JPH02152310A - ピーク検出回路 - Google Patents
ピーク検出回路Info
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- JPH02152310A JPH02152310A JP63305783A JP30578388A JPH02152310A JP H02152310 A JPH02152310 A JP H02152310A JP 63305783 A JP63305783 A JP 63305783A JP 30578388 A JP30578388 A JP 30578388A JP H02152310 A JPH02152310 A JP H02152310A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 6
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- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/02—Sample-and-hold arrangements
- G11C27/024—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/04—Measuring peak values or amplitude or envelope of ac or of pulses
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/153—Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
- H03K5/1532—Peak detectors
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明はディジタル通信機器等に用いられるピーク検
出回路に関する。
出回路に関する。
(従来の技術)
ピーク検出回路はディジタル通信機器のA G C(A
utoIIlatic Ga1n Control)回
路や、アラーム回路等の一部に用いられている。例えば
AGC回路では、受信増幅器の出力信号のピーク値を検
出して基準値と比較し、この比較結果で受信増幅器の利
得を変化させて出力信号振幅を一定に保つように制御す
るものである、このような負帰還制御に用いるピーク検
出回路には、制御精度を向上させるためにピーク検出誤
差を小さくすることが要求される。
utoIIlatic Ga1n Control)回
路や、アラーム回路等の一部に用いられている。例えば
AGC回路では、受信増幅器の出力信号のピーク値を検
出して基準値と比較し、この比較結果で受信増幅器の利
得を変化させて出力信号振幅を一定に保つように制御す
るものである、このような負帰還制御に用いるピーク検
出回路には、制御精度を向上させるためにピーク検出誤
差を小さくすることが要求される。
ピーク検出誤差は温度変化や電源電圧変動等によって生
ずる静的なものと、入力されるディジタル信号のマーク
率によって発生ずる動的なものとがある。前者は相似な
特性を持つ補償回路で比較的簡1iに改簿できるが、後
者は入力信号の性質に依存するため補償が難しく、問題
となっている。
ずる静的なものと、入力されるディジタル信号のマーク
率によって発生ずる動的なものとがある。前者は相似な
特性を持つ補償回路で比較的簡1iに改簿できるが、後
者は入力信号の性質に依存するため補償が難しく、問題
となっている。
マーク率変化によるピーク検出誤差を改善したピーク検
出回路としては第4図に示す回路がある。
出回路としては第4図に示す回路がある。
この回路はトランジスタQl、Q2.Q3及び抵抗R1
等からなる差動増幅器1の一方の入力端子に入力信号を
供給して増幅し、その増幅出力のピーク値をスイッチン
グトランジスタ2及びコンデンサ3で検出するとともに
、差動増幅器1の他方の入力端子に帰還する構成となっ
ている。また、ピーク検出出力は負荷の影響を避けるた
めにトランジスタQ5.Q6及び抵抗R2からなる緩衝
