JPH02152261A - 押出フィン式ヒートシンク - Google Patents
押出フィン式ヒートシンクInfo
- Publication number
- JPH02152261A JPH02152261A JP30600788A JP30600788A JPH02152261A JP H02152261 A JPH02152261 A JP H02152261A JP 30600788 A JP30600788 A JP 30600788A JP 30600788 A JP30600788 A JP 30600788A JP H02152261 A JPH02152261 A JP H02152261A
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- alloy
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- Pending
Links
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はオーディオ機器等に使われるトランジスターや
ICなどの半導体発熱素子から発生する熱を放熱させる
ための押出フィン式ヒートシンクに関するものである。
ICなどの半導体発熱素子から発生する熱を放熱させる
ための押出フィン式ヒートシンクに関するものである。
トランジスターやICなどの半導体発熱素子は何れも熱
に極めて弱く、100℃以上の温度で機能を失うものが
多い。このためこれ等半導体素子から発生した熱を外部
に放熱させて、素子が許容以上の温度に達しないように
する付加冷却システムが用いられている。これをヒート
シンクと称している。
に極めて弱く、100℃以上の温度で機能を失うものが
多い。このためこれ等半導体素子から発生した熱を外部
に放熱させて、素子が許容以上の温度に達しないように
する付加冷却システムが用いられている。これをヒート
シンクと称している。
ヒートシンクには通例アルミニウム合金が用いられ、押
出フィン式、積層フィン式、更にこれ等とヒートパイプ
を組み合せたものなど、各種形状のものが用いられてい
る。このうち押出フィン式のものは、押出性の良好なア
ルミニウム合金(月56063合金)を使用して、第2
図に示すように基板(1)の裏面に複数個の放熱フィン
(2)を櫛状に突出して押出フィン式ヒートシンクを造
り、基板(1)の表面に予め素子(4)をはんだ付けし
たベース板(3)をネジ止めすることにより、放熱機能
を得るものである。
出フィン式、積層フィン式、更にこれ等とヒートパイプ
を組み合せたものなど、各種形状のものが用いられてい
る。このうち押出フィン式のものは、押出性の良好なア
ルミニウム合金(月56063合金)を使用して、第2
図に示すように基板(1)の裏面に複数個の放熱フィン
(2)を櫛状に突出して押出フィン式ヒートシンクを造
り、基板(1)の表面に予め素子(4)をはんだ付けし
たベース板(3)をネジ止めすることにより、放熱機能
を得るものである。
ところがこのような押出フィン式ヒートシンクをオーデ
ィオ機器などに用いる場合、従来のアルミニウム合金製
のものでは、ベース板に取付けたトランジスター、パワ
ー■C1またはトランスなどから発生する振動に、放熱
フィンが共振してしまい、その共振音がスピーカーから
出る音に、耳障りな雑音として加わり、音楽観賞の妨げ
となる場合があり、問題となっている。特に最近機器の
軽量化、低コスト化の要求に対して放熱フィンもできる
かぎり薄くする方向にあるため、ますます上記悪影響を
助長する傾向にある。
ィオ機器などに用いる場合、従来のアルミニウム合金製
のものでは、ベース板に取付けたトランジスター、パワ
ー■C1またはトランスなどから発生する振動に、放熱
フィンが共振してしまい、その共振音がスピーカーから
出る音に、耳障りな雑音として加わり、音楽観賞の妨げ
となる場合があり、問題となっている。特に最近機器の
軽量化、低コスト化の要求に対して放熱フィンもできる
かぎり薄くする方向にあるため、ますます上記悪影響を
助長する傾向にある。
またベース板と押出フィン式ヒートシンクとの接触を十
分にするため、サーマルコンパウンドを塗布した後、ネ
ジ止めするのが一般的であるが、このコンパウンドがベ
ース板とヒートシンクの間からはみ出したり、ネジ止め
の際のトルク過大でベース板が破損するという不都合が
ある。こうした不都合はベース板と押出フィンが別々に
加工され、使用時にネジ止めされることに起因する現象
である。
分にするため、サーマルコンパウンドを塗布した後、ネ
ジ止めするのが一般的であるが、このコンパウンドがベ
ース板とヒートシンクの間からはみ出したり、ネジ止め
の際のトルク過大でベース板が破損するという不都合が
ある。こうした不都合はベース板と押出フィンが別々に
