JPH0215723A - 光バス - Google Patents
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- JPH0215723A JPH0215723A JP63164739A JP16473988A JPH0215723A JP H0215723 A JPH0215723 A JP H0215723A JP 63164739 A JP63164739 A JP 63164739A JP 16473988 A JP16473988 A JP 16473988A JP H0215723 A JPH0215723 A JP H0215723A
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Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光バスに関し、特にハーフミラ−を使用した
光通路をコンピュータ等の電気的パスラインの代りに利
用して回路相互間を結合する光バスに関するものである
。
光通路をコンピュータ等の電気的パスラインの代りに利
用して回路相互間を結合する光バスに関するものである
。
従来のエレクトロニクスでは、光を利用することが多い
が、その場合、光が得意とする機能のみに光波術を利用
し、複雑な信号処理を必要とする部分は光電変換後に、
電子技術を利用して処理を行っていた。例えば、コンピ
ュータシステムにおいては、各装置間を結合するライン
に光ファイバを用いてLA、Nシステム等を構成してい
るが、装置の入力部で光電変換により電気信号にした後
。
が、その場合、光が得意とする機能のみに光波術を利用
し、複雑な信号処理を必要とする部分は光電変換後に、
電子技術を利用して処理を行っていた。例えば、コンピ
ュータシステムにおいては、各装置間を結合するライン
に光ファイバを用いてLA、Nシステム等を構成してい
るが、装置の入力部で光電変換により電気信号にした後
。
装置内で増幅、交換、演算等の処理を行っていた。
その場合、装置内の各回路を結合するラインは導体によ
り製造され−たリード線を使用していた。
り製造され−たリード線を使用していた。
このように、従来の電子装置内の各回路相互間の接続は
、リード線を介して信号の授受を行うのが常識であり、
赤、青、黄等の色で区別されたリード線を多数混在させ
て、複数の回路間の接続を行っていた。しかし、装置が
小型化される反面、機能が複雑になるに伴って、回路数
も格段に多くなってきているため、小空間内に多数の回
路を接続するためのリード線を配線しなければならず、
今後はこの傾向が益々高まっていくと考えられる。
、リード線を介して信号の授受を行うのが常識であり、
赤、青、黄等の色で区別されたリード線を多数混在させ
て、複数の回路間の接続を行っていた。しかし、装置が
小型化される反面、機能が複雑になるに伴って、回路数
も格段に多くなってきているため、小空間内に多数の回
路を接続するためのリード線を配線しなければならず、
今後はこの傾向が益々高まっていくと考えられる。
回路自体はLSI化されて微小化されることが′可能で
あっても、これらの回路間を接続するリード線を細くす
ることは限度があり、また微小空間に膨大な数のリード
線を配線することは製造的に無理がある。
あっても、これらの回路間を接続するリード線を細くす
ることは限度があり、また微小空間に膨大な数のリード
線を配線することは製造的に無理がある。
本発明の目的は、このような従来の課題を解決し、微小
空間での配線が可能であり、かつ双方向に信号を伝送し
て回路間を接続することが可能な光バスを提供すること
にある。
空間での配線が可能であり、かつ双方向に信号を伝送し
て回路間を接続することが可能な光バスを提供すること
にある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明の光バスは、バスを介
して相互接続された複数の回路素子を内蔵する情報処理
装置において、発光素子および受光素子を備えた複数の
回路素子相互間に、1枚以上のレンズとハーフミラ−を
介して、少なくとも双方向の光の通路を形成し、任意の
回路素子内の上記発光素子と他の回路素子内の上記受光
素子間で上記光通路を介して光信号を伝送す、ることに
特徴がある。また、上記回路素子は、積層された3次元
のIC層と、該IC層を囲むガラス基板ないしガラス窓
