JPH02140959A - Semiconductor device - Google Patents
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、流動性に優れた封止樹脂により封止された
半導体装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a semiconductor device sealed with a sealing resin having excellent fluidity.
ダイオード、トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素
子は、通常、エポキシ樹脂を主成分とした封止樹脂によ
り樹脂封止され、半導体装置化されている。上記エポキ
シ樹脂は、電気特性２機械特性、耐薬品性等に優れてお
り、かつ安価で経済性にも優れていることから、信軌性
の高い絶縁材料として半導体装置の封止等に広く利用さ
れている。Semiconductor elements such as diodes, transistors, ICs, and LSIs are usually sealed with a sealing resin containing epoxy resin as a main component to form semiconductor devices. The above epoxy resin has excellent electrical properties, mechanical properties, chemical resistance, etc., and is also inexpensive and economical, so it is widely used as an insulating material with high reliability for encapsulation of semiconductor devices, etc. has been done.
また、上記エポキシ樹脂を主成分とする封止樹脂の適用
範囲も、メモリー、マイコン等のＶＬＳ■まで拡大され
、封−止樹脂に対する要求も年を追うごとに厳しくなっ
てきている。最近では、集積度の向上とともに、素子サ
イズの大形化が進む反面、パッケージ形状の小形化、薄
形化が進むようになっており、これに伴って、半導体素
子の封止材料においても、従来以上に冷熱サイクルテス
トにおける封止材料の耐クラツク性が要求されるように
なっている。そして、上記要求に対して従来から、封止
樹脂の低線膨張係数化のために無機質充填剤の配合量を
増加する方法や、低弾性化のため封止樹脂に可撓性を付
与する方法等が検討されている。Furthermore, the scope of application of the sealing resin containing the above-mentioned epoxy resin as a main component has been expanded to include VLS such as memories and microcomputers, and the requirements for the sealing resin are becoming stricter with each passing year. Recently, as the degree of integration has improved, the size of devices has been increasing, while packages have become smaller and thinner. More than ever before, sealing materials are required to have crack resistance in thermal cycle tests. To meet the above requirements, conventional methods include increasing the amount of inorganic filler blended to lower the coefficient of linear expansion of the sealing resin, and adding flexibility to the sealing resin to lower the elasticity. etc. are being considered.
（発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上記のような方法を用いて封止樹脂を作
製した場合、得られる封止樹脂はいくつかの問題点を有
している。例えば、封止樹脂の低線膨張係数化を図るた
め無機質充填剤の配合量を増加する方法では、従来から
用いられている破砕状の無機質充填剤を封止樹脂に多量
に配合すると、封止樹脂が低線膨張係数化され、この封
止樹脂により樹脂封止された半導体装置の冷熱サイクル
テストにおける耐クラツク性は向上する。しかし、封止
樹脂の流動性が著しく低下し半導体素子の封止時にボイ
ドおよび未充填部分が生じたり、ボンディングワイヤー
の断線が生じたりする。また、封止樹脂に可撓性を付与
するため、封止樹脂中にエラストマーを含有させる方法
では、可撓性は付与されるが、樹脂強度が小さ（なると
いう欠点がある。このように、従来の方法では満足すべ
き結果が得られていないのが実情である。(Problems to be Solved by the Invention) However, when a sealing resin is produced using the above method, the resulting sealing resin has several problems.For example, the sealing resin In the method of increasing the amount of inorganic filler blended in order to lower the linear expansion coefficient of The crack resistance of semiconductor devices sealed with this sealing resin during thermal cycle tests is improved. However, the fluidity of the sealing resin is significantly reduced, resulting in voids and unfilled areas during the sealing of semiconductor elements. In addition, in order to impart flexibility to the sealing resin, a method in which an elastomer is included in the sealing resin gives flexibility, but the bonding wire may break. The disadvantage is that the strength is small.As described above, the reality is that conventional methods have not yielded satisfactory results.
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、封
止樹脂にボイドや未充填部分がなく、かつ耐冷熱サイク
ル特性に優れている半導体装置の提供をその目的とする
。The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device that has no voids or unfilled portions in the sealing resin and has excellent cold and heat cycle resistance.
ｃ問題点を解決するための手段）
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有するエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止するという構成をとる。(c) Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention has the following features:
The structure is such that a semiconductor element is sealed using an epoxy resin composition containing the following components (A) to (D).
（Ａ）エポキシ樹脂。(A) Epoxy resin.
