JPH02151058A - ウェーハ規模集積回路装置 - Google Patents
ウェーハ規模集積回路装置Info
- Publication number
- JPH02151058A JPH02151058A JP1176980A JP17698089A JPH02151058A JP H02151058 A JPH02151058 A JP H02151058A JP 1176980 A JP1176980 A JP 1176980A JP 17698089 A JP17698089 A JP 17698089A JP H02151058 A JPH02151058 A JP H02151058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base member
- semiconductor wafer
- cable
- wafer
- flat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 126
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 70
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 6
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 5
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06589—Thermal management, e.g. cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路、特にウェーハ規模回路構成及びその
パッケージングに係わる。
パッケージングに係わる。
ウェーハ規模集積化では、所与のシステムまたはデバイ
スに使用される電子回路のすべてを単一の大きいモノリ
シック半導体ウェーハ上に構成すればよい。集積回路チ
ップ、回路ボード及び多数の相互接続線の代りにウェー
ハ規模集積化を行なうことによって装置の動作速度及び
信頼性を高める可能性がある。
スに使用される電子回路のすべてを単一の大きいモノリ
シック半導体ウェーハ上に構成すればよい。集積回路チ
ップ、回路ボード及び多数の相互接続線の代りにウェー
ハ規模集積化を行なうことによって装置の動作速度及び
信頼性を高める可能性がある。
ウェーハ規模集積回路デバイスは数百万の電子的機能を
組み込むことになるから、設計上、信号の人出力に特に
配置しなければならない。また、１層のウェーハで数百
万の機能が実行されるから、複数層となれば数百万また
は数千ワットの熱が発生するおそれがあり、従って、１
層または２層以上のウェーハ規模集積回路を使用する装
置の設計においては熱の除去につき特別な配慮が必要で
ある。
組み込むことになるから、設計上、信号の人出力に特に
配置しなければならない。また、１層のウェーハで数百
万の機能が実行されるから、複数層となれば数百万また
は数千ワットの熱が発生するおそれがあり、従って、１
層または２層以上のウェーハ規模集積回路を使用する装
置の設計においては熱の除去につき特別な配慮が必要で
ある。
本発明の主な目的は全部がシリコンのウェーハを利用し
てデータ及び信号プロセッサーのような完全デバイスま
たはシステムを組み立てるための経済的なパッケージ法
を提供することにある。
てデータ及び信号プロセッサーのような完全デバイスま
たはシステムを組み立てるための経済的なパッケージ法
を提供することにある。
この目的を達成するため、電子回路及びこれと電気的に
接続する複数の接点を有する少なくとも１つの半導体ウ
ェーハを含むウェーハ規模集積回路装置を提供する。
接続する複数の接点を有する少なくとも１つの半導体ウ
ェーハを含むウェーハ規模集積回路装置を提供する。
対向する第１及び第２面を有し、半導体ウェーハを支持
するだけでなく、動作中この半導体ウェーハから熱を伝
導するほぼ扁平な熱伝導ベース部材に例えば接着剤によ
って半導体ウェーハを固定する。半導体ウェーハとベー
ス部材は互いにほぼ等しい熱膨張係数を有する。他の実
施例では、ベース部材の他方の面に第２の同様の半導体
ウェーハを固定する。
するだけでなく、動作中この半導体ウェーハから熱を伝
導するほぼ扁平な熱伝導ベース部材に例えば接着剤によ
って半導体ウェーハを固定する。半導体ウェーハとベー
ス部材は互いにほぼ等しい熱膨張係数を有する。他の実
施例では、ベース部材の他方の面に第２の同様の半導体
ウェーハを固定する。
多心扁平ケーブルの所定の心線を半導体ウェーハの接点
のうちの所定の接点と電気的に接触させ、電気信号を入
出力するため多心ケーブル・リンクを設けて扁平ケーブ
ルの心線と接続する。
のうちの所定の接点と電気的に接触させ、電気信号を入
出力するため多心ケーブル・リンクを設けて扁平ケーブ
ルの心線と接続する。
それぞれのウェーハはケーブル・リンクと接続する少な
くとも１つの多心扁平ケーブルを含み、ほかに、ベース
部材両面の半導体ウェーハの接点を互いに電気的に接続
させるためベース部材の縁端に多心扁平ケーブルを巻着
する。扁平ケーブルはすべてケーブル・アダプター集合
体によって固定されるが、これらのケーブル・アダプタ
ー集合体はベース部材に取り付けられ、扁平ケーブルを
機械的に固定することにより前記ケーブルの心線を確実
に接点と電気的に接触させる。このため、クランプ手段
がゴム系材料から成る介在部材を介してケーブルの締め
付は力を作用させる。
くとも１つの多心扁平ケーブルを含み、ほかに、ベース
部材両面の半導体ウェーハの接点を互いに電気的に接続
させるためベース部材の縁端に多心扁平ケーブルを巻着
する。扁平ケーブルはすべてケーブル・アダプター集合
体によって固定されるが、これらのケーブル・アダプタ
ー集合体はベース部材に取り付けられ、扁平ケーブルを
機械的に固定することにより前記ケーブルの心線を確実
に接点と電気的に接触させる。このため、クランプ手段
がゴム系材料から成る介在部材を介してケーブルの締め
付は力を作用させる。
以上に述べたウェーハ構造がウェーハ・モジュールを構
成し、ケーブル・リンク集合体によって複数モジュール
を一括して外部センサーまたは利用デバイスに電気的に
リンクすればよい。