増幅器4を介して取り出している。尚、差動増幅器1の
QI、緩衝増幅器4のQ6は電流源形成用のトランジス
タであり、回路簡略化のために抵抗と置き換える場合も
ある。
等からなる差動増幅器1の一方の入力端子に入力信号を
供給して増幅し、その増幅出力のピーク値をスイッチン
グトランジスタ2及びコンデンサ3で検出するとともに
、差動増幅器1の他方の入力端子に帰還する構成となっ
ている。また、ピーク検出出力は負荷の影響を避けるた
めにトランジスタQ5.Q6及び抵抗R2からなる緩衝
増幅器4を介して取り出している。尚、差動増幅器1の
QI、緩衝増幅器4のQ6は電流源形成用のトランジス
タであり、回路簡略化のために抵抗と置き換える場合も
ある。
第5図は第4図に示したピーク検出回路の動作波形を示
した図であり、(a)は入力波形、(b)はスイッチン
グトランジスタ2とコンデンサ3の接続点の波形、(C
)は緩衝増幅器4の出力波形を示している。同図の実線
と破線はマーク率の違いを示しており、破線は実線の2
倍のマーク率の信号を示している。
した図であり、(a)は入力波形、(b)はスイッチン
グトランジスタ2とコンデンサ3の接続点の波形、(C
)は緩衝増幅器4の出力波形を示している。同図の実線
と破線はマーク率の違いを示しており、破線は実線の2
倍のマーク率の信号を示している。
第4図の回路動作を説明する。入力信号がH(ハイ)レ
ベルになると差動増幅器1の出力電位も1−昇する。こ
の出力電位がコンデンサ3の電位よりV o E (
* 0.7v)分高くなると、スイッチングトランジス
タ2が導通してコンデンサ3を充電する。充電によって
コンデンサ3の電位は上昇するが、この電位は差動増幅
器1に負帰還されているため、差動増幅器1の出力には
入力信号の電位とコンデンサ3の電位の差が利得倍され
て現われる。したがって、コンデンサ3の電位と入力信
号の電位がほぼ一致するまで充電動作が継続される。
ベルになると差動増幅器1の出力電位も1−昇する。こ
の出力電位がコンデンサ3の電位よりV o E (
* 0.7v)分高くなると、スイッチングトランジス
タ2が導通してコンデンサ3を充電する。充電によって
コンデンサ3の電位は上昇するが、この電位は差動増幅
器1に負帰還されているため、差動増幅器1の出力には
入力信号の電位とコンデンサ3の電位の差が利得倍され
て現われる。したがって、コンデンサ3の電位と入力信
号の電位がほぼ一致するまで充電動作が継続される。
一方、入力信号がL(ロー)レベルになると、差動増幅
器1の出力電位が低下するため、スイッチングトランジ
スタ2は遮断状態となり、コンデンサ3に蓄えられた電
荷は差動増幅器1と緩衝増幅器4の比較的高い入力抵抗
を通じて放電することとなり、コンデンサ3の電位は時
間の経過と共に除々に低下していく。この放電による電
荷のロスと充電時の不完全性を合わせたものはピーク検
出誤差となるが、放電ロスは放7ヒ時間が短いほど小さ
く、また充電の不完全性は充電時間が長い程小さくなる
。このため、第5図に示すように入力信号のマーク率が
大きくなると、ピーク検出誤差は小さくなる傾向を示す
。
器1の出力電位が低下するため、スイッチングトランジ
スタ2は遮断状態となり、コンデンサ3に蓄えられた電
荷は差動増幅器1と緩衝増幅器4の比較的高い入力抵抗
を通じて放電することとなり、コンデンサ3の電位は時
間の経過と共に除々に低下していく。この放電による電
荷のロスと充電時の不完全性を合わせたものはピーク検
出誤差となるが、放電ロスは放7ヒ時間が短いほど小さ
く、また充電の不完全性は充電時間が長い程小さくなる
。このため、第5図に示すように入力信号のマーク率が
大きくなると、ピーク検出誤差は小さくなる傾向を示す
。
以上説明したようにピーク検出回路としては、第4図に
示すような帰還構成をとり、差動増幅器の利得を大きく
設定すれば、負帰還の作用によって充電時の誤差を大幅
に改善できる。しかし、放電時には緩衝増幅器及び差動
増幅器の両者の入力バイアス電流がコンデンサに蓄えた
電荷を放電させることになるため、差動増幅器を省いた
無帰還形のピーク検出回路より放電ロスが増加してしま