（Ｂ）フェノール樹脂。(B) Phenol resin.
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。(C) Brominated epoxy resin.
（Ｄ）平均粒径が５〜２５μ■、最大粒径が９６μｍ以
下、比表面積が１〜３０ポ／ｇの球状の無機質充填剤。(D) A spherical inorganic filler having an average particle size of 5 to 25 μm, a maximum particle size of 96 μm or less, and a specific surface area of 1 to 30 po/g.
すなわち、本発明者は、ボイドや未充填部分の発生を防
止し、かつ低応力化（線膨張係数の低下）を実現するた
めの一連の研究の過程で、無機質充填剤の粒子形状およ
び粒径等によってモールド成形時のエポキシ樹脂組成物
の流動性が変化することに着目し、これを中心に研究を
重ねた。その結果、無機質充填剤として特定の粒径およ
び比表面積を有する球形状のものを用いるとともに臭素
化エポキシ樹脂を併用すると、エポキシ樹脂組成物の流
動性が向上すると同時にその硬化物の線膨張係数が低減
するのを突き止め、これを使用すると、ボイドや未充填
部分の発生が防止されると同時に低応力化も実現できる
ことを見出しこの発明に到達した。In other words, in the course of a series of researches to prevent the occurrence of voids and unfilled areas and to reduce stress (lower coefficient of linear expansion), the inventor has developed the particle shape and particle size of an inorganic filler. We focused on the fact that the fluidity of epoxy resin compositions during molding changes due to factors such as this, and conducted research focusing on this. As a result, when a spherical inorganic filler with a specific particle size and specific surface area is used in combination with a brominated epoxy resin, the fluidity of the epoxy resin composition improves, and at the same time the linear expansion coefficient of the cured product decreases. The inventors have discovered that by using this method, it is possible to prevent the occurrence of voids and unfilled portions, and at the same time reduce stress, resulting in the present invention.
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成分）と、臭素化エ
ポキシ樹脂（Ｃ成分）と、特定の無機質充填剤（Ｄ成分
）とを用いて得られるものであり、通常、粉末状もしく
はそれを打錠したタブレット状になっている。The epoxy resin composition used in this invention is obtained using an epoxy resin (component A), a phenol resin (component B), a brominated epoxy resin (component C), and a specific inorganic filler (component D). It is usually in powder form or tablet form.
上記Ａ成分となるエポキシ樹脂としては、特に制限する
ものではな（、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
クレゾールノボラック型エボキシ樹脂、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂等従来より用いられている各種のエポ
キシ樹脂があげられる。これらのエポキシ樹脂は単独で
用いてもよいし、併用してもよい。The epoxy resin serving as the above component A is not particularly limited (phenol novolac type epoxy resin,
Examples include various epoxy resins that have been used conventionally, such as cresol novolac type epoxy resin and bisphenol A type epoxy resin. These epoxy resins may be used alone or in combination.
上記エポキシ樹脂の中でも好適なエポキシ樹脂としては
、エポキシ当量１７０〜３００のノボラック型エポキシ
樹脂であり、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹
脂、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂等があげられ
る。Among the above epoxy resins, preferred epoxy resins are novolac type epoxy resins having an epoxy equivalent of 170 to 300, such as phenol novolac type epoxy resins, Talesol novolac type epoxy resins, and the like.
上記Ｂ成分のフェノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬
化剤として作用するものであり、フェノールノボラック
樹脂、タレゾールノボラック樹脂等が好適に用いられる
。これらのフェノール樹脂は、軟化点が５０〜１１０℃
、水酸基当量が７０〜１５０であることが好ましい。The phenol resin of component B acts as a curing agent for the epoxy resin, and phenol novolac resin, talesol novolac resin, etc. are preferably used. These phenolic resins have a softening point of 50 to 110°C.
, the hydroxyl equivalent is preferably 70 to 150.