を備え、上記IC層で光信号と電気信号の変換処理およ
び各種信号処理を行い、上記ガラス基板ないしガラス窓
を通して光信号を人出力させることに特徴がある。
して相互接続された複数の回路素子を内蔵する情報処理
装置において、発光素子および受光素子を備えた複数の
回路素子相互間に、1枚以上のレンズとハーフミラ−を
介して、少なくとも双方向の光の通路を形成し、任意の
回路素子内の上記発光素子と他の回路素子内の上記受光
素子間で上記光通路を介して光信号を伝送す、ることに
特徴がある。また、上記回路素子は、積層された3次元
のIC層と、該IC層を囲むガラス基板ないしガラス窓
を備え、上記IC層で光信号と電気信号の変換処理およ
び各種信号処理を行い、上記ガラス基板ないしガラス窓
を通して光信号を人出力させることに特徴がある。
本発明においては、装置内の回路間を結ぶ配線に光自体
を使用する。発光ダイオードからの光をハーフミラ−お
よびレンズを介して伝送し、フォトダイオードでこれを
受けて1回路内で増幅、変換、演算等の処理を行った後
、再び発光ダイオードで光を発生し、これを次の回路に
伝送する。この場合、光ファイバは使用せずに、光自体
からなる光バスを介して回路間を接続する。
を使用する。発光ダイオードからの光をハーフミラ−お
よびレンズを介して伝送し、フォトダイオードでこれを
受けて1回路内で増幅、変換、演算等の処理を行った後
、再び発光ダイオードで光を発生し、これを次の回路に
伝送する。この場合、光ファイバは使用せずに、光自体
からなる光バスを介して回路間を接続する。
以下1本発明の実施例を、図面により詳細に説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例を示す光バスの説明図
である。
である。
第1図において、la、lb、4a、4bはそれぞれ処
理済みの電気信号を光に変換して伝送路(光バス)に送
出する発光ダイオードと伝送路(光バス)からの光を受
けて電気信号に変換するフォトダイオードであり、2a
、2b、3a、3bはそれぞれ光を集束あるいは屈折さ
せるレンズであり、5a、5bはそれぞれ入射された光
を一部反射させ、一部をそのまま通過させるハーフミラ
−である。
理済みの電気信号を光に変換して伝送路(光バス)に送
出する発光ダイオードと伝送路(光バス)からの光を受
けて電気信号に変換するフォトダイオードであり、2a
、2b、3a、3bはそれぞれ光を集束あるいは屈折さ
せるレンズであり、5a、5bはそれぞれ入射された光
を一部反射させ、一部をそのまま通過させるハーフミラ
−である。
第1図では、装置内の6個の回路を接続する光バスを示
している。入力された光信号を、ハーフミラ−5aで一
部は反射させて、レンズ2aを通過させフォトダイオー
ド1aから第1の回路に入力させ、一部はハーフミラ−
5aを通過させて、次のハーフミラ−5bで反射させ、
レンズ2bを介してフォトダイオード1bから第2の回
路に入力させ、さらに、一部の光を次段の第3の回路に
も入力させる。そして、第1〜第3の回路で処理を済ま
した信号は、それぞれ発光ダイオードla。
している。入力された光信号を、ハーフミラ−5aで一
部は反射させて、レンズ2aを通過させフォトダイオー
ド1aから第1の回路に入力させ、一部はハーフミラ−
5aを通過させて、次のハーフミラ−5bで反射させ、
レンズ2bを介してフォトダイオード1bから第2の回
路に入力させ、さらに、一部の光を次段の第3の回路に
も入力させる。そして、第1〜第3の回路で処理を済ま
した信号は、それぞれ発光ダイオードla。
1bから光バスに出力され、ハーフミラ−5a。
5bを介して外部に出力される。また、他の入力光は、
ハーフミラ−5aで反射されてレンズ3aを介しフォト
ダイオード4aに入力され、第4の回路で処理される。
ハーフミラ−5aで反射されてレンズ3aを介しフォト
ダイオード4aに入力され、第4の回路で処理される。
ハーフミラ−5aで一部の光は通過し、次のハーフミラ
−5bで反射されて、第5の回路に入力し、さらに残り
の光はハーフミラ−5bを通過して次段の第6の回路に
入力する。
−5bで反射されて、第5の回路に入力し、さらに残り
の光はハーフミラ−5bを通過して次段の第6の回路に
入力する。
第2図は、本発明の第2の実施例を示す光バスの説明図
である。
である。
第2図では、光中継器を持つ光バスを示している。6a
、6b、6cは光中継器である。
、6b、6cは光中継器である。
