JPH02157896A - マトリクス形表示装置用基板および検査修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえばアクティブマトリクス形液晶表示装
置などに好適に用いられるマトリクス形表示装置用基板
の検査構造および検査方法に間する。

従来の技術 ガラスなどの光透過性絶縁基板上に１膜トランジスタ（
Ｔｈ１ｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　：以下、
ＴＰＴと略称する）などのスイッチング手段をマトリク
ス状に配列して形成した表示電極基板を用いるアクティ
ブマトリクス駆動方式の液晶表示装置のｔ％会、液晶の
応答速度が速く、また表示電極基板として使用される光
透過性絶縁基板の面積に制約がなく反射型、透過型のい
ずれにも適用できるなどの利点を持つため、近年盛んに
実用に供されている。

ところが、上記表示電極基板は製造工程が複雑で、また
大面積に形成されるため（したがってスイッチング手段
の数もそれだけ多い）ずべてのスイッチング手段を欠陥
なく形成することは困難であり、そのため表示′：ｒ、
極基板の製造歩留まりは低いのが実情である。

そこで、表示電極基板の製造歩留まりを向上させるため
には、欠陥個所を検出してこれを修正することが重要と
なる。その欠陥個所を検出する方法として、絶縁基板上
に信号電極や走査電極となるパスライン、スイッチング
手段および絵素電極が形成された段階で、パスラインあ
るいは絵素電極にプローバを直接接触させて欠陥個所を
検出する触針法や、液晶封止を行ったあとで実際に全面
発光させる検査法などが従来より採用されている。

また、このような検査法に替わるものとして、最近、表
示電極基板上の数万個しブ上のスイッチング手段を迅速
に検査することのできる電着検査法と呼ばれる検査法が
開発されている。この電着検査法は、所定の高分子樹脂
と顔料とを溶融させた水溶液中に表示電極基板と対向電
極とを浸漬させ、表示電極基板と対向電極との間に一定
の直流電圧を印加して、電解反応により上記水溶液中の
高分子樹脂および顔ｆｉｌを表示電極基板上の電圧印加
部に析出させるものである。たとえば表示電極基板に形
成されているスイッチング手段がＴＰＴであって、その
ソース電極が信号電極となるパスラインに接続され、ゲ
ート電極が走査電極となるパスラインに接続され、ドレ
イン電極が絵素電極に接続されているとき、ＴＰＴがオ
フとなるような電圧を各パスラインに印加した条件下で
上記電着検査を行った結果、絵素電極に着色した高分子
樹脂膜が析出すると、その絵素電極に接続されているＴ
ＰＴにリーク欠陥があると判定できる。逆に、ＴＰＴが
オンとなるような電圧を各パスラインに印加した条件下
で電着検査を行った結果、絵素電極に着色した高分子樹
脂膜が析出されない場合には、その絵素電極に接続され
ているＴＰＴに断線欠陥あるいはオン不良があるという
ように判定できる。

上記電着検査法においては、表示電極基板上の全ＴＰＴ
を同時にオン状態、あるいはオフ状態に設定するために
、信号電極となるパスラインの端部同士は共通の信号電
極短絡用端子によって接続され、また走査電極となるパ
スラインの端部同士も共通の走査電極短絡用端子によっ
て接続されている。

また、近年行われている表示電極基板の製造方法では、
製造工程の途中で静電気によって表示−８極基板上のス
イッチング手段が破壊されてしまうのを防止するためシ
ョートリングが、表示′：Ｃ，極基板上のパスライン、
スイッチング手段などの形成領域の外側に形成される。