上記のようなエポキシ樹脂およびフェノール樹脂は片方
または双方が、下記の一般式（Ｉ）で表されるオルガノ
ポリシロキサンと反応しているものを用いることが好ま
しい。このような変性エポキシ樹脂あるいは変性フェノ
ール樹脂を単独でもしくは併用することによって、耐ク
ラツク性、耐ヒートサイクル性が一層向上する。この場
合、上記オルガノポリシロキサンの使用量は、エポキシ
樹脂組成物中の有機成分総量に対して、オルガノポリシ
ロキサンが１〜５０重量％（以下「％」と略す）になる
よう設定することが好適であり、より好適なのは５〜３
０％である。すなわち、上記オルガノポリシロキサンの
含有量が１％を下回ると充分な低応力効果がみられなく
なり、逆に５０％を上回ると樹脂強度の低下現象がみら
れるからである。It is preferable to use one or both of the above-mentioned epoxy resins and phenol resins that are reacted with an organopolysiloxane represented by the following general formula (I). By using such modified epoxy resins or modified phenol resins alone or in combination, crack resistance and heat cycle resistance can be further improved. In this case, the amount of the organopolysiloxane used is preferably set so that the amount of the organopolysiloxane is 1 to 50% by weight (hereinafter abbreviated as "%") based on the total amount of organic components in the epoxy resin composition. and more preferable is 5 to 3
It is 0%. That is, if the content of the organopolysiloxane is less than 1%, a sufficient stress-lowering effect will not be observed, whereas if it exceeds 50%, a decrease in resin strength will occur.
上記Ｃ成分の臭素化エポキシ樹脂は、特に制限するもの
ではなく、タレゾールノボラック型臭素化エポキシ樹脂
、フェノールノボラック型臭素化エポキシ樹脂、ビスフ
ェノール型エポキシ樹脂等があげられる。特に、上記臭
素化エポキシ樹脂のなかでも、エポキシ当量が２５０〜
３５０のフェノールノボラック型臭素化エポキシ樹脂を
使用することが好結果をもたらす。The brominated epoxy resin as the C component is not particularly limited, and examples thereof include Talesol novolac type brominated epoxy resin, phenol novolak type brominated epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, and the like. In particular, among the above-mentioned brominated epoxy resins, the epoxy equivalent is 250 to
The use of a 350 phenolic novolac type brominated epoxy resin has given good results.
上記エポキシ樹脂（臭素化エポキシ樹脂を含む）とフェ
ノール樹脂との相互の使用割合は、エポキシ樹脂のエポ
キシ当量と、フェノール樹脂の水酸基当量との関係から
適宜に選択されるが、エポキシ基に対するフェノール性
水酸基の水酸基の当量比が、０．５〜１．５の範囲にな
るよう設定することが好ましい。すなわち、当量比が上
記範囲を外れると、エポキシ樹脂組成物の硬化性が劣る
傾向がみられるようになるからである。The ratio of the above-mentioned epoxy resin (including brominated epoxy resin) and phenol resin is selected appropriately based on the relationship between the epoxy equivalent of the epoxy resin and the hydroxyl equivalent of the phenol resin. It is preferable to set the equivalent ratio of hydroxyl groups to hydroxyl groups in a range of 0.5 to 1.5. That is, if the equivalent ratio is out of the above range, the curability of the epoxy resin composition tends to be poor.
上記り成分の特定の無機質充填剤としては、平均粒径が
５〜２５μｍ、最大粒径が９６μｌ以下、比表面積が１
〜３０ｍ２／ｇの球状のものを用いる必要がある。すな
わち、上記平均粒径が２５μｍを超えると冷熱サイクル
試験時における耐クラツク性が低下し、５μｍを下回る
とエポキシ樹脂組成物の流動性が低下するという問題が
生じるからである。また、上記最大粒径が９６μｍを超
えると、成形時におけるばりが長くなり、成形作業性に
支障が生じるからである。さらに、上記比表面積が１〜
３０ｒｒｒ／ｇを超えると、やはりエポキシ樹脂組成物
の成形時における作業性が低下し、ワイヤー断線、エポ
キシ樹脂組成物の未充填部分が生じ問題を生じる傾向が
みられるからである。The above-mentioned specific inorganic filler has an average particle size of 5 to 25 μm, a maximum particle size of 96 μl or less, and a specific surface area of 1
It is necessary to use a spherical material with a size of ~30 m2/g. That is, if the average particle diameter exceeds 25 μm, the crack resistance during a thermal cycle test will be reduced, and if it is less than 5 μm, there will be a problem that the fluidity of the epoxy resin composition will be reduced. Further, if the maximum particle size exceeds 96 μm, burrs during molding become long, which impairs molding workability. Furthermore, the specific surface area is 1 to
This is because if it exceeds 30 rrr/g, the workability during molding of the epoxy resin composition decreases, and problems such as wire breakage and unfilled portions of the epoxy resin composition tend to occur.