光バスの光は、空間による吸収、散乱のために減衰を受
け、また信号パルスの歪を受ける。光中継器6a、6b
、6cは、これらの光の減衰や波形の歪を補償して整形
する機能を備えている。光中継器の回路は、光受信回路
と再生中継回路と光送信回路に分けられる。再生中継回
路は従来と同じ機能、すなわち、等化増幅、リタイミン
グ、識別再生等の機能を有している。光受信、光送信の
各回路は従来のフォトダイオードと発光ダイオードでよ
い。第2図では、1つの装置に入力されてから出力され
るまでに、6a、6b、6cの3層の中継器を設けてい
る。
け、また信号パルスの歪を受ける。光中継器6a、6b
、6cは、これらの光の減衰や波形の歪を補償して整形
する機能を備えている。光中継器の回路は、光受信回路
と再生中継回路と光送信回路に分けられる。再生中継回
路は従来と同じ機能、すなわち、等化増幅、リタイミン
グ、識別再生等の機能を有している。光受信、光送信の
各回路は従来のフォトダイオードと発光ダイオードでよ
い。第2図では、1つの装置に入力されてから出力され
るまでに、6a、6b、6cの3層の中継器を設けてい
る。
第3図は、本発明の第3の実施例を示す光バスの説明図
である。
である。
第3図では、双方向の光バスを示しており、その途中に
中継器6 a、6 b、6 cおよびレンズ7a。
中継器6 a、6 b、6 cおよびレンズ7a。
7bを備えている。中継器6a、6b、6cでは、受光
、増幅、発光の各機能を備えており、レンズ7a、7b
を通過しても光が減衰せず、入力したときのレベルで出
力させることができる。
、増幅、発光の各機能を備えており、レンズ7a、7b
を通過しても光が減衰せず、入力したときのレベルで出
力させることができる。
第4図は、本発明の光バスの途中に挿入される光LSI
の断面図である。
の断面図である。
この光LSIは、基板が光を通過させるガラスまたはク
リスタルで構成され、下方から光を入力し、下方にその
応答の光を出力する形式である。
リスタルで構成され、下方から光を入力し、下方にその
応答の光を出力する形式である。
第4図において、11はレスボンディング層、12はセ
ンシング/ドライバ層、13はアソシエイション層、1
4はLED (発光ダイオード)、15は水晶あるいは
ガラス、16はフォトダイオード、17はグランド配線
、18はパッシベイション、19は電源V。0である。
ンシング/ドライバ層、13はアソシエイション層、1
4はLED (発光ダイオード)、15は水晶あるいは
ガラス、16はフォトダイオード、17はグランド配線
、18はパッシベイション、19は電源V。0である。
入力された光は。
ガラス15を通過して、フォトダイオード16で電気信
号に変換された後、センシング層12で受信され、アソ
シエイシ玉ン層13でメモリに記憶された応答信号を検
索し、レスボンディング層11で応答を作成し、ドライ
バ層12から発光して、出力させる。
号に変換された後、センシング層12で受信され、アソ
シエイシ玉ン層13でメモリに記憶された応答信号を検
索し、レスボンディング層11で応答を作成し、ドライ
バ層12から発光して、出力させる。
第5図は、本発明で使用される第2の実施例の光LSI
の断面図である。
の断面図である。
第5図の光LSIは、上方にガラス窓11を備え、上方
から光を入力し、上方にその応答光を出力させるもので
ある。
から光を入力し、上方にその応答光を出力させるもので
ある。
21がフォトダイオード、22がLED、23がセンシ
ング層、24がアソシエイション層、25がレスボンデ
ィング層、26はガラス窓、27が電源、28がグラン
ドである。
ング層、24がアソシエイション層、25がレスボンデ
ィング層、26はガラス窓、27が電源、28がグラン
ドである。
内部の機能は、第4図と同じであるので、説明を省略す
る。
る。
第6図は、本発明で使用される第3の実施例の光L S
Iの断面図である。
Iの断面図である。
第6図の光LSIは、基板がガラスまたはクリスタルで
構成され、上方にも窓があり、下方から光が入力して、
上方から光を出力させるものである。
構成され、上方にも窓があり、下方から光が入力して、
上方から光を出力させるものである。
31はフォトダイオード、32はアンプ(ADコンバー
タ)、33はマルチプレクサ、34はMULT/ACC
135はDAコンバータ・ドライバ、36はLED、3
7は窓、38はパッシベイション、39は電源、40は
ガラスまたは水晶、41はグランドである。
