JPH02143998A - プログラマブルrom - Google Patents
プログラマブルromInfo
- Publication number
- JPH02143998A JPH02143998A JP63296290A JP29629088A JPH02143998A JP H02143998 A JPH02143998 A JP H02143998A JP 63296290 A JP63296290 A JP 63296290A JP 29629088 A JP29629088 A JP 29629088A JP H02143998 A JPH02143998 A JP H02143998A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- write
- storage area
- rom
- control means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明はプログラマブルROM、特にデータの書き替え
を簡単に行なうことが出来るプログラマブルROMに関
する。
を簡単に行なうことが出来るプログラマブルROMに関
する。
〔従来の技術]
データの書き込みを自由に行なうことが出来るプログラ
マブルROM (以下P−ROMという)には、記憶領
域の書き込みデータを、紫外線の照射により消去するU
VEP−ROMと、高電圧或いは負電圧の印加により消
去するEEI”−ROMとがある。いずれの方式のP−
ROMにおいても、記憶領域に書き込まれているデータ
を消去して新たな更新データに書き替えることが出来る
。
マブルROM (以下P−ROMという)には、記憶領
域の書き込みデータを、紫外線の照射により消去するU
VEP−ROMと、高電圧或いは負電圧の印加により消
去するEEI”−ROMとがある。いずれの方式のP−
ROMにおいても、記憶領域に書き込まれているデータ
を消去して新たな更新データに書き替えることが出来る
。
従って、例えば装置の制?11部に組み込まれているマ
イコンのROMに書き込まれているプログラムのデータ
を、新たなプログラムのデータに書き替えることにより
、装置に新しい動作を行わせることが出来る。
イコンのROMに書き込まれているプログラムのデータ
を、新たなプログラムのデータに書き替えることにより
、装置に新しい動作を行わせることが出来る。
〔発明が解決しようとする課題]
前述のように装置の制御部に組み込まれているマイコン
のROMののき替えを行う場合を例にとると、装置の制
御部に組み込まれているマイコン部分の基板を、半田付
をはずすなどの処理をして制御部から先ず取り外すこと
が必要である。
のROMののき替えを行う場合を例にとると、装置の制
御部に組み込まれているマイコン部分の基板を、半田付
をはずすなどの処理をして制御部から先ず取り外すこと
が必要である。
次いで、制御部から取り外した基板のROMについて、
UVEP−ROMの場合には紫外線の照射により、E
E P’−ROMの場合には高電圧或いは負電圧の印加
により、記憶領域の書き込みデータを消去する。そして
、例えばROMライターを使用して、新たな更新データ
がP−ROMに書き込まれ、記憶領域のデータの書き替
えが完了する。
UVEP−ROMの場合には紫外線の照射により、E
E P’−ROMの場合には高電圧或いは負電圧の印加
により、記憶領域の書き込みデータを消去する。そして
、例えばROMライターを使用して、新たな更新データ
がP−ROMに書き込まれ、記憶領域のデータの書き替
えが完了する。
このように、装置の制御部に組み込まれているマイコン
部分を、半田付をはずすなどの煩雑な作業を行なって取
り外すことが必要で、P−ROMのデータの書き替えは
、従来円滑且つ迅速に行なわれるものではなかった。
部分を、半田付をはずすなどの煩雑な作業を行なって取
り外すことが必要で、P−ROMのデータの書き替えは
、従来円滑且つ迅速に行なわれるものではなかった。
本発明は、前述したようなP−ROMのデータの書き替
えの現状に鑑みてなされたものであり、その目的はマイ
コン部分を装置に装着されたままの状態として、そのP
−ROMの記憶領域に対するデータの書き替えを行なう
ことが出来るP−ROMを提供することにある。
えの現状に鑑みてなされたものであり、その目的はマイ
コン部分を装置に装着されたままの状態として、そのP
−ROMの記憶領域に対するデータの書き替えを行なう
ことが出来るP−ROMを提供することにある。
〔課題を解決するための手段]
前記目的を達成するために、本発明は記憶領域の書き込
みデータを、新たな更新データに書き替えることが出来
るプログラマブルROMにおいて、シリアルパラレル変
換器でシリアルデータに変換された更新データが入力さ
れる書き込み制御手段と、前記書き込みデータの消去後
に、前記書き込み制御手段を書き込みモードに設定し、
前記更新データを前記書き込み制御手段から出力させ、
書き込みビン端子から前記プログラマブルROMに入力
させ、所定の記憶領域に占き込ませるモード設定手段と
を有する構成となっている。
みデータを、新たな更新データに書き替えることが出来
るプログラマブルROMにおいて、シリアルパラレル変
換器でシリアルデータに変換された更新データが入力さ
れる書き込み制御手段と、前記書き込みデータの消去後
に、前記書き込み制御手段を書き込みモードに設定し、
前記更新データを前記書き込み制御手段から出力させ、
書き込みビン端子から前記プログラマブルROMに入力
させ、所定の記憶領域に占き込ませるモード設定手段と
を有する構成となっている。
本発明のP−ROMでは、P−ROMを含むマイコンが
装置に装着されたままの状態で、UVEP−ROMの場
