JPH02150936A - Extension memory access system - Google Patents

Extension memory access system

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JPH02150936A
JPH02150936A JP30566488A JP30566488A JPH02150936A JP H02150936 A JPH02150936 A JP H02150936A JP 30566488 A JP30566488 A JP 30566488A JP 30566488 A JP30566488 A JP 30566488A JP H02150936 A JPH02150936 A JP H02150936A
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JP
Japan
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memory
access
output
signal
card
Prior art date
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Pending
Application number
JP30566488A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Nakagawa
賢治 中川
Hiroshi Maruoka
寛 丸岡
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PFU Ltd
Original Assignee
PFU Ltd
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Publication date
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Publication of JPH02150936A publication Critical patent/JPH02150936A/en
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Abstract

PURPOSE:To mount an extension memory having various access timings with difference types onto a slot exclusive for the extension memory by adding a memory type-based information holding means and an access timing information holding means to the extension memory. CONSTITUTION:An information processor has an exclusive slot for mounting an extension memory 110, and the memory 110 contains a memory type-based information holding means 111 and an access timing information holding means 113. When the memory 110 is mounted onto the exclusive slot of the information processor, the memory type-based information and the access timing information held by the means 111 and 113 respectively are fetched by a memory control circuit 120. Thus an interface means 121 of the circuit 120 switches the signal definition of the exclusive slot in accordance with the memory type-based information and produces the prescribed access timing in response to the access timing information. Thus it is possible to improve the reliability and to reduce the cost in an extension memory access system with use of an extension memory (memory card) having various access timings with different types.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 拡張メモリの実装が可能な情報処理装置の拡張メモリア
クセス方式に関し、 拡張メモリ専用スロット上に異なる種別で各アクセスタ
イミングを有する拡張メモリの実装を可能にすることを
目的とし、 拡張メモリの実装可能な専用スロットを有し、この拡張
メモリに対する書込みあるいは読出しを制御するメモリ
制御回路を備えた情報処理装置において、拡張メモリに
、そのメモリ種別情報を保持するメモリ種別情報保持手
段と、そのアクセスタイミング情報を保持するアクセス
タイミング情報保持手段とを備え、メモリ制御回路に、
実装された拡張メモリからメモリ種別情報およびアクセ
スタイミング情報を取り込み、メモリ種別情報に応じて
専用スロットの信号定義を切り換え、アクセスタイミン
グ情報に応じて所定のアクセスタイミングを発生するイ
ンタフェース手段を備え構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding an extended memory access method for an information processing device in which extended memory can be mounted, it is possible to implement extended memory having different types of access timings on a dedicated slot for extended memory. In an information processing device that has a dedicated slot in which an expansion memory can be installed and a memory control circuit that controls writing to or reading from the expansion memory, the expansion memory includes a memory that holds memory type information. The memory control circuit includes a type information holding means and an access timing information holding means for holding the access timing information.
The device includes an interface means for taking in memory type information and access timing information from the installed expansion memory, switching the signal definition of the dedicated slot according to the memory type information, and generating a predetermined access timing according to the access timing information.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、拡張メモリの実装が可能な情報処理装置の拡
張メモリアクセス方式に関する。
The present invention relates to an extended memory access method for an information processing device that can be equipped with an extended memory.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の情報処理装置において、メモリ容量を拡張するた
めに設けられる拡張メモリ専用スロットは、通常1種類
のメモリに対応するビンアサインを持ち、そのメモリの
アクセスタイミングに対して最適化されている。
In conventional information processing devices, expansion memory dedicated slots provided to expand memory capacity usually have a bin assignment corresponding to one type of memory, and are optimized for the access timing of that memory.

したがって、例えば大容量メモリとしてダイナミックR
AM用にアクセスタイミングが最適化されている専用ス
ロットに、バックアップアプリケーションとしてスタテ
ィックRAMを用いたメモリカードを実装するなど、設
定種別と異なる種別の拡張メモリの実装は不可能であっ
た。
Therefore, for example, dynamic R
It was impossible to install an expansion memory of a type different from the setting type, such as installing a memory card using static RAM as a backup application in a dedicated slot whose access timing is optimized for AM.

また、情報処理装置のシステムタイミングは、専用スロ
ット上に実装される拡張メモリのアクセスタイミングを
含めて設計されるために、拡張メモリのアクセスタイミ
ングが遅い場合には、情報処理装置全体のスループット
を低下させる欠点があった。
In addition, the system timing of an information processing device is designed to include the access timing of the expansion memory installed on the dedicated slot, so if the access timing of the expansion memory is slow, the throughput of the entire information processing device will decrease. There was a drawback.

