JPH02160988A - クラフトパルプ工場の臭気性ガス処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はクララｌ−パルプ製造工程の各装置から発生ず
る臭気性ガスを捕集処理する方法に関する。

さらに詳しくは捕集処理すべき臭気性ガス基を低減でき
る臭気性ガスの処理方法に関する。

［従来の技術］ クラ７１〜パルプ法は化学パルプの製造方法として広く
採用されているが、パルプ蒸解用薬液として硫化ナトリ
ウムを使用するなめ、硫化水素、メチルメルカプタン、
硫化ジメチル等の臭気性ガスがパルプ製造工程から発生
ずる。

これらの成分を含む臭気性ガスは微量であってもその臭
気は強く、大気中に放出されると工場周辺の住民に影響
を及ぼずものであった。このため臭気性ガスをその発生
源で捕集し、燃焼等により酸化分解して処理してきたが
、製造工程中に臭気性ガスを捕集すべき場所が多数存在
すること、捕集処理すべきガス量が大量であること等か
ら、比較的濃度の高い発生源例えば蒸解釜のブローガス
、エバポレータ排気、脱臭塔排気あるいは臭気性ガス発
生量の多い未晒パルプ洗浄装置の排気等からの捕集にと
どまっていた。

また従来から、爆発等の危険性がある高濃度臭気性ガス
とその危険性がない低濃度臭気性ガスとに分りて燃焼装
置へ移送することが行われてきたが、高濃度臭気性ガス
の移送系統には、着火、爆発等の危険を防止するなめフ
レームアレスターウオタートラップ等の逆火防止装置を
設置すると共に、万一の爆発時にも装置を保護するため
ラブチャーディスク等の設置、あるいは空気による希釈
が行われてきた。空気による希釈は捕誤処理すべきガス
量を大量ならしめ、臭気性ガスを全呈捕菓して処理する
ことを困難ならしめてきた。また臭気性ガス発生源は比
較的高温の液体であるため、湿分が多く、回収ホイラ等
の燃焼装置の水管を腐食させるため、冷却除湿塔も設置
されてきた。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明はクラフトパルプ製造工程から発生ずる臭気性ガ
スをほとんど全量捕集し、かつ補東処理すべきガス量を
低減し、さらには爆発等の危険がない臭気性ガスの捕集
処理方法を提供する。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、　臭気性ガスを低濃度臭気性ガス発生源と高
濃度臭気性ガス発生源の２系統に分け、各系統別に設け
た冷却除湿装置を経て臭気性ガスを吸引装置により吸引
捕集して燃焼装置に移送し、燃焼処理する臭気性ガス処
理方法であって、該高濃度臭気性ガスを冷却除湿装置の
臭気性ガス発生源側で低濃度臭気性ガスにより希釈し、
かつ高濃度臭気性ガス捕集系統と低濃度臭気性ガス捕集
系統のそれぞれにおいて、臭気性ガス発生源の密閉性の
大小により捕集系統を分け、各系統に圧力調節弁を設け
て各系統別に所定の負圧とすることからなるクラフトパ
ルプ工場の臭気性ガス処理方法を提供する。

本発明は、臭気性ガスを高濃度臭気性ガスの系統と低濃
度臭気性ガスの系統とに分りで処理する方法において、
高濃度臭気性ガスを該臭気性ガス系統に設置した冷却除
湿塔の入口側で低濃度臭気性ガスで臭気性成分の爆発限
界以下に希釈し、爆発等の危険を防止すると共に、処理
すべきガス量を大幅に低減したところに第１の特徴を有
する。

従来においても臭気性ガスを高濃度臭気性ガスと低濃度
臭気性ガスとに分けて捕集し、処理する方法は実施され
てきたが、高濃度臭気性ガスの爆発等の危険防止のため
に空気で希釈する、あるいはラブチャーディスク等の爆
発の危険に備えたイｔｊ属機器の設置等が必要であった
。本発明は冷却除湿装置のガス出口側に設置された吸引
装置による着火爆発の危険を防止するため、冷却除湿装
置のガス入口側で高濃度臭気性ガスを低濃度臭気性ガス
で希釈することにより着火爆発のおそれをなくし、燃焼
処理すべきガス量を低減し、かつラブチャーディスク等
の付属機器の設置を不要とした。

本発明の第２の特徴は、高濃度臭気性ガス発生源、低濃
度臭気性ガス発生源の近くの各ガス捕集系統に密閉性の
大小側に圧力調節弁を設置し、発生源から圧力調節弁に
至る部分の圧力を所定の負圧に調整したことにある。即
ち発生源が密閉性の低い装置である場合例えばパルプ洗
浄装置から発生する臭気性ガスを捕集する場合あるいは
発生源から圧力調節弁に至る経路が長い場合には、該負
圧を高くし、同じ低濃度臭気性ガス発生源であっても密
閉性の高い黒液クンク等の場合には該負圧を低くする。