い、充電、放電を含めたピーク検出誤差の改善量が小幅
なものとなってしまう。
示すような帰還構成をとり、差動増幅器の利得を大きく
設定すれば、負帰還の作用によって充電時の誤差を大幅
に改善できる。しかし、放電時には緩衝増幅器及び差動
増幅器の両者の入力バイアス電流がコンデンサに蓄えた
電荷を放電させることになるため、差動増幅器を省いた
無帰還形のピーク検出回路より放電ロスが増加してしま
い、充電、放電を含めたピーク検出誤差の改善量が小幅
なものとなってしまう。
増幅器の入力バイアス電流を減小させる手段としては、
初段トランジスタをダーリントン化する方法があるが、
ダーリントン化は初段トランジスタの動作電流を減小さ
せて入力バイアス電流を小さくできる反面、増幅器の周
波数特性を劣化させる欠点がある。つまり、第4図の差
動増幅器1には入力信号を忠実に増幅する広い帯域が必
要であり、帯域低ドによる出力波形の劣化は充電時の誤
差を増大させることになる。
初段トランジスタをダーリントン化する方法があるが、
ダーリントン化は初段トランジスタの動作電流を減小さ
せて入力バイアス電流を小さくできる反面、増幅器の周
波数特性を劣化させる欠点がある。つまり、第4図の差
動増幅器1には入力信号を忠実に増幅する広い帯域が必
要であり、帯域低ドによる出力波形の劣化は充電時の誤
差を増大させることになる。
(発明が解決しようとする課題)
以I:述べたように従来の負帰還構成によるピーク検出
回路には、充電誤差は改溌できるが、放電ロスは逆に増
加してしまうという問題があった。
回路には、充電誤差は改溌できるが、放電ロスは逆に増
加してしまうという問題があった。
この発明は上記の課題を解決するためになされたもので
、放電ロスを減小させ、マーク率変化によるピーク検出
誤差を大幅に改謄できるピーク検出回路を提出すること
を目的とする。
、放電ロスを減小させ、マーク率変化によるピーク検出
誤差を大幅に改謄できるピーク検出回路を提出すること
を目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するためにこの発明に係るピーク検出回
路は、入力信号を負螺還増幅する第1の増幅器と、この
第1の増幅器の出力端に接続したスイッチング素子と、
このスイッチング素子の出力電位を保持するコンデンサ
と、このコンデンサの保持した電位を第1の増幅器の負
帰還入力に負帰還させる帰還路と、前記スイッチング素
子の出力電位を増幅して外部に取り出す第2の増幅器と
、前記スイッチング素子の出力端に接続され、スイッチ
ング素子の出力電流に応じて前記第1及び第2の増幅器
の入力バイアス電流を制御するバイアス電流補償回路と
を具備して構成される。
路は、入力信号を負螺還増幅する第1の増幅器と、この
第1の増幅器の出力端に接続したスイッチング素子と、
このスイッチング素子の出力電位を保持するコンデンサ
と、このコンデンサの保持した電位を第1の増幅器の負
帰還入力に負帰還させる帰還路と、前記スイッチング素
子の出力電位を増幅して外部に取り出す第2の増幅器と
、前記スイッチング素子の出力端に接続され、スイッチ
ング素子の出力電流に応じて前記第1及び第2の増幅器
の入力バイアス電流を制御するバイアス電流補償回路と
を具備して構成される。
(作 用)
上記構成によるピーク検出回路では、放電ロスを増加さ
せる要因となっていた第1及び第2の増幅器の入力バイ
アス電流を等価的に減少させることができ、マーク率変
化によるピーク検出誤差の発生を小さくすることができ
る。
せる要因となっていた第1及び第2の増幅器の入力バイ
アス電流を等価的に減少させることができ、マーク率変
化によるピーク検出誤差の発生を小さくすることができ
る。
(実施例)
以下第1図乃至第3図を参照してこの発明の詳細な説明
する。
する。
第1図はこの発明に係るピーク検出回路の一実施例の構
成を示すもので、1は差動増幅器、2はスイッチングト
ランジスタ、3はコンデンサ、4は緩衝増幅器、5はバ
イアス電流補償回路である。
成を示すもので、1は差動増幅器、2はスイッチングト
ランジスタ、3はコンデンサ、4は緩衝増幅器、5はバ
イアス電流補償回路である。