タ)、33はマルチプレクサ、34はMULT/ACC
135はDAコンバータ・ドライバ、36はLED、3
7は窓、38はパッシベイション、39は電源、40は
ガラスまたは水晶、41はグランドである。
下方から入力した光をフォトダイオード31で電気信号
に変換し、AMP−ADC32で増幅およびAD変換を
行い、マルチプレクサ33で信号を分配した後、MUL
T/ACC(マルチプライヤ/アキュムレータ)34で
信号処理を行い、DAC・ドライバ35でDA変換と送
信を行って、LED3Gで送信信号を光信号に変換し、
窓37から出力する。
に変換し、AMP−ADC32で増幅およびAD変換を
行い、マルチプレクサ33で信号を分配した後、MUL
T/ACC(マルチプライヤ/アキュムレータ)34で
信号処理を行い、DAC・ドライバ35でDA変換と送
信を行って、LED3Gで送信信号を光信号に変換し、
窓37から出力する。
第7図は、本発明で使用される第3の実施例の光LSI
の断面図であって、ここでは光入出力装置を構成してい
る。
の断面図であって、ここでは光入出力装置を構成してい
る。
第7図の光I10は、複数の光信号を入力し、それぞれ
処理を施こした後、同数の光信号を出力する。その場合
、半分の光信号を上方から入力し、下方に出力するとと
もに、残りの半分の光信号は下方から入力し、上方に出
力する。つまり、双方向の光入出力装置である。
処理を施こした後、同数の光信号を出力する。その場合
、半分の光信号を上方から入力し、下方に出力するとと
もに、残りの半分の光信号は下方から入力し、上方に出
力する。つまり、双方向の光入出力装置である。
51はフォトダイオード、52はLED、53は窓、5
4はパッシベイション、55は電源、56はグランド、
57は基板である。図に示すように、この装置では、最
上面と最下面の両方に、フォトダイオード51とLED
52を交互に配列しているので、上方からの光入力と下
方からの光入力に対応できるようになっている。その入
出力数は、配列されたフォトダイオード51とLED5
2の数と同数である。
4はパッシベイション、55は電源、56はグランド、
57は基板である。図に示すように、この装置では、最
上面と最下面の両方に、フォトダイオード51とLED
52を交互に配列しているので、上方からの光入力と下
方からの光入力に対応できるようになっている。その入
出力数は、配列されたフォトダイオード51とLED5
2の数と同数である。
第8図は、本発明で使用される光LSIの応用例を示す
断面図である。
断面図である。
従来より、学習機能を持つニューロンLSI素子が開発
されているが、このようなニューロンr。
されているが、このようなニューロンr。
SIの内部配線長を減少させるために、LSIを3次元
配置にすることを考えた。第8図(a)は3次元配置の
LSTの断面図である。また、ニューロンL S Iに
、第4図〜第7図に示す光結合LSIを用いることによ
り、内部配線の混雑を緩和させる。第8図(b)は、光
結合ニューロンLSIパッケージの断面図である。
配置にすることを考えた。第8図(a)は3次元配置の
LSTの断面図である。また、ニューロンL S Iに
、第4図〜第7図に示す光結合LSIを用いることによ
り、内部配線の混雑を緩和させる。第8図(b)は、光
結合ニューロンLSIパッケージの断面図である。
従来のIC技術では、2次元配置が基本的な構成である
ため、IC内部は何万本、何十万本の配線どなる。特に
、冗長度を持たせた配線であるときには、さらにこの本
数は多くなる。この配線数を減らす方法として、生体と
同じように、ある程度の3次元配置にすると、配線長は
1/100〜1/1000に減少する。このことは、各
機能素子の負荷がこの割合で減少することを意味するの
で、素子形状もまたこの割合で減少することになる。生
体の場合には、延髄に恐るべき数の神経線維が伸びて、
ここから体の各部に運動の指示を出したり、各部分のセ
ンサからの報告を脳に伝える。
ため、IC内部は何万本、何十万本の配線どなる。特に
、冗長度を持たせた配線であるときには、さらにこの本
数は多くなる。この配線数を減らす方法として、生体と
同じように、ある程度の3次元配置にすると、配線長は
1/100〜1/1000に減少する。このことは、各
機能素子の負荷がこの割合で減少することを意味するの
で、素子形状もまたこの割合で減少することになる。生
体の場合には、延髄に恐るべき数の神経線維が伸びて、