成し、ケーブル・リンク集合体によって複数モジュール
を一括して外部センサーまたは利用デバイスに電気的に
リンクすればよい。
熱を逃すためウェーハ・モジュールのベース部材と熱伝
達関係に積層ウェーハ・モジュールを一括して、熱伝導
側壁を有する筺体内に配置する。
達関係に積層ウェーハ・モジュールを一括して、熱伝導
側壁を有する筺体内に配置する。
本発明の実施例を添付図面に沿って以下に説明する。
第１図に示すように、本発明の一実施例ではほぼ扁平な
熱伝導ベース部材１２の両面に第１及び第２全ウェーハ
規模半導体集積ウェーハ１０．１１を配設する。
熱伝導ベース部材１２の両面に第１及び第２全ウェーハ
規模半導体集積ウェーハ１０．１１を配設する。
ベース部材１２は非金属性熱伝導材から成り、ウェーハ
のための支持構造として機能すると共に動作中に発生す
る熱を逃すための熱シンクとして作用する。ベース部材
１２は例えばＥ ＲＬ −１９６２のようなエポキシを
母材とする例えばグラファイト・ファイバーＰ−１００
−２Ｋのようなカーボン／グラファイト・ファイバーか
ら成り、ＥＲＬ−１９６２もＰ −１００−２ＫもＡｍ
ｏｃｏ ＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＰｒｏｄｕｃｔｓ社の
製品である。ファイバーはその長手軸方向に伝導性が高
く、ファイバー／エポキシ複合体は、曲げ抵抗が高いだ
けでなく、半導体ウェーハ１０．１１とほぼ等しい熱膨
張係数を持つため熱による応力を最小限に制御できる直
交積層パターンを形成するように構成する。この複合ベ
ース部材１２は同じサイズのアルミニウム製ベース部材
に比較して熱伝導率が高く、しかも約３５％軽量化され
ることになる。
のための支持構造として機能すると共に動作中に発生す
る熱を逃すための熱シンクとして作用する。ベース部材
１２は例えばＥ ＲＬ −１９６２のようなエポキシを
母材とする例えばグラファイト・ファイバーＰ−１００
−２Ｋのようなカーボン／グラファイト・ファイバーか
ら成り、ＥＲＬ−１９６２もＰ −１００−２ＫもＡｍ
ｏｃｏ ＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＰｒｏｄｕｃｔｓ社の
製品である。ファイバーはその長手軸方向に伝導性が高
く、ファイバー／エポキシ複合体は、曲げ抵抗が高いだ
けでなく、半導体ウェーハ１０．１１とほぼ等しい熱膨
張係数を持つため熱による応力を最小限に制御できる直
交積層パターンを形成するように構成する。この複合ベ
ース部材１２は同じサイズのアルミニウム製ベース部材
に比較して熱伝導率が高く、しかも約３５％軽量化され
ることになる。
典型的なシリコン半導体ウェーハの熱膨張係数は約２．
６Ｘ １０−’／ ｔである。
６Ｘ １０−’／ ｔである。
細長いカーボン／グラファイト・ファイバーを直交積層
パターンに構成したから、複合ベース部材の熱膨張係数
は方向性があり、設計によって設定することができる。
パターンに構成したから、複合ベース部材の熱膨張係数
は方向性があり、設計によって設定することができる。
例えば、上記材料を利用することにより、第１の、即ち
、χ方向の熱膨張係数が０．９６３Ｘ １０−’／ ’
ｅ、第２の、即ち、ｙ方向の熱膨張係数が３．６２３ｘ
１０’″６／℃の複合ベース部材が得られた。シリコ
ン・ウェーハと比較してその差はそれぞれ３．５６３及
び１．０２である。また、シリコンとアルミニウム・ベ
ース（ＣＴＥ ２８．６Ｘ１０−’／ ｔ ）の熱膨
張係数の差は約２６となる。
、χ方向の熱膨張係数が０．９６３Ｘ １０−’／ ’
ｅ、第２の、即ち、ｙ方向の熱膨張係数が３．６２３ｘ
１０’″６／℃の複合ベース部材が得られた。シリコ
ン・ウェーハと比較してその差はそれぞれ３．５６３及
び１．０２である。また、シリコンとアルミニウム・ベ
ース（ＣＴＥ ２８．６Ｘ１０−’／ ｔ ）の熱膨
張係数の差は約２６となる。
ウェーハとベース部材との間の僅かな熱膨張係数の差に
より半導体ウェーハｉｏ、ｉｔに発生する応力を軽減す
るためには、例えばＤｏｗ ＣｏｒｎｉｎｇＱ３−６６
０５のような弾性接着フィルムによってベース部材にウ
ェーハを固定することが好ましい。
より半導体ウェーハｉｏ、ｉｔに発生する応力を軽減す
るためには、例えばＤｏｗ ＣｏｒｎｉｎｇＱ３−６６
０５のような弾性接着フィルムによってベース部材にウ
ェーハを固定することが好ましい。
第２図に示すような典型的なウェーハ規模半導体ウェー
ハ１０．１１は電子的機能を実行するため複数の部位に
おいて画定された電子回路を含み、これらの部位間の電
気的接続はウェーハ製造の過程で通常形成される複数の
メタライゼーション・レベルによって容易になる。り二
−ハはウェーハの電子回路と電気的に接続し、動作電圧
の印加だけでなく、ウェーハとの間の信号導通にも利用
される複数の接点１８を含む。
ハ１０．１１は電子的機能を実行するため複数の部位に
おいて画定された電子回路を含み、これらの部位間の電
気的接続はウェーハ製造の過程で通常形成される複数の
メタライゼーション・レベルによって容易になる。り二
−ハはウェーハの電子回路と電気的に接続し、動作電圧
の印加だけでなく、ウェーハとの間の信号導通にも利用
される複数の接点１８を含む。
本発明では、これらの信号の人出力は第３図に示すよう
な薄く扁平な多心ケーブル２０によって行なわれる。扁
平ケーブル２０はインピーダンス、インダクタンス、キ
ャパシタンス、クロストーク、減衰、ひずみ、立ち上が
り時間、立ち下がり時間などの特定の電気的特性を持つ
ように設計できる市販の製品でおる。第３図に示すケー
ブルは可撓絶縁材２４に互いに間隔を保って埋め込んだ
複数の心線２２を含む、ケーブルはほかに特定の機能に
伝送特性を合わせるように構成した１つまたは２つ以上
のグラウンド・ブレーンまたはシールド２６をも含むこ
とができる。、これらのケーブルは伝送回線のイン、ピ
ーダンス・レベルを乱すことなく、他のケーブルまたは
非可撓伝送回線と連携させることができる。
な薄く扁平な多心ケーブル２０によって行なわれる。扁
平ケーブル２０はインピーダンス、インダクタンス、キ
ャパシタンス、クロストーク、減衰、ひずみ、立ち上が
り時間、立ち下がり時間などの特定の電気的特性を持つ
ように設計できる市販の製品でおる。第３図に示すケー
ブルは可撓絶縁材２４に互いに間隔を保って埋め込んだ