第５図は、そのようなショートリング１を形成した製造
工程の途中における表示電極基板の表面ｆＩ！Ｉ造の一
例を示す平面図である。なお第５図および後述する第６
図において、比較的抵抗値の小さい材料から成る領域は
、斜線を付して示す。第５図においてソースパスライン
２は信号電極となるパスラインであり、ゲートパスライ
ン３は走査電極となるパスラインであって、これらは絶
縁基板上にＪ３いて互いに直角に立体交差するように配
列して形成されている。ソースパスライン２とゲートバ
スライン３の各交差位置の近傍にはそれぞれＴＦＴ４と
絵素電極５が形成され、ＴＦＴ４のソース電極はソース
パスライン２に、ゲート電極はゲートパスライン３に、
ドレイン電極は絵素電極５にそれぞれ接続されている。

また、奇数番目のソースパスライン２の各々の一端部と
、偶数番目のソースパスライン２の各々の他端部と、奇
数番目のゲートパスライン３の各々の一端部と、偶数番
目のゲートパスライン３の各々の他端部とが、ソースパ
スライン２、ゲートパスライン３、ＴＦＴ４、および絵
素電極５の形成領域の外側に形成せれるリング状に閉じ
るショートリング１によって互いに短絡されている。

この表示電極基板の構造では、静電気対策用のショート
リング１がソースパスライン２、ゲートパスライン３と
同じ低い抵抗値を持つ材料によって形成されており、上
述した電着検査法による欠陥明所の検査のさいには、第
５図に破線で示すようにショートリング１の４箇所にＡ
、Ｂ、Ｃ，Ｄが切り離され、奇数番目のソースパスライ
ン２の各々の一端部同士を短絡させているショートリン
グ断片１ａと偶数番口のソースパスライン２の各々の曲
端部同士を短絡させているショートリング断片１　ｂが
それぞれ上述した信号電極短絡用端子として用いられ、
また、奇数番目のゲートパスライン３の各々の一端部同
士を短絡させているショーミーリング断片ＩＣと偶数番
目のゲートパスライン３の各々の他端部同士を短絡させ
ているショートリング断片１ｄがそれぞれ上述した走査
電極短絡用端子として用いられる。

発明が解決しようとする課通 しかしながら、上述した従来の表示電極基板の構造にお
いては、電着検査法による欠陥個所の検査のさいに、シ
ョートリング１によって短絡されているソースパスライ
ン２のグループとゲートパスライン３のグループとの間
を１度切り離さなければならず、しかも上記検査が終了
すると切＠個所を再度接続し直さなければならないので
、製造工程が複雑になるという問題点を有する。

このような問題点を解決するために、本発明者は第６図
に示すように、奇数番目のソースパスライン２の各々の
一端部を共通の信号電極短絡用端子６ａによって短絡し
、偶数番目のソースパスライン２の各々の他端部も別の
共通の信号電極短絡用端子６ｂによって短絡し、また奇
数番目のゲートパスライン３の各々の一端部を共通の走
査電極短絡用端子７ａによって短絡し、偶数番目のゲー
トパスライン３の各々の他端部の別の共通の走査電極短
絡用端子７ｂによって短絡する一方、これとは別にリン
をドープしたアモルファスシリコン（比抵抗がＩＫΩ・
ｃｍ）など高い抵抗値を持つ材ｔ１を用いたショートリ
ング８を全てのソースパスライン２およびゲートパスラ
イン３と交差するように形成することを試みた。

この場合には、ソースパスライン２、ゲートパスライン
３（比抵抗がｌＸｌ０−’Ω・ｃｍ）に比べて十分高い
抵抗値を持つショートリング８によって接続されている
ソースパスライン２とゲートパスライン３の間は、電着
検査法による欠陥個所の検査においてＴＦＴ４をオン状
態あるいはオフ状磐に設定するためにソースパスライン
２やゲートパスライン３に印加される電圧に対しては電
気的に切り離されているのと等価と見做し得るので、そ
の検査に際してショートリング８を切断する必要がない
。また、ＴＰＴ４を破壊してしまうような静電気に起因
する高電圧の印加に対しては、ショートリング８は各ソ
ースパスライン２、ゲート、パスライン３間を短絡する
短絡配線として働くので、静電気対策の手段として十分
機能していることになる。

