JPH02145947A - イオン散乱分光装置 - Google Patents
イオン散乱分光装置Info
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- JPH02145947A JPH02145947A JP63299294A JP29929488A JPH02145947A JP H02145947 A JPH02145947 A JP H02145947A JP 63299294 A JP63299294 A JP 63299294A JP 29929488 A JP29929488 A JP 29929488A JP H02145947 A JPH02145947 A JP H02145947A
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- ion
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- 238000004969 ion scattering spectroscopy Methods 0.000 title claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 40
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 17
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 7
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 abstract description 2
- 102100027340 Slit homolog 2 protein Human genes 0.000 description 11
- 101710133576 Slit homolog 2 protein Proteins 0.000 description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〉
本発明は同軸型Km突イオン散乱分光装置に関する。
(従来の技術)
一定速度のイオン或は中性粒子を試料に照射すると、試
料に入射した粒子の中には試料構成原子と衝突して反撥
されるものがあり、入射方向に反撥される粒子の運動の
エネルギーは衝突した原子のatに関係するので、反撥
された粒子の運動エネルギーを測定することにより試料
分析を行うことができる。この原理に基(分析装置とし
て従来から第2因に示すよろな同軸型面衝突イオン散乱
分光装置が用いられている。この図で1はイオン源であ
り、一定電圧で加速されたイオンビームBを形成する。
料に入射した粒子の中には試料構成原子と衝突して反撥
されるものがあり、入射方向に反撥される粒子の運動の
エネルギーは衝突した原子のatに関係するので、反撥
された粒子の運動エネルギーを測定することにより試料
分析を行うことができる。この原理に基(分析装置とし
て従来から第2因に示すよろな同軸型面衝突イオン散乱
分光装置が用いられている。この図で1はイオン源であ
り、一定電圧で加速されたイオンビームBを形成する。
2はスリットでその後に入射粒子検出器3が配置されて
いる。検出器3にはスリット2の開口と一致させて開口
が設けてあって、イオンビームが通過するようにしであ
る。Sは試料でスリット2.検出器3を通過したイオン
ビームBが入射する。試料Sで入射方向とはV反対向き
に反撥されたイオンが検出器3に入射して検出される。
いる。検出器3にはスリット2の開口と一致させて開口
が設けてあって、イオンビームが通過するようにしであ
る。Sは試料でスリット2.検出器3を通過したイオン
ビームBが入射する。試料Sで入射方向とはV反対向き
に反撥されたイオンが検出器3に入射して検出される。
この反撥されたイオンの運動エネルギーの分析は飛行時
間型エネルギー分析法で行われる。即ち入射イオンをパ
ルス状に変調すると、反撥されたイオンもパルス状に変
調されているが、反射された時点から検出器3に到達す
るまでの時間はエネルギー即ち速度によって異り、エネ
ルギーの大なる粒子程早(検出器に到達するので、粒子
が検出されるまでの時間差によりエネルギー分析を行う
。このエネルギー分析法は、電場を用いる荷電粒子エネ
ルギー分析法が荷電粒子のエネルギースペクトル像を形
成し、スリット上でこのスペクトル像を移動させて一部
の粒子のみを検出してエネルギースペクトルの測定を行
うのと異り、分析装置に入射した全粒子を検出してエネ
ルギスペクトル測定を行うので、高感度が得られると云
う特徴があり、また測定できる対象が荷電粒子だけでな
く中性粒子も測定できると云う特徴がある反面、中性粒
子も測定できることによって直衝突型イオン散乱分光分
析においては次のような問題がある。
間型エネルギー分析法で行われる。即ち入射イオンをパ
ルス状に変調すると、反撥されたイオンもパルス状に変
調されているが、反射された時点から検出器3に到達す
るまでの時間はエネルギー即ち速度によって異り、エネ
ルギーの大なる粒子程早(検出器に到達するので、粒子
が検出されるまでの時間差によりエネルギー分析を行う
。このエネルギー分析法は、電場を用いる荷電粒子エネ
