JPH02138457A - ＢＳｉＮ薄膜の形成方法 - Google Patents
ＢＳｉＮ薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH02138457A JPH02138457A JP63289633A JP28963388A JPH02138457A JP H02138457 A JPH02138457 A JP H02138457A JP 63289633 A JP63289633 A JP 63289633A JP 28963388 A JP28963388 A JP 28963388A JP H02138457 A JPH02138457 A JP H02138457A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｘ線リソグラフィのマスク材などで用いら
れるＢ５１Ｎ薄膜の形成方法に関するものである。
れるＢ５１Ｎ薄膜の形成方法に関するものである。
Ｘ線リングラフィにおいて、Ｘ線を透過させることがで
きる基板表面にＢ５１Ｎｌｌ１９をパターン形成したマ
スク材が従来より用いられている。このマスク材の作成
は、従来では前記基板表面にＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法によって
前記Ｂ５１Ｎ薄膜をパターン形成するようにしている。
きる基板表面にＢ５１Ｎｌｌ１９をパターン形成したマ
スク材が従来より用いられている。このマスク材の作成
は、従来では前記基板表面にＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法によって
前記Ｂ５１Ｎ薄膜をパターン形成するようにしている。
しかしながら、ＣＶＤ法では原料ガスとして、Ｂ Ｈｓ
、 ５ｉｔ（ａ。Ｎ２が用いられるので、形成された
Ｂ５１Ｎ薄膜中に水素元素が混入し、これによって形成
されたＢ５１Ｎ薄膜が脆弱なものとなり、膜質が劣化し
ていたに の発明の目的は、改質を向上することができるＢ５１Ｎ
薄膜の形成方法を提供することである。
、 ５ｉｔ（ａ。Ｎ２が用いられるので、形成された
Ｂ５１Ｎ薄膜中に水素元素が混入し、これによって形成
されたＢ５１Ｎ薄膜が脆弱なものとなり、膜質が劣化し
ていたに の発明の目的は、改質を向上することができるＢ５１Ｎ
薄膜の形成方法を提供することである。
この発明のＢ５１Ｎｉ膜の形成方法は、基材表面に対し
て、ホウ素およびケイ素の蒸着と、窒素イオン照射とを
併用してＢ５１Ｎ薄膜を形成することを特徴とする。
て、ホウ素およびケイ素の蒸着と、窒素イオン照射とを
併用してＢ５１Ｎ薄膜を形成することを特徴とする。
この発明の構成によれば、基材表面にｆｒＩされるホウ
素およびケイ素と、イオンとして照射される窒素とは、
基材表面において混合され、前記基板表面にＢ５１Ｎ薄
膜を形成する。窒素イオンが加速Ｊネルギーを有して照
射されることによって基材表面では、基材と、ホウ素お
よびケイ素ならびに窒素との混合層が形成され、この混
合層の働きによって、前記Ｂ５１Ｎ薄膜は基材表面に対
して強固に密着して形成される。このようにして、水素
元素を含むガスを用いずにＢ５１Ｎ薄膜が形成されるの
で、水素元素がＢ５１Ｎｉｉｌｌｌ中に混入することが
防がれ、したがってＢ５１Ｎｉ膜が脆弱化することはな
い。
素およびケイ素と、イオンとして照射される窒素とは、
基材表面において混合され、前記基板表面にＢ５１Ｎ薄
膜を形成する。窒素イオンが加速Ｊネルギーを有して照
射されることによって基材表面では、基材と、ホウ素お
よびケイ素ならびに窒素との混合層が形成され、この混
合層の働きによって、前記Ｂ５１Ｎ薄膜は基材表面に対
して強固に密着して形成される。このようにして、水素
元素を含むガスを用いずにＢ５１Ｎ薄膜が形成されるの
で、水素元素がＢ５１Ｎｉｉｌｌｌ中に混入することが
防がれ、したがってＢ５１Ｎｉ膜が脆弱化することはな
い。
第１図はこの発明の一実施例に従う薄膜形成装置の原理
的な構成を示す概念図である。真空ポンプなどで排気さ
れた真空槽１内には、基板２が配置され、この基板２に
対向して窒素（Ｎ）イオンを加速して引き出すイオンＲ
３と、それぞれホウ素（Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）を蒸気化