しかし、この場＆にショートリング８はソースパスライ
ン２やゲートパスライン３と交差さゼて形成されている
ため、一方の配線が他方の配線上を乗り越える形となり
、その交差位置において断線が生じやすくなるという問
題点が残る。また、信号電極短絡用端子６ａ、６ｂや走
査電極短絡用端子７ａ、７ｂの形成位置からずらした位
置にショートリング８が形成されているため、１つの表
示ＴＬｉ基板を得るのに大きな面積が必要となり、１枚
の絶縁基板素材から複数の表示電極基板を多面取りする
場合に、その数が少なくなりコストが高くつくという問
題点も有する。

また、上述した従来の表示電極基板の構造においては、
電極検査法による欠陥個所の検査において、電着液の顔
料としてすみれ色などの色彩のものが用いられているた
め、透過型表示装置用として透明絶縁基板を使用して製
造される表示電極基板の？％会には、リーク欠陥のあっ
たＴＦＴ４に接続されている絵素電ｇｉ５は同じすみれ
色に着色されることになる。この場き、リーク欠陥が１
箇所だけであっても、その絵素電８１！５はすみれ色に
着色されているだけであるから、透過型表示装置として
完成された場合、その欠陥個所の絵素は常に発光状態を
呈することとなって表示品位を著しく低下させることに
なる。したがって、ただ１箇所にリーク欠陥がある場き
でも、その表示電極基板は不良品としなければならず製
造歩留まりの低下の一因となるという問題点があった。

したがって、本発明の目的は、工程が簡単で製造歩留ま
りを向上させることのできるマトリクス形に示′Ａｎ用
基板の検査構造および検査方法を提供することである。

課題を解決するための手段 本発明は、電気絶縁性基板上に、相互に平行な複数の第
１電極と、第１電極と交差する方向に延びる複数の第２
電衝と、第２電極における信号レベルによって、導通／
遮断され、前記第１′：ｒｉ＆と第２電極とによって囲
まれる複数の単位領域毎に設けられるスイッチング手段
と、該スイッチング手段を介して第１電極と導通／・′
遮断される表示用ＴＬ何とを含むマトリクス形表示ＸＩ
！装置用基板の電気的接続状態を検査するためのＦｔｔ
ｉ造において、上記基板上の第１電極および第２電極を
全周に亘って外囲して形成される検査用部材てあって、
上記第１電極の各端部に臨む範囲に亘り、前記第１電極
の端部が接続され、少なくとも表面が導電性を有する第
１導電性部分と、第１導電性部分とは間隔を開け、第２
電極の各端部に臨む範囲に亘り、前記第２電能の端部が
接続され、少なくとも表面が導電性を有する第２導電性
部分と、残余の範囲に形成される高抵抗部分とが一体的
に形成されて成る。そのような検査部材を含み、第１導
電性部分および第２導電性部分に個別的に検査用信号を
与えて、電気的接続状態が検査されるようにしたことを
特徴とするマトリクス形表示装置用基板の検査構造であ
る。

また本発明は、電気絶縁性基板上に、相互に平行な複数
の第１電衝と、第１電極と交差する方向に延びる複数の
第２電極と、第２電極における信号レベルによって、導
通／′遮断され、前記第１電極と第２電極とによって囲
まれる複数の単位領域毎に設けられるスイッチング手段
と、該スイッチング手段を介して第１電極と導通／′遮
断される表示用電極とを含むマトリクス形表示装置用基
板の電気的接続状態を検査するための方法において、前
記第１電極および第２電極に一定電圧を印加した条件で
′：ｒ：、着検査法によってスイッチング手段の欠陥検
査を行うのに、電着液の顔料として黒色の顔料を使用す
ることを特徴とするマトリクス形表示装置用基板の検査
方法である。

