  2. 2. ZnS:Mn系蛍光体にあらかじめ硫化水素を吸
    蔵させた後、銅イオン含有溶液の存在下で、湿式粉砕し
    て同時に硫化銅の被覆を形成することを特徴とする請求
    項1に記載のZnS:Mn系EL蛍光体の製造方法。
  3. 3. 請求項1記載のZnS:Mn系EL蛍光体を用い
    る分散型直流EL素子。
JP63320724A 1988-12-21 1988-12-21 硫化銅で被覆されたZnS:Mn系EL蛍光体 Expired - Lifetime JP2586622B2 (ja)

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