一方、汎用バス上に拡張メモリシステムを構築し、各メ
モリカード上で各メモリ対応の最適待時間および制御信
号のタイミングをとることにより、上述の欠点を回避す
る方式がすでに実用化されている。
On the other hand, a method has already been put into practical use that avoids the above-mentioned drawbacks by constructing an expanded memory system on a general-purpose bus and determining the optimal waiting time and control signal timing for each memory on each memory card.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、この汎用バス上でメモリ拡張を行なう方式は
、多品種の拡張メモリの実装は可能であるが、汎用バス
上の信号をメモリアクセス用に変換し、またタイミング
その他をすべて拡張メモリ(メモリカード)側でとる必
要があるために制御が複雑であった。
However, this method of expanding memory on a general-purpose bus makes it possible to implement a wide variety of expansion memories, but the signals on the general-purpose bus are converted for memory access, and timing and other matters are all handled by the expansion memory (memory card). ) The control was complicated because it had to be controlled by the operator.

したがって、実装されるメモリカードの増加で制御が複
雑化するのに伴い、1枚当たりのメモリカードのコスト
が上昇し、さらに信頬性の低下をもたらす問題点があっ
た。
Therefore, as the number of installed memory cards increases, the control becomes more complex, and the cost of each memory card increases, further causing problems in reliability.

このように、メモリ拡張の各方式はそれぞれ問題点を有
しているが、近年情報処理装置の小型化に伴い、メモリ
拡張は汎用バス上のものから内蔵された専用スロットに
よる方式に代わりつつあるので、この専用スロットに多
品種のメモリカードを実装することができ、メモリカー
ドの利用形態の多様化に対処可能な方式が望まれている
As described above, each method of memory expansion has its own problems, but in recent years, as information processing devices have become smaller, memory expansion is being replaced from using general-purpose buses to using built-in dedicated slots. Therefore, there is a need for a system that can accommodate a wide variety of memory cards in this dedicated slot and that can cope with the diversification of usage patterns of memory cards.

本発明は、このような要望に応えるもので、拡張メモリ
専用スロット上に異なる種別で各アクセスタイミングを
有する拡張メモリ(メモリカード)の実装を可能にする
拡張メモリアクセス方式を提供することを目的とする。
The present invention is in response to such demands, and an object of the present invention is to provide an expansion memory access method that makes it possible to mount expansion memories (memory cards) of different types with access timings on expansion memory dedicated slots. do.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

第1図は、本発明の原理ブロック図である。 FIG. 1 is a block diagram of the principle of the present invention.

図において、情報処理装置は、拡張メモリ110の実装
が可能な専用スロットを有し、この拡張メモリに対する
書込みあるいは読出しを制御するメモリ制御回路120
を備える。
In the figure, the information processing device has a dedicated slot in which an expansion memory 110 can be mounted, and a memory control circuit 120 that controls writing to or reading from the expansion memory.
Equipped with

拡張メモリ110は、そのメモリ種別情報を保持するメ
モリ種別情報保持手段111と、そのアクセスタイミン
グ情報を保持するアクセスタイミング情報保持手段11
3とを備える。
The expanded memory 110 includes a memory type information holding unit 111 that holds the memory type information, and an access timing information holding unit 11 that holds the access timing information.
3.

メモリ制御回路120は、実装された拡張メモリからメ
モリ種別情報およびアクセスタイミング情報を取り込み
、メモリ種別情報に応じて専用スロットの信号定義を切
り換え、アクセスタイミング情報に応じて所定のアクセ
スタイミングを発生するインタフェース手段121を備
える。
The memory control circuit 120 is an interface that takes in memory type information and access timing information from the installed expanded memory, switches the signal definition of the dedicated slot according to the memory type information, and generates a predetermined access timing according to the access timing information. Means 121 is provided.

〔作 用〕[For production]

拡張メモリ110が情報処理装置の専用スロットに実装
されると、拡張メモリ(メモリ素子)のメモリ種別情報
保持手段111およびアクセスタイミング情報保持手段
113に保持されている各情報がメモリ制御回路120
に取り込まれる。
When the expansion memory 110 is installed in the dedicated slot of the information processing device, each information held in the memory type information holding means 111 and the access timing information holding means 113 of the expansion memory (memory element) is transferred to the memory control circuit 120.
be taken in.

メモリ制御回路120のインタフェース手段121は、
そのメモリ種別情報に応じて専用スロットの信号定義を
切り換え、アクセスタイミング情報に応じて所定のアク
セスタイミングを発生させることができる。
The interface means 121 of the memory control circuit 120 includes:
The signal definition of the dedicated slot can be switched according to the memory type information, and a predetermined access timing can be generated according to the access timing information.

すなわち、本発明方式では、メモリ制御回路側において
、実装される各種拡張メモリに応じたインタフェース条
件が選択設定されるので、同一スロットに多品種の拡張
メモリを実装することが可能になる。
That is, in the system of the present invention, the interface conditions are selected and set on the memory control circuit side in accordance with the various types of expansion memories to be installed, so that it is possible to mount various types of expansion memories in the same slot.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面に基づいて本発明の実施例について詳細に説
明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on the drawings.

第2図は、本発明方式による拡張メモリ(メモリカード
)の一実施例構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of an extended memory (memory card) according to the present invention.