尚、第1図において第4図の従来回路と同一機能のもの
は同一符号を付して示す。
は同一符号を付して示す。
第1図において、差動増幅器1の出力端はスイッチング
トランジスタ2のベースに接続され、スイッチングトラ
ンジスタ2のコレクタは電源Vccに、エミッタはコン
デンサ3及び差動増幅器1のQ3のベースに接続されて
おり、負帰還回路を形成している。また、スイッチング
トランジスタ2のエミッタとコンデンサ3との接続点に
は、緩衝増幅器4のQ5のベースが接続され、さらにバ
イアス電流補償回路5のQlのベースが接続されている
。差動増幅器1のQl、緩衝増幅器4のQ6、バイアス
電流補償回路5のQ10は電流源形成用のトランジスタ
であり、それぞれのトランジスタのベースは共通に接続
され、定電圧VBが印加される。
トランジスタ2のベースに接続され、スイッチングトラ
ンジスタ2のコレクタは電源Vccに、エミッタはコン
デンサ3及び差動増幅器1のQ3のベースに接続されて
おり、負帰還回路を形成している。また、スイッチング
トランジスタ2のエミッタとコンデンサ3との接続点に
は、緩衝増幅器4のQ5のベースが接続され、さらにバ
イアス電流補償回路5のQlのベースが接続されている
。差動増幅器1のQl、緩衝増幅器4のQ6、バイアス
電流補償回路5のQ10は電流源形成用のトランジスタ
であり、それぞれのトランジスタのベースは共通に接続
され、定電圧VBが印加される。
バイアス電流補償回路5は、電流源トランジスタQIO
、エミッタ抵抗RIO、カレントミラを形成するPNP
)ランジスタQ8.Q9、カレントミラー出力の負荷
となるPNP トランジスタQ7より構成されている。
、エミッタ抵抗RIO、カレントミラを形成するPNP
)ランジスタQ8.Q9、カレントミラー出力の負荷
となるPNP トランジスタQ7より構成されている。
よく知られているように、カレントミラーはトランジス
タの特性の相似性を利用して駆動電流とほぼ等しい出力
電流を得るもので、ここではQ9のコレクタ電流とほぼ
等しい電流をQ8のコレクタから取り出すことができる
。Q8のコレクタ電流はQlのエミッタがらコレクタを
通りGNDへ流れるが、Qlのベース電流’b7はバイ
アス電流補償回路5の出力とじて取り出され、差動増幅
器1及び緩衝増幅器4ヘバイアス電流を供給する。尚1
,7の大きさはQ8のコレクタ電流の大きさに依存して
おり、Q8のコレクタ電流はQ9.QIOのコレクタ電
流によって制御できるため、Q10のコレクタ電流を設
定するRIOの値を変化させることにより、’b7の大
きさを変化させることができる。
タの特性の相似性を利用して駆動電流とほぼ等しい出力
電流を得るもので、ここではQ9のコレクタ電流とほぼ
等しい電流をQ8のコレクタから取り出すことができる
。Q8のコレクタ電流はQlのエミッタがらコレクタを
通りGNDへ流れるが、Qlのベース電流’b7はバイ
アス電流補償回路5の出力とじて取り出され、差動増幅
器1及び緩衝増幅器4ヘバイアス電流を供給する。尚1
,7の大きさはQ8のコレクタ電流の大きさに依存して
おり、Q8のコレクタ電流はQ9.QIOのコレクタ電
流によって制御できるため、Q10のコレクタ電流を設
定するRIOの値を変化させることにより、’b7の大
きさを変化させることができる。
上記の構成において、以下第2図を参照してその動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
第2図は第1図の動作波形を示したもので、(a)は入
力信号波形、(b)はスイッチングトランジスタ2とコ
ンデンサ3の接続点の波形を示している。まず、入力信
号がHレベルの状態では、スイッチングトランジスタ2
が導通してコンデンサ3を充電する。ここで、入力信号
がLレベルになると、スイッチングトランジスタ2は遮
断状態となるため、コンデンサ3に蓄えられた電荷は放
電を開始する。しかし、 1,7によって差動増幅器1
の入力バイアス電流 ’b3及び緩衝増幅器4の入力バ
イアス電流’b5が補償されるため” b7の大きさに
よって放電量が変化し、これに伴ってコンデンサ3の電
位も変化することになる。第2図(b)はこの様子を示
