JPH02149102A

JPH02149102A - Ｔｅｍ伝送路の無反射終端

Info

Publication number: JPH02149102A
Application number: JP1263808A
Authority: JP
Inventors: Diethard Hansen; ディートハルト　ハンセン; Dietrich Koenigstein; ディートリッヒ　ケーニッヒシュタイン
Original assignee: ABB Asea Brown Boveri Ltd; Asea Brown Boveri AB
Current assignee: ABB Asea Brown Boveri Ltd; ABB AB
Priority date: 1988-10-14
Filing date: 1989-10-09
Publication date: 1990-06-07
Anticipated expiration: 2011-01-29
Also published as: CN1012864B; DE58900630D1; HK46493A; CA1323911C; JPH088443B2; EP0363831A1; EP0363831B1; CN1041850A; US5055806A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明はＴＥＭ伝送路の無反射終端に関し、この伝送路
では、ＴＥＭ波が内部導体及び外部導体中を伝送されて
、該ＴＢＭ伝送路の一端部で、場のエネルギーを吸収す
るＲＦ吸収体と、ＴＥＭ波の、伝送路内を案内されたエ
ネルギーを吸収するオームライン終端とによって吸収さ
れる。

（従来技術とその問題点）ＥＭＩ試験電子設備用の装置が特許比Ｉｌｌ　Ｃ）Ｉ　
−２０２６／８６−９により公知となっている。他の試
験設備と較べると、これはＥＭＩ　（ＥＭＩ＝電磁干渉
）試験設備に大きな長所を示す。特に、これは、広い周
波数範囲にわたって明確な場の分布を作り出すと共に、
広帯域放射測定に使用することができる。

しかし、波の場に有害な、局所的で周波数依存性の異質
性が生じることが分かった。これには、ライン終端が充
分に無反射性でないという事実が伴っている。

ＴＥＭ伝送路用のライン終端が、例えば、西独公開公報
り已−３１３０４８７Ａ１により知られている。特に、
この場合、内部導体には、等電位ライン上に位置する、
即ち波の場の伝播方向を横切る様に位置する終端抵抗器
が設けられる。この構成による測定から、これは１００
Ｍｔｔｚ以上の周波数には不適当であることが分かった
。

（発明の概要）従って、本発明の目的は、最初に述べた種類のＴＥＭ伝
送路の新規な無反射終端を提供することである。

本発明による解決策は、ＴＥＭ伝送路用のかかるライン
終端において、ａ）該ライン終端を内部導体により決まる平面内に、且
つ波の方向に位置させ、ｂ）内部導体において漸進的、且つ連続的な減衰を生じ
させるオーム抵抗として該ライン終端を構成し、ｃ）ＲＦ吸収体により該ライン終端に付加された容量負
荷を局所的に補償することから成る。

場のエネルギーは、該オーム端子と平行に設けられた吸
収体区域で吸収される。

好ましくは、該ライン終端は、同時に、ＴＥＭ波の伝播
方向を横切る電流分布と整合する抵抗輪郭を示す。

ＲＦ点吸収体を持った場整合・球形キャップ状ＲＦ吸収
体により終端するピラミッド状に広がるＴＥＭ伝送路か
ら成るＥＭＩ試験電子設備用の装置に本発明のライン終
端を使うと特に有益である。

そのようにすれば、その電子設備は単に輻射について信
較性をもって試験され得るのみならず、その放射も正確
に測定することができる。

本発明の他の有益な実施例は、特許請求の範囲の欄の従
属請求項において定義されている。

次に、図面を参照して本発明を更に詳しく説明する。

（実施例）第１図はＥＭＩ試験電子設備用の装置の基本的部分を示
す。これは、外部導体ｌ、不平衡内部導体４、給電ウェ
ッジ２及びＲＦ吸収体５を持ったＴＥＭ伝送路から成る
。同軸ケーブル３は、例えば、パルス状又は正弦波形の
無線周波数（ＲＦ）を給電ウェッジ２に供給し、該給電
ウェッジはＴＥＭ波（Ｔ　Ｅ　Ｍ　−ｔｒａｎｓｖｅｒ
ｓｅ　ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ）を生成し、こ
れをＴＥＭ伝送路内に接続する。

ＴＥＭ伝送路は一点からピラミッド状に広がっている。

ＲＦ吸収体５はＴＥＭ伝送路の広がった端部に位置し、
球形キャップの形を有する。これにはＲＦ点吸収体６が
設けられており、ＴＥＭ伝送路内を伝播する所要の波の
場に調和している。