複数の心線２２を含む、ケーブルはほかに特定の機能に
伝送特性を合わせるように構成した１つまたは２つ以上
のグラウンド・ブレーンまたはシールド２６をも含むこ
とができる。、これらのケーブルは伝送回線のイン、ピ
ーダンス・レベルを乱すことなく、他のケーブルまたは
非可撓伝送回線と連携させることができる。
本発明では心線２２を半導体ウェーハの接点と直接圧接
させるため、第４図に示すように、先端を金で被覆した
導電ペデスタル３０を絶縁材底まで延びるように特定の
心線２２と一体に形成することによって電気的接触を計
る。これらの導電ペデスタルはまた、図中、ペデスタル
３１で示すように、心線から絶縁材の頂面にまで延びて
いる。
させるため、第４図に示すように、先端を金で被覆した
導電ペデスタル３０を絶縁材底まで延びるように特定の
心線２２と一体に形成することによって電気的接触を計
る。これらの導電ペデスタルはまた、図中、ペデスタル
３１で示すように、心線から絶縁材の頂面にまで延びて
いる。
底面に延びる場合、ペデスタル３０はそれ自体１つまた
は２つ以上の導電ペデスタル３４を含むことのできるグ
ラウンド・ブレーン２６に形成した孔３２から突出する
。
は２つ以上の導電ペデスタル３４を含むことのできるグ
ラウンド・ブレーン２６に形成した孔３２から突出する
。
既に述べたように両面に半導体ウェーハを固定したベー
ス部材１２を含むウェーハ・モジュール４０を一部切り
欠いて平面図、斜視図でそれぞれ第５図及び第６図に示
した。モジュール４０は矩形ベース部材１２の縁端４３
に取り付けられて第３図に示すようなケーブルを半導体
ウェーハに機械的に固定することによりケーブル心線を
直接半導体ウェーハの接点と電気的に接触させる第１ケ
ーブル・アダプター集合体４２を含む、第６図Ｖｌｌ−
ＶＩＩ線における断面図である第７図に示すように、少
なくとも１つの扁平ケーブル４６を半導体ウェーハ１０
と電気的に接続し、少なくとも１つの扁平ケーブル４７
を半導体ウェーハ１１と電気的に接続する。さらに多く
の扁平ケーブルを設けてもよく、ウェーハ１０に接続し
たこのような扁平ケーブル４８の一部を第５図及び第６
図に示した。
ス部材１２を含むウェーハ・モジュール４０を一部切り
欠いて平面図、斜視図でそれぞれ第５図及び第６図に示
した。モジュール４０は矩形ベース部材１２の縁端４３
に取り付けられて第３図に示すようなケーブルを半導体
ウェーハに機械的に固定することによりケーブル心線を
直接半導体ウェーハの接点と電気的に接触させる第１ケ
ーブル・アダプター集合体４２を含む、第６図Ｖｌｌ−
ＶＩＩ線における断面図である第７図に示すように、少
なくとも１つの扁平ケーブル４６を半導体ウェーハ１０
と電気的に接続し、少なくとも１つの扁平ケーブル４７
を半導体ウェーハ１１と電気的に接続する。さらに多く
の扁平ケーブルを設けてもよく、ウェーハ１０に接続し
たこのような扁平ケーブル４８の一部を第５図及び第６
図に示した。
ケーブル４６．４７はケーブル・アダプター集合体４２
の第１Ｃ字形構造５０上を通ってから第２のほぼＣ字形
の構造５１を通過し、それぞれのケーブル端は構造５１
に装着したゴム系インサート５４上に配置される。半導
体ウェーハ１０．１１に対する電気信号の人出力を可能
にするため、ケーブル４６．４７の端部５２．５３の近
傍に複数の心線を有するケーブル・リンク集合体６０を
設け、扁平ケーブルの心線と接続する対応の導電ペデス
タルを介して所定の心線と電気的に接触させるため、ケ
ーブル・リンク集合体６ｏの所定の心線を露出させる。
の第１Ｃ字形構造５０上を通ってから第２のほぼＣ字形
の構造５１を通過し、それぞれのケーブル端は構造５１
に装着したゴム系インサート５４上に配置される。半導
体ウェーハ１０．１１に対する電気信号の人出力を可能
にするため、ケーブル４６．４７の端部５２．５３の近
傍に複数の心線を有するケーブル・リンク集合体６０を
設け、扁平ケーブルの心線と接続する対応の導電ペデス
タルを介して所定の心線と電気的に接触させるため、ケ
ーブル・リンク集合体６ｏの所定の心線を露出させる。
ゴム系インサート５４を設けることでケーブル・リンク
集合体６ｏの特定心線とケーブル４６．４７とを積極的
に圧接させることができるように構造５１に縦方向の構
造部材６２を固定する。
集合体６ｏの特定心線とケーブル４６．４７とを積極的
に圧接させることができるように構造５１に縦方向の構
造部材６２を固定する。
ベース部材１２の両面にそれぞれ固定したクランプ６４
．６５により、ケーブル４６．４７の心線とウェーハ１
０．１１の接点との間にも圧接関係を成立させる。クラ
ンプ機構は積極的なばね圧を発生させるゴム系インサー
ト６８．６９を含む。
．６５により、ケーブル４６．４７の心線とウェーハ１
０．１１の接点との間にも圧接関係を成立させる。クラ
ンプ機構は積極的なばね圧を発生させるゴム系インサー
ト６８．６９を含む。
図示のような高速、高密度のデバイスでは電力の分配が
重要な問題となる。クロストーク及びワット損の観点か
ら、高速回路を比較的低い電圧で作動させることが望ま
しい。しかし、電力線や接地線に僅かな電圧降下が現わ
れてもＳ／Ｎ比に悪影響を及ぼす可能性があるため、こ
のような低電圧条件は電力の分配系にきびしい条件を課
すことになる。電力の分配には低抵抗、低インダクタン
ス・ケーブルが必要である。
重要な問題となる。クロストーク及びワット損の観点か
ら、高速回路を比較的低い電圧で作動させることが望ま
しい。しかし、電力線や接地線に僅かな電圧降下が現わ
れてもＳ／Ｎ比に悪影響を及ぼす可能性があるため、こ
のような低電圧条件は電力の分配系にきびしい条件を課
すことになる。電力の分配には低抵抗、低インダクタン
ス・ケーブルが必要である。
本発明の好ましい実施例では、ウェーハへの給電を信号
導通用扁平ケーブル、例えばケーブル４６乃至４８など
とは別の専用電力線によって行なう。
導通用扁平ケーブル、例えばケーブル４６乃至４８など
とは別の専用電力線によって行なう。
このため、低抵抗、低インダクタンス扁平ケーブル７２
．７３の形態を取る電力線を第１ケーブル・アダプター
集合体４２によって支持する。ケーブル７２．７３は互
いに適当に絶縁されてオーバラップする電力線及び接地
線を含む。これらのケーブルはウェーハ１０の電子回路
周縁域上に延設され、いずれも積極的圧接を可能にする