しており、’b7の増加に伴ってコンデンサ3の電位は
■−■−■と変化する。 ’b7を増加させると、 ’
b3”b5の補償量が増加するため、放電ロスは減少す
る傾向を示す。
力信号波形、(b)はスイッチングトランジスタ2とコ
ンデンサ3の接続点の波形を示している。まず、入力信
号がHレベルの状態では、スイッチングトランジスタ2
が導通してコンデンサ3を充電する。ここで、入力信号
がLレベルになると、スイッチングトランジスタ2は遮
断状態となるため、コンデンサ3に蓄えられた電荷は放
電を開始する。しかし、 1,7によって差動増幅器1
の入力バイアス電流 ’b3及び緩衝増幅器4の入力バ
イアス電流’b5が補償されるため” b7の大きさに
よって放電量が変化し、これに伴ってコンデンサ3の電
位も変化することになる。第2図(b)はこの様子を示
しており、’b7の増加に伴ってコンデンサ3の電位は
■−■−■と変化する。 ’b7を増加させると、 ’
b3”b5の補償量が増加するため、放電ロスは減少す
る傾向を示す。
但し、ここで注意すべきことは、過hム償状態っまり
lb7〉(1b3十1b5)となるとコンデンサ3の電
位が第2図(b)の■で示すように入力信号のHレベル
より高い電位となり、ピーク検出が不可能になることで
ある。これは、 ’b7と(1b3十lb5)の差電流
がコンデンサ3を充電するため電位が一ト昇し、スイッ
チングトランジスタを遮断状態に追込んでしまうためで
ある。このようなことから、上記補償電流’b7は I
b□< (Ib3+ I、5)の範囲で設定する必要
があるが、前述したようにR10の可変により容易に一
上記範囲に設定可能である。
lb7〉(1b3十1b5)となるとコンデンサ3の電
位が第2図(b)の■で示すように入力信号のHレベル
より高い電位となり、ピーク検出が不可能になることで
ある。これは、 ’b7と(1b3十lb5)の差電流
がコンデンサ3を充電するため電位が一ト昇し、スイッ
チングトランジスタを遮断状態に追込んでしまうためで
ある。このようなことから、上記補償電流’b7は I
b□< (Ib3+ I、5)の範囲で設定する必要
があるが、前述したようにR10の可変により容易に一
上記範囲に設定可能である。
したかって、上記構成によるピーク検出回路は、NPN
)ランジスタQ3.Q5のベース電流をP N P l
−ランジスタQ7のベース電流で補償する構成であるこ
と、及び電流源を形成するQl。
)ランジスタQ3.Q5のベース電流をP N P l
−ランジスタQ7のベース電流で補償する構成であるこ
と、及び電流源を形成するQl。
Q6.QIOのベース電位を共通にしていることから、
入力バイアス電流のlu度変化、電源電圧変化に対する
補償電流の追従性が優れており、放電ロスの改簿効果を
最大にできる補償電流値、つまり過補償となる直前の値
に補償電流を設定することができるため、放電ロスを非
常に小さくできる。
入力バイアス電流のlu度変化、電源電圧変化に対する
補償電流の追従性が優れており、放電ロスの改簿効果を
最大にできる補償電流値、つまり過補償となる直前の値
に補償電流を設定することができるため、放電ロスを非
常に小さくできる。
この際、バイアス電流補償回路5は差動増幅器1の周波
数特性に影響を与えないため、充電誤差を増加させるこ
とはない。したがって入力信号のマク率変化によるピー
ク検出誤差を非常に小さくすることが可能である。
数特性に影響を与えないため、充電誤差を増加させるこ
とはない。したがって入力信号のマク率変化によるピー
ク検出誤差を非常に小さくすることが可能である。
第3図はこの発明の他の実施例の構成を示すもので、こ
の回路は、緩衝増幅器4をダーリントン接続された2つ
のトランジスタと抵抗で構成し、バイアス電流補償回路
5をVccにプルアップした可変抵抗器R1,1で構成
して、回路の簡略化を図ったものである。このような構
成としても、差動増幅器1と緩衝増幅器4の入力ハイア
ス電流を1−11変抵抗器R11を介してVccにより
供給される電流で補償するようにしているので、放電ロ
スを減少させ、マーク率変化によるピーク検出誤差を小
さくすることがrIJ能である。