加工され、使用時にネジ止めされることに起因する現象
である。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、上記課題を一挙に
解決し、具体的には(1)素子が発生する振動に共振せ
ず、雑音の発生がなく、(2)ベース板を介在させるこ
となく発熱素子を直接ヒートシンクの基板に接合できる
押出フィン式ヒートシンクを開発したものである。
解決し、具体的には(1)素子が発生する振動に共振せ
ず、雑音の発生がなく、(2)ベース板を介在させるこ
となく発熱素子を直接ヒートシンクの基板に接合できる
押出フィン式ヒートシンクを開発したものである。
即ち本発明は、Mg又はMg合金を押出しにより、素子
を取付ける基板と、該基板の裏面に突出する櫛状のフィ
ンを形成し、少なくとも素子を取付ける基板表面にCu
又はNiメッキを施したことを特徴とするものである。
を取付ける基板と、該基板の裏面に突出する櫛状のフィ
ンを形成し、少なくとも素子を取付ける基板表面にCu
又はNiメッキを施したことを特徴とするものである。
押出フィン式ヒートシンクの素子を取付ける基板表面又
はヒートシンク全面にCu又はNiメッキを施すことに
より、トランジスターICなどの発熱素子を直接はんた
付けすることができる。また押出フィン式ヒートシンク
をMg又はMg合金の押出により形成することにより、
トランジスター ICなどの素子が発生する振動を速か
に減衰せしめ、雑音の発生を防止する。
はヒートシンク全面にCu又はNiメッキを施すことに
より、トランジスターICなどの発熱素子を直接はんた
付けすることができる。また押出フィン式ヒートシンク
をMg又はMg合金の押出により形成することにより、
トランジスター ICなどの素子が発生する振動を速か
に減衰せしめ、雑音の発生を防止する。
Mg又はMg合金が雑音発生を抑制するのは、従来のA
1合金に比べて内部摩擦が極めて大きく、振動減衰性(
制振性)が非常に優れているためである。これらのM
g又はMg合金には通常の純度99.8〜99.9v1
%の工業用線Mg、 ll5H4204の押出用Mg合
金MSI、MS2.MS3゜MS4.MS5.MS6、
更にMg−0,1〜10w1%St合金、Mg−0,1
〜5w1%Zr合金などが好適に使用できる。
1合金に比べて内部摩擦が極めて大きく、振動減衰性(
制振性)が非常に優れているためである。これらのM
g又はMg合金には通常の純度99.8〜99.9v1
%の工業用線Mg、 ll5H4204の押出用Mg合
金MSI、MS2.MS3゜MS4.MS5.MS6、
更にMg−0,1〜10w1%St合金、Mg−0,1
〜5w1%Zr合金などが好適に使用できる。
このようなMg又はMg合金を第1図に示すよう基板(
1)の裏面に複数個の放熱フィン(2)を櫛状に突出し
、基板(1)の表面に素子と接合するための平滑面(5
)を有するフィン式ヒートシンク形状に押出し、平滑面
又はヒートシンクの全面にCu又はNiメッキを施す。
1)の裏面に複数個の放熱フィン(2)を櫛状に突出し
、基板(1)の表面に素子と接合するための平滑面(5
)を有するフィン式ヒートシンク形状に押出し、平滑面
又はヒートシンクの全面にCu又はNiメッキを施す。
Cu又はNiメッキを施すのは平滑面にはんだ付は性を
付与し、トランジスターなどの素子を直接ヒートシンク
にはんだ付けできるようにするためである。Cu又はN
iメッキを施す方法としてはダウ電気メッキ法、無電解
メッキ法、ノルスフハイドロ法などがあり、いずれかの
方法により実施すればよい。
付与し、トランジスターなどの素子を直接ヒートシンク
にはんだ付けできるようにするためである。Cu又はN
iメッキを施す方法としてはダウ電気メッキ法、無電解
メッキ法、ノルスフハイドロ法などがあり、いずれかの
方法により実施すればよい。
尚Mg又はMg合金は、体積あたりでの熱伝導度がA1
合金とほぼ同等であり、めっき層のCu又はNiも熱伝
導性は良好であるので、従来のA1合金製押出フィン式
ヒートシンクと比べて放熱性が劣ることはない。
合金とほぼ同等であり、めっき層のCu又はNiも熱伝
導性は良好であるので、従来のA1合金製押出フィン式
ヒートシンクと比べて放熱性が劣ることはない。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例
第1図に示すように基板(1)の裏面に複数個の放熱フ
ィン(2)を櫛状に突出し、基板(1)の表面に素子と
接合するための平滑面(5)を有する押出フィン式ヒー
トシンクを純度99.9v1%の純Mgで造り、平滑面
(5)に電解メッキ法によりNiメッキ(厚さ10μm
)を施して本発明押出フィン式ヒートシンクを作製した
。
ィン(2)を櫛状に突出し、基板(1)の表面に素子と
接合するための平滑面(5)を有する押出フィン式ヒー
トシンクを純度99.9v1%の純Mgで造り、平滑面