このようにして、臭気性ガス発生源の密閉性の大小によ
り負圧を管理することにより、捕集ガス量を必要最小限
に抑制し、処理ずべきガスの捕集量を低減したことであ
る。

負圧は通常約−５０ｍｍＡｑ・”−１５０ｍｍＡｑの範
囲で制御される。ガス温度が高い場合、配管長が長い場
合には負圧を増加さぜることが好ましい。

以下本発明の方法を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明の方法を実施する１態様を示すフローチ
ャートである。ガスの捕集系統を、高濃度臭気性ガス捕
集系統１と低濃度臭気性ガス捕集系統２とに分け、各系
統に冷却除湿装置３．３　を設置する。高濃度臭気性ガ
ス捕集系統に属せしめるものとしては蒸解釜ブローガス
、エバポレーター排ガス、脱臭塔排ガス等であり、全還
元硫黄として約数千ｐｐｍ以上の臭気性ガスである。低
濃度臭気性ガスに属せしめるものとしては、パルプ洗浄
装置排ガス、廃液貯槽ベントガス、黒液酸化装置ガス等
であり、全還元硫黄として杓子１）　ｌ）　ｍ以下の臭
気性ガスである。

蒸解釜ブローガス貯槽４等の密閉性の高い装置からのガ
ス捕集にあたっては、アタプタイ・１きベント５を設け
、アダプタから若干の空気を吸引せしめるようにするこ
とが、装置の破壊防止の点から好ましい。また高濃度臭
気性ガス貯槽６からブロワ−７を介して圧力調節弁８の
ガス発生源側に送りこんでもよい。パルプ洗浄装置９、
黒液タンク１０等の低濃度臭気性ガス発生源からの低濃
度臭気性ガスを捕集するにあたっては、パルプ洗浄装置
９のような密閉性の低い臭気性ガス発生源と黒液タンク
１０のような密閉性の高い臭気性ガス発生源とでは別個
に圧力調節弁８を設置し、密閉性の高い系統は負圧を低
くし、密閉性の低い系統は負圧を高くする。臭気性ガス
以外の空気の吸い込み量を減少し、捕集処理すべきガス
量を最小とするためである。

吸引された臭気性ガスは圧力調節弁８を経て冷却除湿装
置３，３′に入る。冷却除湿装置の臭気性ガス発生源側
で、高濃度臭気性ガスは冷却除湿装置出口側の吸引ファ
ン１１によりダクト１２を経て送り込まれた低濃度臭気
性ガスにより希釈される。高濃度臭気性ガスの希釈位置
は、圧力調節弁８の冷却装置側であればいずれの位置で
もよいが、圧力調節弁８に近い位置であるほど爆発等の
危険防止をする上で好ましい。希釈用低濃度臭気性ガス
は、黒液酸化装置１５の酸化に使用する空気の代わりに
使用した後高濃度臭気性ガスの希釈に使用するのが好ま
しい。捕集処理すべき臭気性ガスの量を低減するためで
ある。

冷却除湿装置３を経た高濃度臭気性ガスおよび低濃度臭
気性ガスは吸引ファン１３、］３”により燃焼装置に送
入される。吸引ファンは並列に複数台設置し、また異な
る電源系統とすることが好ましい。停電あるいは故障時
においても、吸引ファンの稼働を停止することによる未
処理臭気性ガスの大気放出を防止するためである。

低濃度臭気性ガス用捕集系統と高濃度臭気性ガス用捕薬
系統との間には、それぞれの冷却除湿装置のガス入口側
に連絡ダク１−１４を設置しておくことが好ましい。冷
却除湿装置の交互点検整備を可能ならしめるためである
。通常運転時にはこの連絡ダクトは閉止されている。

［発明の効果］ 本発明によれば、捕集処理すべき臭気性ガス量を大幅に
低減できるから、パルプ製造工程から発生する臭気性ガ
スをもれなく処理できる臭気性ガス処理方法が提供され
る。

本発明によれば、逆火防止装置、ラブチャーディスク等
の爆発等の危険に備えた（ｑ属機器を設置する必要のな
い運転保守の容易な捕集処理方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の臭気性ガス処理方法の１態様を示す
フローチャートである。 １：高濃度臭気性ガス捕集系統 ２：低濃度臭気性ガス捕集系統

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 臭気性ガスを低濃度臭気性ガス発生源と高濃度臭気性ガ
   ス発生源の２系統に分け、各系統別に設けた冷却除湿装
   置を経て臭気性ガスを吸引装置により吸引捕集して燃焼
   装置に移送し、燃焼処理する臭気性ガス処理方法であっ
   て、該高濃度臭気性ガスを冷却除湿装置の臭気性ガス発
   生源側で低濃度臭気性ガスにより希釈し、かつ高濃度臭
   気性ガス捕集系統と低濃度臭気性ガス捕集系統のそれぞ
   れにおいて、臭気性ガス発生源の密閉性の大小により捕
   集系統を分け、各系統に圧力調節弁を設けて各系統別に
   所定の負圧とすることを特徴とするクラフトパルプ工場
   の臭気性ガス処理方法。