ここから体の各部に運動の指示を出したり、各部分のセ
ンサからの報告を脳に伝える。
第8図(a)では、S5.A層、R層の3層とし、それ
ぞれの層で独立して処理を行う6横方向には配線層があ
り、最下段にセラミック基板を配置する。外部からの入
力をSNで受は取り、ここで何等かの処理を行った後、
下段のA層に伝達し、ここで何等かの処理を行い、最下
段のR層に伝達して、ここでの処理結果を最上段の表面
に伝達して出力する。
ぞれの層で独立して処理を行う6横方向には配線層があ
り、最下段にセラミック基板を配置する。外部からの入
力をSNで受は取り、ここで何等かの処理を行った後、
下段のA層に伝達し、ここで何等かの処理を行い、最下
段のR層に伝達して、ここでの処理結果を最上段の表面
に伝達して出力する。
第8図(b)では、出力端子の部分に、ドライバの代り
の発光素子を設け、入力部には受光素子を設けている。
の発光素子を設け、入力部には受光素子を設けている。
LEDは、SOIの技術を使用してGaAsまたはGa
AlAsの単結晶の薄膜を作る。受光素子の場合には、
シリコンのP−N接合、あるいはフォトトランジスタを
設ける。受光・発光素子の大きさは、100μ×100
μあれば充分であるので、l an X l anのチ
ップサイズであれば、1万本の入出力が可能となる。ま
た、入出力に冗長度を持たせておけば、寸法精度が容易
となる。
AlAsの単結晶の薄膜を作る。受光素子の場合には、
シリコンのP−N接合、あるいはフォトトランジスタを
設ける。受光・発光素子の大きさは、100μ×100
μあれば充分であるので、l an X l anのチ
ップサイズであれば、1万本の入出力が可能となる。ま
た、入出力に冗長度を持たせておけば、寸法精度が容易
となる。
以上説明したように5本発明によれば、レンズとハーフ
ミラ−を介した光バスで装置内の各回路を接続するので
、小型な装置の微小空間内に多数の配線を施こすことが
可能であり、また、微小化されたLSIの入出力数を増
加させることも可能となる。
ミラ−を介した光バスで装置内の各回路を接続するので
、小型な装置の微小空間内に多数の配線を施こすことが
可能であり、また、微小化されたLSIの入出力数を増
加させることも可能となる。
第1図は本発明の第1の実施例を示す光バスの構成図、
第2図は本発明の第2の実施例を示す光バスの慴成図、
第3図は本発明の第3の実施例を示す光バスの構成図、
第4図は本発明で使用される光LSIの第1実施例の構
成図、第5図は本発明で使用される光LSIの第2の実
施例の構成図、第6図は本発明で使用される光LSIの
第3の実施例の構成図、第7図は本発明で使用される光
LSIの第4の実施例の構成図、第8図は本発明で使用
される光LSIの応用例の構成図である。 la、lb、4a、4b:フォトダイオード。 発光ダイオード、2a、2b、3a、3b:レンズ、5
a、5b:ハーフミラー、6a、6b、Gc :光LS
I、7a、7b:レンズ、11,25:レスボンディン
グ層、12:センシング/ドライバ層、13,24:ア
ソシエイション層、15,40ニガラスまたは水晶、1
6,21,31,51:フォトダイオード、17,28
,41,56:グランド、18.38,54:パッシベ
イション、19゜27.39,55:電源、22,36
,52 : LED、23:センシング層、26.37
,53ニガラス窓、32:アンプ・ADコンバータ、3
3:MUX、34 : MULT/ACC135:DA
コンバータ・ドライバ、57:基板。 特許出願人 株式会社 リ コ qフ つ 4区 、口 α〕 1[11 11[1 〇 ≦口 第 ↓ 図 ]8 N UT 第 図 第 図 UTa ■N。 UTb Nd Na 0UT。 Nb UTa 第 図 電源 アース
第2図は本発明の第2の実施例を示す光バスの慴成図、
第3図は本発明の第3の実施例を示す光バスの構成図、
第4図は本発明で使用される光LSIの第1実施例の構
成図、第5図は本発明で使用される光LSIの第2の実
施例の構成図、第6図は本発明で使用される光LSIの
第3の実施例の構成図、第7図は本発明で使用される光
LSIの第4の実施例の構成図、第8図は本発明で使用
される光LSIの応用例の構成図である。 la、lb、4a、4b:フォトダイオード。 発光ダイオード、2a、2b、3a、3b:レンズ、5
a、5b:ハーフミラー、6a、6b、Gc :光LS
I、7a、7b:レンズ、11,25:レスボンディン