ルギー分析法が荷電粒子のエネルギースペクトル像を形
成し、スリット上でこのスペクトル像を移動させて一部
の粒子のみを検出してエネルギースペクトルの測定を行
うのと異り、分析装置に入射した全粒子を検出してエネ
ルギスペクトル測定を行うので、高感度が得られると云
う特徴があり、また測定できる対象が荷電粒子だけでな
く中性粒子も測定できると云う特徴がある反面、中性粒
子も測定できることによって直衝突型イオン散乱分光分
析においては次のような問題がある。
即ちイオン源から放射される粒子はイオンだけでな(、
イオン源で生成されたイオンが中性ガス分子と反応して
中性化され、このような中性粒子がイオンビームに混じ
っている。イオンビーム中の中性粒子はパルス変調を受
けないから、飛行時間型エネルギー分析法ではバックグ
ラウンドを強める。また試料に衝突した入射イオンが反
撥される際多(は中性化する。反撥粒子においてイオン
と中性粒子とは異る分析情報を持っているものとして区
別して扱うべきであるが、これを混合したま\で検出し
ているときはエネルギースペクトル分解能を低下させる
ことになる。このため従来はデフレクタを用い、それに
高周波電源を印加して試料からの散乱イオンを除き中性
粒子のみを検出すると云うようなことが行われていたが
、実際上数KV、数100KHzと云う高圧高周波電源
が必要であって、技術的に製作困難で甚だ高価なものと
なる。
イオン源で生成されたイオンが中性ガス分子と反応して
中性化され、このような中性粒子がイオンビームに混じ
っている。イオンビーム中の中性粒子はパルス変調を受
けないから、飛行時間型エネルギー分析法ではバックグ
ラウンドを強める。また試料に衝突した入射イオンが反
撥される際多(は中性化する。反撥粒子においてイオン
と中性粒子とは異る分析情報を持っているものとして区
別して扱うべきであるが、これを混合したま\で検出し
ているときはエネルギースペクトル分解能を低下させる
ことになる。このため従来はデフレクタを用い、それに
高周波電源を印加して試料からの散乱イオンを除き中性
粒子のみを検出すると云うようなことが行われていたが
、実際上数KV、数100KHzと云う高圧高周波電源
が必要であって、技術的に製作困難で甚だ高価なものと
なる。
〈発明が解決しようとするrf!題)
本発明は飛行時間型エネルギー分析法を用いた直衝突イ
オン散乱分光装置で簡単にイオンと中性粒子とを分離す
ることを目的とする。
オン散乱分光装置で簡単にイオンと中性粒子とを分離す
ることを目的とする。
(課題を解決するための手段)
イオン源を装置の中心軸から外れた位置に配置し、試料
と粒子検出器との間にデフレクタを設けて直流電圧を印
加し、イオン源から放射される粒子ビーム中のイオン成
分を上記デフレクタで偏向させて試料に入射するように
し、試料から入射イオンと反対方向に反撥される粒子中
イオンは上記デフレクタで偏向させ、中性粒子のみ検出
器に入射させるようにした。
と粒子検出器との間にデフレクタを設けて直流電圧を印
加し、イオン源から放射される粒子ビーム中のイオン成
分を上記デフレクタで偏向させて試料に入射するように
し、試料から入射イオンと反対方向に反撥される粒子中
イオンは上記デフレクタで偏向させ、中性粒子のみ検出
器に入射させるようにした。
(作用)
試料に入射させる粒子ビームの途中にデフレクタを配置
し、直流電場を形成することでイオンのみを試料を入射
させることができる。また試料から入射ビームと反対方
向に反撥された粒子もデフレクタの間を通ることになる
が、このときイオンが偏向されて除去されるので中性粒
子のみが検出される。入射粒子から中性粒子が除しかれ
ることで測定出力におけるバックグラウンドが低下する
。試料にイオンを入射させたとき反撥された粒子は中性
化したものが主であるが、反撥イオンが除去されている
ので、この中性粒子のみのエネルギースペクトルを正羅
に測定することができる。
し、直流電場を形成することでイオンのみを試料を入射
させることができる。また試料から入射ビームと反対方
向に反撥された粒子もデフレクタの間を通ることになる
が、このときイオンが偏向されて除去されるので中性粒
子のみが検出される。入射粒子から中性粒子が除しかれ
ることで測定出力におけるバックグラウンドが低下する
。試料にイオンを入射させたとき反撥された粒子は中性
化したものが主であるが、反撥イオンが除去されている
ので、この中性粒子のみのエネルギースペクトルを正羅
に測定することができる。
(実施例)
第1図に本発明の一実施例を示す。図で1はイオン源、
2はスリット、3は粒子検出器、でSが試料であり、0
は試料面におけるイオンビーム照射点である。この照射
点Oとスリット2の開口中心を結ぶ直線Axが装置の中
心軸で、イオン源1はこの中心線Axより少し離れた位
置で放射する粒子ビームBがスリット2の開口を通るよ
うに配置しである。検出器3はスリット2の背後に配置
され、スリット2の開口に合せて中心に開口が設けてあ
り、イオンビームBが通過するようにしてあり、図で右
方から入射する粒子を検出する。4はデフレクタでスリ
ット2を通過したビームをはさんで対向された2枚の電
極板の間に直流電圧を印加しである。この構成によりス
リット2を通過した粒子ビーム中イオン成分が図実線の
ように曲げられて試料S上の0点に入射するようにしで
ある。中性粒子はデフレクタで曲げられず直進するので