なお、上記平均粒径は、グラヌロメーター（Ｇｒａｎｕ
ｌｏｍｅｔｅｒ）モデル７１５型〈シーラス（ＣＩＬＡ
Ｓ）社製〉を用いて測定した重量平均粒径である。そし
て、上記比表面積は、カンタ−ソープ表面積測定装置（
湯浅アイオニクス社製）を用い、ＢＥＴ法により測定し
た値である。このような無機質充填剤としては、溶融シ
リカ、結晶性シリカ。Note that the above average particle size is measured using a granulometer.
lometer) Model 715〈CILA
This is the weight average particle diameter measured using a product manufactured by S) Co., Ltd. The above specific surface area is calculated using a Canterthorpe surface area measuring device (
(manufactured by Yuasa Ionics Co., Ltd.) and measured by the BET method. Examples of such inorganic fillers include fused silica and crystalline silica.
タルク、アルミナ、ガラス等があげられる。特に、冷熱
サイクル試験時の耐クラツク性や耐湿信頬性等を考慮す
ると、溶融シリカ、結晶性シリカを用いることが好適で
ある。Examples include talc, alumina, and glass. In particular, in consideration of crack resistance and moisture resistance during thermal cycle tests, it is preferable to use fused silica and crystalline silica.
なお、上記「球状」とは、ワーデルの球形度で０．７〜
！、０の球形度を有するものである。なお、上記ワーデ
ルの球形度（化学工学便覧、丸善株式会社発行参照）と
は、粒子の球形度を、（粒子の投影面積に等しい円の直
径）／（粒子の投影像に外接する最小円の直径）で測る
指数で、この指数が１．０に近いほど真球体に近い粒子
であることを意味する。すなわち、上記無機質充填剤の
形状は、真球体でなければならない必要はないが、角状
を有する形状（角ばった状態）のものでなければよい。In addition, the above-mentioned "spherical" means 0.7 to 0.7 in terms of Wardell's sphericity.
! , has a sphericity of 0. The above Wardell's sphericity (see Chemical Engineering Handbook, published by Maruzen Co., Ltd.) refers to the sphericity of a particle as: (diameter of a circle equal to the projected area of the particle)/(of the smallest circle circumscribing the projected image of the particle) The closer this index is to 1.0, the closer the particle is to a perfect sphere. That is, the shape of the inorganic filler does not necessarily have to be a perfect sphere, but it does not have to have an angular shape (angular shape).
このような無機質充填剤の配合量は、エポキシ樹脂組成
物全体中に６０〜９０％になるように設定することが好
ましい。The amount of such an inorganic filler is preferably set to 60 to 90% in the entire epoxy resin composition.
また、この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物には、
上記Ａ−Ｄ成分以外にも、必要に応じて従来より用いら
れているその他の添加剤が含有される。In addition, the epoxy resin composition used in this invention includes:
In addition to the above-mentioned components A to D, other conventionally used additives may be contained as necessary.
上記その他の添加剤としては、例えば硬化促進剤２離型
剤６着色剤、シランカップリング剤等があげられる。Examples of the other additives include a curing accelerator, a mold release agent, a coloring agent, and a silane coupling agent.
上記硬化促進剤としては、三級アミン、四級アンモニウ
ム塩、イミダゾール、有機リン系化合物および桓つ素化
合物等があげられる。これらの化合物は単独でもしくは
併せて用いられる。Examples of the curing accelerator include tertiary amines, quaternary ammonium salts, imidazole, organic phosphorus compounds, and phosphorus compounds. These compounds may be used alone or in combination.
上記離型剤としては、従来公知のステアリン酸カルナバ
ワックス、モンタンワックス等のワックス類を用いるこ
とができる。As the mold release agent, conventionally known waxes such as carnauba stearate wax and montan wax can be used.
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、例えはつぎの
ようにして製造することができる。すなわち、上記Ａ−
Ｄ成分ならびに上記その他の添加剤を適宜配合し、この
混合物をミキシングロール機等の混練機に掛は加熱状態
で混練して溶融混合し、これを室温に冷却した後公知の
手段により粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の
工程により、目的とするエポキシ樹脂組成物を得ること
ができる。The epoxy resin composition used in this invention can be produced, for example, as follows. That is, the above A-
Ingredient D and the other additives mentioned above are appropriately blended, this mixture is kneaded in a kneading machine such as a mixing roll machine in a heated state to melt and mix, and after cooling to room temperature, it is pulverized by known means, The desired epoxy resin composition can be obtained through a series of steps including tableting as necessary.
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は、特に制限するものではなく、通常のトランスフ
ァー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。The encapsulation of a semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.