図において、メモリカードは、メモリ種別情報が保持さ
れるメモリ種別情報保持部211、アクセスタイミング
情報が保持されるレジスタ212、メモリ素子213、
チップ選択信号C3−CARDをレジスタ212からメ
モリ素子213に切り換えるフリップフロップ214お
よびゲート回路215゜216を有する。
In the figure, the memory card includes a memory type information holding unit 211 that holds memory type information, a register 212 that holds access timing information, a memory element 213,
It has a flip-flop 214 and gate circuits 215 and 216 for switching the chip selection signal C3-CARD from the register 212 to the memory element 213.

チップ選択信号C5−CARDは、フリップフロップ2
14の制御端子、ゲート回路(OR) 215の一方の
入力端子およびゲート回路(NAND) 216の一方
の反転入力端子に接続される。フリップフロップ214
の出力Qは、ゲート回路215の他方の入力端子に接続
され、その出力G、はレジスタ212の出力イネーブル
端子OEに接続される。
Chip selection signal C5-CARD is applied to flip-flop 2.
14, one input terminal of a gate circuit (OR) 215, and one inverting input terminal of a gate circuit (NAND) 216. flip flop 214
The output Q of is connected to the other input terminal of the gate circuit 215, and its output G is connected to the output enable terminal OE of the register 212.

また出力dは、ゲート回路216の他方の反転入力端子
に接続され、その出力d2はメモリ素子213のチップ
選択信号入力端子C3に接続される。
Further, the output d is connected to the other inverting input terminal of the gate circuit 216, and the output d2 thereof is connected to the chip selection signal input terminal C3 of the memory element 213.

メモリ種別情報保持部211はメモリ種別信号aを送出
し、レジスタ212はアクセスタイミング情報を示す信
号をカードデータバスCDBに送出する。なお、メモリ
素子213は従来構成と同様であるので、データ信号用
のカードデータバスCDB、アドレス信号用のカードア
ドレスバスCAB、チップ選択信号C5−CARDを除
くタイミング制御信号(ストローブ信号5TB)用の制
御バスについての詳細は省略する。
The memory type information holding unit 211 sends out a memory type signal a, and the register 212 sends out a signal indicating access timing information to the card data bus CDB. Note that the memory element 213 has the same configuration as the conventional one, so there is a card data bus CDB for data signals, a card address bus CAB for address signals, and a card address bus CAB for timing control signals (strobe signal 5TB) except for the chip selection signal C5-CARD. Details regarding the control bus will be omitted.

以下、拡張メモリ(メモリカード)の動作について、第
3図に示すタイムチャートを参照して説明する。
The operation of the extended memory (memory card) will be described below with reference to the time chart shown in FIG.

メモリカードが実装されると、メモリ種別信号aが取り
出され、最初のアクセスでチップ選択信号C3−CAR
Dがアクティブ(「L(ローレベル)」)になる。この
とき、フリップフロップ214の出力dはrH(ハイレ
ベル)」であり、チップ選択信号C5−CARDはメモ
リ素子213には送出されない。
When the memory card is mounted, the memory type signal a is taken out and the chip selection signal C3-CAR is output at the first access.
D becomes active (“L (low level)”). At this time, the output d of the flip-flop 214 is rH (high level), and the chip selection signal C5-CARD is not sent to the memory element 213.

一方、出力Qは「L」であり、レジスタ212の出力イ
ネーブル端子0E(Gl)がrH」から「L」となるの
で、レジスタ212の内容(アクセスタイミング情報)
がカードデータバスCDBに出力される。
On the other hand, the output Q is "L" and the output enable terminal 0E (Gl) of the register 212 changes from "rH" to "L", so the contents of the register 212 (access timing information)
is output to the card data bus CDB.

このアクセス終了後に、チップ選択信号C5−CARD
の立ち上がりでフリップフロップ214はセットされ、
向はrl、Jに、Qは「HJになる。したがって、2回
目以降のアクセスではレジスタ212の出力はディセー
ブルされ、チップ選択信号C3−CARD (Gz )
はメモリ素子213に入力され、メモリ素子213がア
クセスされる。
After this access is completed, the chip selection signal C5-CARD
The flip-flop 214 is set at the rising edge of
The direction is rl, J, and Q is "HJ. Therefore, in the second and subsequent accesses, the output of register 212 is disabled, and the chip selection signal C3-CARD (Gz)
is input to the memory element 213, and the memory element 213 is accessed.

このように、メモリカードのレジスタ212はチップ選
択信号C5−CARDの最初のアクセス時のみに出力が
有効となる構成である。
In this way, the register 212 of the memory card is configured such that the output becomes valid only when the chip selection signal C5-CARD is accessed for the first time.

