JPH02144741A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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JPH02144741A
JPH02144741A JP63299953A JP29995388A JPH02144741A JP H02144741 A JPH02144741 A JP H02144741A JP 63299953 A JP63299953 A JP 63299953A JP 29995388 A JP29995388 A JP 29995388A JP H02144741 A JPH02144741 A JP H02144741A
Authority
JP
Japan
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data
address
pointer
read
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP63299953A
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English (en)
Inventor
Masumi Nakao
真澄 中尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63299953A priority Critical patent/JPH02144741A/ja
Publication of JPH02144741A publication Critical patent/JPH02144741A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は半導体記憶装置に関し、特にポインタによるデ
ータアクセスに適した半導体記憶装置に関する。
[従来の技術] 近年、ソフトウェアの高速動作を図るため、ポインタ型
データ構造が使用されている。
これは、C,PASCAL等のプログラミング言語で可
能であり、ハードウェアの側面から見ると、従来からあ
る間接アドレスにあたる。つまり、データの一部又は全
部のビットを別のデータの番地と見なし、最終的に真の
データを示す方法である。
第4図にデータとして1語32ビツトで第8〜31ビツ
トをアドレス部、第7ビツトをポインタフラッグとする
例を示す。
この例では第7ビツト目から「1」 (オンと言う)の
場合にはそのデータ(語)はポインタを含むことを意味
する。すなわち、第4図のポインタの使用例を表す第5
図に示すように、ポインタを含むm番地のデータのアド
レス部に基づいてn番地のデータにジャンプし、更に、
ポインタを含むn番地のデータのアドレス部に基づいて
n+2番地のデータにジャンプし、真のデータ(n+2
)番地を読み出す。
第3図に従来の半導体記憶装置のブロック図を示す。こ
こで、行デコーダ1及び列デコーダ2はアドレス人力バ
ス3からの外部アドレス入力によりそれぞれメモリセル
アレイ4の行及び列を選択する。スイッチング回路5は
列デコーダ2により選択された列と人出力バス6との接
続を行う。W■は制御信号線7を介して入出力増幅回路
8に人力される読み出し;書き込みの制御信号であり、
WEは低電位でメモリチップへのデータ書き込みを意味
する。人出力増幅回路8は書き込み時には人出力線9を
介して入力する入出力端子10(必ずしも一端子ではな
い。)のデータを増幅して、これを入出力バス6へ出力
する一方、読み出し時には人出力バス6のデータを入出
力端子IOへ増幅して出力する。尚、位相調節のための
クロ・ンクパルス、チップ選択信号(チップセレクト)
及び単なる増幅回路は省略しである。
従来の計算機におけるポインタを介したデータの読み出
しは、ポインタを含むデータを中央処理装置(以後CP
Uと略す。)に読み出しポインタであることの判定とア
ドレス部の取り出しを行い、このアドレス部で示す番地
のデータを読み出すという手順で行う。従って、CPU
の動作周波数が25MH2(サイクル時間40nsec
)、半導体記憶装置のサイクル時間が50 n s e
 c程度とすると、ポインタを1回介してデータを読み
出すと180nsec、ポインタを2回介する場合では
270nsec必要となる。このようにポインタを介す
るとその回数にほぼ比例して読み出し時間が増加する。
[発明が解決しようとする問題点] 上述した従来の半導体記憶装置は、ポインタを介してデ
ータの読み出しを行うと、ポインタをその都度CPUへ
読み込んでポインタであることを判定し、アドレス部の
取り出しを行い、そのアドレス部の示す番地のデータ読
み出しを行うという手順を繰り返して行うための、ポイ
ンタを介する回数が多くなると大幅に読み出し時間が増
加するという欠点がある。
[発明の従来技術に対する相違点] 上述した従来の半導体記憶装置に対し、本発明はポイン
タをCPUに読み込み、アドレス部を取り出す必要がな
いという相違点を有する。
従って、本発明はポインタによるデータアクセスにおい
てアクセス時間の増加を効果的に抑えることを実現した