合には紫外線の照射により、EEP−ROMの場合には
高電圧或いは負電圧の印加により、記憶領域の書き込み
データが消去される。
装置に装着されたままの状態で、UVEP−ROMの場
合には紫外線の照射により、EEP−ROMの場合には
高電圧或いは負電圧の印加により、記憶領域の書き込み
データが消去される。
次いで、書き込み制御手段の入力端子にデータ出力端子
が接続され、P−ROMのアドレスビン端子にアドレス
出力端が接続されているシリアルパラレル変換器に、デ
ータ入力信号とクロック信号とを入力させる。
が接続され、P−ROMのアドレスビン端子にアドレス
出力端が接続されているシリアルパラレル変換器に、デ
ータ入力信号とクロック信号とを入力させる。
この状態で、書き込み制御手段に接続されているモード
設定器を作動させて、書き込み制御手段に書き込みモー
ドの設定をすると、書き込み制j′fII手段から出力
されたシリアルなデータ信号が、FROMの書き込みビ
ン端子P1に入力される。
設定器を作動させて、書き込み制御手段に書き込みモー
ドの設定をすると、書き込み制j′fII手段から出力
されたシリアルなデータ信号が、FROMの書き込みビ
ン端子P1に入力される。
このようにして、P−ROMの書き込みビン端子P1か
ら入力されたデータ信号は、P−ROMのアドレスビン
端子P2から入力されるアドレス信号に対応して、P−
ROMの所定の記憶領域に書き込まれ、装置に装着され
たままの状態で、P−ROMの記憶領域のデータが書き
替えられる。
ら入力されたデータ信号は、P−ROMのアドレスビン
端子P2から入力されるアドレス信号に対応して、P−
ROMの所定の記憶領域に書き込まれ、装置に装着され
たままの状態で、P−ROMの記憶領域のデータが書き
替えられる。
以下、本発明の実施例を第1図を参照して詳細に説明す
る。
る。
第1図は、本発明の実施例の構成を示すブロック図であ
り、同図において1は例えばワンチップ256にビット
のP−ROM、2は書き込み制御回路、3はシリアルパ
ラレル変換器、4はモード設定器である。
り、同図において1は例えばワンチップ256にビット
のP−ROM、2は書き込み制御回路、3はシリアルパ
ラレル変換器、4はモード設定器である。
第1図に示すように、シリアルパラレル変換器3のアド
レス出力端子は、P−ROMIのアドレスビン端子P2
に接続され、シリアルパラレル変換器3のデータ出力端
子は、書き込み制御回路2の入力端子に接続され、書き
込み制御回路2の出力端子が、P−ROMIの書き込み
ビン端子P1に接続されている。
レス出力端子は、P−ROMIのアドレスビン端子P2
に接続され、シリアルパラレル変換器3のデータ出力端
子は、書き込み制御回路2の入力端子に接続され、書き
込み制御回路2の出力端子が、P−ROMIの書き込み
ビン端子P1に接続されている。
そして、書き込み制御回路2のモードを設定するモード
設定器4が、書き込み制御回路2に接続されている。
設定器4が、書き込み制御回路2に接続されている。
次に、実施例の動作を説明する。
更新データの書き替えを行うに際して、P−ROMIが
UVEP−ROM(7)場合には、紫外線の照射により
、EEP−40Mの場合には高電圧或いは負電圧の印加
により、記憶領域の書き込みデータを消去する。
UVEP−ROM(7)場合には、紫外線の照射により
、EEP−40Mの場合には高電圧或いは負電圧の印加
により、記憶領域の書き込みデータを消去する。
次いで、モード設定器4により書き込みモードを設定し
、のき込み制御回路12を書き込みモードで作動させ、
シリアルパラレル変換器3にデータ入力信号とクロック
信号とを入力される。
、のき込み制御回路12を書き込みモードで作動させ、
シリアルパラレル変換器3にデータ入力信号とクロック
信号とを入力される。
シリアルパラレル変換器3のアドレス出、f[を子から
は、例えば15ビツトのアドレス信号A。〜AxがF
ROM“1のアドレスビン端子P2に入力され、P−
ROMIの図示せぬアドレスデコーダによって、所定の
記憶領域が指定される。
は、例えば15ビツトのアドレス信号A。〜AxがF
ROM“1のアドレスビン端子P2に入力され、P−
ROMIの図示せぬアドレスデコーダによって、所定の
記憶領域が指定される。
また、シリアルパラレル変換器3のデータ出力端子から
は、シリアル変換された例えば8ビツトのデータ信号D
0〜D7が書き込み制御回路2に入力される。このデー
タ信号D0〜D7は、書き込み制御回路2からP−RO
MIの書き込みピン端子P1に入力され、アドレス信号
A。−A (4で指定された所定の記憶領域に書き込ま
れる。
は、シリアル変換された例えば8ビツトのデータ信号D
0〜D7が書き込み制御回路2に入力される。このデー
タ信号D0〜D7は、書き込み制御回路2からP−RO
MIの書き込みピン端子P1に入力され、アドレス信号
A。−A (4で指定された所定の記憶領域に書き込ま
れる。
このようにして、実施例によると装置に装着されたまま
の状態で、簡単にP−ROMIの記憶領域に対するデー
タの書き替えを何度でも行なうことが出来る。従って、
装置の駆動プログラムの変更や、ソフトウェア」二の欠
陥(ハゲ)の修正が、簡単且つ迅速に行なわれる。
の状態で、簡単にP−ROMIの記憶領域に対するデー
タの書き替えを何度でも行なうことが出来る。従って、
装置の駆動プログラムの変更や、ソフトウェア」二の欠
陥(ハゲ)の修正が、簡単且つ迅速に行なわれる。
また、P−ROMIに対して装着されている装置の個有
な特性をそれぞれ書き込んで、その装置に個有な特性を
ふまえた制御を行わせるようプログラムの精度修正をす
ることも簡単に行えるようになる。
な特性をそれぞれ書き込んで、その装置に個有な特性を
ふまえた制御を行わせるようプログラムの精度修正をす