試料Sに入射しない。この場合試料Sに入射するイオン
は高エネルギーであるからデフレクタ4による偏向角2
θは小さく、入射ビームと装置中心軸Axとのなす角θ
も小さく、入射粒子と装置中心軸Axを中心に小さな角
範囲に散乱される粒子とは方向がぼり反対でこれらの散
乱粒子は試料原子との直衝突によるものとみなすことが
できる。これらの散乱粒子は入射粒子に比しエネルギー
が低(なっているので散乱粒子中のイオン成分はデフレ
クタ4で固点線iのように大きく曲げられ粒子検出器3
に入射することができず、試料から直衝突により散乱さ
れた粒子中の中性粒子のみが検出されることになる。
2はスリット、3は粒子検出器、でSが試料であり、0
は試料面におけるイオンビーム照射点である。この照射
点Oとスリット2の開口中心を結ぶ直線Axが装置の中
心軸で、イオン源1はこの中心線Axより少し離れた位
置で放射する粒子ビームBがスリット2の開口を通るよ
うに配置しである。検出器3はスリット2の背後に配置
され、スリット2の開口に合せて中心に開口が設けてあ
り、イオンビームBが通過するようにしてあり、図で右
方から入射する粒子を検出する。4はデフレクタでスリ
ット2を通過したビームをはさんで対向された2枚の電
極板の間に直流電圧を印加しである。この構成によりス
リット2を通過した粒子ビーム中イオン成分が図実線の
ように曲げられて試料S上の0点に入射するようにしで
ある。中性粒子はデフレクタで曲げられず直進するので
試料Sに入射しない。この場合試料Sに入射するイオン
は高エネルギーであるからデフレクタ4による偏向角2
θは小さく、入射ビームと装置中心軸Axとのなす角θ
も小さく、入射粒子と装置中心軸Axを中心に小さな角
範囲に散乱される粒子とは方向がぼり反対でこれらの散
乱粒子は試料原子との直衝突によるものとみなすことが
できる。これらの散乱粒子は入射粒子に比しエネルギー
が低(なっているので散乱粒子中のイオン成分はデフレ
クタ4で固点線iのように大きく曲げられ粒子検出器3
に入射することができず、試料から直衝突により散乱さ
れた粒子中の中性粒子のみが検出されることになる。
イオン源1とスリット2との間において5はチョッパで
パルス変調器6により印加される信号によってイオン源
1から放射されるビームBを周期的に撮る。撮られたビ
ームBが丁度スリット2の開口を通るときだけ、ビーム
Bがスリット2の開口を通るので、試料Sを照射するビ
ームがパルス変調される。タイミング回路7はパルス変
換器6のパルス信号と同期して時間波高変換回路8の動
作をスタートさせ、粒子3による粒子検出信号が出力さ
れたときの時間波高変換回路8の出力電圧によって試料
Sから反撥された粒子の検出器3への到達時刻が測定さ
れ、検出器3に入射する粒子の時間スペクトル即ちエネ
ルギースペクトルが測定される。測定結果はCPU9に
より処理されて表示される。
パルス変調器6により印加される信号によってイオン源
1から放射されるビームBを周期的に撮る。撮られたビ
ームBが丁度スリット2の開口を通るときだけ、ビーム
Bがスリット2の開口を通るので、試料Sを照射するビ
ームがパルス変調される。タイミング回路7はパルス変
換器6のパルス信号と同期して時間波高変換回路8の動
作をスタートさせ、粒子3による粒子検出信号が出力さ
れたときの時間波高変換回路8の出力電圧によって試料
Sから反撥された粒子の検出器3への到達時刻が測定さ
れ、検出器3に入射する粒子の時間スペクトル即ちエネ
ルギースペクトルが測定される。測定結果はCPU9に
より処理されて表示される。
(発明の効果)
本発明によれば、イオン源を装置の中心軸よりずらせて
配置することでデフレクタに直流電圧を印加してお(た
けでよいから高圧高周波電源が不要となり、試料を照射
する粒子ビームおよび試料から散乱される粒子をイオン
と中性粒子とに分離し、イオンのみによる照射、中性粒
子のみの検出が行われることによって散乱粒子のエネル
ギー分解能が向上し、イオンと中性粒子上を区別して検
出できるので、試料の構造解析をより詳細に行うことが
できる。
配置することでデフレクタに直流電圧を印加してお(た
けでよいから高圧高周波電源が不要となり、試料を照射
する粒子ビームおよび試料から散乱される粒子をイオン
と中性粒子とに分離し、イオンのみによる照射、中性粒
子のみの検出が行われることによって散乱粒子のエネル
ギー分解能が向上し、イオンと中性粒子上を区別して検
出できるので、試料の構造解析をより詳細に行うことが
できる。
第1図は本発明の一実施例装置の構成を示すブロック図
、第2図は従来例を説明する図である。 1・・・イオン源、2・・・スリット、3・・・検出器
、S・・・試料、4・・・デフレクタ、5・・・チョッ
パ、6・・・パルス変調器、7・・・タイミング回路、
8・・・時間電圧変換回路、9・・・CPU。 11IA 代理人 弁理士 縣 浩 介 112図
、第2図は従来例を説明する図である。 1・・・イオン源、2・・・スリット、3・・・検出器
、S・・・試料、4・・・デフレクタ、5・・・チョッ
パ、6・・・パルス変調器、7・・・タイミング回路、
8・・・時間電圧変換回路、9・・・CPU。 11IA 代理人 弁理士 縣 浩 介 112図
Claims (1)
- イオン源を装置の中心軸から外した位置において、出射