ためのゴム系インサートフ８．７９を含む対応のクラン
ブフ５．７６によフて接点または金属被覆層に接続され
る。ケーブル７２．７３はさらにケーブル・アダプター
集合体４２を貫通しかっこの集合体によって固定され、
ここでリボン状の電力線及び接地線が分離し、ケーブル
・リンク集合体６ｏに装着された対応の電力線及び接地
線と接触する。
．７３の形態を取る電力線を第１ケーブル・アダプター
集合体４２によって支持する。ケーブル７２．７３は互
いに適当に絶縁されてオーバラップする電力線及び接地
線を含む。これらのケーブルはウェーハ１０の電子回路
周縁域上に延設され、いずれも積極的圧接を可能にする
ためのゴム系インサートフ８．７９を含む対応のクラン
ブフ５．７６によフて接点または金属被覆層に接続され
る。ケーブル７２．７３はさらにケーブル・アダプター
集合体４２を貫通しかっこの集合体によって固定され、
ここでリボン状の電力線及び接地線が分離し、ケーブル
・リンク集合体６ｏに装着された対応の電力線及び接地
線と接触する。
ウェーハに接着固定した減結合コンデンサー７７が電力
線及び接地線と電気的に接触することにより過渡電流を
軽減する。
線及び接地線と電気的に接触することにより過渡電流を
軽減する。
第５図及び第６図はウェーハ１０の表面に延設されて半
導体ウェーハの金属被覆層を介してウェーハの電子回路
と電気的に接触する単一の多心扁平ケーブル８０をも示
す。ケーブル８０は必ずしも電子信号のすべてをウェー
ハの縁端部において入出力しなくてもよいことを示唆し
ている。
導体ウェーハの金属被覆層を介してウェーハの電子回路
と電気的に接触する単一の多心扁平ケーブル８０をも示
す。ケーブル８０は必ずしも電子信号のすべてをウェー
ハの縁端部において入出力しなくてもよいことを示唆し
ている。
好ましい実施例では、ケーブル・リンク集合体、例えば
集合体６０を利用しなくてもベース部材１２の一方の面
のウェーハと他方の面のウェーハとの間の信号送受を可
能にする手段を設ける。
集合体６０を利用しなくてもベース部材１２の一方の面
のウェーハと他方の面のウェーハとの間の信号送受を可
能にする手段を設ける。
このため、第８図に示すように半導体ウェーハ１０を半
導体ウェーハ１１と電気的に接続する少なくとも他の多
心扁平ケーブル８６を構造的に維持しかつ位置ぎめする
ため、ベース部材１２の縁端８３に第２ケーブル・アダ
プター集合体８２を連結する。ここで利用する多心扁平
ケーブルは１つでも２つ以上でもよく、図面では追加の
扁平ケーブル８７が図示されている。
導体ウェーハ１１と電気的に接続する少なくとも他の多
心扁平ケーブル８６を構造的に維持しかつ位置ぎめする
ため、ベース部材１２の縁端８３に第２ケーブル・アダ
プター集合体８２を連結する。ここで利用する多心扁平
ケーブルは１つでも２つ以上でもよく、図面では追加の
扁平ケーブル８７が図示されている。
ケーブル８６は縁端８３に固定されたＣ字形構造に沿っ
て１８０°巻回され、他のＣ字形構造９１によって保護
される。
て１８０°巻回され、他のＣ字形構造９１によって保護
される。
ベース部材１２に固定されたクランプ９４．９５を含み
、それぞれのゴム系インサート９８．９９によってケー
ブルに圧力を加える機構を介してケーブル８６の心線と
半導体ウェーハの接点との間に圧接関係が成立する。
、それぞれのゴム系インサート９８．９９によってケー
ブルに圧力を加える機構を介してケーブル８６の心線と
半導体ウェーハの接点との間に圧接関係が成立する。
ウェーハ・モジュール４ｏによって完全な電子回路を構
成し、これを保護及び熱除去のための筺体内に収容する
。あるいは、第９図に示すように複数のウェーハ・モジ
ュール４ｏを積み重ねることにより、個々のモジュール
４ｏがケーブル・リンク集合体６０と信号伝達関係にあ
るウェーハ積層集合体１００を構成してもよい。
成し、これを保護及び熱除去のための筺体内に収容する
。あるいは、第９図に示すように複数のウェーハ・モジ
ュール４ｏを積み重ねることにより、個々のモジュール
４ｏがケーブル・リンク集合体６０と信号伝達関係にあ
るウェーハ積層集合体１００を構成してもよい。
第１０図からも明らかなように、ウェーハ積層集合体１
００を収容する筺体１０２はその側壁１０４．１０５が
熱伝導性であり、ウェーハ積層集合体１００を構成する
ベース部材の自由縁のすべてと熱接触する熱シンクとし
て作用する。ウェーハ積層集合体１００を筺体１０２に
挿入したら、筺体カバーとして作用する縦方向構造部材
６２を固定すればよい。
００を収容する筺体１０２はその側壁１０４．１０５が
熱伝導性であり、ウェーハ積層集合体１００を構成する
ベース部材の自由縁のすべてと熱接触する熱シンクとし
て作用する。ウェーハ積層集合体１００を筺体１０２に
挿入したら、筺体カバーとして作用する縦方向構造部材
６２を固定すればよい。
半導体ウェーハに画定されている電子回路との通信はケ
ーブル・リンク集合体６０の所定心線との必要な接続を
行なう多心扁平ケーブル１１２と電気的に接続するコネ
クター集合体１１０を介して行なうことができる。組み
立てた状態では、筺体１０２に設けた孔１１４を介して
コネクター集合体１１０との電気的接続を行なうことが
できる。あるいは、コネクター集合体１１８をカバー６
２に取り付け、カバー６２を貫通してケーブル・リンク
集合体６０の個々の心線に接続してもよい。
ーブル・リンク集合体６０の所定心線との必要な接続を
行なう多心扁平ケーブル１１２と電気的に接続するコネ
クター集合体１１０を介して行なうことができる。組み
立てた状態では、筺体１０２に設けた孔１１４を介して
コネクター集合体１１０との電気的接続を行なうことが
できる。あるいは、コネクター集合体１１８をカバー６
２に取り付け、カバー６２を貫通してケーブル・リンク
集合体６０の個々の心線に接続してもよい。
第１１図は本発明の他の実施例であり、上述のように全
ウェーハ規模半導体ウェーハ１３２が接着固定されてい
るほぼ扁平な熱伝導ベース部材１３０を含む。半導体ウ
ェーハ１３２の広い表面積はいくつかの相互接続層を含
む多心扁平ケーブル１３４に覆われている。ケーブル１
３４の心線は半導体ウェーハ１３２とその表面上の複数
の点において圧接によって接続している。ケーブル１３
４は１つまたは２つ以上の超ＬＳＩ回路チップ１３６の
取り付は面として作用し、前記超ＬＳＩ回路チップ１３