ｆヤ用 本発明に従えば、たとえば静電気等に起因する高電圧に
対しては、検査用部材は、全第１電極および全第２電極
を短絡する短絡用配線として濃化し、静電気によって電
極間に発生する高電圧に起因するスイッチング手段の破
壊を防止することができる。したがって、静電気対策用
の短絡用配線を別途に形成する場ぎに比較して、マトリ
クス形表示用基板の製造に要する面精を小さく抑えるこ
とができる。また第１電極および第２電極は、この短絡
用配線と交差して形成されないので、従来の技術に関連
して述べたような断線欠陥の発生を減少することができ
る。しかも、この検査用部材において、第１導電性部分
と第２導電性部分との間には、これらの部分よりも高い
抵抗直を持つ材料から成る高抵抗部分が介在されており
、電着検査法による欠陥個所の検査において、検査用部
材の切断および接続などの繁雑な作業を省くことができ
る。

また本発明に従えば、電着検査法による欠陥個所の検査
において、リーク欠陥のあったスイッチング手段に接続
された表示用電極は黒色に着色されるため、その表示用
電極に対応する絵素が常時発光状懸となるのを防止でき
る。すなわち、リーク欠陥のあった個所が突貫的に修正
されたことになり、それだけ製造歩留まりが向上する。

実施例 第１（２！は本発明の表示電極基板の製造方法の一実施
例における製造工程の途中で得られ、マトリクス形表示
用基板の半製品（以下、「表示電極基板」と称する）の
表面構造を示す平面図である。

第１図において斜線部分は、比軸的電気抵抗値の小さい
材Ｖ（から成る部分を示す。第１図示の構造は、アクテ
ィブマトリクス駆動方式の液晶装置に使用される表示電
極基板の構造であって、その表示電極基板の半製品の段
階では、第１図に示すようにガラスなどの透明の電気絶
縁性基板上に信号電極となり、第１電極である複数のソ
ースパスライン１２と走査電極となり、第２電極である
複数のゲートパスライン１３とが互いに直角に立体交差
するように配列して形成される。またソースパスライン
１２とゲートパスライン１３の各交差位置の近傍には、
スイッチング手段であるＴＦＴ　１４と表示用電極であ
る絵素電ｉ１５とがそれぞれ形成され、ＴＦＴ１４のソ
ース電極はソースパスライン１２に、ゲート電極はゲー
トパスライン１３に、トレイン電極は絵素電極１５にそ
れぞれ接続される。上記Ｔ　Ｆ　Ｔ　１　＝１はソース
パスライン１２およびゲートパスライン１３を介して与
えられる電圧に基づき液晶表示装置の各絵素に対応する
上記絵素電極１５への電圧の印加／非印加を制（１する
ス・ｆツチング手段として５ｋ　＜。

また、奇数番目のソースパスライン１２の各々の一端部
は共通の信号電極短絡用端子１６　Ｆ：Ｌによって短絡
され、偶数番目のソースパスライン１２の各々の一端部
も別の共通の信号電極短絡用端子１６ｂによって短絡さ
れる。信号電極短絡用端子１６ｚｔ、１６ｂが第１導電
性部分を構成している。

同様に、奇数番目のゲートパスライン１３の各々の一端
部は共通の走査電極短絡用端子１７ａによって短絡され
、偶数番口のゲートパスライン１３の各々の一端部も別
の共通の走査電極短絡用端子１７ｂによって短絡される
。走査電極短絡用端子１７ａ、１７ｂが、第２導電性部
分を構成している。

上記信号電極短絡用端子１６ａ、１６ｂおよび走査電極
短絡用端子１７ａ、１７ｂはソースパスライン１２およ
びゲートパスライン１３とほぼ同程度の低い抵抗（ａ（
比抵抗がｌＸｌ０−’にΩ・Ｃ「」〉を持つ材料によっ
て形成される。したがって、信号電極短絡用端子１６ａ
、１６ｂおよび走査電極短絡用端子１７ａ、１７ｂは、
ＴＦＴ　ｌ　４のゲート電極またはソース電極、ドレイ
ン電極を形成する際に、同時にパターン形成することが
できる。