第4図は、本発明方式によるメモリ制御回路の一実施例
構成を示すブロック図である。なお、本実施例ではメモ
リ制御回路のインタフェース部を示し、ここではスタテ
ィック型のROMとダイナミックRAM (DRAM)
の二種類のメモリカードの実装に対応可能な構成とする
FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of a memory control circuit according to the present invention. Note that this embodiment shows an interface section of a memory control circuit, and here, a static ROM and a dynamic RAM (DRAM) are shown.
The configuration is compatible with the implementation of two types of memory cards.

図において、DRAMコントロール部(Min)421
、ROMコントロール部(M!、)422、チップ選択
信号用のデコーダ423、メモリカードのレジスタアク
セス用のシフトレジスタ424、ゲート回路425,4
26,427およびフリップフロップ428、各コント
ロール部選択用のゲート回路431,432、メモリカ
ードが実装される専用スロットのビンアサインを行なう
カードインタフェース回路433、メモリ種別信号aの
デコーダ434,435を有する。
In the figure, the DRAM control section (Min) 421
, ROM control unit (M!,) 422, decoder 423 for chip selection signal, shift register 424 for memory card register access, gate circuit 425,4
26, 427 and a flip-flop 428, gate circuits 431, 432 for selecting each control section, a card interface circuit 433 for assigning bins to dedicated slots in which memory cards are mounted, and decoders 434, 435 for memory type signals a.

なお本実施例では、メモリ種別信号aは1ピツ)(rH
Jあるいは「L」)で十分であるので、デコーダ434
は相異なる論理の二出力を取り出す構成とし、デコーダ
435はメモリ種別信号aをそのまま通過させる構成と
する。
In this embodiment, the memory type signal a is 1 bit) (rH
J or “L”) is sufficient, so the decoder 434
is configured to take out two outputs of different logic, and the decoder 435 is configured to pass the memory type signal a as is.

システムアドレスバスSABおよびカードデータバスC
DBに対応するシステムデータバスSDBには、DRA
Mコントロール部421およびROMコントロール部4
22が接続され、さらにシステムアドレスバスSABに
デコーダ423が接続される。
System address bus SAB and card data bus C
The system data bus SDB corresponding to DB has DRA
M control section 421 and ROM control section 4
22 is connected to the system address bus SAB, and a decoder 423 is further connected to the system address bus SAB.

デコーダ423の出力すは、ゲート回路(OR)425
の一方の反転入力端子およびゲート回路(AND)43
1,432の各第−の反転入力端子に接続される。ゲー
ト回路425の出力G、はシフトレジスタ424の入力
端子に接続され、その出力Q1はゲート回路(NAND
)  426. 427の各−方の入力端子に接続され
、出力d4はゲート回路426の他方の入力端子および
ゲート回路425の他方の反転入力端子に接続され、出
力d、はゲート回路427の他方の入力端子に接続され
る。
The output of the decoder 423 is the gate circuit (OR) 425
One inverting input terminal and gate circuit (AND) 43
1,432 negative inverting input terminals. The output G of the gate circuit 425 is connected to the input terminal of the shift register 424, and its output Q1 is connected to the gate circuit (NAND
) 426. 427, the output d4 is connected to the other input terminal of the gate circuit 426 and the other inverting input terminal of the gate circuit 425, and the output d is connected to the other input terminal of the gate circuit 427. Connected.

ゲート回路426の出力d4は、カードインタフェース
回路433、各コントロール部421,422に接続さ
れる。ゲート回路427の出力d。
The output d4 of the gate circuit 426 is connected to the card interface circuit 433 and each control section 421, 422. Output d of gate circuit 427.

は、フリップフロップ428の制御端子に接続され、そ
の出力dはカードインタフェース回路433およびゲー
ト回路431,432の各第二の反転入力端子に接続さ
れる。クロック信号CLKは、シフトレジスタ424お
よび各コントロール部421.422のクロック端子に
接続される。
is connected to the control terminal of the flip-flop 428, and its output d is connected to the second inverting input terminal of the card interface circuit 433 and the gate circuits 431 and 432. Clock signal CLK is connected to the shift register 424 and the clock terminal of each control section 421, 422.

メモリ種別信号aは、デコーダ434を介してゲート回
路431,432の各第三の反転入力端子に接続され、
その各出力Gb、G’rは各コントロール部421,4
22に接続される。
The memory type signal a is connected to each third inverting input terminal of the gate circuits 431 and 432 via the decoder 434,
The respective outputs Gb and G'r are the respective control sections 421 and 4.
22.

DRAMコントロール部421およびROMコントロー
ル部422から出力される各アドレス(を号およびスト
ローブ信号は、カードインタフェース回路433で対応
するコントロール部からの信号が選択され、所定のチッ
プ選択信号C3−CARD、ストローブ信号STBおよ
びアドレス信号として、それぞれ制御バスおよびカード
アドレスバスCABに接続される。
For each address and strobe signal output from the DRAM control section 421 and ROM control section 422, the signal from the corresponding control section is selected by the card interface circuit 433, and the predetermined chip selection signal C3-CARD and strobe signal They are connected to the control bus and card address bus CAB as STB and address signals, respectively.

