JPH02150415A - 混成集積回路用チップコート樹脂 - Google Patents
混成集積回路用チップコート樹脂Info
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- JPH02150415A JPH02150415A JP30446888A JP30446888A JPH02150415A JP H02150415 A JPH02150415 A JP H02150415A JP 30446888 A JP30446888 A JP 30446888A JP 30446888 A JP30446888 A JP 30446888A JP H02150415 A JPH02150415 A JP H02150415A
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- JP
- Japan
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- boron nitride
- nitride powder
- spherical
- hybrid integrated
- epoxy resin
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＩＣチップ表面に介在物を有する熱硬化エポキ
シ樹脂を形成した混成集積回路用チップコート樹脂に関
する。
シ樹脂を形成した混成集積回路用チップコート樹脂に関
する。
（従来の技術とその課題）
回路パターンを有する基板表面に形成されたＩＣなどの
半導体素子は大気中からの浮遊塵及び水分等の影響をお
さえる為に半導体素子の保護を目的として金属窒化物等
の介在物を混入させた高純度の熱硬化性エポキシ樹脂に
よりチップコート樹脂を被覆する方法がある。従来これ
らに使用された熱硬化性エポキシ樹脂の低熱勝張化と、
熱伝導率を改善するため添加するフィラーとしては球状
又は粉砕状チッ化ホウ素粉末が使用されている。
半導体素子は大気中からの浮遊塵及び水分等の影響をお
さえる為に半導体素子の保護を目的として金属窒化物等
の介在物を混入させた高純度の熱硬化性エポキシ樹脂に
よりチップコート樹脂を被覆する方法がある。従来これ
らに使用された熱硬化性エポキシ樹脂の低熱勝張化と、
熱伝導率を改善するため添加するフィラーとしては球状
又は粉砕状チッ化ホウ素粉末が使用されている。
フィラーはエポキシ樹脂そのものが熱膨張係数が小さく
又、熱伝導率も低いため、これらを改善するには多量の
フィラーの充填が必要となる。しかしこれに伴い、時間
の経過とともに混在しているフィラー粉末が熱硬化エポ
キシ樹脂中で沈降を起こし、半導体素子へチップコート
樹脂を被覆する場合に短時間内で再攪拌が必要となり作
業性を著しく低下させていた。
又、熱伝導率も低いため、これらを改善するには多量の
フィラーの充填が必要となる。しかしこれに伴い、時間
の経過とともに混在しているフィラー粉末が熱硬化エポ
キシ樹脂中で沈降を起こし、半導体素子へチップコート
樹脂を被覆する場合に短時間内で再攪拌が必要となり作
業性を著しく低下させていた。
（課題を解決するための手段）
本発明はこれらの欠点を解決する為にＩＣチップ表面に
外気からの汚染物質防止の為にコーティングされるエポ
キシ樹脂の介在物として混入されるフィラーを高熱伝導
性で熱膨張係数の小さなチッ化ホウ素のリン片状粉末を
球状又は粉砕状粉末に混合させたことを特徴としその目
的は長時間の作業における熱硬化エポキシ樹脂中のフィ
ラー沈降をおさえ又、再攪拌を容易にしその作業性を向
上させることにある。
外気からの汚染物質防止の為にコーティングされるエポ
キシ樹脂の介在物として混入されるフィラーを高熱伝導
性で熱膨張係数の小さなチッ化ホウ素のリン片状粉末を
球状又は粉砕状粉末に混合させたことを特徴としその目
的は長時間の作業における熱硬化エポキシ樹脂中のフィ
ラー沈降をおさえ又、再攪拌を容易にしその作業性を向
上させることにある。
（実施例）
チッ化ホウ素等のチッ化物粉末製造には金属粉末とチッ
素あるいはアンモニアを高温中で反応させる方法、金属
酸化物に炭素とチッ素又はアンモニア等を反応させる方
法があるが、本発明に使用するチッ化ホウ素は高純度が
得られる特徴を有する気相合成法により製造する。
素あるいはアンモニアを高温中で反応させる方法、金属
酸化物に炭素とチッ素又はアンモニア等を反応させる方
法があるが、本発明に使用するチッ化ホウ素は高純度が
得られる特徴を有する気相合成法により製造する。
化学反応は次式により行なわれる。
Ｂ ａ Ｃ十Ｃ、ｅ ２→Ｂ Ｃｆ ａ ＋ Ｃ・・・
（１）Ｂ Ｃ１ｓ＋ Ｎ Ｈ３→ＢＮ＋３ＨＣ７・・・
（２）これにより製造されたチッ化ホウ素粉末から選粒
によりリン片状のチッ化ホウ素粉末を選び出し充分に乾
燥させたものを使用する。
（１）Ｂ Ｃ１ｓ＋ Ｎ Ｈ３→ＢＮ＋３ＨＣ７・・・