(5)に電解メッキ法によりNiメッキ(厚さ10μm
)を施して本発明押出フィン式ヒートシンクを作製した
。
このヒートシンクの平滑面(5)に図に示すように素子
(トランジスター)(4)を糸はんだにてはんだ付けし
たところ、良好なはんだ付けを行うことができた。次に
これを音響機器に取付けて使用したが、共振による雑音
は全く発生しなかった。
(トランジスター)(4)を糸はんだにてはんだ付けし
たところ、良好なはんだ付けを行うことができた。次に
これを音響機器に取付けて使用したが、共振による雑音
は全く発生しなかった。
このように本発明によれば、音響機器に使用される発熱
素子からの熱を放熱する押出フィン式ヒートシンクとし
て、放熱フィンが発熱素子の振動に共振することがない
ので、雑音を皆無とすることができるばかりか、素子を
直接はんだ付けすることができる等顕著な効果を奏する
ものである。
素子からの熱を放熱する押出フィン式ヒートシンクとし
て、放熱フィンが発熱素子の振動に共振することがない
ので、雑音を皆無とすることができるばかりか、素子を
直接はんだ付けすることができる等顕著な効果を奏する
ものである。
第1図は本発明押出フィン式ヒートシンクの一実施例を
示す斜視図、第2図は従来の押出フィン式ヒートシンク
の一例を示す斜視図である。 1、基板 2、放熱フィン 3、ベース板 4、素子 5、平滑面 第2図
示す斜視図、第2図は従来の押出フィン式ヒートシンク
の一例を示す斜視図である。 1、基板 2、放熱フィン 3、ベース板 4、素子 5、平滑面 第2図
Claims (1)
- Mg又はMg合金を押出しにより素子を取付ける基板と
、該基板の裏面に突出する櫛状のフィンを形成し、少な
くとも素子を取付ける基板表面にCu又はNiメッキを
施したことを特徴とする押出フィン式ヒートシンク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30600788A JPH02152261A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 押出フィン式ヒートシンク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30600788A JPH02152261A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 押出フィン式ヒートシンク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02152261A true JPH02152261A (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=17951957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30600788A Pending JPH02152261A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 押出フィン式ヒートシンク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02152261A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7964291B2 (en) * | 2007-08-27 | 2011-06-21 | Jiing Tung Tec. Metal Co., Ltd. | Magnesium alloy compound type thermal metal material |
JP2011258852A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP30600788A patent/JPH02152261A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7964291B2 (en) * | 2007-08-27 | 2011-06-21 | Jiing Tung Tec. Metal Co., Ltd. | Magnesium alloy compound type thermal metal material |
JP2011258852A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US8536698B2 (en) | 2010-06-11 | 2013-09-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
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