６は接着固定すればよく、ケーブル１３４の所定心線と
の信号及び電力接続を形成する。チップ１３６はパッケ
ージ・サポートまたは裸チップの形で利用すればよい。
ウェーハ規模半導体ウェーハ１３２が接着固定されてい
るほぼ扁平な熱伝導ベース部材１３０を含む。半導体ウ
ェーハ１３２の広い表面積はいくつかの相互接続層を含
む多心扁平ケーブル１３４に覆われている。ケーブル１
３４の心線は半導体ウェーハ１３２とその表面上の複数
の点において圧接によって接続している。ケーブル１３
４は１つまたは２つ以上の超ＬＳＩ回路チップ１３６の
取り付は面として作用し、前記超ＬＳＩ回路チップ１３
６は接着固定すればよく、ケーブル１３４の所定心線と
の信号及び電力接続を形成する。チップ１３６はパッケ
ージ・サポートまたは裸チップの形で利用すればよい。
参照番号１４２で示すようにベース部材１３０と熱接触
する熱伝導性の頂部クランプ１４０によって集合体全体
を固定し、ゴム系スペーサー１４４．１４５を介してケ
ーブル１３４に圧力を加える。
する熱伝導性の頂部クランプ１４０によって集合体全体
を固定し、ゴム系スペーサー１４４．１４５を介してケ
ーブル１３４に圧力を加える。
動作中にチップ１３６から発生する熱が比較的低い場合
、この熱はケーブル１３４、ウェーハ１３２、及び熱伝
導率の高い熱伝導性ベース部材１３０によって吸収する
ことができる。しかし、動作中にチップ１３６から発生
する熱が極度に高い場合には、集積回路チップ１３６と
接触してチップから発生する熱を熱伝導性クランプ部材
１４０に伝達する市販の熱伝達デバイス１４８を設ける
ことによって基本的熱流機構の性能を上げればよい。
、この熱はケーブル１３４、ウェーハ１３２、及び熱伝
導率の高い熱伝導性ベース部材１３０によって吸収する
ことができる。しかし、動作中にチップ１３６から発生
する熱が極度に高い場合には、集積回路チップ１３６と
接触してチップから発生する熱を熱伝導性クランプ部材
１４０に伝達する市販の熱伝達デバイス１４８を設ける
ことによって基本的熱流機構の性能を上げればよい。
従って、第１１図の実施例は大規模集積回路デバイスと
ウェーハ規模集積回路を複合した構成であり、この構成
では両デバイス間の信号経路が極めて短くなり、すぐれ
た熱伝達及び機械的強度が得られる。
ウェーハ規模集積回路を複合した構成であり、この構成
では両デバイス間の信号経路が極めて短くなり、すぐれ
た熱伝達及び機械的強度が得られる。
第１図は本発明の一実施例として、ベース部材に対する
１つのウェーハ規模集積回路の分解図である。 第２図は電子回路部位及び接点を示すためのウェーハ規
模集積回路の説明図である。 第３図及び第４図はそれぞれ本発明において利用される
好ましい多心ケーブルを示す斜視図及び長手方向断面図
である。 第５図及び第６図はそれぞれ本発明の好ましい実施例を
一部切り欠いて示す平面図及び斜視図である。 第７図及び第８図はそれぞれ第５図及び第６図に示した
装置の一部を示す分離断面図である。 第９図は積層構成を示す断面図である。 第１０図は完全ウェーハ規模パッケージの分解図である
。 第１１図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 Ｏ・・・・全ウェーハ規模半導体集積ウェーハ２・・・
・ベース部材 ８・・・・接点 Ｏ・・・・扁平ケーブル ２・・・・心線 ０・・・・ウェーハ・モジュール ６．４７．４８・・・・多心扁平ケーブル０・・・・ケ
ーブル・リンク集合体 出願人： ウエスチンクへウス・エレクトリック・コ
ーポレーション化 理 人：加 藤 紘 一部（ばか１
名）ＦＩＧ、１
１つのウェーハ規模集積回路の分解図である。 第２図は電子回路部位及び接点を示すためのウェーハ規
模集積回路の説明図である。 第３図及び第４図はそれぞれ本発明において利用される
好ましい多心ケーブルを示す斜視図及び長手方向断面図
である。 第５図及び第６図はそれぞれ本発明の好ましい実施例を
一部切り欠いて示す平面図及び斜視図である。 第７図及び第８図はそれぞれ第５図及び第６図に示した
装置の一部を示す分離断面図である。 第９図は積層構成を示す断面図である。 第１０図は完全ウェーハ規模パッケージの分解図である
。 第１１図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 Ｏ・・・・全ウェーハ規模半導体集積ウェーハ２・・・
・ベース部材 ８・・・・接点 Ｏ・・・・扁平ケーブル ２・・・・心線 ０・・・・ウェーハ・モジュール ６．４７．４８・・・・多心扁平ケーブル０・・・・ケ
ーブル・リンク集合体 出願人： ウエスチンクへウス・エレクトリック・コ
ーポレーション化 理 人：加 藤 紘 一部（ばか１
名）ＦＩＧ、１
Claims (23)
- （１）Ａ）半導体ウェーハが電子的機能を実行するため
の電子回路を有し； Ｂ）前記半導体ウェーハが前記電子回路と 電気的に接続する複数の接点を有し； Ｃ）ほぼ扁平な熱伝導ベース部材が第１及 び第２面を有し； Ｄ）前記半導体ウェーハが前記ベース部材 の前記第１面に固定され、前記ベース部材が前記半導体
ウェーハを支持するだけでなく、動作中前記半導体ウェ
ーハからの熱を伝導し； Ｅ）前記半導体ウェーハ及び前記ベース部 材が互いにほぼ等しい熱膨張係数を有し； Ｆ）多心扁平ケーブルが前記半導体ウェー ハの前記接点のうち所定の接点と電気的に接触する所定
の心線を有する ことを特徴とするウェーハ規模集積回路装置。 - （２）Ａ）前記ベース部材が非金属性であることを特徴
とする請求項第（１）項に記載の装置。 - （３）Ａ）前記半導体ウェーハを前記ベース部材に接着
したこと を特徴とする請求項第（１）項に記載の装置。 - （４）Ａ）前記半導体ウェーハを前記ベース部材に接着
したこと を特徴とする請求項第（２）項に記載の装置。 - （５）Ａ）前記ベース部材に固定され、前記半導体ウェ
ーハに対して前記扁平ケーブルを機械的に固定すること
により前記心線を前記接点と確実に接触させるケーブル
・アダプター集合体 を含むことを特徴とする請求項第（１）項に記載の装置
。 - （６）Ａ）前記ケーブル・アダプター集合体によって保
持され、前記半導体ウェーハの表面の一部、特にこの表
面に画定されている電子回路上に延設されて前記電子回
路と直接接触するように位置ぎめされた別設の多心扁平