（２）これにより製造されたチッ化ホウ素粉末から選粒
によりリン片状のチッ化ホウ素粉末を選び出し充分に乾
燥させたものを使用する。
これらリン片状のチッ化ホウ素粉末は球状又は粉砕状の
チッ化ホウ素粉末に比べ数倍から士数倍の表面積を有す
る表面をもっており、これらが流動性を有する熱硬化性
エポキシ樹脂中に分散されることにより、フィラーとし
てのリン片状チッ化ホウ素粉末の液中における沈降速度
は極度に小さくなる。
チッ化ホウ素粉末に比べ数倍から士数倍の表面積を有す
る表面をもっており、これらが流動性を有する熱硬化性
エポキシ樹脂中に分散されることにより、フィラーとし
てのリン片状チッ化ホウ素粉末の液中における沈降速度
は極度に小さくなる。
これを第１図の実施例に基づき説明すると、容器１中に
熱硬化性エポキシ樹脂２とその液中に均一に分散された
フィラーであるリン片状チッ化ホウ素粉末３、および球
状又は粉砕状チッ化ホウ素粉末４は時間の経過に従い熱
硬化性エポキシ樹脂２の粘度とフィラーであるリン片状
チッ化ホウ素８、球状又は粉砕状チッ化ホウ素粉末４の
重さとの関係により第２図のような曲線に従い沈降を始
める。
熱硬化性エポキシ樹脂２とその液中に均一に分散された
フィラーであるリン片状チッ化ホウ素粉末３、および球
状又は粉砕状チッ化ホウ素粉末４は時間の経過に従い熱
硬化性エポキシ樹脂２の粘度とフィラーであるリン片状
チッ化ホウ素８、球状又は粉砕状チッ化ホウ素粉末４の
重さとの関係により第２図のような曲線に従い沈降を始
める。
従来使用されていた球状及び粉砕状のチッ化ホウ素に比
べ大きな表面積を有する面をもつリン片状チッ化ホウ素
粉末３は熱硬化性エポキシ樹脂２により大きな浮力を得
ることとなりその沈降速度は大幅に遅くなりフィラーと
して液中における均一分散の状態を長く維持することが
できる。又、沈降し容器１の底辺に沈着されたリン片状
チッ化ホウ素粉末３は混在されている球状及び粉砕状チ
ッ化ホウ素粉末４とで互・いに架橋状態を形成する。
べ大きな表面積を有する面をもつリン片状チッ化ホウ素
粉末３は熱硬化性エポキシ樹脂２により大きな浮力を得
ることとなりその沈降速度は大幅に遅くなりフィラーと
して液中における均一分散の状態を長く維持することが
できる。又、沈降し容器１の底辺に沈着されたリン片状
チッ化ホウ素粉末３は混在されている球状及び粉砕状チ
ッ化ホウ素粉末４とで互・いに架橋状態を形成する。
これにより再攪拌における攪拌が球状及び粉砕状チッ化
ホウ素粉末のみに比べ簡単に行なうことができる。
ホウ素粉末のみに比べ簡単に行なうことができる。
さらにつけ加えると樹脂量に対して、８０％のフィラー
を添加するこの種のチップコート樹脂ではリン片状のフ
ィラーを４０％を越えて添加すると沈降速度が遅くなる
反面硬化時に空隙を生じ易く３０％以下の場合沈降速度
が短くなり本発明の効果を得ることは出来ない。
を添加するこの種のチップコート樹脂ではリン片状のフ
ィラーを４０％を越えて添加すると沈降速度が遅くなる
反面硬化時に空隙を生じ易く３０％以下の場合沈降速度
が短くなり本発明の効果を得ることは出来ない。
（発明の効果）
以上説明したように回路パターンを有する基板表面に形
成されたＩＣチップなどの半導体素子表面を保護する目
的で行なうフィラー混在熱硬化性エポキシ樹脂中にリン
片チッ化ホウ素粉末と球状又は粉砕試チッ化ホウ素粉末
を混ぜ合わせることによりこれらの沈降速度を遅らせ長
時間フィラーとしての分散状態に保持することが可能と
なり、更に攪拌においても容易に行なうことができコー
ティングの作業性を著しく向上させることができる。
成されたＩＣチップなどの半導体素子表面を保護する目
的で行なうフィラー混在熱硬化性エポキシ樹脂中にリン
片チッ化ホウ素粉末と球状又は粉砕試チッ化ホウ素粉末
を混ぜ合わせることによりこれらの沈降速度を遅らせ長
時間フィラーとしての分散状態に保持することが可能と
なり、更に攪拌においても容易に行なうことができコー
ティングの作業性を著しく向上させることができる。
第１図は本発明における実施例の説明図、第２図はフィ
ラーの沈降特性図である。 １・・・容器、２・ ・熱硬化性エポキシ樹脂、３・
・リン片状チッ化ホウ素粉末、４・・・球状又は粉砕状
チッ化ホウ素粉末、５・ ・リン片粉末十球状及び粉砕
状粉末の曲線、６・・・球状及び粉砕状粉末の曲線。
ラーの沈降特性図である。 １・・・容器、２・ ・熱硬化性エポキシ樹脂、３・
・リン片状チッ化ホウ素粉末、４・・・球状又は粉砕状
チッ化ホウ素粉末、５・ ・リン片粉末十球状及び粉砕
状粉末の曲線、６・・・球状及び粉砕状粉末の曲線。
Claims (1)
- 複数の配線パターンと絶縁層を有する基板に金ワイヤ
ーを介して接続された半導体素子の表面を被覆するチッ
プコート樹脂として、熱硬化エポキシ樹脂に介在物とし
てリン片状の形状を有するチッ化ホウ素粉末を３０〜４
０重量％、球状あるいは粉砕状チッ化ホウ素粉末４０〜
３０重量％とを混在させることを特徴とする混成集積回