即ち、これはＴＥＭ波のエネルギーの場の伝播を吸収す
る。

該ＴＥＭ伝送路自体はスイス特許出願Ｃ）Ｉ−２０２６
／８６−９に詳しく記載されており、その内容を本明細
書に含めるものとする。

内部導体１は板状であり、ＴＥＭ伝送路１の広い端部に
ライン終端７を備えている０本発明においては、このラ
イン終端７は、ＴＥＭ波のエネルギーの、伝送路に案内
される部分が吸収されるように構成されている。このラ
イン終端は、干渉を生じることがなく、同時に、他の理
由から生じた干渉モードは減衰させられる。以下の記述
において、所望の効果を得るのに不可決の点について説
明をする。

最初に、ライン終端７は、その位置に関して、内部導体
４により決定される平面内に配置されなければならない
。従って、該ライン終端は内部導体４の、波の場の方向
の、同じ高さの延長部分となる。（Ｚで示した矢は、第
１図における波の場の方向を示す。）そこで、内部導体
４内を流れる電流は、不連続を伴わずに除去される。波
の方向の電流伝播を乱されないので、有害なモードは生
じない。

第２に、ライン終端７は、内部導体４上で漸進的で、且
つ連続的な減衰を生じさせるオーム抵抗として構成され
なければならない。これについて第２図及び第３図を参
照して説明をする。

第２図は、従来技術において内部導体４が如何にして終
端されるかを示す。（第２図及び第３図は、内部導体４
を上から見た図である。）生成された波の場は、ＲＦ吸
収体５の厚みで与えられる端部領域Ｔで減衰させられる
。この端部領域で、内部導体４の輪郭は歯の形状を成し
て、ＲＦ点吸収体６が互いに衝合する点で終端している
。該両点は、ワイヤによりＲＦ吸収体５の密着した部分
を通過して、その背後のオーム抵抗Ｒで終端している。

第３図は、本発明のライン終端７が内部導体４をどの様
に終端させるかを示す。ＲＦ吸収体５及びＲＦ点吸収体
６は第２図と同様に示されている。

ライン終端７は端部領域Ｔの全体を覆っている。

従って、該ライン終端もＲＦ吸収体５の密着部分を通過
する。それは、波の場の伝播方向に抵抗輪郭ｄＲ／ｄｚ
を有する区域として構成されており、これは、ＲＦ吸収
体５がライン終端７に付加した容量負荷を局所的に補償
する。斯くしてＴＥＭ波は全ての点において局所的に整
合した特性インピーダンスに「遭遇する」。

一般的な場合には、抵抗輪郭ｄＲ／ｄｚは、内部導体と
ライン終端との移行部で小さな値から上昇して最大値と
なり、次に再び端部領域の端部に向かって小さな値へと
下降する。

本発明の好適な実施例においては、ライン終端は同時に
ＴＥＭ波の伝播方向を横切る電流分布と整合する抵抗輪
郭を示す。これにより、内部導体の横のエツジでの大き
な電流成分がＴＥＭ波の伝播方向を横切って分散される
ことが防止される。

これに対応して、該抵抗輪郭は波の場の方向を横切って
、即ちライン終端の中心から側部へ向かって、減少する
。量的に見ると、該抵抗輪郭はライン終端の縁において
最小値を有する。

最後に、ライン終端７は、ＲＦ吸収体５及びＲＦ点吸収
体６が内部導体４に付加した容量負荷が局所的に補償さ
れるように構成されている。

本発明のライン終端７は、好ましくは、例えば合板など
の支持板に、例えば、場所に依存する適当な厚みを持っ
たグラファイト被膜を設けて具体化することが出来るも
のである。電流が干渉無しに内部導体４から該抵抗被膜
へ伝導されるように、金属の歯状移行領域を該支持板上
に設けることができる。

第４図は他の実施例を示す。この実施例では、ライン終
端におけるオーム連続減衰は、別々の抵抗器のネットワ
ークにより実現される。

支持板としては、繊維強化プラスチック板が適当である
。この板は、適当な抵抗層で被覆され、或は、材料によ
っては板目体が抵抗として直接使用される。

本発明は、以下に記載した代表的実施例に限定されるも
のではない。特に、本発明は、外部導体の一つの端部又
、は数個の端部が開いている開放型又は半開放型ＴＥＭ
伝送路にも適している。

（効　果）以下に、本発明の別の特徴及び利点をキーワードとして
列記する。

１、　本発明は、試験体積及び周波数範囲の全域に亙っ
て場の均一性を明確に向上させる。

２、従って、遥かに大きくて高品質の試験チャンバ（例
えばシステム及び車両用の）を作ることが可能となる。

３、広帯域セルの終端区域の製造コストを減少させる。

４、従来技術における別々の抵抗器と較べると、成る区
域に分散させられた終端抵抗の冷却が良好に且つ簡単に
行なわれる。従って、試験チャンバを大電磁場強度に使
用することができる。