ケーブル を含むことを特徴とする請求項第（５）項に記載の装置
。 - （７）Ａ）前記ケーブル・アダプター集合体が前記扁平
ケーブルと直接接触するゴム系インサートを有して前記
心線と前記接点との電気的接触を維持すべく積極的な圧
力を加えるクランプ手段を含むこと を特徴とする請求項第（５）項に記載の装置。 - （８）Ａ）第１及び第２半導体ウェーハが電子的機能を
実行する電子回路をそれぞれが具備し；Ｂ）それぞれの
前記半導体ウェーハが前記 電子回路と電気的に接触する複数の接点を有し；Ｃ）ほ
ぼ扁平な熱伝導ベース部材が互いに 対向しかつ平行な第１及び第２面を有し； Ｄ）前記第１半導体ウェーハが前記ベース 部材の前記第１面に固定されており； Ｅ）前記第２半導体ウェーハが前記ベース 部材の前記第２面に固定されており； Ｆ）前記ベース部材が前記半導体ウェーハ を支持するだけでなく、動作中前記半導体ウェーハから
熱を伝導し； Ｇ）前記半導体ウェーハ及び前記ベース部 材が互いにほぼ等しい熱膨張係数を有し； Ｈ）第１多心扁平ケーブルが前記第１半導 体ウェーハの前記接点のうち所定の接点と電気的に接触
する所定の心線を有する ことを特徴とするウェーハ規模集積回路装置。 - （９）Ａ）前記第２半導体ウェーハの前記接点のうち所
定の接点と電気的に接触する所定の心線を有する第２多
心扁平ケーブルを含むことを特徴とする請求項第（８）
項に記載の装置。 - （１０）Ａ）前記ベース部材の第１縁に固定され、前記
第１及び第２扁平ケーブルをそれぞれ前記第１及び第２
半導体ウェーハに対して機械的に固定することにより前
記心線と前記接点との前記電気的接触を確実にする第１
ケーブル・アダプター集合体 を含むことを特徴とする請求項第（９）項に記載の装置
。 - （１１）Ａ）前記ベース部材の一方の縁に固定された第
２ケーブル・アダプター集合体と； Ｂ）前記第２ケーブル・アダプター集合体 によって固定され、前記ベース部材の縁に巻回され所定
の心線が前記第１半導体ウェーハの所定の接点を前記第
２半導体ウェーハの所定接点と電気的に接続する少なく
とも１つの別設多心扁平ケーブルと を含むことを特徴とする請求項第（１０）項に記載の装
置。 - （１２）Ａ）前記ベース部材が矩形であり；Ｂ）前記第
１及び第２ケーブル・アダプタ ー集合体を前記ベース部材の対向縁にそれぞれ固定した
こと を特徴とする請求項第（１０）項に記載の装置。 - （１３）Ａ）複数の心線を有し、前記第１及び第２扁平
ケーブルの近傍に配設され、所定の心線が前記半導体ウ
ェーハへの電気信号入／出力を可能にするように前記第
１及び第２扁平ケーブルの心線と電気的に接触するケー
ブル・リンク集合体を含むことを特徴とする請求項第（
９）項に記載の装置。 - （１４）Ａ）熱伝導側壁を有する筺体と； Ｂ）前記ケーブル・アダプター集合体が固 定されていない前記ベース部材の２つの縁端が前記熱伝
導側壁と熱伝導接触するように前記ベース部材を前記筺
体に挿入したこと を特徴とする請求項第（１２）項に記載の装置。 - （１５）Ａ）それぞれが ｉ）電子的機能を行なう電子回路をそれ ぞれが有する第１及び第２半導体ウェ ーハと； ｉｉ）それぞれの前記半導体ウェーハが 前記電子回路と電気的に接続する複数 の接点を含むことと； ｉｉｉ）互いに対向しかつ平行な第１及び 第２面を有するほぼ扁平な熱伝導ベー ス部材と； ｉｖ）前記第１半導体ウェーハを前記ベ ース部材第１面に固定したことと； ｖ）前記第２半導体ウェーハを前記ベー ス部材の前記第２面に固定したこと と； ｖｉ）前記ベース部材が前記半導体ウェ ーハを支持するだけでなく、動作中前 記半導体ウェーハから熱を伝導するこ とと； ｖｉｉ）前記半導体ウェーハ及び前記ベー ス部材が互いにほぼ等しい熱膨張係数 を有することと； ｖｉｉｉ）前記第１半導体ウェーハの前記 接点のうち所定の接点と電気的に接触 する所定の心線を有する第１多心扁平 ケーブルと； ｉｘ）前記第２半導体ウェーハの前記接 点のうち所定の接点と電気的に接触す る所定の心線を有する第２多心扁平ケ ーブルと から成る複数のウェーハ・モジュールと； Ｂ）熱伝導側壁を有する筺体と； Ｃ）前記複数のウェーハ・モジュールを積 み重ね、一括して前記筺体内に配置し、前記ウェーハ・
モジュールの前記熱伝導ベース部材が前記側壁と熱伝達
関係となるようにしたことと；Ｄ）前記積み重ねたウェ
ーハ・モジュール に電気信号を入出力する手段と を特徴とするウェーハ規模集積回路装置。 - （１６）Ａ）それぞれの前記ウェーハ・モジュールが ｉ）前記ベース部材の第１縁に固定 され、前記第１及び第２扁平ケーブル をそれぞれ前記第１及び第２半導体ウ ェーハに対して機械的に固定すること により前記心線と前記接点との前記電 気的接触を確実にする第１ケーブル・ アダプター集合体を含む ことを特徴とする請求項第（１５）項に記載の装置。
- （１７）Ａ）それぞれの前記ウェーハ・モジュールが ｉ）前記ベース部材の一方の縁端に固定 した第２ケーブル・アダプター集合体 と； ｉｉ）前記第２ケーブル・アダプター集 合体によって固定され、前記ベース部 材の前記録端に巻回され、所定の心線 が前記第１半導体ウェーハの所定接点 を前記第２半導体ウェーハの所定接点 と電気的に接続する少なくとも１つの 別設多心扁平ケーブルを含むこと を特徴とする請求項第（１６）項に記載の装置。
- （１８）Ａ）前記ベース部材が矩形であり；Ｂ）前記第
１及び第２ケーブル・アダプタ ー集合体を前記ベース部材の対向縁にそれぞれ固定した
こと を特徴とする請求項第（１６）項に記載の装置。 - （１９）Ａ）前記入出力手段が ｉ）複数の心線を有し、前記複数のウェ ーハ・モジュールの前記第１及び第２ 扁平ケーブルの近傍に配置され、所定 の心線が前記第１及び第２扁平ケーブ ルの所定の心線と電気的に接触するケ ーブル・リンク集合体を含むこと を特徴とする請求項第（１８）項に記載の装置。
- （２０）Ａ）前記扁平ケーブルが前記半導体ウェーハの
表面上に延設されて前記電子回路と電気的に接続するこ
とと； Ｂ）前記扁平ケーブルの頂面に配置され、 前記扁平ケーブルの心線と電気的に接触するリード線を
有する集積回路チップ・デバイスと；Ｃ）前記集積回路
デバイスを前記扁平ケー ブル上に保持するクランプ手段 を特徴とする請求項第（１）項に記載の装置。 - （２１）Ａ）前記クランプ手段が前記ベース部材と熱伝