路用チップコート樹脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30446888A JPH02150415A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 混成集積回路用チップコート樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30446888A JPH02150415A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 混成集積回路用チップコート樹脂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02150415A true JPH02150415A (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=17933381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30446888A Pending JPH02150415A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 混成集積回路用チップコート樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02150415A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5214844A (en) * | 1990-12-17 | 1993-06-01 | Nchip, Inc. | Method of assembling integrated circuits to a silicon board |
| US7151311B2 (en) | 2002-11-11 | 2006-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mold resin-sealed power semiconductor device having insulating resin layer fixed on bottom surface of heat sink and metal layer on the resin layer |
| WO2014083874A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用組成物、保護膜形成用シート、及び硬化保護膜付きチップ |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP30446888A patent/JPH02150415A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5214844A (en) * | 1990-12-17 | 1993-06-01 | Nchip, Inc. | Method of assembling integrated circuits to a silicon board |
| US7151311B2 (en) | 2002-11-11 | 2006-12-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mold resin-sealed power semiconductor device having insulating resin layer fixed on bottom surface of heat sink and metal layer on the resin layer |
| WO2014083874A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用組成物、保護膜形成用シート、及び硬化保護膜付きチップ |
| KR20150092127A (ko) * | 2012-11-30 | 2015-08-12 | 린텍 가부시키가이샤 | 보호막 형성용 조성물, 보호막 형성용 시트, 및 경화 보호막을 구비한 칩 |
| CN104838489A (zh) * | 2012-11-30 | 2015-08-12 | 琳得科株式会社 | 保护膜形成用组合物、保护膜形成用片、以及带有固化保护膜的芯片 |
| JPWO2014083874A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-01-05 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用組成物、保護膜形成用シート、及び硬化保護膜付きチップ |
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