以下、メモリ制御回路のインタフェース部の動作につい
て、第5図に示すタイムチャートを参照して説明する。
The operation of the interface section of the memory control circuit will be described below with reference to the time chart shown in FIG.

メモリカードが実装され、最初のアクセスでは、デコー
ダ423の出力心が「L」になると、ゲート回路425
の出力G3、シフトレジスタ424の出力Q1が順次r
H,になり、続いて出力Qa+65が「L」になり、Q
lとd4の否定論理積であるゲート回路426の出力d
4が、メモリカードのレジスタアクセス信号Reg−C
5として出力され、カードインタフェース回路433を
介してチップ選択信号C3−CARDとして送出される
When the memory card is mounted and the first access is made, when the output of the decoder 423 becomes "L", the gate circuit 425
The output G3 of the shift register 424 and the output Q1 of the shift register 424 are sequentially r
Then, the output Qa+65 becomes "L", and Q
The output d of the gate circuit 426 is the NAND of l and d4.
4 is the memory card register access signal Reg-C
5 and is sent out as a chip selection signal C3-CARD via the card interface circuit 433.

シフトレジスタ424の出力d4が「L」になり、レジ
スタアクセス信号Reg−CSが立ち上がって最初のア
クセスが終了するときには、出力向、がフィードバック
されるゲート回路425の出力G。
When the output d4 of the shift register 424 becomes "L" and the register access signal Reg-CS rises to complete the first access, the output direction is fed back to the output G of the gate circuit 425.

(シフトレジスタ424の入力)は常に「H」となり、
レジスタアクセス信号Reg−C5はそれ以降のアクセ
スではアクティブ(’LJ )にならない。
(input of shift register 424) is always “H”,
Register access signal Reg-C5 does not become active ('LJ) in subsequent accesses.

一方、レジスタアクセス信号Reg−C5がアクティブ
のときには、ゲート回路427の出力d、は「L」、フ
リップ10ツブ428の出力dはrH。
On the other hand, when the register access signal Reg-C5 is active, the output d of the gate circuit 427 is "L" and the output d of the flip 10 tube 428 is rH.

であるので、デコーダ423の出力心は、各コントロー
ル部421,422には送出されない。
Therefore, the output of the decoder 423 is not sent to each control section 421, 422.

また、メ・そリカードのレジスタ212のアクセスが終
了すると、ゲート回路427の出力Gsの立ち上がりで
フリップフロップ428はセットされ、出力dは「L」
になり、デコーダ423の出力百の各コントロール部4
21,422への入力がイネーブルとなる。従って、次
回以降にアクティブになった出力すは、カード選択信号
CARD−setとして各コントロール部421,42
2に入力すれる。なお、ゲート回路431,432には
、デコーダ434を介してメモリ種別信号aが入力され
ており、このカード選択信号CARD−selは、メモ
リ種別信号aが「L」のときにDRAMコントロール部
421に、rH,のときにROMコントロ−ル部422
にそれぞれ入力される。
Furthermore, when the access to the register 212 of the memory card is completed, the flip-flop 428 is set at the rising edge of the output Gs of the gate circuit 427, and the output d becomes "L".
The output of the decoder 423 is 100 each control section 4.
The inputs to 21 and 422 are enabled. Therefore, the outputs that become active from the next time onwards will be sent to each control unit 421, 42 as a card selection signal CARD-set.
2 is entered. Note that the memory type signal a is input to the gate circuits 431 and 432 via the decoder 434, and this card selection signal CARD-sel is sent to the DRAM control unit 421 when the memory type signal a is "L". , rH, the ROM control section 422
are input respectively.

ところで、メモリカードのレジスタ212がアクセスさ
れ、カードデータバスCDBに送出されたアクセスタイ
ミング情報は、メモリ制御回路のシステムデータバスS
DBを介して各コントロール部に取り込まれ、メモリ種
別信号aに応じたコントロール部において有効となり、
その出力がカードインタフェース回路433を介して取
り出される。なお、チップ選択信号C3−CARDは、
フリップフロップ428の出力dに応じて、レジスタア
クセス信号Reg−CSからDRAMコントロール部4
21のRAS信号あるいはROMコントロール部422
のC3信号に切り換えられる。
By the way, the access timing information sent to the card data bus CDB when the register 212 of the memory card is accessed is transmitted to the system data bus S of the memory control circuit.
It is taken into each control unit via the DB and becomes valid in the control unit according to the memory type signal a.
Its output is taken out via card interface circuit 433. Note that the chip selection signal C3-CARD is
According to the output d of the flip-flop 428, the DRAM control unit 4 receives the register access signal Reg-CS.
21 RAS signal or ROM control section 422
The signal is switched to the C3 signal.