導及び熱接触関係にあること を特徴とする請求項第（２０）項に記載の装置。 - （２２）Ａ）前記集積回路デバイスと前記クランプ手段
の間に配置され、この両者と接触する熱伝導デバイス を含むことを特徴とする請求項第（２１）項に記載の装
置。 - （２３）Ａ）前記ベース部材がエポキシを母材とする複
数のカーボン／グラファイト繊維から成り、直交積層パ
ターンを形成するように製造されることを特徴とする請
求項第（２）項、第（８）項、第（１５）項または第（
２０）項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/268,909 US5038201A (en) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | Wafer scale integrated circuit apparatus |
| US268,909 | 1988-11-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151058A true JPH02151058A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=23025034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176980A Pending JPH02151058A (ja) | 1988-11-08 | 1989-07-07 | ウェーハ規模集積回路装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5038201A (ja) |
| EP (1) | EP0370598B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02151058A (ja) |
| KR (1) | KR900008667A (ja) |
| DE (1) | DE68909748T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523260A (en) * | 1993-08-02 | 1996-06-04 | Motorola, Inc. | Method for heatsinking a controlled collapse chip connection device |
| IL108359A (en) * | 1994-01-17 | 2001-04-30 | Shellcase Ltd | Method and device for creating integrated circular devices |
| USD976242S1 (en) | 2019-06-03 | 2023-01-24 | Space Exploration Technologies Corp. | Antenna apparatus |
| USD971900S1 (en) | 2019-06-03 | 2022-12-06 | Space Exploration Technologies Corp. | Antenna apparatus |
| USD971192S1 (en) * | 2019-06-03 | 2022-11-29 | Space Exploration Technologies Corp. | Antenna apparatus |
| USD962206S1 (en) * | 2020-01-09 | 2022-08-30 | Space Exploration Technologies Corp. | Antenna apparatus |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3908155A (en) * | 1974-04-19 | 1975-09-23 | Ibm | Wafer circuit package |
| GB1514595A (en) * | 1975-03-03 | 1978-06-14 | Hughes Aircraft Co | Package for hermetically sealing electronic circuits |
| US4379608A (en) * | 1981-03-11 | 1983-04-12 | Amp Incorporated | Flat cable to planar circuit connector |
| US4416497A (en) * | 1981-07-27 | 1983-11-22 | Sperry Corporation | Spring clip electrical connector for strip conductor cable |
| JPS61111561A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61288455A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Fujitsu Ltd | 多層半導体装置の製造方法 |
| JP2559700B2 (ja) * | 1986-03-18 | 1996-12-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US4715115A (en) * | 1986-04-03 | 1987-12-29 | Hewlett-Packard Company | Package for water-scale semiconductor devices |
| US4709300A (en) * | 1986-05-05 | 1987-11-24 | Itt Gallium Arsenide Technology Center, A Division Of Itt Corporation | Jumper for a semiconductor assembly |
| US4788627A (en) * | 1986-06-06 | 1988-11-29 | Tektronix, Inc. | Heat sink device using composite metal alloy |