同様に、これによって、より大きな構造高さが可能とな
る。

５、高電圧強度が大きくなる。

６、場の質が高いので、標準化された自由電磁場放射値
との精密な相関が可能となる。

７、本発明は、開放型伝送路構成にも使用することので
きるものである。

８、最後に、本発明に従って、広帯域、大出力、耐高電
圧終端負荷（いわゆるダミーロード）を作ることができ
る。

結論として、本発明は、大電力を消費しなければならな
い場合に有利に使うことのできる広帯域無反射ライン終
端を創造したと言うことができる。

明らかに、以上の記述内容から本発明を色々に修正、変
形することができる。従って、特許請求の範囲の欄の記
載内容の範囲内で、本発明を、本書に詳しく記載した態
様以外の態様で実施することができるということが理解
されなければならない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ＥＭＩ試験電子設備用の装置を示す。第２図は、従来技術のライン終端を示す。第３図は、本発明のライン終端を示す。第４図は、別々の抵抗のネットワークの形のライン終端
を示す。図中符号：　　１　　外部導体２　　給電ウェッジ３　　同軸ケーブル４　　内部導体５　　　ＲＦ吸収体ｅ　　　ＲＦ点吸収体７　　ライン終端ｄＲ／ｄｔ　　抵抗輪郭Ｔ　　移行領域ＦＩｏ、１ＦＩＧ、２ＦＩＧ、３ＦＩＧ、４

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ＴＥＭ伝送路の無反射終端であって、ＴＥＭ波が
内部導体（４）及び外部導体（１）中を伝導されて、該
ＴＥＭ伝送路の一端部で、場のエネルギーを吸収するＲ
Ｆ吸収体（５）と、ＴＥＭ波の、伝送路内を案内された
エネルギーを吸収するオームライン終端（７）とによっ
て吸収されるように成っており、ａ）該ライン終端（７）を内部導体（４）により決まる
平面内に且つ波の方向に位置させ、ｂ）内部導体（４）
において漸進的、且つ連続的な減衰を生じさせるオーム
抵抗として該ライン終端（７）を構成し、ｃ）ＲＦ吸収体（５）により該ライン終端（７）に付加
された容量負荷を局所的に補償することを特徴とするＴ
ＥＭ伝送路の無反射終端。
（２）該ＴＥＭ伝送路は閉鎖型ＴＥＭ伝送路であること
を特徴とする請求項１に記載のＴＥＭ伝送路の無反射終
端。
（３）該ＴＥＭ伝送路は開放型ＴＥＭ伝送路であること
を特徴とする請求項１に記載のＴＥＭ伝送路の無反射終
端。
（４）該ライン終端（７）は、抵抗層を持った支持板か
ら成ることを特徴とする請求項１に記載のＴＥＭ伝送路
の無反射終端。
（５）該ライン終端は別々の抵抗器のネットワークから
成ることを特徴とする請求項１に記載のＴＥＭ伝送路の
無反射終端。
（６）該抵抗層はグラファイトから成り、場所に依存す
る厚みを呈することを特徴とする請求項４に記載のＴＥ
Ｍ伝送路の無反射終端。
（７）該支持板は繊維強化プラスチック板であることを
特徴とする請求項４に記載のＴＥＭ伝送路の無反射終端
。
（８）該ライン終端は繊維強化プラスチック板から成る
ことを特徴とする請求項１に記載のＴＥＭ伝送路の無反
射終端。
（９）該ライン終端は、同時に、ＴＥＭ波の伝播方向を
横切る電流分布と整合する抵抗輪郭を示すことを特徴と
する請求項１に記載のＴＥＭ伝送路の無反射終端。
（１０）ＲＦ点吸収体（６）を持った場整合・球形キャ
ップ状ＲＦ吸収体（５）で終端し、ライン終端（７）を
持った板状内部導体（４）を有する、ピラミッド状に広
がるＴＥＭ伝送路によるＥＭＩ試験電子設備用の装置で
あって、ａ）該ライン終端（７）を内部導体（４）により決まる
平面内に且つ波の方向に位置させ、ｂ）内部導体（４）
において漸進的、且つ連続的な減衰を生じさせるオーム
抵抗として該ライン終端（７）を構成し、ｃ）ＲＦ吸収体（５）により該ライン終端（７）に付加
された容量負荷を局所的に補償することを特徴とする装
置。