半導体記憶装置を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 本願の第1の発明に係る半導体記憶装置はメモリセルア
レイと人出力増幅回路との間の入出力データバスに接続
されて該メモリセルアレイからの読出データを保持する
保持回路と、前記保持回路に保持された前記読出データ
中のポインタビットを判断する判断回路と、前記判断回
路による判断で前記読出データ中にポインタを含む場合
には前記メモリセルアレイの該読出データ中のアドレス
部が示す番地からデータを読み出させる再アドレス回路
、とを備えたことを特徴とする。
また、本願の第2の発明に係る半導体記憶装置は、メモ
リセルアレイと人出力増幅回路との間の入出力データバ
スに接続されて該メモリセルアレイからの読出データを
保持する保持回路と、前記保持回路に保持された前記読
出データ中のポインタビットを判断する判断回路と、前
記読出データ中のアドレス部が示す番地が前記メモリセ
ルアレイを有するチップのアドレス範囲であるかを比較
する比較回路と、前記判断回路及び前記比較回路による
判断で前記読出データ中にポインタを含み且つ該読出デ
ータ中のアドレス部が示す番地が前記メモリチップのア
ドレス範囲である場合には当該チップが有するメモリセ
ルアレイの前記読出データ中のアドレス部が示す番地か
らデータを読み出させる再アドレス回路、とを備えたこ
とを特徴とする。
すなわち、本発明の半導体記憶装置は、ポインタを含む
データをCPUに読み出してポインタであることの判定
、アドレス部の取り出しといった動作を行うことなく、
ポインタフラッグでそのデータがポインタであることを
判定し、ポインタの場合にはポインタの示す番地をアド
レスとしてデータを直接読み出す回路を有している。
[実施例コ 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体記憶装置のブロ
ック図である。
メモリセルアレイ4に接続したスイッチング回路5と入
出力端子■0に接続した人出力増幅回路8との間を入出
力バス6が接続しており、この入出力バス6に接続した
データ保持回路11は人出力バス6のデータを保持する
。保持回路11に接続した2次アドレスバス12は保持
されたデータ中のアドレス部に対応する信号バス線であ
り、保持回路11に接続したポインタフラッグ線13は
保持されたデータ中のポインタフラッグに対応する信号
線である。ポインタフラッグ線13及びW■制御線7が
接続されてこれらからの入力を受けるNAND回路14
はデータ中のポインタビット及びWπ信号を判断して、
ポインタビットが「1」且つWπ信号が「1」 (読み
出し)の場合にのみ出力端に接続した選択信号線15へ
「0」信号を出力する。選択信号線15に接続したマル
チプレクサ16はチップのアドレスとして外部からのア
ドレス人力バス3か、2次アドレスバス12を選択する
回路であり、選択信号線15が低電位(つまり「0」)
で2次アドレスバス12を選択するものとする(以後、
正論理で説明する)。
上記の構成において、Wπが読み出しくつまり高電位「
1」)でメモリセルアレイ4からの最初の読み出しデー
タ中のポインタフラッグが「1」であるときには、マル
チプレクサ16は2次アドレスバス12を選択し、次の
サイクルでは2次アドレスバス12からのアドレス(つ
まり最初の読み出しデータ中のアドレス部)がメモリセ
ルアレイ4のアドレスとして選択される。そして、この
動作を、読み出したデータのポインタビットが「0」と
なるまで繰り返し、真のデータを人出力増幅回路8を介
して入出力端子IOから出力する。
すなわち、ポインタフラッグが「0」になるまてメモリ
データをいちいち半導体装置の外部へ読み出すことなく
、最終のデータのみを外部に読み出すことが可能である
。この場合、外部データ読み出しを行うまで入出力増加
回路8を動作する必要がないため、サイクル時間は従来
の172程度とすることが可能である。すなわち、ポイ
ンタを2回介した読み出しは従来の270nsecに対
して、100n s e cとなる(内部処理25ns
e02回、最終出力50nsec)。
第2図は本発明の他の一実施例の半導体記憶装置のブロ
ック図である。本実施例はメモリを複数の子ンブて構成
する場合の例であり、第1図に示した実施例と下記のよ
うな相違がある。
第2図中の最小アドレスレジスタ17、最大アドレスレ
ジスタ18はメモリセルアレイ4を形成したチップの最
小アドレス、最大アドレスをそれぞれ1呆持するレジス
タである。
最小アドレスレジスタ17、最大アドレスレジスタ18
及び2次アドレスバス12から入力を受ける比較回路1
9は2次アドレスがこのチップ内のアドレス範囲なら「
1」を出力するものであり、その出力をNAND回路1
4及びフラッグ端子へ出力する。2次アドレスバス12
中に介装された減算回路20は2次アドレスからチップ
内の最小アドレスを減算し、減算後の2次アドレス(チ
ップ内番地)をマルチプレクサ16に出力する。実際は
最小、最大アドレスが2の累乗で且つチップ内番地がア
ドレス内の下位を占めるので、例として、アドレス部2
4ビット、チップが256に語ならアドレス部の下位1
8ビツトを取り出すだけでよい。
本実施例においても、ポインタが「0」になるまでデー