| US4867235A (en) * | 1986-10-20 | 1989-09-19 | Westinghouse Electric Corp. | Composite heat transfer means |
| US4798541A (en) * | 1987-09-02 | 1989-01-17 | Ncr Corporation | Right angle electrical connector |
| US4899208A (en) * | 1987-12-17 | 1990-02-06 | International Business Machines Corporation | Power distribution for full wafer package |
| US4911643A (en) * | 1988-10-11 | 1990-03-27 | Beta Phase, Inc. | High density and high signal integrity connector |
-
1988
- 1988-11-08 US US07/268,909 patent/US5038201A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-07-06 DE DE89306855T patent/DE68909748T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-06 EP EP89306855A patent/EP0370598B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-07 JP JP1176980A patent/JPH02151058A/ja active Pending
- 1989-07-08 KR KR1019890009814A patent/KR900008667A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0370598B1 (en) | 1993-10-06 |
| US5038201A (en) | 1991-08-06 |
| DE68909748D1 (de) | 1993-11-11 |
| EP0370598A1 (en) | 1990-05-30 |
| KR900008667A (ko) | 1990-06-04 |
| DE68909748T2 (de) | 1994-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5025306A (en) | Assembly of semiconductor chips | |
| US5615087A (en) | Insulated surface mount circuit board construction | |
| US4283754A (en) | Cooling system for multiwafer high density circuit | |
| US4965654A (en) | Semiconductor package with ground plane | |
| US5014161A (en) | System for detachably mounting semiconductors on conductor substrate | |
| US6555902B2 (en) | Multiple stacked-chip packaging structure | |
| US6819001B2 (en) | Interposer, interposer package and device assembly employing the same | |
| TWI520305B (zh) | 斜坡堆疊晶片封裝中之光學通訊 | |
| US5182632A (en) | High density multichip package with interconnect structure and heatsink | |
| TW518742B (en) | Semiconductor device | |
| US7727801B2 (en) | Apparatus for improved power distribution in wirebond semiconductor packages | |
| JPS6338247A (ja) | Ｉｃチップ用高密度マイクロパッケ−ジ | |
| US5273439A (en) | Thermally conductive elastomeric interposer connection system | |
| JPH06504880A (ja) | パッケージ | |
| JPH08507656A (ja) | 半導体パッケージにおいて熱循環を低減する素子および方法 | |
| AU598253B2 (en) | System for detachably mounting semi-conductors on conductor substrates | |
| JPH01173627A (ja) | 集積回路パッケージ | |
| JPH1070232A (ja) | チップ・スタックおよびコンデンサ取付の配置 | |
| EP0354708A2 (en) | General three dimensional packaging | |
| JPH02151058A (ja) | ウェーハ規模集積回路装置 | |
| GB2129223A (en) | Printed circuit boards | |
| EP0571907B1 (en) | Package and method for assembly of infra-red imaging devices | |
| TW472372B (en) | Memory module with direct chip attach and the manufacturing process thereof | |
| US20210233838A1 (en) | Semiconductor chip package and method of assembly | |
| JPS62260353A (ja) | 半導体装置 |