このように、実装されるメモリカードのメモリ種別に応
じて、対応するDRAMコントロール部421あるいは
ROMコントロール部422が選択され、メモリカード
側から送出されたアクセスタイミング情報に応じて、そ
の出力がアドレス信号および各ストローブ信号として取
り出され、メモリアクセス終了信号ACKを出力するタ
イミングがセットされる。
In this way, the corresponding DRAM control section 421 or ROM control section 422 is selected depending on the memory type of the memory card to be mounted, and its output becomes an address signal in accordance with the access timing information sent from the memory card side. and each strobe signal, and the timing for outputting the memory access end signal ACK is set.

第6図は、DRAMコントロール部の一実施例構成を示
すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of one embodiment of the DRAM control section.

図において、DRAMコントロール部(MID)は、ア
クセスタイミング情報をラッチするフリップフロップ6
01、ラッチされたアクセスタイミングに応じて、行ア
ドレス読込みに用いるストローブ信号としてRAS信号
、列アドレス読込みに用いるストローブ信号としてCA
S信号およびメモリアクセス終了信号ACKを生成する
フリップフロップ611,612、ゲート回路613、
シフトレジスタ614およびセレクタ615,616、
システムアドレスバスSABのアドレス情報をラッチす
るラッチ回路621,622、その他を有する。
In the figure, the DRAM control unit (MID) includes a flip-flop 6 that latches access timing information.
01. Depending on the latched access timing, the RAS signal is used as the strobe signal used for reading the row address, and the CA signal is used as the strobe signal used for reading the column address.
Flip-flops 611 and 612 that generate the S signal and the memory access end signal ACK, a gate circuit 613,
shift register 614 and selectors 615, 616,
It includes latch circuits 621 and 622 that latch address information on the system address bus SAB, and others.

フリップフロップ601の制御端子にはレジスタアクセ
ス信号Reg−C5が接続され、入力端子にはシステム
データバスSDBが接続され、その出力Qはセレクタ6
15,616の各選択制御端子に接続される。
The register access signal Reg-C5 is connected to the control terminal of the flip-flop 601, the system data bus SDB is connected to the input terminal, and the output Q is connected to the selector 6.
15,616 selection control terminals.

カード選択信号CAI?D−sclは、フリップフロッ
プ611の入力端子、シフトレジスタ614の入力端子
S、システムアドレスバスSABに接続されるラッチ回
路621,622のラッチイネーブル端子LEに接続さ
れる。フリップフロップ611の出力Qは、ゲート回路
(NAND) 613の一方の入力端子およびフリップ
フロップ612の入力端子に接続され、フリップフロッ
プ612の出力dはゲート回路613の他方の入力端子
に接続され、その出力(クリア信号)CLRはシフトレ
ジスタ614のクリア端子Cに接続される。クロック信
号CLKは、フリップフロンプロ11,612およびシ
フトレジスタ614の各クロック端子に接続される。
Card selection signal CAI? D-scl is connected to the input terminal of the flip-flop 611, the input terminal S of the shift register 614, and the latch enable terminals LE of latch circuits 621 and 622 connected to the system address bus SAB. The output Q of the flip-flop 611 is connected to one input terminal of a gate circuit (NAND) 613 and the input terminal of the flip-flop 612, and the output d of the flip-flop 612 is connected to the other input terminal of the gate circuit 613. The output (clear signal) CLR is connected to the clear terminal C of the shift register 614. Clock signal CLK is connected to each clock terminal of flip-flop processors 11 and 612 and shift register 614.

シフトレジスタ614の出力Q、はRAS信号として取
り出され、出力Qbおよびその反転信号はそれぞれラッ
チ回路622,621の出力イネーブル端子OEに、出
力Qc、Q、はセレクタ615のA端子およびB端子に
、出力Q、、Q、はセレクタ616のA端子およびB端
子に接続される。セレクタ615の出力YはCAS信号
として、セレクタ616の反転出力■はメモリアクセス
終了信号ACKとしてそれぞれ取り出される。ラッチ回
路’621,622の各出力は、アドレス信号MPXA
として取り出される。
The output Q of the shift register 614 is taken out as a RAS signal, the output Qb and its inverted signal are sent to the output enable terminals OE of the latch circuits 622 and 621, respectively, and the outputs Qc and Q are sent to the A and B terminals of the selector 615. Outputs Q, ,Q, are connected to the A and B terminals of selector 616. The output Y of the selector 615 is taken out as a CAS signal, and the inverted output ■ of the selector 616 is taken out as a memory access end signal ACK. Each output of the latch circuits '621 and 622 is an address signal MPXA.
is extracted as.

以下、DRAMコントロール部の動作について、第7図
に示すタイムチャートを参照して説明する。
The operation of the DRAM control section will be described below with reference to the time chart shown in FIG.

ここで、実装されたメモリカードのアクセスタイミング
情報は、最初のアクセス時(リード時)にカードデータ
バスCDBからシステムデータバスSDBを介して取り
込まれる。フリップフロップ601は、メモリカードの
レジスタ212をアクセスするレジスタアクセス信号R
eg−CSの立ち上がりでシステムデータバスSDBを
ラッチし、その出力がセレクタ615,616の選択制
御信号となる。
Here, the access timing information of the mounted memory card is taken in from the card data bus CDB via the system data bus SDB at the time of first access (read time). The flip-flop 601 receives a register access signal R for accessing the register 212 of the memory card.
The system data bus SDB is latched at the rising edge of eg-CS, and its output becomes a selection control signal for selectors 615 and 616.