ることも簡単に行えるようになる。
書き込み制御回路2、モード設定器4及びシリアルパラ
レル変換器3は、P−ROMIを含むマイコンの基板に
一体に組み込むことが出来るので、装置への装着状態で
特別な占有空間が不要であり、全体もコンパクトで操作
上にも便利で、円滑且つ迅速な操作が行われる。
レル変換器3は、P−ROMIを含むマイコンの基板に
一体に組み込むことが出来るので、装置への装着状態で
特別な占有空間が不要であり、全体もコンパクトで操作
上にも便利で、円滑且つ迅速な操作が行われる。
なお、実施例においてはワンチップ構成のPROMにつ
いて説明したが、本発明は実施例に限定されるのもでな
く、一般に複数チップ構成のFROMに適用することが
出来る。
いて説明したが、本発明は実施例に限定されるのもでな
く、一般に複数チップ構成のFROMに適用することが
出来る。
〔発明の効果]
以上詳細に説明したように、本発明によると、装置への
装着状態のままで、簡単に記憶領域に対するデータの書
き替え或いは新たなデータの書き込みを行なうことが出
来る。
装着状態のままで、簡単に記憶領域に対するデータの書
き替え或いは新たなデータの書き込みを行なうことが出
来る。
第1図は本発明の実施例の構成を示すブロック図である
。 1−〜−−、P −ROM、2・・・−・−書き込み制
御回路、3−−−−−−−シリアルパラレル変換器、4
−・−モード設定器。 第1図
。 1−〜−−、P −ROM、2・・・−・−書き込み制
御回路、3−−−−−−−シリアルパラレル変換器、4
−・−モード設定器。 第1図
Claims (1)
- 記憶領域の書き込みずみデータを、新たな更新データに
書き替えることができるプログラマブルROMにおいて
、シリアルパラレル変換器でシリアルデータに変換され
た更新データが入力される書き込み制御手段と、前記書
き込みデータの消去後に、前記書き込み制御手段を書き
込みモードに設定し、前記更新データを前記書き込み制
御手段から出力させ、書き込みピン端子から前記プログ
ラマブルROMに入力させて所定の記憶領域に書き込ま
せるモード設定手段とを有することを特徴とするプログ
ラマブルROM。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63296290A JPH02143998A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | プログラマブルrom |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63296290A JPH02143998A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | プログラマブルrom |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02143998A true JPH02143998A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17831645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63296290A Pending JPH02143998A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | プログラマブルrom |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02143998A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11507595A (ja) * | 1995-06-16 | 1999-07-06 | アルコア アルミニオ ソシエダッド アノニマ | 高速ロール鋳造法および製品 |
KR20020026642A (ko) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | 박종섭 | 비휘발성 메모리 내장용 엠씨유의 시리얼/패러럴프로그램장치 |
KR100371425B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2003-02-07 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 기억 장치 및 그의 제어 방법 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63296290A patent/JPH02143998A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11507595A (ja) * | 1995-06-16 | 1999-07-06 | アルコア アルミニオ ソシエダッド アノニマ | 高速ロール鋳造法および製品 |
KR100371425B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2003-02-07 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 기억 장치 및 그의 제어 방법 |
KR20020026642A (ko) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | 박종섭 | 비휘발성 메모리 내장용 엠씨유의 시리얼/패러럴프로그램장치 |
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