このようにして得られる半導体装置は、その封止樹脂に
、ボイドや未充填部分、ワイヤー断線等が生じていない
ため、性能的に問題がなく、また耐冷熱サイクル特性に
優れた安定性を示している。The semiconductor device obtained in this way has no performance problems because there are no voids, unfilled areas, wire breaks, etc. in the encapsulating resin, and it exhibits excellent stability in cold and hot cycle resistance. ing.
以上のように、この発明の半導体装置は、上記のような
特定の形状を有する無機質充填剤を含有するエポキシ樹
脂組成物を用いて封止されているため、製造過程におい
て生じるボイドや未充填部分、ワイヤー断線等に起因す
る性能の低下が生じず良好な特性を備えている。さらに
、耐冷熱サイクル特性においても優れた信鎖性を有して
いる。As described above, since the semiconductor device of the present invention is encapsulated using an epoxy resin composition containing an inorganic filler having a specific shape as described above, voids and unfilled portions that occur during the manufacturing process can be avoided. , it has good characteristics without deterioration in performance due to wire breakage, etc. Furthermore, it has excellent reliability in terms of cold and heat cycle resistance.
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
まず、下記の第１表に示す溶融シリカ粉末を準備した。First, fused silica powder shown in Table 1 below was prepared.
つぎに、上記溶融シリカ粉末を用いて、下記の第２表に
示すような原料を準備し、これら原料を第２表に示す割
合で配合し、ミキシングロール機で混練して冷却粉砕し
た後、目的とするエポキシ樹脂組成物を得た。なお、第
２表に示したシリコーンは下記の構造式で表されるもの
を用いた。Next, using the above fused silica powder, prepare raw materials as shown in Table 2 below, blend these raw materials in the proportions shown in Table 2, knead with a mixing roll machine, cool and grind, The desired epoxy resin composition was obtained. The silicones shown in Table 2 were those represented by the following structural formula.
（以下余白）
〔実施例１〜６、比較例１．２〕
以
下
余
白
このようにして得られたエポキシ樹脂組成物の流動特性
、成形性、硬化物特性を調べ後記の第３表に示した。ま
た、半導体素子を樹脂封止して半導体装置を組み立て耐
クラツク性を調べ後記の第３表に併せて示した。(Left below) [Examples 1 to 6, Comparative Example 1.2] (Left below) The flow characteristics, moldability, and cured product properties of the epoxy resin composition thus obtained were investigated and shown in Table 3 below. . In addition, the semiconductor device was assembled by resin-sealing the semiconductor element, and the crack resistance was examined and is also shown in Table 3 below.
なお、第３表において、各特性の評価は下記に示す方法
により測定し行った。In addition, in Table 3, evaluation of each characteristic was performed by measuring by the method shown below.
■ スパイラルフロー
得られたエポキシ樹脂組成物の粉末２０ｇを用いてＥＭ
ＭＬ−１−６６に準じた金型により、金型温度１７５°
Ｃ，プランジャー圧カフ０ｋｇ／＋ｎａ＋”で成形した
ときの流れ値を測定した。■ EM using 20g of powder of the epoxy resin composition obtained by spiral flow.
Mold temperature 175° with mold according to ML-1-66
C. The flow value was measured when molded with a plunger pressure cuff of 0 kg/+na+''.
■ ぼり特性
２０μｍ以下の所定厚みのスリットを有する金型を用い
、温度１７５“Ｃ±３°Ｃ２注入圧７０注入圧７０ｋ成
／ｃｔで成形した後、流動長さを測定した。(2) Flowing Characteristics Using a mold having a slit with a predetermined thickness of 20 μm or less, the molding was performed at a temperature of 175°C±3°C, an injection pressure of 70 kg/ct, and then the flow length was measured.
■ 線膨張係数
温度１７５ ’Ｃ±３°Ｃ１注入圧７０ｋ注入圧７０性
時間硬化させたテストピースを作製し、これをＴＭＡ（
理学電機社製）にて測定した。■ Coefficient of linear expansion Temperature: 175'C±3°C1 Injection pressure: 70k Injection pressure: 70 hours A test piece was prepared, and this was cured by TMA (
(manufactured by Rigaku Denki Co., Ltd.).
■ 曲げ弾性率
上記線膨張係数と同様の条件で成形を行った後、テンシ
ロン万能試験機（東洋ボールドウィン社製）にて測定し
た。(2) Bending elastic modulus After molding was carried out under the same conditions as the linear expansion coefficient described above, measurement was performed using a Tensilon universal testing machine (manufactured by Toyo Baldwin Co., Ltd.).