させる電子ビーム加熱式蒸発Ｒ（以下「１発源」という
、）４゜５とが配されている。このような構成によって
、基板２表面に対して、イオン源３からの窒素イオン照
射と、蒸発源４，５からの蒸気化したホウ素およびケイ
素の真空蒸着とが同時にまたは交互に行われ（すなわち
併用して行われ）、そのようにして前記基板２表面にＢ
５１Ｎｉ膜が形成されていイオンＲ３からの加速された
窒素イオンの働きによって、基板２表面では、この基板
２の材料と、前記蒸着されるホウ素およびケイ素ならび
に前記照射される窒素との混合層が形成される。この混
合層は基板２表面に充分強固に密着して形成され、この
混合層上にホウ素とケイ素と窒素とが混合して形成され
るＢ５１Ｎ薄ｎりは前記混合層に対して高い密着強度を
有することができるので、結果としてＢ５１Ｎ薄膜を基
板２表面に強固に密着して形成することができることに
なる。
的な構成を示す概念図である。真空ポンプなどで排気さ
れた真空槽１内には、基板２が配置され、この基板２に
対向して窒素（Ｎ）イオンを加速して引き出すイオンＲ
３と、それぞれホウ素（Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）を蒸気化
させる電子ビーム加熱式蒸発Ｒ（以下「１発源」という
、）４゜５とが配されている。このような構成によって
、基板２表面に対して、イオン源３からの窒素イオン照
射と、蒸発源４，５からの蒸気化したホウ素およびケイ
素の真空蒸着とが同時にまたは交互に行われ（すなわち
併用して行われ）、そのようにして前記基板２表面にＢ
５１Ｎｉ膜が形成されていイオンＲ３からの加速された
窒素イオンの働きによって、基板２表面では、この基板
２の材料と、前記蒸着されるホウ素およびケイ素ならび
に前記照射される窒素との混合層が形成される。この混
合層は基板２表面に充分強固に密着して形成され、この
混合層上にホウ素とケイ素と窒素とが混合して形成され
るＢ５１Ｎ薄ｎりは前記混合層に対して高い密着強度を
有することができるので、結果としてＢ５１Ｎ薄膜を基
板２表面に強固に密着して形成することができることに
なる。
このようにしてこの実施例では、Ｂ５１Ｎ薄ＩＩＩは従
来のＣＶＤ法のように水素元素を含むガスを用いること
なく形成されるので、Ｂ５１Ｎ薄膜に水素元素が混入す
ることはなく、したがって３５ｉＮ１膜が脆弱化するこ
とを防いで良好な膜質とすることができる。これによっ
て、前述のような方法によってたとえばＸ線を透過させ
ることができる基板表面にＢ５１ＮＦｌ膜をパターン形
成するようにすれば、Ｘ線リソグラフィにおいて用いら
れる良好なマスク材を作成することができる。またＢ５
１Ｎ薄膜の形成は基板２の温度を高温にすることなく行
われるので、基板２の材料の自由度が増大する。
来のＣＶＤ法のように水素元素を含むガスを用いること
なく形成されるので、Ｂ５１Ｎ薄膜に水素元素が混入す
ることはなく、したがって３５ｉＮ１膜が脆弱化するこ
とを防いで良好な膜質とすることができる。これによっ
て、前述のような方法によってたとえばＸ線を透過させ
ることができる基板表面にＢ５１ＮＦｌ膜をパターン形
成するようにすれば、Ｘ線リソグラフィにおいて用いら
れる良好なマスク材を作成することができる。またＢ５
１Ｎ薄膜の形成は基板２の温度を高温にすることなく行
われるので、基板２の材料の自由度が増大する。
Ｂ５１Ｎ薄膜形成時において、各元素の基板表面への輸
送比は、 Ｂ：Ｓｉ：Ｎ＝１〜２： １〜２：１ の範囲に選ばれるが、 Ｂ：Ｓｉ：Ｎ＝１ ： １ ： １とすること
が好ましい。ホウ素およびケイ素の輸送量を窒素の輸送
量以上とするのは、加速された窒素イオンによる蒸気化
したホう素およびケイ素に対するスパッタ作用を考慮し
てのことである。
送比は、 Ｂ：Ｓｉ：Ｎ＝１〜２： １〜２：１ の範囲に選ばれるが、 Ｂ：Ｓｉ：Ｎ＝１ ： １ ： １とすること
が好ましい。ホウ素およびケイ素の輸送量を窒素の輸送
量以上とするのは、加速された窒素イオンによる蒸気化
したホう素およびケイ素に対するスパッタ作用を考慮し
てのことである。
また窒素イオンの基［２に対する入射角は６０度以内と
され、その加速エネルギーは、１０ｅＶ〜４０ｋｅＶの
範囲に選ばれる。この加速エネルギーの下限の値は窒素
イオンのイオン源３からの引き出し限界値であり、上限