一方、レジスタ212のアクセス後に、カード選択信号
CARD−setがアクティブになるごとに、シフトレ
ジスタ614は所定のタイミングでRAS信号、ラッチ
回路621,622の出力イネーブル信号MPX、CA
S信号、メモリアクセス終了信号ACKを生成する。な
お、異なるタイミングを有する二つのCAS信号および
メモリアクセス終了信号ACKは、セレクタ615,6
16でそれぞれフリップフロップ601の出力に応じて
選択される。ここでは、フリップフロップ601の出力
が「L」のときには入力Aが出力Y (Y)に現れ、r
H,のときには入力Bが出力Y (Y)に現れるとする
On the other hand, each time the card selection signal CARD-set becomes active after the register 212 is accessed, the shift register 614 outputs the RAS signal and the output enable signals MPX and CA of the latch circuits 621 and 622 at a predetermined timing.
Generates S signal and memory access end signal ACK. Note that the two CAS signals and the memory access end signal ACK, which have different timings, are sent to the selectors 615 and 6.
16 are selected according to the output of the flip-flop 601, respectively. Here, when the output of the flip-flop 601 is "L", the input A appears at the output Y (Y), and r
Suppose that when H, input B appears at output Y (Y).

したがって、システムデータバスSDBが「H」の場合
には、セレクタ615からシフトレジスタ614の出力
QcがCAS信号として選択出力され、セレクタ616
からシフトレジスタ614の出力Q、がメモリアクセス
終了信号ACKとして選択出力される。
Therefore, when the system data bus SDB is "H", the output Qc of the shift register 614 is selectively output from the selector 615 as a CAS signal, and the selector 616
The output Q of the shift register 614 is selectively outputted as the memory access end signal ACK.

第7図(1)は、5DB= rHJで、速いアクセスタ
イミングのDRAMに適合する場合を示す。なお、カー
ド選択信号CARD−selはRAS信号から5クロツ
ク遅れたメモリアクセス終了信号ACKに応じてリセッ
トされ、対応するクリア信号に応じてRAS信号、CA
S信号、メモリアクセス終了信号ACK、ラッチイネー
ブル信号MPXがリセットされる。
FIG. 7(1) shows a case where 5 DB=rHJ and is suitable for a DRAM with fast access timing. Note that the card selection signal CARD-sel is reset in response to the memory access end signal ACK delayed by 5 clocks from the RAS signal, and the RAS signal and CA
The S signal, memory access end signal ACK, and latch enable signal MPX are reset.

第7図(2)は、5DB= rLJで、遅いアクセスタ
イミングのDRAMに適合する場合を示す。
FIG. 7(2) shows a case where 5DB=rLJ and is suitable for a DRAM with slow access timing.

すなわち、システムデータバスSDBが「L」の場合に
は、セレクタ615からシフトレジスタ614の出力Q
、が1クロック遅いCAS信号として選択出力され、セ
レクタ616からシフトレジスタ614の出力Q、が2
クロック遅いメモリアクセス終了信号ACKとして選択
出力される。
That is, when the system data bus SDB is "L", the output Q of the shift register 614 is output from the selector 615.
, is selectively outputted as a CAS signal delayed by one clock, and the output Q of the shift register 614 is outputted from the selector 616 by 2.
It is selectively outputted as a slow clock memory access end signal ACK.

なお、各信号はRAS信号からマクロツク遅れたメモリ
アクセス終了信号ACKに応じて同様にリセットされる
Note that each signal is similarly reset in response to the memory access end signal ACK delayed by a macro clock from the RAS signal.

このように、DRAMコントロール部は、メモリカード
から得られるアクセスタイミング情報(SDB)に対応
するタイミング制御を行なうことができる。また、RO
Mコントロール部においても同様である。
In this way, the DRAM control section can perform timing control corresponding to the access timing information (SDB) obtained from the memory card. Also, R.O.
The same applies to the M control section.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述したように、本発明によれば、拡張メモリ(メモリ
カード)の実装に伴って送出されるメモリ種別およびア
クセスタイミングの各情報に応じて、その拡張メモリを
制御するメモリ制御装置(システム)側に対応するイン
タフェース条件が設定されるので、異なる種別およびア
クセスタイミングの拡張メモリの実装が可能になる。
As described above, according to the present invention, the memory control device (system) side that controls the extended memory (memory card) according to the memory type and access timing information sent out when the extended memory (memory card) is mounted. Since the corresponding interface conditions are set, it becomes possible to implement extended memories of different types and access timings.