タを外部へ読み出すことなく、最終のデータのみを人出
力増幅回路8を通して外部へ読み出す。そして、ポイン
タを含むデータで示されるアドレスが当該チップのアド
レス範囲外である場合にはフラッグ端子には「1」が出
力されると共に、入出力端子10にはポインタを含むデ
ータが出力される。従って、これら出力を他のチップで
受けて処理するようにすれば、ポインタがチップ内のア
ドレス範囲内でない時も対応できるため、複数のチップ
で構成することができる効果がある。
[発明の効果] 以上説明したように本発明は、データ読み出し時に、デ
ータ中のポインタフラッグビットが「1」である限り、
このデータのアドレス部で示す番地を直接読むようにし
たため、ポインタを介してのデータ読み出しにおいて、
CPUでポインタを含むデータの読み出し及びポインタ
であることの判定を行う必要がなく、ポインタを介した
データの読み出しが高速化できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す半導体記憶装置のブロ
ック図、第2図は本発明の他の一実施例を示す半導体記
憶装置のブロック図、第3図は従来の半導体記憶装置の
ブロック図、第4図はデータ(1語)の説明図、第5図
はポインタの使用例の説明図である。 4 ・ 6 ・ 8 ・ メモリセルアレイ、 入出力データバス、 人出力増幅回路、 データ保持回路、 NAND回路(判断回路)、 マルチプレクサ(再アドレス回路)、 比較回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)メモリセルアレイと入出力増幅回路との間の入出
    力データバスに接続されて該メモリセルアレイからの読
    出データを保持する保持回路と、前記保持回路に保持さ
    れた前記読出データ中のポインタビットを判断する判断
    回路と、前記判断回路による判断で前記読出データ中に
    ポインタを含む場合には前記メモリセルアレイの該読出
    データ中のアドレス部が示す番地からデータを読み出さ
    せる再アドレス回路、とを備えたことを特徴とする半導
    体記憶装置。
  2. (2)メモリセルアレイと入出力増幅回路との間の入出
    力データバスに接続されて該メモリセルアレイからの読
    出データを保持する保持回路と、前記保持回路に保持さ
    れた前記読出データ中のポインタビットを判断する判断
    回路と、前記読出データ中のアドレス部が示す番地が前
    記メモリセルアレイを有するチップのアドレス範囲であ
    るかを比較する比較回路と、前記判断回路及び前記比較
    回路による判断で前記読出データ中にポインタを含み且
    つ該読出データ中のアドレス部が示す番地が前記メモリ
    チップのアドレス範囲である場合には当該チップが有す
    るメモリセルアレイの前記読出データ中のアドレス部が
    示す番地からデータを読み出させる再アドレス回路、と
    を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
JP63299953A 1988-11-28 1988-11-28 半導体記憶装置 Pending JPH02144741A (ja)

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JP63299953A JPH02144741A (ja) 1988-11-28 1988-11-28 半導体記憶装置

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JP63299953A JPH02144741A (ja) 1988-11-28 1988-11-28 半導体記憶装置

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ID=17878955

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63299953A Pending JPH02144741A (ja) 1988-11-28 1988-11-28 半導体記憶装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5259241A (en) * 1990-05-22 1993-11-09 Japan Electronic Control Systems Co., Ltd. Display unit for displaying the output of a vehicle engine

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5259241A (en) * 1990-05-22 1993-11-09 Japan Electronic Control Systems Co., Ltd. Display unit for displaying the output of a vehicle engine

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