さらに、信号電極短絡用端子１６ａの一端部とこれに近
い走査電極短絡用端子１７ａの一端部との間は、たとえ
ば、リンをドープしたアモルファスシリコンなどの高い
抵抗値（比抵抗がＩＫΩｃｍ）を持つ材料から成り、高
抵抗部分である高抵抗配線部１８ａによって接続される
。同様にして、信号電極短絡用端子１６　ａの他端部と
これに近い走査電極短絡用端子１７ｂの一端部との間は
別の高抵抗配線部１８１）によって、また走査電極短絡
用端子１７ｂの他端部と、これに近い信号電極短絡用端
子１６ｂの一端部との間は別の高抵抗配線部１８　ｃに
よって、さらに信号電極短絡用端子１６ｂグ）他端部と
これに近い走査電極短絡用端子１７　ａの他端部との間
は別の高抵抗配線部１８ｄによってそれぞれ接続される
。このようにして、ソースパスライン１２、ゲートパス
ライン１３、Ｔ　ＦＴ　１１１　、素子電極１５の形成
領域の外側に、この領域を取り囲むように信号電極ｍ路
用端子１６ａ、１６ｂ、走査電極短絡用端子１７ａ、１
７ｂ、高抵抗配線部１８　＝ｔ　、　　１８　ｂ　、　
　１８　ｃ　、　　１８ｄからなるリング状に閉じた検
査部材であるショートリング１１が形成される。このシ
ョートリング１１は静電気によってＴＦＴ１４が破壊さ
れるのを防止する役割を坦うものである。第２図は第１
Ｉ２１におけるショートリング１１の■−■矢視断面図
を示す、ショートリング１１がこのように形成されるこ
とによって、ショートリング１１とソースパスライン１
２やゲートパスライン１３との交差部は生じなくなり、
したがって断線欠陥を少なくすることができる。

ショートリング１１は上述したように形成する渇きのほ
か、次のように形成してもよい。すなわち、上記高抵抗
配線部１８ａ、ｉｓｂ、１８ｃ。

１８ｄと同じ高抵抗の材料によって透明絶縁基板上に第
１図の場合と同じリング状に閏じたパターンを形成して
、これをショートリング１１とするものである。このあ
と、このショートリング１１上に重ねて第１図に示すそ
れぞれの信号電極短絡用端子１６ａ、１６ｂおよび走査
電極短絡用端子１７ａ、１７ｂを形成するのである。勿
論、この場きの信号型［２短絡用端子１６ａ、１６ｂお
よび走査電極短絡用端子Ｌ７ａ、１７ｂは先の場合と同
様の低抵抗材料が用いられる。第３図はこの場合のショ
ートリング１１の構造を第２図と同じ位置から見た断面
図を示す。この場合にもショートリン・グ１１とソース
パスライン１２やゲートパスライン１３との交差部は生
じないので、断線欠陥を少なくすることができる。この
、ようにショートリング１１を形成した漫に、信号電極
短絡用端子１６ａ、１６ｂおよび走査電極短絡用端子１
７ａ１７ｂに形成してもよいし、逆に信号電極短絡用端
子１６ａ、１６ｂおよび走査電極短絡用端子１７ａ、１
７ｂを形成した後に、高抵抗配線部を形成するようにし
てもよい。また高抵抗配線部と信号電極短絡用端子１６
ａ、１６ｂおよび走査電極短絡用端子１７＝ｉ、１７ｂ
とは、同時にエツチングして形成することもできる。

このようにして得られた表示電極基板の半製品は、次に
、電着検査法による欠陥検査に供される。

第・１図はその欠陥検査工程を示す説明図である。

第４図において、電着槽２１にはイオンｊヒした高分子
樹脂（ここではカルボキシルアニオンＲ，Ｃ００−）と
たとえばすみれ色の顔料とを水溶液中に溶融させて電着
液２２が満たされ、この電着；α２２中に表示電極基板
２０と対向電極２３とが浸漬される。