グ層、12:センシング/ドライバ層、13,24:ア
ソシエイション層、15,40ニガラスまたは水晶、1
6,21,31,51:フォトダイオード、17,28
,41,56:グランド、18.38,54:パッシベ
イション、19゜27.39,55:電源、22,36
,52 : LED、23:センシング層、26.37
,53ニガラス窓、32:アンプ・ADコンバータ、3
3:MUX、34 : MULT/ACC135:DA
コンバータ・ドライバ、57:基板。 特許出願人 株式会社 リ コ qフ つ 4区 、口 α〕 1[11 11[1 〇 ≦口 第 ↓ 図 ]8 N UT 第 図 第 図 UTa ■N。 UTb Nd Na 0UT。 Nb UTa 第 図 電源 アース
Claims (2)
- (1)バスを介して相互接続された複数の回路素子を内
蔵する情報処理装置において、発光素子および受光素子
を備えた複数の回路素子相互間に、1枚以上のレンズと
ハーフミラーを介して、少なくとも双方向の光の通路を
形成し、任意の回路素子内の上記発光素子と他の回路素
子内の上記受光素子間で上記光通路を介して光信号を伝
送することを特徴とする光バス。 - (2)上記回路素子は、積層された3次元のIC層と、
該IC層を囲むガラス基板ないしガラス窓を備え、上記
IC層で光信号と電気信号の変換処理および各種信号処
理を行い、上記ガラス基板ないしガラス窓を通して光信
号を入出力させることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の光バス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63164739A JPH0215723A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 光バス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63164739A JPH0215723A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 光バス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0215723A true JPH0215723A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15798986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63164739A Pending JPH0215723A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 光バス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0215723A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6751373B2 (en) | 2001-04-10 | 2004-06-15 | Gazillion Bits, Inc. | Wavelength division multiplexing with narrow band reflective filters |
JP2008153378A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理装置 |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63164739A patent/JPH0215723A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6751373B2 (en) | 2001-04-10 | 2004-06-15 | Gazillion Bits, Inc. | Wavelength division multiplexing with narrow band reflective filters |
JP2008153378A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理装置 |
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