の値は窒素イオンによる前述のホウ素およびケイ素に対
するスパッタ作用を考慮して定められた値である。なお
、前記窒素イオンの加速エネルギーは１．００ ｅＶ〜
２ｋｅＶの範囲とされることがより好ましく、この範囲
に選ぶことによって形成されたＢ５１ＮＦｉ膜に、イオ
ン源３からの窒素イオンによって格子欠陥などが生じる
ことが可及的に防がれる。
され、その加速エネルギーは、１０ｅＶ〜４０ｋｅＶの
範囲に選ばれる。この加速エネルギーの下限の値は窒素
イオンのイオン源３からの引き出し限界値であり、上限
の値は窒素イオンによる前述のホウ素およびケイ素に対
するスパッタ作用を考慮して定められた値である。なお
、前記窒素イオンの加速エネルギーは１．００ ｅＶ〜
２ｋｅＶの範囲とされることがより好ましく、この範囲
に選ぶことによって形成されたＢ５１ＮＦｉ膜に、イオ
ン源３からの窒素イオンによって格子欠陥などが生じる
ことが可及的に防がれる。
前述の実施例では、蒸発ａ４．５は電子ビーム加熱式蒸
発源としたが、たとえばスパッタ蒸発源などの他の蒸発
源が用いられてもよい。
発源としたが、たとえばスパッタ蒸発源などの他の蒸発
源が用いられてもよい。
またＢ５１Ｎｉｉ膜が形成される基板２は必要に応じて
加熱または冷却されてもよい。
加熱または冷却されてもよい。
この発明のＢ Ｓ ｉ Ｎ ｆｉｌＩ！Ｊの形成方法に
よれば、水素元素を含むガスを用いずにＢ５１Ｎ薄膜が
形成されるので、水素元素がＢ５１Ｎ″ｉ！ｉ膜中に混
入することが防がれ、したがってＢ５１Ｎ薄膜が脆弱化
することが防がれるようになり、これによって良好な膜
質のＢｓ；ＮＦｊｉｔＰＪを基材表面に形成することが
できるようになる。
よれば、水素元素を含むガスを用いずにＢ５１Ｎ薄膜が
形成されるので、水素元素がＢ５１Ｎ″ｉ！ｉ膜中に混
入することが防がれ、したがってＢ５１Ｎ薄膜が脆弱化
することが防がれるようになり、これによって良好な膜
質のＢｓ；ＮＦｊｉｔＰＪを基材表面に形成することが
できるようになる。
さらに、Ｂ５１ＮＦｉ（膜の形成は基材を高温にするこ
となく行うことができるので、基材の材料に対する自由
度が増゛大するという効果をも奏することができる。
となく行うことができるので、基材の材料に対する自由
度が増゛大するという効果をも奏することができる。
第１図はこの発明の一実施例に従う薄膜形成装置の原理
的な構成を示す概念図である。
的な構成を示す概念図である。
Claims (1)
- 基材表面に対して、ホウ素およびケイ素の蒸着と、窒素
イオン照射とを併用してＢＳｉＮ薄膜を形成することを
特徴とするＢＳｉＮ薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289633A JPH02138457A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | ＢＳｉＮ薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289633A JPH02138457A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | ＢＳｉＮ薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138457A true JPH02138457A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=17745763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63289633A Pending JPH02138457A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | ＢＳｉＮ薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02138457A (ja) |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63289633A patent/JPH02138457A/ja active Pending
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