い土、表示電極基板２０に形成されているＴＦＴｌ・１
がＮチャンネルであるとき、次の手順によってＴＦＴｌ
４のリーク欠陥や断線欠陥、オン不良などが検査される
。

（１）表示電極基板２０の信号電極短絡用端子１６ａ、
１６ｂ（つまりソースパスライン１２）に３０Ｖ程度の
直流電源２４の正極側が接続され、対向電極２３には直
流電源２４の負極側が接続される。このとき表示電極基
板２０と対向電極２３の間に印加された電圧によって、
表示電極基板２０上に次式で示す電解反応が起こる。

２Ｈ２０−４８’　＋０２↑＋４ｅ−−−値１）Ｒ，、
Ｃｏｏ−＋１−（−Ｒ−ｃｏＯＨ（析出）　　　　　　
＝−＜２）すなわち、電着液２２中のカルボキシルアニ
オンＲ、Ｃｏｏ−が表示電極基板２０上の正電圧印加部
に析出して高分子樹脂膜が形成される。このとき、上記
高分子樹脂とともに電着液２２中の顔料も引き寄せられ
るので、析出された高分子樹脂膜はすみれ色に着色され
る。このｔ％合、ＴＦＴ　１４にリーク欠陥があると、
このＴＦＴ　１４に接続されている絵素電険１５にはす
みれ色の高分子樹脂膜が電着され、これによってリーク
欠陥個所が検出される。

上記検査において、信号電極短絡用端子１６　ａｌ　６
　ｂと走査電極短絡用端子１７ａ、１７ｂとの間には高
抵抗配線部１８　ａ　、　　１８　ｂ　、　　Ｌ　８　
ｃ　、　　１８ｄまたはショートリング１１によって接
続されているけれども、この場５３０■程度電圧印加状
況のもとでは、信号電極短絡用端子１６ａ、１６ｂと走
査電極短才・３川端子１７ａ、１７ｂの間は絶縁されて
いると見做すことができるので、これらの間を切断しな
くても検査上何ら支障はない。

（２）次に表示電極基板２０の走査電極短絡用端子１７
ａ、１７ｂ（Ｑまりゲートパスライン１３）に直流電源
２４の正極側が接続され、対向電極２３には直流電源２
４の負極側が接続されて、（１）の場合と同様にリーク
欠陥の検査が行われる。

（３）次には、表示電極基板２０の信号電極短絡用端子
１６ａ、１６ｂに上記直流電源２４によって３０Ｖ程度
の正電圧が印加される一方、走査電極短絡用端子１７ａ
、１７ｂには別の直流電源２５によってＴＦＴ１４のし
きい値電圧を下まわる２０Ｖ程度の正電圧が印加され、
これによって同様にリーク欠陥の検査が行われる。

（４）以上の検査によってリーク欠陥の検出されなかっ
た表示電極基板２０については、次の電圧印加条件によ
って断線およびオン不良の欠陥が検出される。すなわち
、表示電極基板２ｏの信号電極短絡用端子１６ａ、１６
ｂに３０Ｖ程度の正電圧が直流電源２４によって印加さ
れる一方、走査電ｇｌｉ短絡用端子１７ａ、１７ｂには
別の直流電源２５によってＴＦＴ　１４のしきい値電圧
を上まわる３０Ｖ程度の正電圧が印加される。つまり、
表示電極基板２０の全ＴＦＴ１４がオン動作するような
電圧印加条件が設置される。この場き、ＴＦＴ１４に断
線やオン不良があったり、ソースパスライン１２、ゲー
トパスライン１３の途中に断線があると、断線やオン不
良のあるＴＦＴ１４に接続されている絵素電４ｉ　１．
５や、パスラインの断線個所以降の部分に接続されてい
る絵素電極１５には着色した高分子樹脂膜が電着されな
いので、これによってＴＦＴ１４の断線・オン不良やソ
ースパスライン１２、ゲートパスライン１３の断線が検
出される。