■ 温度サイクルテスト（ＴＣＴテスト）による耐クラ
ツク性
作製した半導体装置を、−５０°Ｃ１５分〜１５０°Ｃ
１５分のＴＣＴテストを２００回繰り返した後、半導体
装置のクラック発生数を数えた。■ Crack resistance by temperature cycle test (TCT test) The manufactured semiconductor device was tested at -50°C for 15 minutes to 150°C.
After repeating the 15-minute TCT test 200 times, the number of cracks generated in the semiconductor device was counted.
（以下余白）
第３表の結果から、比較例１品は耐クラツク性は良好で
あるが流動性に問題があり、比較例２品は流動性および
耐クラツク性の双方に問題がある。その点、実施測高は
流動性および耐クラツク性の双方に優れている。(The following is a blank space) From the results in Table 3, Comparative Example 1 has good crack resistance but has a problem in fluidity, and Comparative Example 2 has problems in both fluidity and crack resistance. In this respect, the actual height measurement is excellent in both fluidity and crack resistance.
特許出願人 日東電工株式会社 代理人 弁理士 西 藤 征 彦Patent applicant: Nitto Denko Corporation Agent: Patent Attorney Yukihiko Nishifuji
Claims (2)
脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置
。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。 （Ｄ）平均粒径が５〜２５μｍ、最大粒径が９６μｍ以
下、比表面積が１〜３０ｍ＾２／ｇの球状の無機質充填
剤。(1) A semiconductor device in which a semiconductor element is sealed using an epoxy resin composition containing the following components (A) to (D). (A) Epoxy resin. (B) Phenol resin. (C) Brominated epoxy resin. (D) A spherical inorganic filler having an average particle size of 5 to 25 μm, a maximum particle size of 96 μm or less, and a specific surface area of 1 to 30 m^2/g.
ール樹脂の少なくとも一方が下記の一般式（Ｉ）で表さ
れるオルガノポリシロキサンと反応しているものである
請求項（１）記載の半導体装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｉ） 式（Ｉ）中、Ｒは一価の有機基であり、相 互に同じであつても異なつていてもよい。 ただし、１分子中において、上記Ｒのうち少なくとも２
個はアミノ基置換有機基、エポキシ基置換有機基、水酸
基置換有機基、ビニル基置換有機基、メルカプト基置換
有機基およびカルボキシル基置換有機基なる群がら選択
された基である、ｍは０〜５００の整数である（３）下
記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。 （Ｄ）平均粒径が５〜２５μｍ、最大粒径が９６μｍ以
下、比表面積が１〜３０ｍ＾２／ｇの球状の無機質充填
剤。(2) The semiconductor device according to claim (1), wherein at least one of the epoxy resin as component A and the phenol resin as component B is reacted with an organopolysiloxane represented by the following general formula (I). . ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(I) In formula (I), R is a monovalent organic group, and they may be the same or different. However, in one molecule, at least 2 of the above R
is a group selected from the group consisting of an amino group-substituted organic group, an epoxy group-substituted organic group, a hydroxyl group-substituted organic group, a vinyl group-substituted organic group, a mercapto group-substituted organic group, and a carboxyl group-substituted organic group, m is 0 to 500 (3) An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing the following components (A) to (D). (A) Epoxy resin. (B) Phenol resin. (C) Brominated epoxy resin. (D) A spherical inorganic filler having an average particle size of 5 to 25 μm, a maximum particle size of 96 μm or less, and a specific surface area of 1 to 30 m^2/g.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29512888A JPH02140959A (en) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29512888A JPH02140959A (en) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140959A true JPH02140959A (en) | 1990-05-30 |
Family
ID=17816649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29512888A Pending JPH02140959A (en) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140959A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02209949A (en) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Epoxy resin composition and cured material for sealing of semiconductor |
| JPH02247236A (en) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Nippon Chem Ind Co Ltd | Fused fine spherical silica and sealing resin composition containing the same |
| JP2002294029A (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and semiconductor device |
| JP2016056371A (en) * | 2010-05-07 | 2016-04-21 | 住友ベークライト株式会社 | Laminated base material for printed circuit board, laminated body for printed circuit board, printed circuit board, and semiconductor device |
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-
1988
- 1988-11-22 JP JP29512888A patent/JPH02140959A/en active Pending
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