イオンビームが中心軸上に置かれたスリットを通過する
ように配置し、上記中心軸上において上記スリット後方
に粒子検出器を配置し、この検出器と試料との間におい
て、上記イオンビームをはさむようにデフレクタを配置
し、このデフレクタにより上記イオンビームが上記中心
軸と試料面との交点で試料面に入射するようにイオンビ
ームを偏向させ、試料から散乱される粒子のうち上記デ
フレクタの間を通過したものが粒子検出器に入射するよ
うにした、飛行時間型エネルギー分析器を備えたイオン
散乱分光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63299294A JPH02145947A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | イオン散乱分光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63299294A JPH02145947A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | イオン散乱分光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02145947A true JPH02145947A (ja) | 1990-06-05 |
JPH0427665B2 JPH0427665B2 (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17870666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63299294A Granted JPH02145947A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | イオン散乱分光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02145947A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04334857A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-20 | Shimadzu Corp | 直衝突イオン散乱分光装置 |
WO2003095997A3 (en) * | 2002-05-13 | 2004-03-18 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for separating primary and secondary charged particle beams |
US7842933B2 (en) | 2003-10-22 | 2010-11-30 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for measuring overlay errors |
US7847267B2 (en) | 2003-07-30 | 2010-12-07 | Applied Materials Israel, Ltd. | Scanning electron microscope having multiple detectors and a method for multiple detector based imaging |
-
1988
- 1988-11-26 JP JP63299294A patent/JPH02145947A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04334857A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-20 | Shimadzu Corp | 直衝突イオン散乱分光装置 |
WO2003095997A3 (en) * | 2002-05-13 | 2004-03-18 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for separating primary and secondary charged particle beams |
US7847267B2 (en) | 2003-07-30 | 2010-12-07 | Applied Materials Israel, Ltd. | Scanning electron microscope having multiple detectors and a method for multiple detector based imaging |
US7842933B2 (en) | 2003-10-22 | 2010-11-30 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for measuring overlay errors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0427665B2 (ja) | 1992-05-12 |
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