この断線・オン不良の検査が終了すると、電着した高分
子樹脂膜がブチルセロソルブなどで剥閏され、さらにイ
ソプロピルアルコール、純水で洗浄されて検査工程が終
了する。

また、製造工程の途中で、ＴＦＴ４の破壊につながるよ
うな静電気が表示電極基板２０に加わっても、このとき
高抵抗配線部１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄまたは高
抵抗材料からなるショートリング１１によって、各信号
電極短絡用端子１６ａ、１６ｂおよび走査電極短絡用端
子１７ａ、１７ｂ間つまりすべてのソースパスライン１
２とゲートパスライン１３の間は短絡されているのと等
価であると見做されるので、Ｔ　Ｆ　Ｔ　１−４が静電
気による破壊から守られることになる。

次に、本発明の表示電極基板の製造方法の池の実施例に
ついて説明するにの実施例は上述した実施例における欠
陥検査工程において、電着検査法に用いる電着液２２中
の顔料として黒色の顔料を使用するものである。この場
キ、上述した（４）の断線・オン不良の検査が先に行わ
れ、（１）〜（３）のリーク欠陥検査は後に行われる。

すなわち、（４）の断線・オン不良の検査において、欠
陥の検出されなかった表示電極基板２０については、そ
の検査によって電着した高分子樹脂膜が剥離され、さら
に洗浄されてからリーク欠陥検査が行われる。

この場き、ＴＦＴ１４にリーク欠陥があると、このＴＦ
Ｔ　１４に接続されている絵素電極１５には黒色の高分
子樹脂膜が電着され、これによってリーク欠陥個所が検
出される。リーク欠陥が複数個所にわたって存在するよ
うなｉ％会には問題外であるが、たとえばリーク欠陥が
１個所だけの場合には、その表示電極基板２０を良品と
して液晶表示装置に用いることができる。なぜなら、リ
ーク欠陥個所の絵素電極１５には上述したように黒色の
高分子！？Ｉ　′ｔ３Ｗ；！が電着されるので、その部
分の絵素が常時発光状ワを呈することがなく、表示品位
を低下させることにならないからである。すなわち、上
述したリーク欠陥の検査では自動的にリーク欠陥が修正
されることになる。このことがら、表示電極基板２０の
製造歩留まりが大幅に向トする。そのほかの手順　工程
については先の実施例と同様であるので、ここではその
説明を省略する。

なお、上記実施例において、表示電極基板２゜に信号蓄
積キャパシタが形成される場合には、それら信号蓄積キ
ャパシタから引き出されるパスラインの端部も上述した
ショートリング１１に接続される。

また、上記実施例では表示電極基板２ｏにスイッチング
手段としてＮチャンネルのＴ　Ｐ　Ｔ　１．４が形成さ
れる場合について説明したが、Ｐチャンネ・ルのＴＰＴ
の場合でも同様の工程によって欠陥検査を行うことがで
き、さらにスイッチング手段として非線形素子を形成す
るＪ％きでも同様である。

発明の効果 以上のように、本発明のマトリクス形表示装置用基板の
検査構造によれば、たとえば静電気等に起因する高電圧
に対しては、検査用部材は、全第１電極および全第２電
極を短絡する短絡用配線として機能し、静電気によって
電極間に発生する高電圧に起因するスイッチング手段の
破壊を防止することができる。したがって、静電気対策
用の短絡用配線を別途に形成する場合に比較して、マト
リクス形表示用基板の製造に要する面積を小さく抑える
ことができ、生産性が向上される。また第１電極および
第２電極は、この短絡用配線と交差して形成されないの
で、従来の技術に関連して述べたような断線欠陥の発生
を減少し、製造歩留りを向上することができる。しかも
、この検査用部材において、第１導電性部分と第２導電
性部分との間には、これらの部分よりも高い抵抗値を持
つ材料から成る高抵抗部分が介在されており、電着検査
法による欠陥個所の検査において、検査用部材の切断お
よび接続などの繁雑な作業を省き、検査工程を簡略化す
ることができる。