すなわち、拡張メモリはそのメモリ種別情報およびアク
セスタイミング情報を保持し、実装時にそれぞれ送出で
きる構成であればよく、複雑な制御系を備える必要がな
いので、高信顛性を確保するとともに小型、低コストを
実現することができる。
In other words, the extended memory only needs to be configured so that it can hold its memory type information and access timing information and send them out at the time of implementation, and there is no need for a complicated control system. cost can be realized.

また、メモリ制御装置側で拡張メモリ間の相違が自動的
に吸収されるので、同一スロットに多品種の拡張メモリ
の実装が可能になり、その利用形態の多様化に柔軟に対
応することが容易になり、実用的には極めて有用である
In addition, since differences between expansion memories are automatically absorbed on the memory control device side, it is possible to install many types of expansion memories in the same slot, making it easy to flexibly respond to diversifying usage patterns. Therefore, it is extremely useful in practice.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理ブロック図、 第2図は拡張メモリの一実施例構成を示すブロック図、 第3図は拡張メモリ(メモリカード)の動作を説明する
タイムチャート、 第4図はメモリ制御回路(インタフェース部)の一実施
例構成を示すブロック図、 第5図はインタフェース部の要部動作を説明するタイム
チャート、 第6図はDRAMコントロール部の一実施例構成を示す
ブロック図、 第7図はDRAMコントロール部の動作を説明するタイ
ムチャートである。 図において、 110は拡張メモリ、 111はメモリ種別情報保持手段、 113はアクセスタイミング情報保持手段、120はメ
モリ制御回路、 121はインタフェース手段、 211はメモリ種別情報保持部、 212はレジスタ、 213はメモリ素子、 214はフリップフロップ、 215.216はゲート回路、 421はDRAMコントロール部(MID)、422は
ROMコントロール部(Mll)、423.434,4
35はデコーダ、 424はシフトレジスタ、 425.426,427,431.432はゲート回路
、 428はフリップフロップ、 433はカードインタフェース回路である。 拡張メモリの実施例ブロック図 第2図 拡張メモリの動作を説明するタイムチャート5iR3図 本発明原理ブロック図 第1図 インタフェース部の1!部動作を説明するタイムチャー
ト第5図 DRAMコントロール部の実施例ブロック国策 図 LK ]Llf」L DRAMコントロール部の動作を説明するタイムチャー
ト第 図
Fig. 1 is a block diagram of the principle of the present invention, Fig. 2 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of an extended memory, Fig. 3 is a time chart explaining the operation of the extended memory (memory card), and Fig. 4 is a memory FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of the control circuit (interface section); FIG. 5 is a time chart illustrating the operation of the main parts of the interface section; FIG. FIG. 7 is a time chart explaining the operation of the DRAM control section. In the figure, 110 is an expansion memory, 111 is a memory type information holding means, 113 is an access timing information holding means, 120 is a memory control circuit, 121 is an interface means, 211 is a memory type information holding unit, 212 is a register, and 213 is a memory. 214 is a flip-flop, 215.216 is a gate circuit, 421 is a DRAM control section (MID), 422 is a ROM control section (Mll), 423.434, 4
35 is a decoder, 424 is a shift register, 425, 426, 427, 431, 432 are gate circuits, 428 is a flip-flop, and 433 is a card interface circuit. Embodiment block diagram of expansion memory Figure 2 Time chart explaining the operation of expansion memory 5iR3 Figure Block diagram of the principle of the present invention Figure 1 Interface part 1! Fig. 5 Time chart explaining the operation of the DRAM control section Example block national policy diagram of the DRAM control section LK]Llf''L Time chart explaining the operation of the DRAM control section Fig. 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)拡張メモリ(110)の実装が可能な専用スロッ
トを有し、この拡張メモリに対する書込みあるいは読出
しを制御するメモリ制御回路(120)を備えた情報処
理装置において、 前記拡張メモリ(110)に、そのメモリ種別情報を保
持するメモリ種別情報保持手段(111)と、そのアク
セスタイミング情報を保持するアクセスタイミング情報
保持手段(113)とを備え、前記メモリ制御回路(1
20)に、実装された拡張メモリから前記メモリ種別情
報およびアクセスタイミング情報を取り込み、メモリ種
別情報に応じて前記専用スロットの信号定義を切り換え
、アクセスタイミング情報に応じて所定のアクセスタイ
ミングを発生するインタフェース手段(121)を備え
た ことを特徴とする拡張メモリアクセス方式。
(1) In an information processing device that has a dedicated slot in which an expansion memory (110) can be mounted and is equipped with a memory control circuit (120) that controls writing to or reading from the expansion memory, the expansion memory (110) , a memory type information holding means (111) for holding the memory type information, and an access timing information holding means (113) for holding the access timing information, the memory control circuit (1)
20), an interface that takes in the memory type information and access timing information from the installed expanded memory, switches the signal definition of the dedicated slot according to the memory type information, and generates a predetermined access timing according to the access timing information. An extended memory access method characterized by comprising means (121).
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