の回路は、緩衝増幅器4をダーリントン接続された2つ
のトランジスタと抵抗で構成し、バイアス電流補償回路
5をVccにプルアップした可変抵抗器R1,1で構成
して、回路の簡略化を図ったものである。このような構
成としても、差動増幅器1と緩衝増幅器4の入力ハイア
ス電流を1−11変抵抗器R11を介してVccにより
供給される電流で補償するようにしているので、放電ロ
スを減少させ、マーク率変化によるピーク検出誤差を小
さくすることがrIJ能である。
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではない。
例えば、第1図においてバイアス電流補償回路5の出力
をトランジスタQ8のコレクタからJl’7り出す構成
としてもよい。また、第3図のR,11の一端をVcc
へ接続せず、エミッタホロワ等で形成された電圧源に接
続する構成であってもよく、この発明の要旨を逸脱しな
い範囲で種々変形して実施することができる。
をトランジスタQ8のコレクタからJl’7り出す構成
としてもよい。また、第3図のR,11の一端をVcc
へ接続せず、エミッタホロワ等で形成された電圧源に接
続する構成であってもよく、この発明の要旨を逸脱しな
い範囲で種々変形して実施することができる。
[発明の効果]
以トのようにこの本発明によれば、負帰還制御によって
充電誤差を減少できると共に、増幅器の入力バイアス電
流を補償して放電ロスを減少させることができるので、
入力信号のマーク率変化によるピーク検出5差を非常に
小さくすることができ、また負帰還制御の効果としてス
イッチングトランジスタの温度特性も合わせて補償でき
るので、検出粘度の高いピーク検出回路を提供すること
ができる。
充電誤差を減少できると共に、増幅器の入力バイアス電
流を補償して放電ロスを減少させることができるので、
入力信号のマーク率変化によるピーク検出5差を非常に
小さくすることができ、また負帰還制御の効果としてス
イッチングトランジスタの温度特性も合わせて補償でき
るので、検出粘度の高いピーク検出回路を提供すること
ができる。
第1図はこの発明に係るピーク検出回路の一実施例の構
成を示す回路図、第2図は第1図の回路の動作を説明す
るための信号波形図、第3図はこの発明に係る他の実施
例の構成を示す回路図、第4図は従来のピーク検出回路
の構成を示す回路図、第5図は第4図の回路の動作を説
明するための信号波形図である。 1・・・差動、増幅器、2・・・スイッチングトランジ
スタ、3・・・コンデンサ、4・・・緩衝増幅器、5・
・・バイアス電流?I47償回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ム15 図
成を示す回路図、第2図は第1図の回路の動作を説明す
るための信号波形図、第3図はこの発明に係る他の実施
例の構成を示す回路図、第4図は従来のピーク検出回路
の構成を示す回路図、第5図は第4図の回路の動作を説
明するための信号波形図である。 1・・・差動、増幅器、2・・・スイッチングトランジ
スタ、3・・・コンデンサ、4・・・緩衝増幅器、5・
・・バイアス電流?I47償回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ム15 図
Claims (2)
- (1)入力信号を負帰還増幅する第1の増幅器と、この
第1の増幅器の出力端に接続されるスイッチング素子と
、このスイッチング素子の出力電位を保持するコンデン
サと、このコンデンサの保持した電位を第1の増幅器の
負帰還入力に負帰還させる帰還路と、前記スイッチング
素子の出力電位を増幅して外部に取り出す第2の増幅器
と、前記スイッチング素子の出力端に接続され前記第1
及び第2の増幅器に入力バイアス電流を供給するバイア
ス電流補償回路とを具備するピーク検出回路。 - (2)前記バイアス電流補償回路の出力電流値を前記第
1及び第2の増幅器の入力バイアス電流値の和より小さ
く設定することを特徴とする請求項(1)記載のピーク
検出回路。
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