また、本発明のマ］・リクス形表示装置用基板の検査方
法によれば、電着検査法による欠陥個所の検査において
、リーク欠陥のあったスイッチング手段に接続された表
示用電極が黒色に着色されるため、その表示用電極に対
応する絵素が常時発光状態となるのを防止できる。すな
わち、リーク欠陥のあった個所が検査工程において実質
的に修正されたことになり、それだけ製造歩留まりが向
上する。

【図面の簡単な説明】

第１［２Ｉは本発明の一実施例である表示電極基板の製
造方法の工程途中における表示電極基板表面の構造を示
す平面口、第２図は第１図の■−■矢視断面図、第３図
は異なる実施態様における表示電極基板を第２図と同じ
位置から見た断面図、第・１図はその製造方法における
欠陥検査工程を示す説明図、第５（２１は従来の表示電
極基板の製造方法の工程途中における表示電極基板表面
のｔｉｔ　３ｆｉを示す平面図、第６図は従来の別の表
示電極基板の製造方法の工程途中における表示電極基板
表面の構造を示す平面図である。 １１・・ショートリング、１２・・・ソースパスライン
、１３・・・ゲートパスライン、１４・・・ＴＦＴ、１
５・・・絵素電極、１６ａ、１６ｂ・・・信号電極短絡
用端子、１７ａ、１７ｂ・・・走査電極短絡用端子、１
８　＝ｔ　、　　１８　ｂ　、　　１８　ｃ　、　　１
８　ｄ−高抵抗配線部、２０・・表示電極基板、２１・
・・電着槽、２２・・・電着液、２３・・対向電極、２
４．２５・直流電源代理人　　弁理士　西教　圭一部 第　２図 第３図 第４図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）電気絶縁性基板上に、相互に平行な複数の第１電
   極と、第１電極と交差する方向に延びる複数の第２電極
   と、第２電極における信号レベルによって、導通／遮断
   され、前記第１電極と第２電極とによって囲まれる複数
   の単位領域毎に設けられるスイッチング手段と、該スイ
   ッチング手段を介して第１電極と導通／遮断される表示
   用電極とを含むマトリクス形表示装置用基板の電気的接
   続状態を検査するための構造において、 上記基板上の第１電極および第２電極を全周に亘って外
   囲して形成される検査用部材であつて、上記第１電極の
   各端部に臨む範囲に亘り、前記第１電極の端部が接続さ
   れ、少なくとも表面が導電性を有する第１導電性部分と
   、第１導電性部分とは間隔を開け、第２電極の各端部に
   臨む範囲に亘り、前記第２電極の端部が接続され、少な
   くとも表面が導電性を有する第２導電性部分と、残余の
   範囲に形成される高抵抗部分とが一体的に形成されて成
   る、そのような検査部材を含み、 第１導電性部分および第２導電性部分に個別的に検査用
   信号を与えて、電気的接続状態が検査されるようにした
   ことを特徴とするマトリクス形表示装置用基板の検査構
   造。
2. （２）電気絶縁性基板上に、相互に平行な複数の第１電
   極と、第１電極と交差する方向に延びる複数の第２電極
   と、第２電極における信号レベルによって、導通／遮断
   され、前記第１電極と第２電極とによって囲まれる複数
   の単位領域毎に設けられるスイッチング手段と、該スイ
   ッチング手段を介して第１電極と導通／遮断される表示
   用電極とを含むマトリクス形表示装置用基板の電気的接
   続状態を検査するための方法において、 前記第１電極および第２電極に一定電圧を印加した条件
   で電着検査法によってスイッチング手段の欠陥検査を行
   うのに、電着液の顔料として黒色の顔料を使用すること
   を特徴とするマトリクス形表示装置用基板の検査方法。